телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВсё для хобби -30% Сувениры -30% Канцтовары -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютерные сети

Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

найти похожие
найти еще

Забавная пачка "5000 дублей".
Юмор – настоящее богатство! Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь
60 руб
Раздел: Прочее
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ КМДП-БИС» МИНСК, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов ее изготовления выдвигается на первый план как основа для создания БИС и СБИС сложных полупроводниковых цифровых и аналоговых устройств. Такие схемы называют схемами с взаимодополняющими (комплементарными) транзисторами (КМДП). Подложки каждого из транзисторов соединены с их истоками, что предотвращает открывание р-п переходов. Затворы транзисторов объединены. На них подается управляющий входной сигнал, уровень которого изменяется от U0вх 5— -диффузионные области стока и истока -канального МДП-транзистора Улучшить рабочие характеристики -канальных приборов позволяет конструктивно-технологический вариант исполнения КМДП-инвертора с карманами -типа (рис. 4, б). Этот вариант является наиболее пригодным при создании КМДП-микросхем с большим количеством -канальных приборов. При этом -канальные транзисторы имеют такие же высокие характеристики, что и транзисторы в обычных и-канальных МДП-микросхемах, что представляет собой весьма важное преимущество. К сожалению, в этом случае сразу же возникает аналогичная проблема снижения рабочих характеристик р-канальных транзисторов, у которых возрастают паразитные емкости. Полное решение проблемы повышения характеристик транзисторов связано с освоением КМДП-технологии с карманами двух типов (двойными), в которой оба типа транзисторов формируются в своих карманах (рис. 4, в). В этом случае исходный уровень легирования подложки (на рис. 4, в — эпитаксиального слоя) должен быть очень невысоким, чтобы для каждого типа карманов можно было подобрать оптимальную для его транзисторов дозу имплантируемой примеси. При наличии двойных карманов для каждого из типов приборов можно принять независимые меры защиты от эффектов второго порядка — сквозного обеднения, влияния подложки, пробоя, эффекта защелкивания. В частности, эффект защелкивания можно устранить использованием -подложки, которая образует общий базовый контакт ко всем базовым областям паразитных р- -р-транзисторов. Соединив ее с положительным полюсом источника питания, можно получить низ-коомную шунтирующую цепь, закорачивающую эмиттерные переходы паразитных р-п-р-транзисторов. Технология с двойными карманами позволяет реализовать структуры транзисторов с минимальными размерами, так как возможность независимого легирования каждого типа карманов решает максимально для каждого типа транзисторов проблему сквозного обеднения. Кроме того, карманы получаются самосовмещенными. Рис. 5. Структура фрагмента КМДП БИС с двумя слоями поликремния, сплошным р-карманом и подлегированием периферийных областей друг с другом: всюду, где нет кармана -типа, есть карман р-типа. Это позволяет использовать для их формирования один и тот же фотошаблон. На рис. 5 представлена структура КМДП-инвертора с р-карманами, в которой для повышения плотности размещения элементов на кристалле используют пленочную систему с двумя слоями поликремния и одним слоем металлизации.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Оружие победы

Новые методы многократно увеличивали ответственность руководящих работников отдела главного конструктора. Мы на это пошли. Хочу назвать имена членов штаба, авторов плана-графика. Многие из них уже знакомы читателю. Это конструкторы Шеффер, Ренне, Гордеев А. А. и Гордеев А. Ф., Котов, Худяков, Горшков, Мещанинов, Муравьев, Назаров, Семин, технологи Антонов, Лычев, Маринин, Бородкин, начальник планово-производственного отдела Максименко, начальник сталефасонного литья Чумаков и начальник технического бюро этого цеха Коптев, начальник термического цеха Колесников, начальник сталелитейного цеха Пермитин. Изучив график, мы наглядно увидели, какая огромная предстоит нам работа. Решили провести ее в три этапа. Первый этап конструктивно-технологическая модернизация отдельных элементов пушек и создание для них новой технологии и новой оснастки. Этот этап мы условно назвали малой модернизацией. Уже в декабре 1941 года она должна была увеличить выпуск пушек в пять раз. Второй этап модернизация остальных элементов пушек, опять же с коренным изменением технологии и оснастки

скачать реферат Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ В ОДНОМ КРИСТАЛЛЕ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА» МИНСК, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик и физико-топологических структур в связи с необходимостью оптимизации одновременно двух биполярных транзисторов п -р-п- и р- -р-типов, создаваемых в одном кристалле. Из описания принципа работы полевого транзистора с управляющим р-п переходом ясно, что одновременно обеспечить низкое напряжение отсечки и высокое напряжение пробоя р-п перехода затвор – исток полевого транзистора можно созданием тонкого и слаболегированного канала. Для обеспечения большого коэффициента передачи тока и высокой граничной частоты биполярного транзистора база также должна быть тонкой. Но при снижении степени легирования базы уменьшаются предельная частота усиления и напряжение прокола базы.

Пакеты фасовочные, 10(+8)x27 см (1000 штук).
Область применения: расфасовка, упаковка продуктов питания и товаров народного потребления как на производстве, так и в быту. Размер:
306 руб
Раздел: Пакеты для продуктов
Самоклеящиеся этикетки, A4, 105x74 мм, 8 этикеток на листе.
Формат: А4. Размер: 105x74 мм. В комплекте: 100 листов (на 1 листе 8 этикеток).
500 руб
Раздел: Бейджи, держатели, этикетки
Защита от включения конфорок плиты, 4 штуки, прозрачный.
Защита на колпачки газовой плиты. Рукоятки не должны превышать 50 мм в диаметре, а расстояние между ними не меньше 67 мм.
605 руб
Раздел: Безопасность ребенка
 Оружие победы

Новые методы многократно увеличивали ответственность руководящих работников отдела главного конструктора. Мы на это пошли. Хочу назвать имена членов штаба, авторов плана-графика. Многие из них уже знакомы читателю. Это конструкторы Шеффер, Ренне, Гордеев А.А. и Гордеев А.Ф., Котов, Худяков, Горшков, Мещанинов, Муравьев, Назаров, Семин, технологи Антонов, Лычев, Маринин, Бородкин, начальник планово-производственного отдела Максименко, начальник сталефасонного литья Чумаков и начальник технического бюро этого цеха Коптев, начальник термического цеха Колесников, начальник сталелитейного цеха Пермитин. Изучив график, мы наглядно увидели, какая огромная предстоит нам работа. Решили провести ее в три этапа. Первый этап — конструктивно-технологическая модернизация отдельных элементов пушек и создание для них новой технологии и новой оснастки. Этот этап мы условно назвали малой модернизацией. Уже в декабре 1941 года она должна была увеличить выпуск пушек в пять раз. Второй этап — модернизация остальных элементов пушек, опять же с коренным изменением технологии и оснастки

скачать реферат Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

При этом решаются основные задачи: 1) исследование физических процессов в технологических установках; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних воздействиях; 3) исследование электрических взаимодействий полупроводниковых приборов в составе БИС. Моделирование физических процессов в технологических установках позволяет получить, в частности, количественные характеристики пол п оводниковых интегpальных стpуктур. Таким характеристикам прежде всего относятся распределение концентраций легирующих примесей в эпитаксиальныхп ионно-легированных и диффузионных слоях, толщины таких слоев и другие электpофизические параметpы. Они являются исходными данными для проектирования элементов БИС. Следует отметить, что моделирование технологических процессов является важным, но не единственным источником данных, которые используются на следующем этапе проектирования. Моделирование физических процессов в интегральных структурах элементов необходимо для: 1) исследования физики процессбв, протекающих в принципиально новых элементах БИС; 2) исследования новых конструктивно- технологических вариантов компонентов (в частности, компонентов с субмикронными размерами) и экстремальных режимов их работы; 3) определения параметров эквивалентных электрических схем.

 Всё о метрологии

Объектами унификации наиболее часто являются отдельные изделия, их составные части, детали, комплектующие изделия, марки материалов и т. п. Проводится унификация на основе анализа и изучения конструктивных вариантов изделий, их применяемости путем сведения близких по назначению, конструкции и размерам изделий, их составных частей и деталей к единой типовой (унифицированной) конструкции. В настоящее время унификация является наиболее распространенной и эффективной формой стандартизации. Конструирование аппаратуры, машин и механизмов с применением унифицированных элементов позволяет не только сократить сроки разработки и уменьшить стоимость изделий, но и повысить их надежность, сократить сроки технологической подготовки и освоения производства. Типизация – это разновидность стандартизации, заключающаяся в разработке и установлении типовых решений (конструктивных, технологических, организационных и т. п.) на основе наиболее прогрессивных методов и режимов работы. Применительно к конструкциям типизация состоит в том, что некоторое конструктивное решение (существующее или специально разработанное) принимается за основное – базовое для нескольких одинаковых или близких по функциональному назначению изделий

скачать реферат Методы, подходы, содержания и требования к испытаниям РЭСИ

При этом должно быть предусмотрено: наличие соответствующих устройств для проведения испытаний, минимальные стоимость (включая затраты на устройства для испытаний) и продолжительность испытаний, взаимозаменяемость испытываемых изделий или отдельных функциональных узлов и блоков (для ремонтопригодных изделий) в процессе испытаний. Для отдельных видов испытаний целесообразно выбрать типопредставитель из номенклатуры изделий, изготовляемых по близкому конструктивно-технологическому решению. Для этого разработана методика, направленная на то, чтобы результаты испытаний выбранного объекта можно было распространить на всю номенклатуру изделий данного конструктивно-технологического варианта. В соответствии с этой методикой в каждом изделии рассматриваемого варианта выявляют номенклатуру и число элементов, определяющих надежность изделия (например, переходов со слоя на слой в коммутационной плате, элементов критических размеров пленочных и полупроводниковых ИС и т. д.). Из сравниваемых изделий выбирают изделие, обладающее широкой номенклатурой и насыщенностью такими элементами.

скачать реферат Универсально-заточный станок

Испытания служат эффективным средством повышения качества, так как позволяют выявить: недостатки конструкции и технологии изготовления ИЭТ, приводящие к срыву выполнения заданных функций в условиях эксплуатации; отклонения от выбранной конструкции или принятой технологии; скрытые дефекты материалов или элементов конструкции, не поддающиеся обнаружению существующими методами технического контроля; резервы повышения качества и надежности разрабатываемого конструктивно-технологического варианта изделия. 1. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ УНИВЕРСАЛЬНОГО ЗАТОЧНОГО СТАНКА 1.1. Область применения Настоящий стандарт устанавливает общие требования безопасности и распространяется на поступающие в эксплуатацию металлообрабатывающие станки всех видов, в том числе входящие в состав автоматических линий и роботизированных комплексов, а также на применяемые совместно с ними устройства, рассчитанные на подключение к питающей сети переменного тока напряжением до 660 В и частотой до 200 Гц и предназначенные для работы в климатических условиях УХЛ4 по ГОСТ 15150.

скачать реферат Интегральные микросхемы

Первый элемент - цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Второй элемент - две-три цифры, присвоенные данной серии как порядковый номер разработки. Таким образом, первые два элемента составляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии микросхемы. Третий элемент - две буквы, соответствующие подгруппе и виду (табл. 6.1). Четвертый элемент - порядковый номер разработки микросхемы в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по функциональному признаку микросхем. Он может состоять как из одной цифры, так и из нескольких. В качестве примера рассмотрим условное обозначение полупроводниковой микросхемы серии 1554ИР22. Из условного обозначения следует, что эта микросхема - регистр с порядковым номером 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 22 выполнена по полупроводниковой технологии. Таблица 1 Пример условного обозначения полупроводниковой микросхемы: обозначение - ИЕ (счетчик) с порядковым номером серии 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 7.

скачать реферат Разработка микропроцессорной системы

Таким образом ПЗУ работает в режимах хранения и считывания. Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ: ОЗУ может работать в качестве ПЗУ, т. е. в режиме многократного считывания однократно записанной информации, а ПЗУ в качестве ОЗУ использовано быть не может, так как не позволяет в процессе работы изменить, занесенную в него информацию. В свою очередь, ПЗУ обладает преимуществом перед ОЗУ в свойстве сохранять информацию при сбоях и отключении питания. Это свойство получило название энергонезависимость. Оперативное ЗУ является энергозависимым, так как информация, записанная в ОЗУ, утрачивается при сбоях питания. Для микросхем памяти, выпускаемых отечественной промышленностью, характерны широкая номенклатура типов, значительное , разнообразие вариантов конструктивно-технологического исполнения, большой диапазон функциональных характеристик и значений электрических параметров, существенные различия в режимах работы и в областях применения. Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологии на основе кремния с высокой степенью интеграции компонентов на кристалле, что определяет их принадлежность к большим интегральным схемам (БИС).

Горка детская малая, арт. 11050.
Горка детская малая состоит из лесенки и желоба для скатывания. Горка очень устойчивая, изготовлена из яркого, прочного, нетоксичного
2067 руб
Раздел: Горки
Жироудалитель UNiCUM "Гризли. Мята", 500 мл.
Новая формула удаления жира без запаха химии. В основу формулы легли лучшие разработки российских и израильскихученых. Главными
328 руб
Раздел: Для плит, духовок
Детский музыкальный горшок "Disney. Winnie&Friend" (белый).
Горшок имеет анатомическую форму и произведен из качественного и безопасного пластика, отличается эргономичностью. Горшок оформлен
498 руб
Раздел: Горшки обычные
скачать реферат Методы и алгоритмы компоновки, размещения и трассировки печатных плат

Задача трассировки – одна из наиболее трудоемких в общей проблеме автоматизации проектирования РЭА. Это связано с несколькими факторами, в частности с многообразием способов конструктивно-технологической реализации соединений, для каждого из которых при алгоритмическом решении задачи применяются специфические критерии оптимизации и ограничения. С математической точки зрения трассировка – наисложнейшая задача выбора из огромного числа вариантов оптимального решения. Одновременная оптимизации всех соединений при трассировке за счет перебора всех вариантов в настоящее время невозможна. Поэтому разрабатываются в основном локально оптимальные методы трассировки, когда трасса оптимальна лишь на данном шаге при наличии ранее проведенных соединений. Основная задача трассировки формулируется следующим образом: по заданной схеме соединений проложить необходимые проводники на плоскости (плате, кристалле и т.д.), чтобы реализовать заданные технические соединения с учетом заранее заданных ограничений. Основными являются ограничения на ширину проводников и минимальные расстояния между ними. Исходной информацией для решения задачи трассировки соединений обычно являются список цепей, параметры конструкции элементов и коммутационного поля, а также данные по размещению элементов.

скачать реферат Блок памяти

Постоянное ЗУ содержит информацию, которая не должна изменяться в ходе выполнения процессором программы. Такую информацию составляют стандартные подпрограммы, табличные данные, коды физических констант и постоянных коэффициентов и т. п. Эта информация заносится в ПЗУ предварительно, и в ходе работы процессора может только считываться. Таким образом ПЗУ работает в режимах хранения и считывания. Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ: ОЗУ может работать в качестве ПЗУ, т. е. в режиме многократного считывания однократно записанной информации, а ПЗУ в качестве ОЗУ использовано быть не может, так как не позволяет в процессе работы изменить, занесенную в него информацию. В свою очередь, ПЗУ обладает преимуществом перед ОЗУ в свойстве сохранять информацию при сбоях и отключении питания. Это свойство получило название энергонезависимость. Оперативное ЗУ является энергозависимым, так как информация, записанная в ОЗУ, утрачивается при сбоях питания. Для микросхем памяти, выпускаемых отечественной промышленностью, характерны широкая номенклатура типов, значительное , разнообразие вариантов конструктивно-технологического исполнения, большой диапазон функциональных характеристик и значений электрических параметров, существенные различия в режимах работы и в областях применения.

скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Монокристаллические пластины из разных полупроводниковых материалов составляют основу для изготовления полупроводниковых ИМС различного конструктивно-технологического исполнения и функционального назначения. Пригодность полупроводникового материала для использования в интегральных микросхемах определяется в основном параметрами, зависящими от его физических свойств: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещенной зоны, положения в ней примесных уровней и др. Очень важны электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда, их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина - существенно зависящие от технологии получения полупроводника. 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства. В настоящее время из всех полупроводниковых материалов наибольшее применение для изготовления полупроводниковых ИМС получил кремний. Кремний - элемент IV группы Периодической системы элементов Д.И.Менделеева, один из самых распространенных элементов на Земле, содержание его в земной коре составляет 29,5%.

скачать реферат Резисторы

Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 – 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны – коррелированны. Эта корреляция сохраняется к при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы. Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры. Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры.На рисунке 1 изображена электрическая схема варианта № 29.Рис.1 Электрическая схема варианта 29. 1.2 Конструктивно – технологические данные и ограничения. Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, изображены на рисунке 2.

скачать реферат Товароведение и экспертиза мебели

Особое внимание обращается на оптимизацию ассортимента мебели на основе реальной потребности рынка, выпуск изделий различных стилей и вариантов, что позволяет комплектовать и обновлять мебель каждые 4-5 лет. В последние годы разработаны ГОСТы по отдельным вопросам конструирования, типоразмеры, показатели качества и оценки мебели. Проводится работа по созданию единой системы типовых конструкций, размеров, узлов и деталей мебели, режимов ее изготовления, оборудования, инструментов и средств технического контроля. На основные конструкционные элементы, детали и узлы, функциональные размеры мебели действуют ГОСТ «Мебель бытовая», «Мебель бытовая для сидения и лежания», «Мебельная фурнитура», «Методы испытания надежности мягких элементов» и др. II. Классификация мебели Мебель классифицируют по назначению, виду исходного материала, эксплуатационным, функциональным признакам, комплектности, характеру и способу производства, величине деформации мягкого элемента, а также по конструктивно-технологическим признакам и видам изделий.

Горшок эмалированный с крышкой (с рисунком), 3 л.
Объем: 3 литра. Материал: эмаль. Дизайн деколи товара в ассортименте, без возможности выбора.
575 руб
Раздел: Горшки обычные
Органайзер для украшений "Little dress" (черный).
У вас много украшений? И все они, хранясь в коробке, частенько путаются между собой, теряются или гнутся? На помощь в решении проблемы
990 руб
Раздел: Подставки для украшений
Стол детский складной "Первоклашка. Осень".
Материал: металл, пластик. Размер столешницы: 600x450 мм. Высота стола: 580 мм. Возраст: от 3 до 7 лет.
820 руб
Раздел: Столики
скачать реферат Повышение качества продукции на предприятии

К несомненным достоинствам новых моделей с высоким уровнем комфортности и функциональности можно отнести высокий класс энергоэффективности – А или В, в зависимости от варианта исполнения. Используется только озонобезопасный хладагент R134а или R600а. Модельный ряд холодильников ЗАО «Атлант» пополнился малогабаритными термоэлектрическими МХТЭ-30-00 и МХТЭ-30-01 холодильниками, предназначенными для охлаждения напитков. Освоение предприятием нового типа холодильников – это тенденция развития холодильной техники. В последние десятилетия во всем мире широко ведутся разработки и исследования в области холодильной техники и новых принципов получения холода. Холодильники с термоэлектрическим охлаждением обладают рядом принципиальных достоинств в сравнении с традиционным компрессионным и абсорбционным охлаждением. Они бесшумны, так как в них отсутствуют конструктивные элементы, источники шума; экологически безопасны, так как в них отсутствуют жидкие или газообразные хладагенты; надежны и долговечны, так как их охлаждающие модули имеют большой ресурс работы (100 000 ч и более), а в конструкции отсутствуют движущиеся, а значит, изнашивающиеся части; компактны и портативны, занимают минимум места и могут быть установлены в мебель; охлаждают напитки до наилучшей для употребления температуры (от 8 до 12°С).

скачать реферат Сау нагревом возухонагревателя доменной печи

Герметизация датчика и крепление чувствительного элемента в корпусе обеспечивается герметичным выводом из прессматериала ВЭП-1. Кабель датчика состоит из вольфрам-рениевых проводников, изолированных друг от друга и экранированных плетёнкой из нержавеющей стали. Разработчик: НПО измерительной техники, г. Королёв. Датчик температуры ТХК 1087. Термоэлектрический датчик ТХК 1087 предназначен для измерения температуры азотоводородной смеси и газов после сгорания природного газа (H2, 2, CO, O2, H2O, CH4), газообразного и жидкого аммиака, природного газа, конвертированного газа, моноэтанолоаминеового раствора с примесями сероводорода (H2S) и сернистого анигирида (SO2) в допустимых пределах по ГОСТ 12.1.005-76. До 4 ч допускается эксплуатация датчиков при концентрации H2S до 100 мг/м3. Датчики выпускаются в четырёх конструктивных вариантах. Всего существует 71 заводской вариант исполнения датчика ТХК 1087. Заводские варианты исполнения различаются конструкцией, схемой электрических соединений, материалом защитной арматуры и длиной монтажной части.

скачать реферат Основы организации технической подготовки производства

Следовательно, при этом или большем значении кр целесообразно применять токарный автомат. Указанный метод расчета пригоден, когда оцениваются технологические процессы (на уровне участка, цеха), не требующие сколько-нибудь значительных капитальных затрат. В случаях, связанных с внедрением технологических процессов, требующих существенных капиталовложений, выбор экономически наиболее выгодного варианта производится по методу приведенных затрат. Для повышения эффективности технологической подготовки производства большое значение имеют типизация и нормализация элементов технологии. Типизация технологических процессов строится на основе технологических рядов. В такой ряд включаются детали, конфигурация и основные параметры которых позволяют вести их изготовление или обработку по одному общему технологическому маршруту. Типизации предшествует разработка конструктивно-технологической классификации, при которой детали предварительно группируются в классы по признаку служебного назначения. Дальнейшее разделение на группы (например, по признаку общности материала и способа его обработки) и подгруппы (например, по размерам деталей) приводит к максимальной унификации, позволяющей осуществить принцип групповой обработки, который основывается на конструктивно-технологическом сходстве деталей с последующим выбором из них комплексной детали, имеющей все поверхности обработки, встречающиеся в деталях данной группы.

скачать реферат Разработка газоразрядного экрана

Рост степени интеграции и функциональной насыщенности единицы объема изделий микроэлектроники, объективно приводит к микроминитюаризации их исполнения. Практика показывает, что проблемы, связанные с микроминитюаризацией, комплексно могут быть решены на базе разработки и внедрения новых конструктивно-технологических принципов сборки ИМС и аппаратуры на их основе. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Глава 2. 2.1. Анализ существующих методов сборки БИС. 2.1.1. Проволочные методы сборки БИС. Соединения проволокой является в настоящее время, к сожалению, пока наиболее распространенным способом монтажа ИМС. Рассмотрим особенности этого способа. Присоединение проволочных выводов. Монтажные операции, связанные с присоединением выводов, осуществляются, во-первых, для создания внутрисхемных соединений при монтаже кристаллов на подложках гибридных пленочных микросхем и микросборок (контактная площадка кристалла при этом соединяется с контактной площадкой подложки с помощью перемычки или непосредственно); во-вторых, для коммутации контактных площадок кристалла ИМС или периферийных контактов гибридных микросхем и микросборок с внешними выводами корпуса.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.