телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАОбразование, учебная литература -30% Электроника, оргтехника -30% Бытовая техника -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютеры и периферийные устройства

Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов

найти похожие
найти еще

Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра РЭСРЕФЕРАТ На тему: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАЗНОВИДНОСТИ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ»МИНСК, 2008 Конструкции МДП-транзисторов в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Вариант конструкции активного транзистора с прямоугольным каналом и со средним значением крутизны передаточной характеристики представлен на рис.1. Под алюминиевым затвором находится тонкий слой термически выращенного окисла кремния (0,05.0,10 мкм. За пределами области канала толщина окисла составляет 1 мкм. Этот сравнительно толстый слой окисла выполняет функции защитного диэлектрика, позволяет существенно снизить значения паразитных емкостей сигнальных шин и повысить пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов (рис.1) в местах прохождения алюминиевых проводников над диффузионными шинами питания. Рис.6.1 Чертеж топологии (а) и электрическая схема (б) паразитного транзистора. Рис.1 Конструкция (а) и электрическая схема (б) нагрузочного р-канального МДП-транзистора Рис.2 Конструкция МДП-транзистора с П-образным каналом В нагрузочных транзисторах значение крутизны передаточной характеристики может быть небольшим, и соответственно отношение длины канала к его ширине выбирается таким, чтобы при заданной крутизне нагрузочный транзистор занимал минимальную площадь (рис.1). В том случае, когда для обеспечения высоких значений крутизны характеристик активного транзистора отношение bк/lК должно быть равно или больше 20, с целью экономии площади рекомендуется П-образная форма канала (рис.2). Для повышения степени интеграции в микросхемах, требующих последовательного и параллельного соединения транзисторов, области истоков или стоков МДП-транзисторов могут быть объединены (рис.3). На рис.4 приведена конструкция инвертора, в которой диффузионная область стока активного V 1 и истока нагрузочного V 2 МДП-транзисторов объединены. Освоение производства р-канальных МДП-транзисторов с индуцированным каналом и алюминиевым затвором позволило получить следующие параметры МДП-структур: минимальная длина канала 10.12 мкм (по затвору 20 мкм), глубина залегания р-п переходов 2,5 мкм, боковая диффузия под окисел 2 мкм, толщина подзатворного диэлектрика 0,12.0,15 мкм, напряжение питания 12 В, пороговое напряжение (-4 0,5) В, удельное поверхностное сопротивление диффузионных областей истока и стока и диффузионных шин 50.100 Ом/т, пробивное напряжение р-п переходов областей истока и стока свыше 30 В, пороговое напряжение паразитных транзисторов свыше 40 B, подвижность дырок в канале около 200 см2/(B·c), плотность поверхностных состояний 1011 1012 см–2. Рис 3. Фрагменты топологии (а, в) и электрические схемы (б, г) при параллельном (а, б) и последовательном (в, г) включении транзисторов. Рис.4. Конструкция (а) и электрическая схема (б) инвертора на МДП-транзисторах с нелинейной нагрузкой и алюминиевой металлизацией. На таких структурах были созданы одни из первых логических интегральных МДП-микросхем с минимальным временем задержки на вентиль 80.100 нс и основным показателем качества микросхем - произведением мощности на задержку 60.80 пДж. Хорошо отработанная технология производства и меньшая стоимость способствуют тому, что микросхемы на р-МДП-транзисторах выпускают до сих пор, несмотря на худшие характеристики.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (МИ)

Применение в отдельных устройствах нескольких тысяч и десятков тысяч самостоятельно изготовленных электронных ламп, транзисторов, конденсаторов, резисторов, трансформаторов и др., сборка их путём соединения выводов пайкой или сваркой делали аппаратуру громоздкой, трудоёмкой в изготовлении, недостаточно надёжной в работе, требующей значительного потребления электроэнергии и т. д. Поиски путей устранения этих недостатков привели к появлению новых конструктивно-технологических направлений создания электронной аппаратуры: печатного монтажа , модулей и микромодулей , а затем и интегральных схем (на базе групповых методов изготовления).   Используя достижения в области физики твёрдого тела и особенно физики полупроводников , М. решает указанные проблемы не путём простого уменьшения габаритов электронных элементов, а созданием конструктивно, технологически и электрически связанных электронных структур — функциональных блоков и узлов. В них согласно принципиальной схеме конструктивно объединено большое число микроминиатюрных элементов и их электрических соединений, изготавливаемых в едином технологическом процессе

скачать реферат Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ КМДП-БИС» МИНСК, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов ее изготовления выдвигается на первый план как основа для создания БИС и СБИС сложных полупроводниковых цифровых и аналоговых устройств. Такие схемы называют схемами с взаимодополняющими (комплементарными) транзисторами (КМДП). Подложки каждого из транзисторов соединены с их истоками, что предотвращает открывание р-п переходов. Затворы транзисторов объединены. На них подается управляющий входной сигнал, уровень которого изменяется от U0вх 5— -диффузионные области стока и истока -канального МДП-транзистора Улучшить рабочие характеристики -канальных приборов позволяет конструктивно-технологический вариант исполнения КМДП-инвертора с карманами -типа (рис. 4, б). Этот вариант является наиболее пригодным при создании КМДП-микросхем с большим количеством -канальных приборов.

Микрофон-караоке "Чунга-чанга".
Новые оригинальные микрофоны-караоке для будущих звезд сцены! В каждом микрофоне – 12 популярных песенок В. Шаинского, Е. Крылатова, М.
301 руб
Раздел: Микрофоны
Набор "Мимимишки. Кеша и Лисичка" (3 предмета).
Набор с изображениями героев из мультсериала "Ми-ми-мишки" - отличный подарок для вашего ребенка! Подходит для холодных и
454 руб
Раздел: Наборы для кормления
Паста-гель зубная детская "Weleda", 50 мл.
Детский зубной гель с календулой от Weleda разработан специально для детей и обеспечивает естественный уход за молочными зубами,
360 руб
Раздел: Зубные пасты
 Всё о метрологии

Объектами унификации наиболее часто являются отдельные изделия, их составные части, детали, комплектующие изделия, марки материалов и т. п. Проводится унификация на основе анализа и изучения конструктивных вариантов изделий, их применяемости путем сведения близких по назначению, конструкции и размерам изделий, их составных частей и деталей к единой типовой (унифицированной) конструкции. В настоящее время унификация является наиболее распространенной и эффективной формой стандартизации. Конструирование аппаратуры, машин и механизмов с применением унифицированных элементов позволяет не только сократить сроки разработки и уменьшить стоимость изделий, но и повысить их надежность, сократить сроки технологической подготовки и освоения производства. Типизация – это разновидность стандартизации, заключающаяся в разработке и установлении типовых решений (конструктивных, технологических, организационных и т. п.) на основе наиболее прогрессивных методов и режимов работы. Применительно к конструкциям типизация состоит в том, что некоторое конструктивное решение (существующее или специально разработанное) принимается за основное – базовое для нескольких одинаковых или близких по функциональному назначению изделий

скачать реферат Печатные платы

Конструктивно-технологическая классификация ИС отражает способ изготовления и получаемую при этом структуру. По этому критерию различают полупроводниковые и гибридные ИС. В полупроводниковых ИС все элементы и межэлементные соединения изготовлены в объеме и на поверхности полупроводника. В гибридных ИС на диэлектрической подложке изготовляются пленочные пассивные элементы (резисторы, конденсаторы) и устанавливаются навесные активные и пассивные компоненты. Промежуточным типом ИС являются совмещенные интегральные схемы, в которых транзисторы изготовляются в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды – как и проводники на изолирующем слое двуокиси кремния. По типу применяемых активных элементов (транзисторов) интегральные схемы делятся на ИС на биполярных транзисторах (биполярных структурах) и ИС на МДП-транзисторах (МДП-структурах). Данная работа посвящена описанию основных технологических операций производства интегральных микросхем: . выращивание монокристаллов; . изготовление пластин; . обработка поверхности пластин; . 4 . 5 . 6 . 7 . 8 . 9 . 10 1 Выращивание монокристаллов Качество полупроводниковых приборов в значительной степени зависит от качества исходных полупроводниковых материалов.

 Трагедия подводной лодки «Комсомолец»

Да и в первой линии, т е. в боевом строю, эта подводная лодка числилась как бы «номинально», по «милости» Военно-морского флота. Отсюда читатель уже должен был сам сделать вывод ну, какой с этой подводной лодки спрос, о каком качестве может идти речь, ведь проектант создал не подводную лодку, а что-то непонятное. Нет, это не так. «Комсомолец» являлся не «опытовым судном», а опытным кораблем, т е. опытным образцом вооружения. А это, как говорят одесситы, «две большие разницы». В Советской военной энциклопедии сказано, что опытные образцы оружия (вооружения) создаются «в целях проверки новых конструктивных (технологических) идей и решений». Вот для этих целей и создавалась лодка «Комсомолец». Но не только для этих. Подводная лодка была боевой, проектировалась она, строилась и сдавалась Военно-морскому флоту по нормативам и требованиям к боевой подводной лодке. Высокие тактико-технические характеристики и надежность технических средств, подтвержденные опытной эксплуатацией, позволили впервые в практике Военно-морского флота принять эту опытную подводную лодку в 1988 году на вооружение, вывести ее из разряда опытных и присвоить ей статус боевой подводной лодки

скачать реферат УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Технологически это отношение сделать большим очень трудно, поэтому в реальных структурах Ки диф обычно не превышает 10. И КООС у таких ДУ тоже меньше, чем у ДУ на биполярных транзисторах. Однако входные сопротивления велики как для дифференциального, так и для синфазного сигналов (более 1010 Ом). В ДУ на МДП-транзисторах обычно Rвх пл определяется утечками структуры. Для получения ДУ с очень большими входными сопротивлениями и с хорошими другими параметрами целесообразно использовать усилитель рис. 14, в котором транзисторы Т1 и Т2 являются МДП-транзисторами. В ИС широкое распространение получили замены резисторов транзисторами, которые, являются наиболее предпочтительными элементами для ИС. Пример такой замены приведен с помощью рис. 15. Однако не только МДП - транзисторы, но и биполярные широко используются в усилительных ИС (в частности, в ДУ) вместо резисторов RK, т. е. выполняют в усилителях функцию динамических нагрузок. На рис. 16 приведена принципиальная схема одного из вариантов ДУ с динамической нагрузкой.

скачать реферат Исследование и разработка методов автоматизации управления электронным предприятием

В ГСП все они группируются по функциональному, информационному и конструктивно-технологическому признакам, образуя на унифицированной элементной базе блочные наборы, из которых составляются необходимые агрегатные комплексы средств автоматизации. В настоящее время все эти методы имеют место, а также появилось множество других разновидностей и комбинаций, прежде чем определить подходящий для области деятельности электронного предприятия метод следует определиться со средствами автоматизации и её уровнем на предприятии. До настоящего времени три типичные уровня автоматизации промышленных предприятий АСУ (системы автоматизации управленческой и финансово-хозяйственной деятельности), САПР (системы автоматизированного проектирования) и АСУТП (системы автоматизации технологических и производственных процессов) развивались обособленно и независимо друг от друга. Они проектировались и создавались, исходя из требований разных подразделений предприятия и в соответствии с различными правилами игры, автономно обслуживая разные органы единого организма, которым, по сути, и является предприятие.

скачать реферат Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ КАФЕДРА РЭС РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ В ОДНОМ КРИСТАЛЛЕ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА» МИНСК, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик и физико-топологических структур в связи с необходимостью оптимизации одновременно двух биполярных транзисторов п -р-п- и р- -р-типов, создаваемых в одном кристалле. Из описания принципа работы полевого транзистора с управляющим р-п переходом ясно, что одновременно обеспечить низкое напряжение отсечки и высокое напряжение пробоя р-п перехода затвор – исток полевого транзистора можно созданием тонкого и слаболегированного канала. Для обеспечения большого коэффициента передачи тока и высокой граничной частоты биполярного транзистора база также должна быть тонкой. Но при снижении степени легирования базы уменьшаются предельная частота усиления и напряжение прокола базы.

скачать реферат Резисторы

Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 – 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны – коррелированны. Эта корреляция сохраняется к при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы. Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры. Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры.На рисунке 1 изображена электрическая схема варианта № 29.Рис.1 Электрическая схема варианта 29. 1.2 Конструктивно – технологические данные и ограничения. Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, изображены на рисунке 2.

Качели пластмассовые "Малыш".
В наборе: качели, веревка, пластиковые карабины для регулировки веревок качелей. Материал: пластик. Максимальная нагрузка: 20 кг. Размер:
532 руб
Раздел: Качели
Манеж детский игровой "Динозаврики" (120х100х74 см).
Размер: 120х100х74 см.
679 руб
Раздел: Манежи
Кроватка-качалка для куклы.
Красивая и удобная кровать-качалка станет прекрасной колыбелькой для куклы. Кровать-качалка прекрасно дополнит интерьер кукольной комнаты
386 руб
Раздел: Спальни, кроватки
скачать реферат Электротехника и основы электроники

Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются для передачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда входные и выходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму. В этом случае информацию необходимо преобразовывать при помощи цифро- аналоговых (ЦАП) и аналогово-цифровых преобразователей (АЦП).а б верхний предел высокий уровень нижний предел низкий уровень а –аналоговый сигнал; б –цифровой сигнал; ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие выпол- няющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов, резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрически соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое. Высокая надежность и качество в сочетании с малыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечили их широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства. По конструктивно-технологическим признакам различают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы. Пленочные микросхемы изготавливают посредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленок различных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п. Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) и толстопленочные.

скачать реферат Шпаргалки по деревообработке

Костный клей: из очищенных и обезжиренныхкостей животных рогов , копыт и отходов , производство костных изделий В воде сильно набухают называют глютиновыми Влагопоглащаемость глютиновых клеев очень высокое . Казеиновые клеи . Основной состав - молочнный белок козеин , обезжиренный творог .Быстро набухает , но не растворяется и клея не образует .Жизнеспособность 4-7 ч. после чего загустевает. 2.К мебели относятся изделия предназначенные лля обстановки и оборудования помещения и других зон пребывания человека Изделия мебели проектируются отдельными моделями наборами и гарнитурами . Модель - это образец определенного вида изделия мебели в канкретно художественном и конструктивном исполнении. Кождая модель имеет разновидность . Отличающиеся материалом облицовкой , отделкой , цветом , этим достигается разнообразия выпускаемых изделичй данной модели Набор- это группа изделий мебели для полной обстановки помещений и зон определенного функционального назначения, а так же группы однатипных изделий не обеспечивающих полную обстановку, но объединненных, какими либо общими конструктивно технологическими признаками Гарнетур - это группа изделий из мебели согласованных между собой по архитектурно художественному или конструктивному признаку . для спальни , столовой .

скачать реферат Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности. Цель задания Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот. Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов.

скачать реферат Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

Ориентировочный расчет быстродействия и потребляемой мощности устройства управления. 2. Расчет вероятности безотказной работы устройства управления и среднего времени наработки на отказ.4. Графическая часть проекта Схема электрическая принципиальная. Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора. Заключение. Список литературы. Дата выдачи Срок окончания Зав. отделением Преподаватель ВВЕДЕНИЕ Развитие микроэлектроники способствовало появлению малогабаритных, высоконадежных и экономичных вычислительных устройств на основе цифровых микросхем. Требования увеличения быстродействия и уменьшения мощности потребления вычислительных средств привело к созданию серий цифровых микросхем. Серия представляет собой комплект микросхем, имеющие единое конструктивно – технологическое исполнение. Наиболее широкое распространение в современной аппаратуре получили серии микросхем ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ и схемы на МОП – структурах. ТТЛ схемы появились как результат развития схем ДТЛ в результате замены матрицы диодов многоэмиттерным транзистором.

скачать реферат Дослідження логічних елементів емітерно-зв’язаної логіки

Логічні елементи, що реалізують операції кон’юнкції, диз’юнкції, функції Пірса і Шеффера, можуть бути, у загальному випадку, - входові. Так, наприклад, логічний елемент із трьома входами, що реалізує функцію Пірса, має вид, представлений на рис.10. Рис.10 У таблиці істинності (рис.10) є вісім значень вихідних змінних Y. Ця кількість визначається числом можливих комбінацій вхідних змінних , що, у загальному випадку, дорівнює: = 2 , де - число вхідних змінних. Логічні елементи по режиму роботи підрозділяються на статичні і динамічні. Статичні ЛЭ можуть працювати як у статичному, так і динамічному (імпульсному) режимах. Статичні елементи найбільше широко використовуються в сучасних мікросхемах. Динамічні ЛЕ можуть працювати тільки в імпульсному режимі. Логічні елементи класифікують також за типом транзисторів, які застосовуються. Найбільше поширення одержали ЛЕ на біполярних і МДП - транзисторах і МДП – транзисторах. Крім того, інтенсивно розробляються ЛЕ на арсенід – галієвих МЕП і ГМЕП – транзисторах. Для кожного з перерахованих типів ЛЕ існує число схемотехнічних і конструктивно – технологічних різновидів.

Простыня трикотажная на резинке, 90х200х25 см, цвет шоколад.
Трикотажные простыни и наволочки – это идеальный вариант постельных принадлежностей, создающий атмосферу уюта и гармонии в спальне,
678 руб
Раздел: Простыни, пододеяльники
Нож для чистки овощей "Victorinox", универсальный, двустороннее зубчатое лезвие, чёрный.
Изумительный нож для кухни. Небольшой и удобный, он идеально подходит для чистки овощей. А яркий цвет порадует глаз и не даст ножу
410 руб
Раздел: Овощечистки, рыбочистки
Говорящий планшетик "Новогодний праздник".
В этом планшетике Умка поёт, говорит и рассказывает сказки! 16 новогодних песенок («Песенка Умки», «Белые снежинки», «Снеговик», «Дед
344 руб
Раздел: Планшеты и компьютеры
скачать реферат Автоматизированная система изучения тепловых режимов устройств ЭВС

Блок дешифрации и сопряжения включает в себя также дополнительную логику, осуществляемую вспомогательные функции по согласованию логических уровней составных частей устройства для синхронизации их работы, которая реализована на логических элементах серии 1533. Программируемый таймер реализован на микросхемах DD19 (КР580ВИ53) и DD9 (К1533ИЕ7) – предварительного делителя на 16. Канал 0 таймера осуществляет деление входной частоты с программируемым пользователем коэффициентом. Канал 1 задает частоту тактирования для АЦП при запуске его от таймера, что определяется разрядом 0 регистра режима работы. Частота тактовых последовательностей задается программно и должна позволять полностью завершить весь процесс измерения и обновления информации. Передача данных и управляющих сигналов от АЦП к блоку дешифрации и сопряжения осуществляется через диоды VD6 VD8 (АОД130А) блока гальванической развязки БГР и транзисторы V 61 V 6 (КТ306Б и КТ326БМ). Выбор разъемного соединителя для подключения к модулю АЦП датчиков температуры определяется следующими факторами: 1) количество соединительных линий равно 24; 2) отсутствие требований по некритичности соединителя к работе в высокочастотных электрических цепях, к большим значениям рабочих токов (А) и напряжений (В); 3) наличие конструктивно – технологических ограничений, которые сводятся к минимизации размеров применяемого соединителя и использованию печатного монтажа для его электрического соединения с платой; 4) условия эксплуатации должны удовлетворять требованиям, изложенным в ТЗ на разработку; 5) в связи с тем, разъемные соединители среди других ЭРЭ, используемых в конструкции, обладают одними из наиболее низких показателей надежности , необходимо стремиться выбрать соединитель с максимальным значением наработки на отказ.

скачать реферат Цифровые интегральные микросхемы

Общая характеристика цифровых интегральных микросхем и их параметрыПо функциональному назначения ЦИМС подразделяются на подгруппы : логические элементы ЛЭ, триггеры, элементы арифметических и дискретных устройств и другие. Внутри каждой подгруппы микросхемы подразделяются на виды, например виды логических элементов: И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ и т.д. Цифровые интегральные микросхемы выпускаются сериями. В состав каждой серии входят микросхемы, имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение, но относящиеся к различным подгруппам и видам. В зависимости от схемотехнической реализации ИЛЭ делятся на следующие типы: транзисторной логики (ТЛ), диодно-транзисторной логики (ДТЛ), транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), транзисторной логики на МОП-транзисторах(МОП ТЛ). Параметры ЦИМС подразделяются на статические и динамические. К статическим параметрам относятся: входное U0вх и выходное U0вых напряжение логического нуля, входное U1вх и выходное U1вых напряжение логической единицы, аналогично токи логической единицы и нуля, коэффициент разветвления по выходу Краз, определяющий число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу микросхемы (единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем); коэффициент объединения по входу Коб, определяющий число входов микросхемы, по которым реализуется логическая функция; допустимое напряжение статической помехи, характеризующее статическую помехоустойчивость микросхемы, то есть её способность противостоять воздействию мешающего сигнала, длительность которого превосходит время переключения микросхемы; средняя потребляемая мощность.

скачать реферат Методика организации тематических выставок в школе

Нельзя не учитывать и роли текста, устной речи, музыки, а иногда и элементов хореографии, пантомимы и театра. Однако основа всего — единство художественно-образного, функционального, конструктивно-технологического и экономического начал»'. Среди множества выставок, создававшихся в нашей стране с 1917 года, нелегко выбрать такие, которые наиболее поучительно было бы использовать в качестве материала для бесед с учащимися. Главный критерий отбора: экспозиционно-художественные достоинства и определенный исторический вклад в развитие оформительского искусства. В развитии искусства оформления выставок можно выделить несколько этапов с рядом характерных признаков для каждого из них. Границы этапов примерно такие: 1917 год—начало 30-х годов, середина 30-х —начало 50-х годов, середина 50-х — 60-е годы, 70-е годы, начало 80-х годов. Выставки первых лет Советского государства, пропагандируя новое, революционное содержание, использовали приемы и формы показа, сложившиеся в дореволюционных музеях, на торгово-промышленных выставках и ярмарках.

скачать реферат Разработка "высоковольтного драйвера" газоразрядного экрана на полиимидном носителе

При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные, типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальную трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований. Важным этапом технологического проектирования, направленного на обеспечение качества и надежности ИМС, является разработка операций контроля на всех этапах производства ИМС: входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующих изделий, контроля в процессе обработки, межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий. Рост степени интеграции и функциональной насыщенности единицы объема изделий микроэлектроники, объективно приводит к микроминитюаризации их исполнения. Практика показывает, что проблемы, связанные с микроминитюаризацией, комплексно могут быть решены на базе разработки и внедрения новых конструктивно-технологических принципов сборки ИМС и аппаратуры на их основе.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.