телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАКанцтовары -30% Книги -30% Электроника, оргтехника -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютерные сети

Проектирование индуктивной трёхточки на транзисторе с индуктированным n-каналом

найти похожие
найти еще

Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки
Пакеты с замком "Extra зиплок" (гриппер), комплект 100 штук (150x200 мм).
Быстрозакрывающиеся пакеты с замком "зиплок" предназначены для упаковки мелких предметов, фотографий, медицинских препаратов и
148 руб
Раздел: Гермоупаковка
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Встраиваемые системы. Проектирование приложений на микроконтроллерах семейства 68HC12/HCS12 с применением языка С

Максимальное значение тока стока ID для этого транзистора равно 14 А. Это означает, что мы можем коммутировать нагрузку с номинальным током 14 А под управлением маломощного сигнала с выхода микроконтроллера. Отметим, что в настоящее время подобные мощные МДП-транзисторы с каналами n- и p-типа выпускаются на токи свыше 100 А. На рис. 5.19,б показана схема включения электрического двигателя с управлением от микроконтроллера. Резистор R = 10 кОм в цепи управления обеспечивает путь для рассасывания заряда из области управляющего электрода, когда напряжение на затворе становится равным нулю. Также в схеме присутствует защитный диод, который установлен параллельно двигателю. Мы обсудим назначение этого диода несколько позже, при изучении схемы инвертора (раздел 5.7.3). В нашем примере на затвор транзистора подается управляющее напряжение около 5 В. При этом транзистор IRF530 может проводить ток около 4 А. Для увеличения тока нагрузки до 14PА следует повысить управляющее напряжение. Однако используемый в примере электрический двигатель приводится во вращение напряжением 12PВ при токе нагрузки 1PА

скачать реферат Логические элементы

Диод VD, включенный на вход А, защищает схему от перегрузки по входу. Существенно повысить быстродействие инвертора и снизить расход энергии питания позволяет применение диодов Шоттки, включаемых параллельно переходу коллектор - база биполярного транзистора (рис. 7, в). Такое соединение называется транзистором Шоттки и обозначается в электронных схемах, как показано на рис. 7, в. Среднее время задержки сигналов в логических элементах ТТЛШ порядка 1,5 нс при средней потребляемой мощности около 20 мВт на один логический элемент. Применение МОП-транзисторов позволяет почти в 10 раз увеличить число активных элементов на кристалле интегральной микросхемы и более чем в 103 раз уменьшить потребление энергии питания по сравнению с биполярными транзисторами. Однако почти в 10—20 раз уменьшается быстродействие (в первую очередь, из-за больших емкостей на входе и выходе транзисторов и очень высоких входных сопротивлений). Инвертор на МОП-транзисторах с -каналами может быть выполнен по схеме, приведенной на рис. 8, а. Транзистор V 1, на затвор которого подается напряжение в отпирающей полярности, выполняет роль резистора (сопротивление которого может быть сделано любым - в пределах от сотен омов до сотен кило-омов - в зависимости от технологии изготовления и напряжения на затворе).

Игра "Моя первая монополия".
Динамичная игра в торговлю недвижимостью! Играй и учись зарабатывать! Считай деньги, копи наличные и побеждай! Ты можешь стать владельцем
1418 руб
Раздел: Классические игры
Трамвай.
Детский трамвай незаменимый подарок для каждого мальчика. Доставит удовольствие как юным искателям приключений, так и взрослым любителям
720 руб
Раздел: Автобусы, троллейбусы, трамваи
Настольная игра "Выдерни морковку".
Игра позволит вам интересно провести время в кругу семьи и друзей! Зайцы устраивают соревнования за морковкой, которая растет на верху
1790 руб
Раздел: Игры с фигурками
 Эдисон

Эдисоном было сделано изобретение, которое привело к значительному улучшению: он ввел в телефон индукционную катушку (трансформатор), преобразующую ток низкого напряжения микрофонной цепи в переменный ток более высокого напряжения, которому легче было преодолеть сопротивление проводов. В первичную цепь индукционной катушки поступает электрический ток, который благодаря колебаниям металлической мембраны преобразовался в ток пульсирующий. Таким образом, в линию передачи поступают уже не прямые, а индуктированные токи, возникающие во вторичной обмотке этой катушки. Применение такого индуктивного действия значительно увеличивает мощность передачи. Это усовершенствование дало возможность установить телефонную связь на большие расстояния и положило начало развитию телефонной техники. В результате усовершенствований, произведенных Эдисоном, телефон Белла заговорил громко. После этих усовершенствований телефонное дело начало быстро развиваться. Теодор Пускас из Будапешта первый предложил устройство центральных телефонных станций

скачать реферат Цифровые устройства и микропроцессоры

Что означают сокращения: ТТЛ, ДТЛ, -МОП? Указать их основные отличительные характеристики. ТТЛ – транзисторно-транзисторная логика, ДТЛ – диодно-транзисторная логика, -МОП – логика на униполярных транзисторах с -каналом. Все эти сокращения обозначают тип схемотехники и конструкции цифровых микросхем. В настоящее время ДТЛ не применяется, ТТЛ вытеснены совместимыми с ними по уровням питания и сигналов сериями ТТЛШ (ТТЛ с диодами и транзисторами Шоттки (К555, К1531 и т.д.)), а -МОП логика вытеснена КМОП (К564, К1564, К1554). Основными параметрами, которые позволяют производить сравнение базовых ЛЭ различных серий, являются: . напряжение источника питания – определяется величиной напряжения и величиной его изменения. ТТЛ – рассчитаны на напряжение источника питания равное 5 В ( 5%. Большая часть микросхем на КНОП структурах устойчиво работает при напряжении питания от 3 до 15 В, некоторые – при напряжении 9 В ( 10%; . уровень напряжения логического нуля и логической единицы – это уровни напряжения, при которых гарантируется устойчивое различение логических сигналов, как нуля, так и единицы.

 Теперь об этом можно рассказать

Единого мнения о том, какой способ наиболее пригоден для этого, не было. Еще меньшая ясность была в отношении необходимого оборудования. Тем не менее, работа над проектом завода не останавливалась. Проектирование, приобретение материалов и строительство должны были вестись одновременно с разработкой процесса выделения и его усовершенствованием по ходу накопления знаний. Главная задача заключалась в получении достаточного количества облученного урана, нужного для разработки технологии его обработки. Причем завод в Ханфорде должен был быть в основном построен до получения результатов в Клинтоне. В компании «Дюпон» все работы по плутонию были поручены специальной секции отдела взрывчатых веществ, возглавляемой Р. Уильямсом. Инженерному отделу компании было поручено выполнять все заказы этой секции. Информация об исследованиях, ведущихся в Чикаго, передавалась компании «Дюпон» по различным каналам. Сотрудники компании часто приезжали в Чикаго и Клинтон для обсуждения проектов и получения подробных данных. В Чикаго и Клинтоне постоянно находилось несколько сотрудников компании «Дюпон», осуществлявших постоянную связь ученых с практиками

скачать реферат Принципы построения ОЗУ

При выполнении работы имитируются режимы записи и чтения данных для любой ячейки памяти. Помимо общей структуры представлена схема отдельной ячейки памяти, представляющей собой триггер на КМДП-транзисторах, имеющих каналы разного типа проводимости: V 1, V 2 -каналы -типа, V 3, V 4 -каналы p-типа. У триггера два парафазных совмещенных входа-выхода. Ключевыми транзисторами V 5, V 6 триггер соединен с разрядными шинами РШ1, РШ0, по которым подводятся к триггеру при записи и отводятся от него при считывании информации в парафазной форме представления: РШ1=D, РШ0=D(инверт.). Ключевые транзисторы затворами соединены с адресной шиной(строкой). При возбуждении строки сигналом выборки X=1, снимаемым с выхода джешифратора адреса строк, ключевые транзисторы открываются и подключают входы-выходы триггера к разрядным шинам. При отсутствии сигнала выборки строки, т.е. при X=0, ключевые транзисторы закрыты и триггер изолирован от зарядных шин. Таким образом реализуют в матрице режим обращения к ЭП для записи или считывания информации и режим хранения мнформеции.

скачать реферат Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом

Оглавление1. Основные сведения 2. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом Выводы 1. Основные сведенияУпрощенная структура МДП-транзистора с -каналом, сформированного на подложке p-типа электропроводности, показана на рисунке 1.Транзистор состоит из МДП-структуры, двух сильнолегированных областей противоположного типа электропроводности по сравнению с электропроводностью подложки и электродов истока и стока. При напряжении на затворе, превышающем пороговое напряжение (), в приповерхностной области полупроводника под затвором образуется индуцированный электрическим полем затвора инверсный слой, соединяющий области истока и стока. Если подано напряжение между стоком и истоком, то по инверсному слою, как по каналу, движутся основные для канала носители заряда, т.е. проходит ток стока. 2. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналомI. Выбор длины канала и диэлектрика под затвором транзистора: а) выбор диэлектрика под затвором: В качестве диэлектрика для GaAs выбираем Si3 4, т.к. он обладает довольно высокой электрической прочностью, а также образует сравнительно небольшую плотность поверхностных состояний. б) определение толщины диэлектрика под затвором: Слой диэлектрика под затвором желательно делать тоньше, чтобы уменьшить пороговое напряжение и повысить крутизну передаточной характеристики.

скачать реферат Усилитель мощности широкополосного локатора

Сравнивая энергетические характеристики двух каскадов, можно сделать вывод, что лучше взять дроссельный каскад, так как он имеет наименьшее потребление, напряжение питания и ток. 4.2 Выбор транзистора оконечного каскада Выбор транзистора осуществляется по следующим предельным параметрам: - предельный допустимый ток коллектора; - предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер ; - предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе. - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ . Этим требованиям удовлетворяет транзистор КТ939А . Основные технические характеристики этого транзистора приводятся ниже. Электрические параметры: -граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц; -постоянная времени цепи обратной связи при ; -индуктивность эмиттерного вывода ; -статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ В пФ. Предельные эксплуатационные данные: -постоянное напряжение коллектор-эмиттер мА; -постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=298К К. 4.3 Расчет эквивалентной схемы транзистора Так как рабочие частоты усилителя больше частоты, то входная ёмкость не будет влиять на характер входного сопротивления транзистора на высоких частотах, а будет влиять индуктивность выводов транзистора. Ёмкость можно исключить из эквивалентной схемы, а индуктивность оставить.

скачать реферат Полевые транзисторы

ТЕМА 5. Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний. К классу полевых относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствие этого транзисторы называют полевыми. По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р- - перехода и с изолированным затвором (МДП - или МОП - транзисторы): встроенным каналом и индуцированным каналом. В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: полевые транзисторы с каналом р- типа и - типа. Канал р- типа обладает дырочной проводимостью, а - типа – электронной. 5.1 Полевые транзисторы с управляющим р- - переходом 5.1.1 Устройство и принцип действия Полевой транзистор с управляющим р- - переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р- -переходом, смещенным в обратном направлении. Рисунок 5.1 – Устройство полевого транзистора с управляющим р- -переходом (каналом - типа) Рисунок 5.2 – Условное обозначение полевого транзистора с р- -переходом и каналом - типа (а), каналом р- типа (б)Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения.

Уничтожь меня! Уникальный космический блокнот для творческих людей. Смит Кери
Перед вами книга-сенсация, проданная миллионными тиражами по всему миру. Поздравляем, теперь и вы сможете приобщиться к разрушительному
314 руб
Раздел: Блокноты оригинальные, шуточные
Подставка для канцелярских принадлежностей "Башня", металлическая, 4 секции, серебристая.
Подставка для письменных принадлежностей, металлическая, сетка. Цвет: серебристый. Размер: 16х8х11 см.
355 руб
Раздел: Подставки, лотки для бумаг, футляры
Набор бутылочек для кормления Avent "Natural" (2 штуки по 260 мл), от 1 месяца.
Бутылочка помогает легче совмещать грудное вскармливание и кормление из бутылочки. Благодаря инновационному дизайну малышу теперь легче
916 руб
Раздел: Бутылочки
скачать реферат Проектирование аналоговой системы передачи (АСП)

По полосе пропускания и ориентировочно по нижней границе спектра выберем тип кабеля. Выбираем коаксиальный кабель КМ-4 (2.6x9.4 мм). 1.5 Составление схемы преобразования частот Многоканальная система передачи с частотным разделением каналов должна быть построена по групповому принципу. Разработку схемы преобразования частот следует начинать с формирования стандартных первичных групп. Основным видом формировния первичных групп в отечественной аппаратуре является прямое одноступенчатое преобразование. В этом случае из каналов формируется /12=300 стандартных первичных групп со спектрами 60ч108 кГц. Несущие частоты для первичных групп: , где - номер телефонного канала в первичной группе (ПГ). При ; При ; При ; При ; При ; При ; При ; При ; При ; При ; При ; При . При проектировании систем с большим числом каналов возникает необходимость в формировании вторичных, третичных и т. д. групп. Вторичная группа формируется из пяти первичных групп. Границы спектра основной вторичной группы 312ч552 кГц, ширина полосы 240 кГц. Прямой порядок следования первичных групп во вторичной образуется путем преобразования пяти первичных групп несущимим частотами.

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

А стремление реализовать 100% внутреннюю положительную обратную связь внутри кристалла накладывает жесткие требования к технологии изготовления таких негатронов, затрудняет производство идентичных приборов и дальнейшее их применение. Эти недостатки при создании транзисторных негатронов были частично преодолены путем реализации комбинированной 100% положительной обратной связи: частично внутренней, за счет временной задержки неосновных носителей в базе транзистора; частично, за счет введения цепи внешней обратной связи. Началом этого направления, видимо, следует считать 1956г., когда Ямагучи (J.Jamaguchi) исследовал негатрон на транзисторе с общим коллектором и индуктивной цепью обратной связи между базой и коллектором . В дальнейшем были исследованы различные модификации такого негатрона, получившего наименование «индуктивный транзистор», т. к. он оказался перспективным в качестве полупроводникового аналога индуктивности. Следует отметить успешное применение этого негатрона в различных аналоговых СВЧ устройствах (активных фильтрах, генераторах, преобразователях частоты, мультиплексорах, активных антеннах и др.). Основы проектирования таких устройств были заложены в работах Дилла (Н.Dill) и др. Систематизация и дальнейшее развитие этого научного направления сделано автором этой статьи в работах , где предложено рассматривать транзистор как обобщенный преобразователь иммитанса, и обоснован физический механизм возникновения динамического отрицательного сопротивления на его клеммах.

скачать реферат Радиолокационный приемник

Амплитудный линейный детектор (АД) выполняют на полупроводниковых диодах или транзисторах. Диодные полупроводниковые детекторы могут иметь как последовательные, так и параллельные схемы включения. Рис.15. Последовательная схема включения АД. Источником сигнала является колебательный контур Lк, Ск , индуктивно связанный с выходом резонансного усилительного каскада. К нему подключен детектор , образованный диодом Д и нагрузкой RC. Фильтр (Lф и его паразитная емкость Сф) - уменьшает высокочастотные пульсации выходного напряжения. Перед детектированием импульсы, принимаемые РЛ приемным устройством, согласно структурной схеме, проходят фильтровую обработку. Фо - представляет собой согласованный фильтр. Фильтр Фв - весовой сумматор на скользящем интервале. Рис.16.Весовой сумматор на скользящем интервале.Итак, коэффициенты устройств, входящих в структурную схему (до АД): Капч= 0.95, Кузп= 0.9, Кувч= 5.5, Купзк= 0.92, Кпч= 0.5, Купч= 1,6 после СФ (т.к. он ослабляет сигнал), необходимо ввести в схему усилитель с коэффициентом передачи: Кус= 10. Введем каскад с ОЭ. 8.Проектирование АПЧ.Для автоподстройки частоты гетеродина можно использовать частотный детектор приемника и управитель частоты (УЧАП), который должен работать при относительно медленном изменении частоты, вызванном нестабильностью передатчика и гетеродина приемника. Рис.16. Принципиальная схема АПЧ.

скачать реферат Теория

Как видно из последнего выражения, наличие напряжения между подложкой и истоком равносильно увеличению порогового напряжения. Преимуществом МОП-транзисторов перед канальными является более высокое быстродействие, что объясняется меньшей длиной его канала. Недостатком МОП-транзисторов в сравнении с канальными является наличие шумовых флуктуаций и нестабильность характеристик во времени. У канальных транзисторов этот недостаток отсутствует, так как у них канал отделен от поверхности обедненным слоем, что гарантирует отсутствие дефектов кристаллической решетки, загрязнений, поверхностных каналов ( все то, что у МОП транзисторов является причиной шумовых флуктуаций и нестабильности характеристик. 3.4. Инженерные модели полевых транзисторов 3.4.1. Полевой транзистор с управляемым p- -переходом По правилам строгая эквивалентная схема канального транзистора предполагает использование модели с распределенными параметрами, так как области канала и затвора представляют собой распределенную RC-цепь. Однако расчеты, связанные с такой моделью, получаются неоправданно сложными, поэтому в инженерной практике используют эквивалентную схему с сосредоточенными параметрами (рис. 3.11). Схема дана без учета индуктивностей выводов полевого транзистора (ПТ), влияние которых проявляется в диапазоне частот свыше 300 мГц.

скачать реферат Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на полевых транзисторах

РАСЧЕТ КОРРЕКТИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ШИРОКОПОЛОСНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Цель работы – получение законченных аналитических выражений для расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов корректирующих цепей наиболее известных и эффективных схемных решений построения усилительных каскадов на полевых транзисторах (ПТ). Основные результаты работы – вывод и представление в удобном для проектирования виде расчетных соотношений для усилительных каскадов с простой индуктивной и истоковой коррекциями, с четырехполюсными диссипативными межкаскадными корректирующими цепями второго и четвертого порядков, для входной и выходной корректирующих цепей. Для усилительного каскада с межкаскадной корректирующей цепью четвертого порядка приведена методика расчета, позволяющая реализовать заданный наклон его амплитудно-частотной характеристики с заданной точностью. Для всех схемных решений построения усилительных каскадов на ПТ приведены примеры расчета. 1 ВВЕДЕНИЕ Расчет элементов высокочастотной коррекции является неотъемлемой частью процесса проектирования усилительных устройств.

Скетчбук. Гарри Поттер. Хогвартс.
Да начнется магия! Новые скетчбуки прямиком из величайшей вселенной Гарри Поттера! Откройте магический блокнот для рисования, и он станет
322 руб
Раздел: Блокноты художественные
Асборн - карточки. Тренируем зрение.
Набор карточек «Тренируем зрение» создан при поддержке ведущих офтальмологов специально для профилактики утомляемости глаз,
389 руб
Раздел: Прочие
Набор цветных карандашей "Color'peps", 48 штук , 48 цветов.
Карандаши цветные из американской липы, треугольные, ударопрочный грифель.В наборе 2 цвета металлик, 4 флюоресцентных, всего 48 цветов.
1006 руб
Раздел: Более 24 цветов
скачать реферат Радиолокационный приемник

При подаче на вход 1 (U) напряжения U реализуется операция возведения в квадрат. Умножитель компенсационного типа состоит из двух перемножителей прямого действия. Простейшим умножителем является избирательный усилитель с регулируемым коэффициентом усиления. Так же в состав умножителя компенсационного типа входит операционный усилитель (ОУ). Амплитудный линейный детектор (АД) выполняют на полупроводниковых диодах или транзисторах. Диодные полупроводниковые детекторы могут иметь как последовательные, так и параллельные схемы включения. Источником сигнала является колебательный контур Lк, Ск , индуктивно связанный с выходом резонансного усилительного каскада. К нему подключен детектор , образованный диодом Д и нагрузкой RC. Фильтр (Lф и его паразитная емкость Сф) - уменьшает высокочастотные пульсации выходного напряжения. Перед детектированием импульсы, принимаемые РЛ приемным устройством, согласно структурной схеме, проходят фильтровую обработку. Фо - представляет собой согласованный фильтр. Фильтр Фв - весовой сумматор на скользящем интервале. 8.Проектирование АПЧ. Для автоподстройки частоты гетеродина можно использовать частотный детектор приемника и управитель частоты (УЧАП), который должен работать при относительно медленном изменении частоты, вызванном нестабильностью передатчика и гетеродина приемника.

скачать реферат Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией

Вычертить: принципиальную электрическую схему оконечного мощного каскада связного передатчика с частотной модуляцией. Задание на проектирование №14. В данном техническом задании необходимо спроектировать устройство (оконечный каскад связного передатчика с частотной модуляцией), удовлетворяющее следующим требованиям: Диапазон рабочих частот F, МГц.42 - 48 Мощность передатчика Р1, Вт.6 Подавление внеполосных излучений, Дб.40 Девиация частоты, кГц.5 Относительная нестабильность частоты10-5 Питание от сети 220В 50Гц: Сопротивление фидера, Ом.75 2. Выбор, описание и обоснование структурной схемыСуществует несколько способов получения частотной (ЧМ) (фазовой (ФМ)) модуляции . Угловая модуляция может быть получена прямым способом, когда модулируется непосредственно частота автогенератора передатчика, или косвенным, когда в промежуточном каскаде передатчика производится фазовая модуляция. Структурные схемы передатчиков с этими способами модуляции приведены на рис. 2.1 и 2.2. Рис. 2.1 Структурная схема передатчика с прямой ЧМ. Рис. 2.2 Структурная схема передатчика с косвенной ЧМДругими словами, прямую частотную модуляцию осуществляют: в полупроводниковых генраторах путём изменения параметров колебатльного контура с помощью варикапов, варикондов, реактивного транзистора, нелинейной индуктивности, железоитериевого граната (на частотах от нескольких сот мегагерц до десятков гигагерц); в диодных генераторах (на тунельном диоде, ЛПД, диоде Ганна) путём изменения напряжения смещения на диоде; в транзисторных RC–генераторах путём изменения режима работы транзистора (тока коллектра, напряжения смещения на переходе эмиттер-база).

скачать реферат Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах

Таблицы получены с помощью методики проектирования согласующе- выравнивающих цепей транзисторных усилителей, предполагающей составление и решение систем компонентных уравнений , и методики синтеза прототипа передаточной характеристики, обеспечивающего максимальный коэффициент усиления каскада при заданной допустимой неравномерности АЧХ в заданной полосе частот . Для перехода от схемы на рис. 7.7 к схеме на рис. 7.6 следует воспользоваться формулами пересчета: - нормированные относительно . Табличные значения элементов равного: - коэффициент, значение которого приведено в таблицах. Пример 7.3. Рассчитать , межкаскадной КЦ (рис. 7.5), если в качестве = 3 нГн, = 1 ГГц), требуемый подъем АЧХ каскада на транзисторе = 260 МГц. Решение. Нормированные значения элементов = 0,56; /= 0,9 соответствует неравномерности АЧХ 1 дБ. По таблице 7.4 найдем, что для подъема АЧХ равного 3 дБ коэффициент = 0,05. Ближайшее табличное значение из таблицы имеем: = 4,817; = 0,224. Теперь по (7.11) и (7.10) получим: = 4,256; = 4,05. После денормирования элементов найдем: / = 30,3 пФ; = 12 нГн. 8. РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛей С ЧАСТОТНЫМ РАЗДЕЛЕНИЕМ КАНАЛОВ При разработке усилителей с рабочими частотами от нуля либо единиц герц до единиц гигагерц возникает проблема совмещения схемных решений построения низкочастотных и сверхвысокочастотных усилителей.

скачать реферат Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации усилителей мощности радиопередающих устройств

Радиопередатчики чаще всего классифицируют по пяти основным признакам : назначению, объекту использования, диапазону рабочих частот, мощности и виду излучения. В настоящем учебно-методическом пособии рассмотрены вопросы построения цепей формирования амплитудно-частотных характеристик, согласования и фильтрации транзисторных широкополосных и полосовых усилителей мощности радиопередающих устройств диапазона метровых и дециметровых волн. Предполагается, что требуемая выходная мощность радиопередатчика может быть получена от одного современного транзистора без использования устройств суммирования мощности нескольких активных элементов. Для широкополосных усилителей это десятки ватт, для полосовых – сотни ватт. 1.2. МОДЕЛИ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Используемые в настоящее время методы проектирования усилителей мощности радиопередающих устройств диапазона метровых и дециметровых волн основаны на применении однонаправленных моделей мощных биполярных и полевых транзисторов , принципиальные схемы которых приведены рис. 1.3 и 1.4. Рис. 1.3. Однонаправленная модель биполярного транзистора Значения элементов однонаправленной модели биполярного транзистора, представленной на рис. 1.3, могут быть рассчитаны по следующим формулам : ; ; ; , где , – индуктивности выводов базы и эмиттера; – сопротивление базы; – емкость коллекторного перехода; , – максимально допустимые постоянное напряжение коллектор-эмиттер и постоянный ток коллектора.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.