телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАОбразование, учебная литература -30% Товары для детей -30% Канцтовары -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программирование

Полупроводниковые резисторы

найти похожие
найти еще

Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
87 руб
Раздел: Небесные фонарики
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ТРАМПОВОЕ СУДОХОДСТВО (от англ. tramp - бродяга) - нерегулярное морское судоходство, при котором перевозки грузов осуществляются на судах, не закрепленных на определенных линиях, выполняющих разовые перевозки по договору - чартеру. ТРАНЕ (Thrane) Маркус (1817-90) - организатор (в 1848-50) первых "союзов рабочих" в Норвегии, развернувших движение транитариев. ТРАНЕЦ (от англ. transon) - плоский срез кормы шлюпки, яхты или другого судна. ТРАНЗИСТОР (от англ. transfеr - переносить и резистор) - полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. Изобретен в 1948 американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых либо электроны, либо дырки

скачать реферат Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

Удельная электрическая проводимость полупроводников – подвижность электронов и дырок соответственно. В примесных ( -типа или p-типа) полупроводниках одним из слагаемых в приведенном выражении можно пренебречь. Подвижность носителей при нагревании изменяется сравнительно слабо (по степенному закону, (), а концентрация очень сильно (по экспоненциальному закону, (). Поэтому температурная зависимость удельной проводимости полупроводников подобна температурной зависимости концентрации основных носителей, а электрическое сопротивление терморезисторов может быть определено по формуле: (2.2) где о – коэффициент, зависящий от типа и геометрических размеров полупроводника; (Э – энергия активации примесей (для примесных полупроводников) или ширина запрещенной зоны (для собственных полупроводников), k – постоянная Больцмана. постоянная В =(Э/k носит название коэффициент температурной чувствительности и приводится в паспортных данных на терморезистор. экспериментально коэффициент температурной чувствительности определяют по формуле (2.3) где Т1 и Т2 – исходная и конечная температуры рабочего температурного диапазона, R1 и R2 – сопротивления терморезистора при температуре соответственно Т1 и Т2. На рис. 2.1 приведен график зависимости сопротивления полупроводникового резистора от температуры.

Каталка-автомобиль "Sokol" (с ручкой).
Каталка-автомобиль "Sokol" рекомендуется для малышей, которые пока еще неуверенно сидят и часто падают. Эта модель каталки
2249 руб
Раздел: Каталки
Пазл "Арктика", 75 элементов.
Яркий красочный пазл познакомит ребенка с удивительным миром животных Северного полюса. Это и белые медведи, и морские котики, и белый
548 руб
Раздел: Пазлы (54-99 элементов)
Подгузники-трусики "Pampers. Pants. Джамбо", Maxi (9-15 кг), 52 штуки.
Для активных и любознательных мальчиков и девочек так важен комфорт, поэтому Pampers разработал универсальные подгузники-трусики Pampers
1117 руб
Раздел: Более 11 кг
 Большая Советская Энциклопедия (ВИ)

Видеоусилитель Видеоусили'тель, широкополосный ламповый или полупроводниковый усилитель, применяемый в телевизионных, радиолокационных, осциллографических и др. устройствах для усиления видеосигналов перед подачей их на электроннолучевую трубку. Для сохранения формы видеосигналов В. должен равномерно (отклонение не более 1—3 дб ) их усиливать в широкой полосе пропускания частот (от 10—30 гц до 4—6 Мгц ) без заметных фазовых искажений. См. Фазочастотная характеристика . Наиболее применимы схемы одно- и двухкаскадного В., в цепь нагрузки усилительной ступени которых включается резистор с малым сопротивлением и различные сочетания катушек индуктивности, конденсаторов, резисторов. Эти сочетания выбираются таким образом, чтобы вызвать подъём усиления в области высоких и низких частот, приводящий к равномерному усилению и уменьшению фазовых искажений в более широкой полосе частот. На рис . приведены схема однокаскадного лампового В. и его амплитудно-частотная характеристика. Подъём (коррекция) усиления в области высоких частот достигается вследствие резонансных явлений в колебательных контурах, образуемых катушками индуктивности L a , L c и паразитными ёмкостями схемы Спар , в области низких частот — подбором параметров цепи анодной развязки R ф С ф . См. также Электрических сигналов усилитель .   Лит.: Крейцер В. Л., Видеоусилители, М., 1952; Лурье О., Усилители видеочастоты, 2 изд., М., 1961.   А. Я. Клопов

скачать реферат Методы и средства контактных электроизмерений температуры

В тех случаях, когда термо-э.д.с. измеряется компенсатором, сопротивление цепи термо-э.д.с., как известно, роли не играет. В тех же случаях, когда термо-э.д.с. измеряется милливольтметром, может возникнуть погрешность, обусловленная изменением сопротивлений всех элементов, составляющих цепь термо-э.д.с.; поэтому необходимо стремиться к постоянному значению сопротивления проводов и самой термопары. В отечественных термоэлектрических термометрах при их градуировке учитывается сопротивление внешней относительно милливольтметра цепи, т. е. проводов и термопары (Rпр RТП), равное 5 Ом. Регулировка сопротивления этой внешней цепи осуществляется при помощи добавочной катушки сопротивления из манганина непосредственно при монтаже прибора. Паразитные термо-э.д.с. возникают вследствие наличия неод-нородностей в материалах и по данным, приведенным в работе, могут составлять для различных материалов 10—100 мкВ. В частности, для платиновой проволоки при протяженности распределения температуры 30 мм и температурном градиенте 30 К/мм величина паразитной термо-э.д.с. составляет 10 мкВ. 1.3. РАЗНОВИДНОСТИ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОСНОВЫ РАСЧЕТА Для измерения температуры применяют металлические и полупроводниковые резисторы.

 Большая Советская Энциклопедия (ГИ)

Гибридная интегральная схема Гибри'дная интегра'льная схе'ма, гибридная микросхема, интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.   Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в Г. и. с. изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.). Навесные элементы крепят на одной подложке с. плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. Г. и. с.., как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение Г. и. с. в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.   И. Е. Ефимов

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Следует знать схемы включения, дифференциальные малосигнальные параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов. Необходимо иметь представление о приборах с зарядовой связью. Этот материал можно найти в , c.175-182; В этом пункте основное внимание уделяется устройству тиристоров. Нужно знать устройство  и принцип действия диодного и триодного тиристора. Нужно также уяснить работу теплоэлектрических приборов, полупроводниковых резисторов и варисторов. Шумы и надежность электронных приборов , с. 158-165, 19-22; Контрольные вопросы к I-разделу Укажите роль электронных приборов и изделий микроэлектроники в подготовке специалистов Вашего профиля. Начертите диаграммы энергетических зон собственного и примесного полупроводников и объясните характер электропроводности в полупроводниках. Что такое диффузионный и дрейфовый токи? Почему резко снижается концентрация подвижных носителей заряда в приконтактной области двух полупроводников с разными типом проводимости? Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p- перехода в равновесном состоянии.

скачать реферат Терморезисторный эффект. Терморезисторы

Однако, эта разница становится выше, если соединить последовательно с закрытым терморезистором резистор с высокой температурной стабильностью. Когда отношение суммы сопротивлений закрытого терморезистора и стабильного резистора и сопротивления открытого терморезистора превышает порог, возникает режим тревоги. Датчик формирует режим «Тревога» при достижении внешней температуры 60°С вне зависимости от скорости нарастания температуры. Конечно же, применение терморезисторов в качестве датчиков температуры имеет не только плюсы, но и свои минусы. Так, например, это инерционность, обусловленная постоянной времени ?, плохая стабильность в определенных условиях и т.д. В примерах терморезисторов были указаны цели использования некоторых терморезисторов, среди них и температурная компенсация электрических цепей в широком диапазоне температур – еще одна область применения терморезисторов. Библиографический список. 1. Мэклин Э. Д. Терморезисторы. М. 1983. 208 с. 2. Шашков А. Г. Терморезисторы и их применение. М. 1967. 320 с. 3. Зайцев Ю. В. Полупроводниковые резисторы. М. 1969. 48 с. 4. Шефтель И. Т. Терморезисторы. М. 1973. 416 с. 5. Зайцев Ю. В. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи. М. 1985. 120 с. 6. Гендин Г. С. Все о резисторах. Справочное издание. М. 2000. 192 с. 7. Дубровский В. В. Резисторы: справочник. М. 1991. 528 с. 8. Затраты времени. Затрачено времени (часов) приблизительно: 1.

скачать реферат Фоторезисторы

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото. и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор, омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности. В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью, экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

скачать реферат Электронные и микроэлектронные приборы

Различают объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Объемные резисторы получают путем создания омических (невыпрямляющих) контактов металла с полупроводником. При идеальных контактах удельное сопротивление ? такого резистора определяется объемными свойствами полупроводника. Поскольку на практике используют легированные полупроводники, их удельное сопротивление в случае полной ионизации примеси: ?=-1? а >> ? Несмотря на простоту конструктивного и технологического исполнения, объемные резисторы не нашли широкого применения из-за большой занимаемой площади и температурной нестабильности. Диффузионные резисторы формируют на основе диффузионных слоев, толщина которых намного меньше их ширины и длинны. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p- -переходом. Они могут быть изготовлены одновременно с другими элементами при формировании структуры полупроводниковых ИМС. Поэтому для реализации диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС используют те же диффузионные слои, которые образуют основные структурные области транзистора: базовую, эмиттерную, или коллекторную.

Бумага для принтера "Ballet Classic", формат А3, 500 листов.
Бумага Ballet Classic имеет категорию качества «В», что позволяет использовать ее при создании документации различного типа. Обладая
502 руб
Раздел: Формата А3 и больше
Зеркальце карманное "Бабочка", 8x7 см.
Симпатичное карманное зеркало станет Вашим незаменимым помощником и с легкостью разместится даже в небольшой женской сумочке или кармане.
354 руб
Раздел: Зеркала, расчески, заколки
Кулинарная форма, круглая, регулируемая, 16-30 см, высота 8,5 см.
Кольцо-трансформер решает проблему выбора размера формы раз и навсегда.Используется для выпечки коржей диаметров от 15 до 30 см.Форма
482 руб
Раздел: Формы и формочки для выпечки
скачать реферат Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

Удельная электрическая проводимость полупроводников , (2.1) где – концентрация, – подвижность электронов и дырок соответственно. В примесных ( -типа или p-типа) полупроводниках одним из слагаемых в приведенном выражении можно пренебречь. Подвижность носителей при нагревании изменяется сравнительно слабо (по степенному закону, ?), а концентрация очень сильно (по экспоненциальному закону, ?). Поэтому температурная зависимость удельной проводимости полупроводников подобна температурной зависимости концентрации основных носителей, а электрическое сопротивление терморезисторов может быть определено по формуле: (2.2) где о – коэффициент, зависящий от типа и геометрических размеров полупроводника; ?Э – энергия активации примесей (для примесных полупроводников) или ширина запрещенной зоны (для собственных полупроводников), k – постоянная Больцмана. Постоянная В =?Э/k носит название коэффициент температурной чувствительности и приводится в паспортных данных на терморезистор. Экспериментально коэффициент температурной чувствительности определяют по формуле (2.3) где Т1 и Т2 – исходная и конечная температуры рабочего температурного диапазона, R1 и R2 – сопротивления терморезистора при температуре соответственно Т1 и Т2. На рис. 2.1 приведен график зависимости сопротивления полупроводникового резистора от температуры.

скачать реферат Однокритериальный измеритель частотной избирательности радиоприёмника

В описанной схеме коэффициент усиления широкополосного усилителя по напряжению Ки =40 дБ, причём напряжение практически не отличается от синусоидального в полосе перестройки частоты 3,95—24,6 МГц. В процессе перестройки дифференциальное сопротивление диода Д1 изменяется от 3 до 100 Ом, что соответствует изменению напряжения на диоде от 07 до 0,25 В. Для работы устройства в режиме генератора качающейся частоты вместо реостата R1 в схеме на рис. 21 следует использовать полупроводниковые резисторы (см. § 4) с соответствующими источниками управляющего напряжения или тока. При этом могут наблюдаться снижение устойчивости работы системы авторегулирования, сужение частотного диапазона и повышение нелинейных искажений. Устранение этих недостатков обеспечивается путём подстройки режима системы авторегулирования с помощью реостатов R13, R15 и коррекции сигналов, используемых для перестройки управителей частоты. В описанном устройстве, а также в генераторах, выполненных по другим схемам (см. табл. 2), при понижении и повышении центральной частоты наблюдается соответственно расширение и сужение диапазона перестройки.

скачать реферат Электронные и микроэлектронные приборы

Не углубляясь в рассмотрение самих моделей, укажем лишь, что большинство из этих данных возможно описать в рамках единой модели, ограниченное число предельных случаев которой объясняло бы появление всех отмеченных выше кинетических закономерностей. Одной из таких моделей можно считать модель Фромхолда, основанную на рассмотрении процессов одновременной макроскопической диффузии заряженных частиц (ионов и электронов) сквозь гомогенную окисную пленку в присутствии электрического поля, созданного этими частицами (Fromhold A. .-"J. Phys. Chem. Solids", 1963, v.24, p. 1081-1089). Зависимость экспериментально наблюдаемых кинетических закономерностей от температуры процесса приведена в таблице 1. 2. Полупроводниковые резисторы Полупроводниковые резисторы – это резисторы, изготовленные на основе полупроводникового материала методами полупроводниковой технологии. Различают объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Объемные резисторы получают путем создания омических (невыпрямляющих) контактов металла с полупроводником.

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Именно для этого расчет транзисторов производится в первую очередь. Таким образом, задача расчета резистора сводится к выбору полупроводникового слоя, в котором будет создаваться резистор, и формы контактов и вычисления длины и ширины.Воспроизводимость номинальных значений сопротивления обычно равна 15-20% и зависит от ширины резистора. Так, при возрастании ширины от 7 до 25 мкм точность воспроизведения номинала возрастает с ?15 до ?18%.5.1 Диффузионные резисторы на основе базовой области.Резисторы данного типа приобрели наибольшее распространение, так как при их использовании достигается объединение высокого удельного сопротивления, что необходимо для уменьшения площади, которую занимает резистор, и сравнительно небольшого температурного коэффициента ТКR ( ?(0,5 3) 10-3 1/?С ).5.2. Исходные данные для расчета топологических параметров полупроводниковых резисторов.Для расчета длины и ширины резисторов необходимы следующие входные данные:1) номинальные значения сопротивлений R, заданные в принципиальной схеме.R1- R4 – 4700 Ом;R5 – 3300 Ом.2) допустимая погрешность ? R.Исходя из технологических возможностей оборудования выберем ?R = 20%3) рабочий диапазон температур ( mi , max).Исходя из предположения, что разрабатываемая ИМС будет предназначена для эксплуатации в климатических условиях, характерных для широты Украины, выберем диапазон температур, определяемый климатическим исполнением УХЛ 3.0 (аппаратура, предназначенная для эксплуатации в умеренном и холодном климате, в закрытых помещениях без искусственно регулируемых климатических условий).

скачать реферат Аналого-цифровой преобразователь (АЦП)

Даже в относительно простой электронной аппаратуре существует масса возможностей для применения аналого-цифрового и цифро-аналогового преобразования. АПЗ.38.098424.003 ПЗ Лист 4 Изм Лит № докум Подпи Дат сь а РАЗРАБОТКА СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ УСТРОЙСТВА И ОБОСНОВАНИЕ ПРИНЯТЫХ РЕШЕНИЙ Выбор и обоснование структурной схемы В настоящее время, при разработке проектов радиоэлектронных устройств, приоритетными являются разработки предусматривающие интегральное исполнение. Исходя из этого, предлагается схема аналого- цифрового преобразователя, обладающая в интегральном исполнениии (т.е. выполненная в одном кристалле) более высокими параметрами, чем при изготовлении на дискретных элементах. Так как изготовления прецизионных конденсаторов интегральном исполнении является сложной технологической проблемой, в предлагаемой разработке из измерительных цепей конденсаторы исключены. По той же причине технологической сложности изготовления источника опорного напряжения предлагается схема с использованием моста Уина (Вина). Само ядро АЦП - схема на компараторах с суммированием опорного напряжения, выбрана из-за отсутствия сложных схем тактирования и переключения, а изготовление полупроводниковых резисторов и аналоговых ключей с заданными параметрами технологически легко решаема.

Сковорода литая с антипригарным покрытием, 26 см.
Сковорода со съемной ручкой и стеклянной крышкой, утолщенное дно. Диаметр: 260 мм. Высота: 60 мм.
1738 руб
Раздел: Сковороды с антипригарным покрытием
Коврик LUBBY для ванны "Африка".
Коврик надежно крепится ко дну ванны присосками, что минимизирует вероятность скольжения. На мягкую рельефную поверхность очень приятно
619 руб
Раздел: Коврики
Дырокол для люверсов на 30 листов, серебристый.
Дырокол в металлическом корпусе, предназначенный для установки люверсов. Перфорирует одновременно до 30 листов бумаги. Диаметр
630 руб
Раздел: Дыроколы
скачать реферат Печатные платы

Наименьшее время переключения имеет диод, одним электродом которого служит эмиттер, а другим – соединенные вместе коллектор и база. Полупроводниковые резисторы изготовляют одновременно с активными элементами. Они обычно выполняются в виде прямоугольного слоя полупроводника при базовой диффузии и называются диффузионными. В таких резисторах используется объемное сопротивление материала, имеющего определенную степень легирования. Диффузионные резисторы могут иметь номинальные значения сопротивлений от нескольких ом до двух десятков килоом. Конденсаторы полупроводниковых ИМС выполняются двух видов. Часто в качестве конденсаторов используют смещенный в обратном направлении р- переход. Емкость такого конденсатора зависит от величины обратного напряжения, а последовательно с ней всегда оказывается включенным большое объемное сопротивление полупроводникового материала. Таким образом можно изготовить конденсаторы емкостью до сотни пикофарад. Другой разновидностью являются металл-окисел-полупроводниковые конденсаторы, которые образуются областью -типа (от эмиттерной диффузии) и металлической пленкой алюминия, разделенными слоем двуокиси кремния.

скачать реферат Медицинские датчики

Схема включения Z-термистораZ-термисторы представляют собой полупроводниковую p- структуру, включаемую в прямом направлении ( к p-области структуры) в цепь источника постоянного напряжения. Структура обладает функцией перехода из одного устойчивого состояния (с малым током) в другое устойчивое состояние (в 50 - 100 раз большим током) при ее нагреве до заданного значения температуры. Установка требуемого значения температуры срабатывания осуществляется простым изменением напряжения питания. Длительность перехода структуры (Z- термистора) из одного устойчивого состояния в другое 1 - 2 мкс. Схема включения Z-термистора состоит из источника питания U и нагрузочного резистора R, который одновременно служит ограничителем тока Z-термистора при его переходе в состояние с большим током (рис.). Выходной сигнал (бросок напряжения) может быть снят как с нагрузочного резистора R, так и с самого Z-термистора, но с обратным знаком. Как уже было сказано, Z- термистор может быть настроен на любое значение температуры в диапазоне –40 - 100°С путем изменения питающего напряжения U.

скачать реферат Алмазоподобные полупроводники

Изобретение радио великим русским учёным А.С. Поповым открыло новую эру в развитии науки и техники. Чтобы обеспечить развитие радиоэлектроники, потребовалось огромное количество радиодеталей и радиокомпонентов. В послевоенное десятилетие резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, электронные лампы и полупроводниковые приборы стали изготовляться в миллионных и миллиардных количествах. Собираемая из разнородных деталей электронная аппаратура во многих случаях была громоздкой, тяжелой и не достаточно надёжной. Так, средний телевизор содержал порядка тысячи радиодеталей и электронных приборов, занимая объем около 20 литров. В настоящее время, с использованием современных методов обработки и получения материалов, удаётся на подложке в 1 квадратный сантиметр разместить до 600 000 функциональных элементов, но и это теоретически ещё не предел. Классификация полупроводниковых материалов. Полупроводники представляют собой весьма многочисленный класс материалов. В него входят сотни самых разнообразных веществ – как элементов, так и химических соединений.

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Главный тип ИС в настоящее время — полупроводниковые ИС. Классификация ИС. Классификация ИС может производиться по различным признакам, ограничимся одним. По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные. Полупроводниковая ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Пленочная ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим их толщиной различают тонкопленочные ИС (толщина пленок до 1-2 мкм) и толстопленочные ИС (толщина пленок от 10-20 мкм и выше). Поскольку до сих пор никакая комбинация напыленных пленок не позволяет получить активные элементы типа транзисторов, пленочные ИС содержат только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и т. п.). Поэтому функции, выполняемые чисто пленочными ИС, крайне ограничены.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.