телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАОдежда и обувь -30% Товары для животных -30% Игры. Игрушки -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютерные сети

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика

найти похожие
найти еще

Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый.
Оригинальный светильник - ночник - проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фонариков) 2) Три
330 руб
Раздел: Ночники
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Недостатками такой конструкции полевого транзистора, обусловленными перекрытием затвором области истока, является повышенная емкость затвор — исток и малое напряжение пробоя. Перекрытие может быть исключено с помощью техники самосовмещения, но это требует дополнительных технологических операций. Трудность изготовления на одном кристалле биполярного и полевого с вертикальным каналом транзисторов заключается в выборе оптимального значения сопротивления эпитаксиального слоя, определяющего сопротивление канала и коллектора. ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫЕ БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА Функционально-интегрированная структура, содержащая биполярный p- -p-транзистор V 1 и полевой транзистор с управляющим р-п переходом V 2, показана на рис. 6. В ней совмещены коллекторная область биполярного р- -транзистора с затворной областью и и-канального полевого транзистора, а также базовая область р- -р-транзистора с истоковой областью полевого транзистора. Эта структура является основой нового схемотехнического базиса логических элементов, использующего явление инжекции основных носителей заряда и полевой эффект и названного инжекционно-полевой логикой, выполняет функции инвертора и содержит полевой транзистор в качестве переключательного элемента, а в качестве нагрузочного элемента (генератора тока) — биполярный транзистор. Затвор полевого транзистора служит входом (рис. 6 а, б, в), а сток — выходом инвертора. Рис. 6. Структура (а), топология (б) и эквивалентная электрическая схема (в) инжекционно-полевого инвертора Инжекционно-полевой элемент работает следующим образом. Подключение базы и эмиттера р- -р-транзистора соответственно к земле и к плюсовым электродам цепи питания при подаче на последние напряжения, равного напряжению открывания эмиттерного р-п перехода (0,3.0,6 В), обеспечивает протекание тока питания между эмиттером и коллектором р- -р-транзистора. При этом р- -р-транзистор включен по схеме с общей базой и является генератором постоянного тока, величина которого практически не зависит от напряжения на его коллекторе. Ток питания представляет собой ток неосновных носителей заряда, перемещающихся в базовой области р- -р-транзистора, являющейся одновременно истоковой областью полевого транзистора. Неосновные носители заряда собираются (коллектируются) р- переходом затвор — исток. Полевой транзистор в ИПЛ-инверторе работает в режиме, не характерном для работы полевых транзисторов в традиционных схемах. При нулевом потенциале на входе инвертора (т. е. при замыкании затвора полевого транзистора на «землю», см. рис. 6), соответствующем напряжению логического нуля, полевой переключательный транзистор закрыт, так как его канал перекрыт обедненным слоем объемного заряда р-п перехода затвор — исток и имеет очень высокое сопротивление (рис. 7). Кроме того, обычно напряжение между затвором и истоком, при котором происходит перекрытие канала слоем объемного заряда, имеет отрицательную полярность и составляет несколько вольт. В случае ИПЛ-элемента это напряжение имеет положительную полярность и составляет несколько долей вольта. В самом деле, если гальваническая связь между входом и «землей» отсутствует, то неосновные носители заряда, коллектированные р- переходом затвор — исток, будут накапливаться в затворной области, пока на ней не установится потенциал, примерно равный напряжению источника питания.

Структура, содержащая такие транзисторы, представлена на рис. 2. В ней одна ионно-легированная область образует канал р-типа между областями истока и стока, а вторая ионно-легированная область образует затворную область над этим каналом. Такая технология включает операции диффузии базы, истока и стока, а также эмиттера и омических контактов коллектора и затвора. На следующих этапах изготовления микросхемы готовая пластина с диффузионными областями дополняется областями канала и затвора, формируемыми методом ионного легирования. Различие между структурой биполярный транзистор — ПТУП и структурой на основе обычной планарно-эпитаксиальной технологии заключается в наличии сформированного ионным легированием канала, заглубленного под поверхность полупроводникового материала в промежутке между областями истока и стока. В процессе изготовления этой структуры одна операция ионного легирования обеспечивает формирование канала p-типа между истоковым и стоковым контактами, которые представляют собой стандартные диффузионные области р-типа, формируемые одновременно с диффузией базы в биполярных транзисторах. С помощью второго ионного легирования формируется затворная область -типа, закрывающая сверху область канала. Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим р- переходом пропорционально суммарному количеству легирующей примеси, имеющемуся в его канале. Рис. 2. Структура, содержащая биполярный транзистор и полевой транзистор с управляющим р-п переходом с ионно-легированным каналом (1) и ионно-легированным верхним управляющим затвором (2) Рис. 3. Биполярно-полевая структура с диэлектрической изоляцией элементов, обеспечивающая высокий коэффициент усиления: 1– ионно-легированная область базы транзистора; 2– изолирующий окисел кремния; 3– поликристаллический кремний с большим удельным сопротивлением; 4–область канала полевого транзистораПри использовании диффузионной технологии напряжение отсечки полевых транзисторов контролируется очень плохо и получить два полевых транзистора с согласованными напряжениями отсечки почти невозможно. При переходе на формирование канала с помощью ионного легирования появляется возможность практически точно задать количество ионов примеси, необходимое для получения канала с заданными свойствами. В результате становится вполне реальным управлять абсолютными значениями напряжений отсечки и получить ПТУП с точно согласованными параметрами. В то же время формирование ионно-легированных каналов с малыми примесными концентрациями позволяет получить не только небольшие по абсолютному значению напряжения отсечки, но и высокие пробивные напряжения полевых транзисторов. В рассмотренных выше вариантах структур биполярный транзистор — ПТУП особое внимание уделено обеспечению малых значений напряжения отсечки полевых транзисторов. Однако, при использовании этих структур в ОУ следует учитывать и необходимость обеспечения высоких электрических характеристик биполярных транзисторов, в частности, статического коэффициента передачи тока В. Для этих целей разработана структура биполярного транзистора с большим коэффициентом передачи тока, в которой область активной базы имеет низкую концентрацию легирующей примеси ( =2.4·1015 см–3). Такой уровень легирования базы при ее малой толщине, обусловленной необходимостью обеспечения высокой граничной частоты и коэффициента передачи тока, достигается в данной структуре сочетанием ионной имплантации и диффузии.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE

lib BC548B NPN маломощный биполярный транзистор BC558B PNP маломощный биполярный транзистор 2N2222 NPN биполярный транзистор 2N2907A PNP биполярный транзистор 2N3904 NPN биполярный транзистор 2N3906 PNP биполярный транзистор 1N750 Стабилитрон MV2201 Варикап 1N4002 Выпрямительный (силовой) диод 1N4148 Импульсный диод MBD101 Импульсный диод 1N914 Диод 2N3819 N-канальный полевой транзистор 2N4393 N-канальный полевой транзистор IXGH40N60 N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor LM324 Операционный усилитель LF411 Операционный усилитель UA741 Операционный усилитель LM111 Компаратор K3019PL_3C8 Трансформатор с ферромагнитным сердечником K502T300_3C8 Трансформатор с ферромагнитным сердечником K528Т500_3C8 Трансформатор с ферромагнитным сердечником KRM8PL_3C8 Трансформатор с ферромагнитным сердечником IRF150 Мощный МОП-транзистор N-типа IRF9140 Мощный МОП-транзистор Р-типа PAL20RP4B Программируемое логическое устройство A4N25 Оптоэлектронный элемент 2N1595 Тиристор 2N5444 Семистор 555D Смешанный аналогово-числовой таймер

скачать реферат Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ КМДП-БИС» МИНСК, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов ее изготовления выдвигается на первый план как основа для создания БИС и СБИС сложных полупроводниковых цифровых и аналоговых устройств. Такие схемы называют схемами с взаимодополняющими (комплементарными) транзисторами (КМДП). Подложки каждого из транзисторов соединены с их истоками, что предотвращает открывание р-п переходов. Затворы транзисторов объединены. На них подается управляющий входной сигнал, уровень которого изменяется от U0вх 5— -диффузионные области стока и истока -канального МДП-транзистора Улучшить рабочие характеристики -канальных приборов позволяет конструктивно-технологический вариант исполнения КМДП-инвертора с карманами -типа (рис. 4, б). Этот вариант является наиболее пригодным при создании КМДП-микросхем с большим количеством -канальных приборов.

Багетная рама "Melissa" (цвет - коричневый+золотой), 30х40 см.
Багетные рамы предназначены для оформления картин, вышивок и фотографий. Оформленное изделие всегда становится более выразительным и
698 руб
Раздел: Размер 30x40
Настольная игра "Спрячь крота".
Игра на ловкость рук и остроту глаза. Способствует развитию зрительно-моторной координации движений, концентрации внимания и зрительного
574 руб
Раздел: Игры на ловкость
Магнит "FIFA 2018. Забивака. Удар!".
Магнит с символикой чемпионата мира FIFA 2018. Материал: полистоун.
365 руб
Раздел: Брелоки, магниты, сувениры
 Оружие победы

Итак, коллектив КБ, как и оркестр, состоит из людей узких специальностей; их гармоническое сочетание должно обеспечить высокое качество исполнения. Узкая специализация имеет и отрицательные стороны, она отдаляет конструктора от всего остального, что не входит в круг его непосредственных обязанностей, и это усложняет подготовку руководящего состава КБ. Каждый конструктор специализируется на создании одного механизма или агрегата, детали и узлы которого могут быть изготовлены и собраны совершенно независимо от изготовления и сборки других, смежных с ним деталей и агрегатов. Например, ствол, затвор, прицел могут быть изготовлены и испытаны независимо друг от друга, а затем соединены в одно целое пушку. Таким образом, при узкой специализации конструктор может в относительно короткий срок приобрести высокую квалификацию в конструктивно-технологическом формировании своего агрегата, к которому, как и к орудию в целом, предъявляются три группы требований: служебно-эксплуатационные, экономические и эстетические. Лишь при использовании в работе над каждым агрегатом последних достижений науки и техники можно обеспечить надежность, безотказность, простоту в обслуживании, высокую эффективность, высокую технологичность, дешевизну и красоту пушки

скачать реферат Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

При этом решаются основные задачи: 1) исследование физических процессов в технологических установках; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних воздействиях; 3) исследование электрических взаимодействий полупроводниковых приборов в составе БИС. Моделирование физических процессов в технологических установках позволяет получить, в частности, количественные характеристики пол п оводниковых интегpальных стpуктур. Таким характеристикам прежде всего относятся распределение концентраций легирующих примесей в эпитаксиальныхп ионно-легированных и диффузионных слоях, толщины таких слоев и другие электpофизические параметpы. Они являются исходными данными для проектирования элементов БИС. Следует отметить, что моделирование технологических процессов является важным, но не единственным источником данных, которые используются на следующем этапе проектирования. Моделирование физических процессов в интегральных структурах элементов необходимо для: 1) исследования физики процессбв, протекающих в принципиально новых элементах БИС; 2) исследования новых конструктивно- технологических вариантов компонентов (в частности, компонентов с субмикронными размерами) и экстремальных режимов их работы; 3) определения параметров эквивалентных электрических схем.

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ТРАМПОВОЕ СУДОХОДСТВО (от англ. tramp - бродяга) - нерегулярное морское судоходство, при котором перевозки грузов осуществляются на судах, не закрепленных на определенных линиях, выполняющих разовые перевозки по договору - чартеру. ТРАНЕ (Thrane) Маркус (1817-90) - организатор (в 1848-50) первых "союзов рабочих" в Норвегии, развернувших движение транитариев. ТРАНЕЦ (от англ. transon) - плоский срез кормы шлюпки, яхты или другого судна. ТРАНЗИСТОР (от англ. transfеr - переносить и резистор) - полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. Изобретен в 1948 американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых либо электроны, либо дырки

скачать реферат Методы, подходы, содержания и требования к испытаниям РЭСИ

При этом должно быть предусмотрено: наличие соответствующих устройств для проведения испытаний, минимальные стоимость (включая затраты на устройства для испытаний) и продолжительность испытаний, взаимозаменяемость испытываемых изделий или отдельных функциональных узлов и блоков (для ремонтопригодных изделий) в процессе испытаний. Для отдельных видов испытаний целесообразно выбрать типопредставитель из номенклатуры изделий, изготовляемых по близкому конструктивно-технологическому решению. Для этого разработана методика, направленная на то, чтобы результаты испытаний выбранного объекта можно было распространить на всю номенклатуру изделий данного конструктивно-технологического варианта. В соответствии с этой методикой в каждом изделии рассматриваемого варианта выявляют номенклатуру и число элементов, определяющих надежность изделия (например, переходов со слоя на слой в коммутационной плате, элементов критических размеров пленочных и полупроводниковых ИС и т. д.). Из сравниваемых изделий выбирают изделие, обладающее широкой номенклатурой и насыщенностью такими элементами.

скачать реферат Расчет схемы мультивибратора на полевых транзисторах

Перезапуски позволяют неограниченно увеличивать длительность выходного импульса независимо от параметров схемы мультивибратора. Неперезапускаемые мультивибраторы не реагируют на внешние импульсы запуска 1. Описание схемы мультивибратора на полевых транзисторах Высокое входное сопротивление полевых транзисторов (ПТ) позволяет конструировать мультивибраторы на очень низкие частоты повторения импульсов при малых ёмкостях времязадающих конденсаторов. Благодаря этому форма выходных импульсов оказывается менее искажённой, а скважность больше, чем у мультивибраторов на биполярных транзисторах. Для автоколебательных мультивибраторов наиболее подходят ПТ с управляющим p- переходом, так как во время заряда конденсаторов напряжение на участке затвор-исток приложено в прямом направлении и поэтому сопротивление этого участка мало и малым становится время заряда конденсаторов. Схема мультивибраторов из ПТ с управляющим p- переходом и каналом p-типа изображена на рис.2. В этом мультивибраторе через резисторы подаётся небольшое отрицательное напряжение на затвор относительно истока, что повышает стабильность периода колебаний и длительность выходных импульсов В отличие от мультивибратора на БП транзисторах работа устройства не нарушается, если резисторы включить между затвором и общей точкой (схема с «нулевым» затвором). Рис.2. Временные диаграммы работы несимметричного мультивибратора показаны рис.3. В основных чертах принцип действия этого мультивибратора такой же, как и у лампового.

скачать реферат Универсально-заточный станок

Испытания служат эффективным средством повышения качества, так как позволяют выявить: недостатки конструкции и технологии изготовления ИЭТ, приводящие к срыву выполнения заданных функций в условиях эксплуатации; отклонения от выбранной конструкции или принятой технологии; скрытые дефекты материалов или элементов конструкции, не поддающиеся обнаружению существующими методами технического контроля; резервы повышения качества и надежности разрабатываемого конструктивно-технологического варианта изделия. 1. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ УНИВЕРСАЛЬНОГО ЗАТОЧНОГО СТАНКА 1.1. Область применения Настоящий стандарт устанавливает общие требования безопасности и распространяется на поступающие в эксплуатацию металлообрабатывающие станки всех видов, в том числе входящие в состав автоматических линий и роботизированных комплексов, а также на применяемые совместно с ними устройства, рассчитанные на подключение к питающей сети переменного тока напряжением до 660 В и частотой до 200 Гц и предназначенные для работы в климатических условиях УХЛ4 по ГОСТ 15150.

скачать реферат МОП-транзисторы

МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт- амперные характеристики , аналогичные изображенным на рис. 7 . У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р- п переходом.5. Рекомендации по применению полевых транзисторов. Рекомендации по применению полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом , в истоковых повторителях с особо высокоомным входом , в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний , усилителях низкой частоты , работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот.

Швабра Vileda "Active Max".
Швабра Vileda "Active Max", выполненная с плоской насадкой, предназначена для уборки всех типов напольных покрытий, включая
999 руб
Раздел: Швабры и наборы
Сменный фильтр "Аквафор В-100-5" (4 штуки).
Модуль В100-5 содержит в оптимальном соотношении гранулы кокосового угля, ионообменные смолы и "ноу-хау" АКВАФОР - волокна
754 руб
Раздел: Фильтры для воды
Каталка-трактор с педалями "Turbo-2" с полуприцепом.
Педальная каталка-трактор «Turbo-2» c полуприцепом приводится в движение при помощи цепного механизма. На мини-тракторе установлена
4394 руб
Раздел: Каталки
скачать реферат Теория

Как видно из последнего выражения, наличие напряжения между подложкой и истоком равносильно увеличению порогового напряжения. Преимуществом МОП-транзисторов перед канальными является более высокое быстродействие, что объясняется меньшей длиной его канала. Недостатком МОП-транзисторов в сравнении с канальными является наличие шумовых флуктуаций и нестабильность характеристик во времени. У канальных транзисторов этот недостаток отсутствует, так как у них канал отделен от поверхности обедненным слоем, что гарантирует отсутствие дефектов кристаллической решетки, загрязнений, поверхностных каналов ( все то, что у МОП транзисторов является причиной шумовых флуктуаций и нестабильности характеристик. 3.4. Инженерные модели полевых транзисторов 3.4.1. Полевой транзистор с управляемым p- -переходом По правилам строгая эквивалентная схема канального транзистора предполагает использование модели с распределенными параметрами, так как области канала и затвора представляют собой распределенную RC-цепь. Однако расчеты, связанные с такой моделью, получаются неоправданно сложными, поэтому в инженерной практике используют эквивалентную схему с сосредоточенными параметрами (рис. 3.11). Схема дана без учета индуктивностей выводов полевого транзистора (ПТ), влияние которых проявляется в диапазоне частот свыше 300 мГц.

скачать реферат Потенциометрический и амперометрический иммуноанализ

Асимметричный мембранный потенциал, который возникал в ходе реакции, зависел от концентрации антител. Главное ограничение всех этих методик состоит в том, что эффекты, связанные с изменением потенциала, невелики, и поэтому точность и чувствительность анализа в очень большой степени лимитируются эффектами фона. Сравнительно недавно для определения различных веществ стали применяться полевые транзисторы. По сути дела, полевой транзистор - это устройство для измерения заряда; принцип его действия представлен на рис.1. Область полупроводника между истоком и стоком, называемая каналом, обладает переменным сопротивлением, которое зависит от напряженности электрического поля на диэлектрике. В свою очередь это поле изменяется под влиянием напряжения на затворе VG, а также разности потенциалов на поверхности раздела мембрана - раствор. Поэтому в иммунохимических транзисторах иммобилизованные антитела и другие ионы, присутствующие в растворе, вносят вклад в это поле. Разность потенциалов между истоком и стоком Vp обусловливает электрический ток ID.

скачать реферат Резисторы

Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 – 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны – коррелированны. Эта корреляция сохраняется к при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы. Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры. Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры.На рисунке 1 изображена электрическая схема варианта № 29.Рис.1 Электрическая схема варианта 29. 1.2 Конструктивно – технологические данные и ограничения. Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, изображены на рисунке 2.

скачать реферат Применение программного комплекса Electronics Workbench для разработки радиоэлектронных устройств

Идея создания транзисторного автогенератора основана на том, чтобы обеспечить режим транзистора приблизительно такой же, как и в усилителе мощности. При этом на вход транзистора подаются колебания не от внешнего источника, а из собственного резонатора через цепь обратной связи. Диодные автогенераторы обеспечивают стационарные колебания за счет специфических процессов в генераторных диодах, обратная связь здесь осуществляется автоматически без применения специальных элементов. На рисунке 1.2, а изображен вариант схемы транзисторного автогенератора. Активный элемент (биполярный или полевой транзистор) представлен в обобщенном виде, он имеет три электрода: И - исток, К - коллектор, У - управляющий электрод. Резонатор, образованный элементами L, C, R, подключен к выходным электродам АЭ, часть энергии колебаний с помощью трансформаторной обратной связи поступает на управляющий электрод. а)б) Рисунок 1.2 – Принципиальная электрическая и эквивалентная схемы транзисторного автогенератора На рисунке 1.2, б показана эквивалентная схема автогенератора, полученная из принципиальной схемы путем замены активного элемента с элементами цепи обратной связи генератором тока, который управляется напряжением на резонаторе.

скачать реферат Химия и экология

В основе работы некоторых отечественных фильтров лежит технология подачи воды через трековую мембрану (лавсановая пленка толщиной 10 или 20 микрон с диаметром пор 0,2 или 0,4 микрона с плотностью пор до 3000 миллионов отверстий на 1 см2). Для обеспечения работоспособности фильтра требуется только две емкости: одна для очищаемой воды, вторая — для получения чистой. В силу того, что питьевая вода в нашем регионе имеет очень низкое качество, необходимы многоуровневые системы, включающие в себя: грубую очистку от железа, марганца, хлора, неприятного запаха и мутности с помощью картриджной Системы; тонкую очистку от всех примесей системами обратного осмоса и бактериологическую очистку ультрафиолетовыми стерилизаторами. Конструктивное исполнение бытовых фильтров может быть самое различное: от портативных вариантов исполнения, легко умещающихся в дамскую сумочку или кейс, до стационарных систем, требующих специальной установки на кухонную мойку и имеющих свой отдельный кран. Производительность таких «мини-фабрик от 5 до 90 литров в сутки для бытовых и от 0,76 до 27 м .для полупромышленных систем доочистки питьевой воды.

Стиральный порошок KAO "Attack Bio EX", 1 кг.
Стиральный био-порошок KAO "Attack Bio EX" признан Международным Авторитетным Советом США по хлопку в качестве выдающегося
620 руб
Раздел: Стиральные порошки
Шкатулка "Мишка", 7x10 см.
Шкатулка сохранит ваши ювелирные изделия в первозданном виде. С ней вы сможете внести в интерьер частичку элегантности. Регулярно удалять
332 руб
Раздел: Шкатулки сувенирные
Рюкзачок "Снеговик".
Симпатичный детский рюкзачок сшит из мягкой ткани ярких расцветок и украшен изображением снеговика. Во внутреннее отделение поместятся
706 руб
Раздел: Детские
скачать реферат Видеоусилитель

Как следует из вышесказанного, в качестве схемы включения нашего активного прибора будем использовать схему с общим эмиттером. Активными основными приборами современных усилительных устройств являются биполярные и полевые транзисторы. В качестве активного прибора будем использовать биполярный транзистор.Расчет многокаскадного усилителя Как правило, усилительные устройства являются многокаскадными, так как с помощью одного каскада обычно не удается обеспечить необходимое усиление. Основное усиление по напряжению обеспечивается в каскадах предварительного усиления. Из них обычно выделяют входной каскад, схема которого зависит от требований по сопряжению с источником сигнала, допустимому дрейфу нуля и т.п. Спецификой выходного каскада является обеспечение заданной мощности или амплитуды выходного сигнала, ограничения по допустимому уровню искажений, работа на низкоомную нагрузку и т.д. Предоконечный каскад также может иметь специфические особенности, связанные с условием работы выходного каскада, например, с требованием обеспечить на его входе значительную мощность сигнала.

скачать реферат Сверхбольшие интегральные схемы

Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке - типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать - канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Рассмотрим основные технологические этапы производства -МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами. Принципиальная схема вентиля (инвертора) приведена на рисунке. Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения (нормально закрытых) и одного транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально открытый). Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор третьего транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора. Нормально открытый транзистор служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение (логический нуль) только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т.е. на их затворы подан высокий потенциал - логическая единица. Подложка. В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016см-3.

скачать реферат Методы и алгоритмы компоновки, размещения и трассировки печатных плат

Задача трассировки – одна из наиболее трудоемких в общей проблеме автоматизации проектирования РЭА. Это связано с несколькими факторами, в частности с многообразием способов конструктивно-технологической реализации соединений, для каждого из которых при алгоритмическом решении задачи применяются специфические критерии оптимизации и ограничения. С математической точки зрения трассировка – наисложнейшая задача выбора из огромного числа вариантов оптимального решения. Одновременная оптимизации всех соединений при трассировке за счет перебора всех вариантов в настоящее время невозможна. Поэтому разрабатываются в основном локально оптимальные методы трассировки, когда трасса оптимальна лишь на данном шаге при наличии ранее проведенных соединений. Основная задача трассировки формулируется следующим образом: по заданной схеме соединений проложить необходимые проводники на плоскости (плате, кристалле и т.д.), чтобы реализовать заданные технические соединения с учетом заранее заданных ограничений. Основными являются ограничения на ширину проводников и минимальные расстояния между ними. Исходной информацией для решения задачи трассировки соединений обычно являются список цепей, параметры конструкции элементов и коммутационного поля, а также данные по размещению элементов.

скачать реферат Блок памяти

Постоянное ЗУ содержит информацию, которая не должна изменяться в ходе выполнения процессором программы. Такую информацию составляют стандартные подпрограммы, табличные данные, коды физических констант и постоянных коэффициентов и т. п. Эта информация заносится в ПЗУ предварительно, и в ходе работы процессора может только считываться. Таким образом ПЗУ работает в режимах хранения и считывания. Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ: ОЗУ может работать в качестве ПЗУ, т. е. в режиме многократного считывания однократно записанной информации, а ПЗУ в качестве ОЗУ использовано быть не может, так как не позволяет в процессе работы изменить, занесенную в него информацию. В свою очередь, ПЗУ обладает преимуществом перед ОЗУ в свойстве сохранять информацию при сбоях и отключении питания. Это свойство получило название энергонезависимость. Оперативное ЗУ является энергозависимым, так как информация, записанная в ОЗУ, утрачивается при сбоях питания. Для микросхем памяти, выпускаемых отечественной промышленностью, характерны широкая номенклатура типов, значительное , разнообразие вариантов конструктивно-технологического исполнения, большой диапазон функциональных характеристик и значений электрических параметров, существенные различия в режимах работы и в областях применения.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.