телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАРыбалка -5% Бытовая техника -5% Одежда и обувь -5%

все разделыраздел:Компьютеры, Программирование

Работа биполярных транзисторов в микрорежиме

найти похожие
найти еще

Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
255 руб
Раздел: Тарелки
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
183 руб
Раздел: 7 и более цветов
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
МГТУ имени Баумана Кафедра Микроэлектроники Пояснительная записка к курсовому проекту Тема: Работа биполярных транзисторов в микрорежиме. МОСКВА 2007 Оглавление 1. Введение 2. Эффекты низких эмиттерных напряжений 3. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры 4. Заключение 5. Литература 1. ВведениеНаиболее важное свойство транзистора – свойство усиливать электрические сигналы. У этого прибора, обычно имеющего три вывода выходное сопротивление отличается от входного. Усиление в теле полупроводника происходит за счет того, что сравнительно большой ток пропускается через область, весьма чувствительную к малым внешним токам или напряжениям. В биполярном транзисторе регулируемый ток поступает в эмитерную область, проходит сквозь чувствительную область базы и снимается с коллектора. Малые изменения тока базы или напряжения между базой и эмиттером могут вызывать большие изменения тока между эмиттером и коллектором. Существуют два типа биполярных транзисторов: p и p p. Буквы обозначают тип примеси в эмиттерной, базовой и коллекторной областях соответственно. В p – транзисторе неосновные для базы носители, электроны, должны диффундировать сквозь базовую область p-типа, проникая в коллекторную область -типа. Поведение транзистора приближенно описывается с помощью моделей. Построение моделей преследует следующие основные цели: объяснить поведение прибора и дать возможность это поведение предсказать; обеспечить проектирование приборов и схем с заранее известными рабочими характеристиками. Любая модель будет адекватно описывать поведение прибора в некотором диапазоне значений его параметров. 2. Эффекты низких эмиттерных напряжений У транзистора, работающего в активном режиме, измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе позволяет выявить некоторые интересные особенности. Физический механизм работы транзистора таков, что результаты этих измерений проще всего анализировать при логарифмическом масштабе по оси тока и линейном - по оси напряжения. Типовые результаты измерений для усилительного интегрального p -транзистора приведены на рис. 1. Отличное совпадение графиков токов Iс и Iв с прямыми линиями в средней части диапазона токов свидетельствует об их экспоненциальной зависимости от напряжения. При малых напряжениях на эмиттерном переходе наклон линейной зависимости lgIB от vbE уменьшается. Экспериментальные данные показывают, что при приближении vbE к нулю - базовый ток асимптотически стремится к кривой, описываемой следующим выражением: (1) В этом асимптотическом выражении значение параметра п обычно лежит в диапазоне от 1 до 2. Более того, значение параметра Iо превышает значение соответствующего множителя в экспоненциальном выражении, описывающем данную зависимость в средней части диапазона напряжений смещения эмиттерного перехода. Источник дополнительного тока эмиттерного перехода при малых напряжениях смещения - это рекомбинация в области объемного заряда эмиттерного перехода. Рис. 1. Типовые зависимости коллекторного и базового токов от напряжения база—эмиттер при смещениях, соответствующих прямому активному режиму.

Это вытеснение тока к периметру эмиттера увеличивается с ростом напряжения смещения и вызывает локальный перегрев структуры уже при таких токах, которые были бы вполне допустимы в случае равномерного распределения тока в ней. Эффекты высокого уровня инжекции, рассмотренные в начале данного раздела, тоже проявляются при меньших значениях тока, что объясняется неравномерным распределением плотности тока в активной области транзистора. Для снижения сопротивления базы в мощных транзисторах базовые и эмиттерные контакты делаются в виде больших совмещенных гребенчатых структур. График зависимости коллекторного тока от напряжения на эмиттерном переходе для транзистора, в котором сопротивление базы играет существенную роль, показан на рис. 6. Поскольку действие сопротивления базы проявляется как уменьшение напряжения смещения перехода, экспериментальные данные рис. 6 можно попробовать описать следующим выражением: (5) При таком подходе, как свидетельствует анализ эффекта вытеснения тока, сопротивление RB в (5) (оно называется распределенным сопротивлением базы) должно быть переменным. Результаты измерений величин Ic, Ib и vbE показывают, что для их соответствия уравнению (5) сопротивление RB должно уменьшаться с ростом тока (рис. 7). Начальный спад сопротивления базы, наблюдаемый на рис. 7, соответствует уменьшению длины цепи протекания тока между базовым электродом и активной областью транзистора при возрастании тока. Рис. 7. Сопротивление базы в транзисторе рис. 7.10. Значения RB получены с помощью подстановки экспериментальных данных в уравнение (5). Если бы при этом все определялось только распределенным сопротивлением базы, то после полного вытеснения тока к периметру эмиттерной области данная зависимость выходила бы на некоторое асимптотическое значение RB, причем все это сопротивление определялось бы пассивными областями базы. Однако в транзисторе начинают действовать и другие эффекты высокого уровня инжекции, которые могут вызвать дополнительное уменьшение RB. Воспользовавшись пространственно распределенной формой уравнения диода, описанные выше эффекты вытеснения тока можно проанализировать в точном виде. Однако это требует относительно громоздкого математического аппарата, что может замаскировать действие физических механизмов, определяющих этот эффект. Поэтому здесь будет выполнен приближенный анализ, в котором транзистор разбивается на отдельные секции. При этом считается, что каждая такая секция имеет такой же коэффициент усиления по току, что и исходный транзистор, и описывается моделью идеального транзистора, т. е. имеет пренебрежимо малое сопротивление базы. Каждая секция характеризуется своей пропорциональной частью полного тока насыщения (Is в уравнении (5)) и отделена от соседней секции сопротивлением, соответствующим части физического сопротивления вдоль ее базовой области. Увеличивая количество секций, на которое разбивается транзистор, можно повышать точность анализа и в конечном счете выйти на точное решение для распределенной модели. 4. ЗаключениеОчень большое значение (особенно для промышленного производства) имеет создание транзисторов с высоким усилением по току при малых напряжениях смещения, а, следовательно, с малыми токами рекомбинации в области объемного заряда.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Триггер на биполярных транзисторах Триггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в режиме глубокой отсечки, в то время как другой транзистор должен быть насыщен. Допустим, что в начальном состоянии транзистор Q1 заперт, а транзистор Q2 включен. Воспользуемся стандартными методами анализа: Этого обратного смещения достаточно, чтобы запереть Q1. Определим ток коллектора для другого транзистора, вычислив IRC2 и IR2: полагая, что V4=0.  Ток коллектора транзистора Q2 будет соответствовать разности: IC2 = IRC2 – IR2 = 5,35мА. При этом минимальный ток базы IВ2, необходимый для насыщения Q2, равен Ток базы можно найти как разность двух компонентов: приняв V5=0. Ток базы IВ2 транзистора Q2 равен: IB2 = IR1 – IR4 = 0,58 мА, и имеет значение, намного превышающее минимум, требуемый для насыщения.  Так как схема симметричная, и мы предполагали, что изначально транзистор Q1 включен, а транзистор Q2 выключен, анализ приведет к аналогичным результатам, если начальное состояние транзисторов будет противоположным.  Анализ на PSpice Чтобы выполнить анализ на PSpice, примем, что транзистор Q1 заперт, как мы делали в стандартном анализе

скачать реферат Билеты по Электронике и электротехнике за декабрь 2000 г

Билет № 21 1) Что собой представляют и чему равны линейные напряжения при соединении фаз звездой и треугольником? 2) Перечислите условия достижения максимального КПД трансформатора. 3) Что такое дифференциальный усилитель? 4) Дайте определение регистра. Билет № 22 1) Сформулируйте закон полного тока для магнитной цепи. 2) Дайте определение понятию коэффициента трансформации трансформатора. 3) Что такое «режим насыщения» в работе биполярного транзистора? 4) Дайте определение приведенной погрешности. Билет № 23 1) Объясните сущность метода контурных токов. 2) Дайте определение понятию внешней характеристики генератора постоянного тока независимого возбуждения. 3) Поясните понятие «затвор полевого транзистора». 4) Дайте определение понятия «прямое измерение». Билет № 24 1) Дайте определение магнитной цепи. Из чего она состоит? 2) Дайте определение понятию измерительного трансформатора. 3) Что такое «эмиттерный повторитель»? 4) Дайте определение понятия «отрицательная потенциальная логика». Билет № 25 1) Чему равна активная мощность трехфазной цепи? 2) Дайте определение понятию «опыт короткого замыкания трансформатора». 3) Дайте определение коэффициента усиления по току. 4) Дайте определение логического И-НЕ.

Комплект стендов. Меню, режим дня, информация, наши занятия.
Комплект стендов с пластиковыми кармашками для карточек формата А5. Изготовлены из качественного, плотного, картона - долговечного и
351 руб
Раздел: Демонстрационные рамки, планшеты, таблички
Качели детские подвесные (арт. КД 150 Д).
Качели подвесные очень удобны и просты в применении. Легкие дачные подвесные качели. Конструкция из пород дерева с низким содержанием
474 руб
Раздел: Качели
Асборн - карточки. Тренируем зрение.
Набор карточек «Тренируем зрение» создан при поддержке ведущих офтальмологов специально для профилактики утомляемости глаз,
389 руб
Раздел: Прочие
 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Амплитуда напряжения на базе равна 9,72 мВ, амплитуда напряжения на коллекторе составляет 1,807 В, коэффициент усиления по напряжению с базы на коллектор, таким образом, равен 186. Как показано на рис. 15.15, уровень постоянной составляющей выходного напряжения равен 6,756 В; входного составляет 0,893 В, эти значения соответствуют показанным в результатах анализа смещения. Рис. 15.15. Временные диаграммы для напряжений на базе и на коллекторе транзистора в схеме с ОЭ на биполярном транзисторе Изменение параметров транзистора Транзистор Q2N2222 использовался в предыдущих примерах как типичный элемент, применяемый в реальных схемах. Если вы работаете в лаборатории с транзистором, коэффициент усиления которого hFE значительно меньше, можно изменить схему, чтобы получить результаты, более соответствующие вашим ожиданиям. Продолжите работу с рисунком bjtcase, снова открыв проект в случае необходимости. Выберите Q2N2222, затем Edit, PSpice Model. Появится окно, показывающее «Bjtcase-OrCAD Model Editor — [Q2N2222]». Слева вы увидите идентифицированный транзистор, а справа — список различных параметров, используемых в модели транзистора

скачать реферат Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Параметр показывает абсолютное влияние изменения вых. тока ?Iк при изменении вых. напряжения при постоянном вх. токе. Другими словами, h22 – вых. проводимость тр-ра при постоянном входном токе. В большинстве случаев в расчетах применяется вых. сопротивление Rвых=1/h22. В схемах с ОЭ Rвых составляет единицы и десятки кОм. Для определения h22 вблизи точки О' изменяют Uкэ в обе стороны от точки покоя на величину ?Uкэ и определяют соответствующее изменение ?I''к при постоянном токе базы Iб=Iб0; тогда h22=?I''к/?Uкэ, 1/h22=?Uкэ/?I'к. Следует обратить внимание, что ?I'к и ?I''к в общем случае не равны между собой: ?I'к вызвано изменением ?Iб при постоянном Uкэ, а ?I''к вызвано изменением ?Uкэ при постоянном токе базы Iб.19. Работа биполярного транзистора на высоких частотах.Св-ва тр-ра на ВЧ удобно анализировать по схеме замещения. На работу бип. тр-ра вредное влияние оказывает емкостное R колл. перехода Cк. На НЧ емкостное R этого перехода 1/WCк велико. Велико и сопрот. rк, поэтому весь ток эквивалентного генер-ра Iэ=aIэ идет ч/з нагрузку, роль которой выполняет резистор RН.

 Задумывались ли Вы когда-нибудь над вопросом "Откуда берутся деньги?"

Но не те, что производятся коммерческими банками в результате банковской мультипликации. М2 и другие . Прим. economics) - все остальное, через банкротство граждан и организаций, сдуется запросто (включая депозиты граждан и остатки на расчетных счетах организаций) Так что доллары убиваются, но не сами деньги, а некие "обязательства" (расчетные счета и депозиты) и, так сказать, "ожидания" (акции и прочее). Но для обычного человека это как раз и выглядит как убийство самих денег. Перефраз отсюда . (!) Финансовые рынки также выполняют другую важнейшую задачу. Они работают "промокашкой", которая впитывает избыток денег заработанных в реальной экономике и производят обмен "настоящих денег" (которые обслуживают платежи в экономике) на "обещания" (потом заплатить побольше). И таким образом возвращают эти самые "настоящие деньги" в кругооборот экономики. Но естественно в долг. То есть временно. И, что особенно плохо, - со всевозрастающей скоростью. Для лучшего понимания процесса (радио)физику это можно представить как рекомбинацию носителей коллекторно-базового p-n перехода в биполярном транзисторе

скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов. Физические параметры: коэффициенты передачи токов эмиттера и базы; дифференциальные сопротивления, барьерная и диффузионная емкости эмиттерного и коллекторного переходов; объемные сопротивления областей транзистора. Модель Эберса- Молла. Малосигнальные эквивалентные схемы: Т-образная и П-образная эквивалентные схемы. Транзистор как линейный четырехполюсник, системы его дифференциальных параметров и соответствующие эквивалентные схемы. Связь h- параметров с физическими параметрами. Определение h-параметров по статистическим характеристикам. Частотные свойства биполярных транзисторов. Граничные частоты. Предельные частоты коэффициентов передачи по току и мощности. Методы улучшения частотных свойств. Дрейфовые транзисторы. Особенности устройства высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов. Ключевой режим работы биполярных транзисторов. Импульсные транзисторы. Предельно-допустимые эксплутационные параметры. Тепловые и электрические параметры. Механические и климатические воздействия. Влияние излучении на работу транзистора. Долговечность и экономичность.

скачать реферат Билеты по Электронике и электротехнике за декабрь 2000 г

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Билет № 22 1) Сформулируйте закон полного тока для магнитной цепи. 65) Дайте определение понятию коэффициента трансформации трансформатора. 66) Что такое «режим насыщения» в работе биполярного транзистора? 67) Дайте определение приведенной погрешности. Зав. кафедрой Экзаменационный билет по предмету ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Билет № 23 1) Объясните сущность метода контурных токов. 68) Дайте определение понятию внешней характеристики генератора постоянного тока независимого возбуждения. 69) Поясните понятие «затвор полевого транзистора». 70) Дайте определение понятия «прямое измерение». Зав. кафедрой Экзаменационный билет по предмету ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Билет № 24 1) Дайте определение магнитной цепи.

скачать реферат Логические элементы

Однако основной переход база – коллектор не опирается, ибо конструкция многоэмиттерного транзистора (и режим работы) такова, что ток в цепи база – коллектор может протекать тогда, когда оказываются запертыми все переходы база – эмиттер. Таким образом, только при одновременной подаче на оба входа напряжения логической 1 отпирается переход база – коллектор транзистора V 1, что в свою очередь приводит к отпиранию транзистора V 2 появлению на выходе напряжения логической 1 в полном соответствии с правилом действия логического элемента И.МОП – вариант схемы логического элемента И приведен на рис. 5, г. Здесь, как и в предыдущих схемах, вместо сопротивления нагрузки используется МОП – транзистор с отпирающим напряжением на затворе. Рис.5. Логический элемент И на биполярных транзисторах (а), диаграммы напряжений на его входах А, В я выходе Q (б); элемент И, выполненный на многоэмиттерном (б) и МОП-транзисторах (а) Логический элемент ИЛИ. Логическое утверждение «Если А или В истинно, тогда Q истинно» записывается так А В=Q, где знак « » есть символ, обозначающий операцию ИЛИ. Соответствующая этому определению Функциональная табл. 2. показывает, что выход получается при наличии любого входного сигнала.

скачать реферат Электроника

Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п > П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – типа. Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным. В п/п имеется 4 составляющие тока: i=(i )Д (ip)Д (i )Е (ip)E Д-диффузионный Е-дрейфовый Электрические переходы. Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны. Различают: p- , p-p , - , м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах) Электронно-дырочный p- переход. Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p- переходе Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости. р Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> > то p-область эмитерная, - область- база В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей. На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей. Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U.

Матрас в коляску "Lepre" Luna Lux.
Матрас в коляску Luna Lux - это матрас в коляску с использованием биококоса и натурального латекса. Благодаря кокосовому волокну и
851 руб
Раздел: Матрасы в коляску
Стол детский складной "Первоклашка. Осень".
Материал: металл, пластик. Размер столешницы: 600x450 мм. Высота стола: 580 мм. Возраст: от 3 до 7 лет.
820 руб
Раздел: Столики
Пеленки одноразовые детские "Солнце и Луна" (60x60 см, 20 штук).
Поверхность пеленок из мягкого нетканого материала приятна на ощупь, не раздражает нежную детскую кожу. Внутренний наполнитель — целлюлоза
390 руб
Раздел: Пелёнки
скачать реферат Видеоусилитель

Как следует из вышесказанного, в качестве схемы включения нашего активного прибора будем использовать схему с общим эмиттером. Активными основными приборами современных усилительных устройств являются биполярные и полевые транзисторы. В качестве активного прибора будем использовать биполярный транзистор.Расчет многокаскадного усилителя Как правило, усилительные устройства являются многокаскадными, так как с помощью одного каскада обычно не удается обеспечить необходимое усиление. Основное усиление по напряжению обеспечивается в каскадах предварительного усиления. Из них обычно выделяют входной каскад, схема которого зависит от требований по сопряжению с источником сигнала, допустимому дрейфу нуля и т.п. Спецификой выходного каскада является обеспечение заданной мощности или амплитуды выходного сигнала, ограничения по допустимому уровню искажений, работа на низкоомную нагрузку и т.д. Предоконечный каскад также может иметь специфические особенности, связанные с условием работы выходного каскада, например, с требованием обеспечить на его входе значительную мощность сигнала.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера (Курсовая работа) Выполнил: Гуревич Г.А. (4 курс заочной формы обучения) Проверил: Зайцев Г.О. (Москва, 2000) Введение 3 Двоичная система счисления и логика. 3 Схема действия компьютера. 4 Долговременная память. 4 Накопители на магнитных дисках и лентах. 4 CD и DVD-ROM. 5Полупроводниковые устройства. 6 Биполярные транзисторы. 8 Полевые транзисторы 10 Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах. 11Оперативная память. 12 Статическое ЗУ 14 Динамическое ОЗУ 15 Системная память: взгляд в будущее 16 Шесть технологий памяти будущего. Определения 18Центральный процессор. 20 Новые технологии. 21 Медные соединения 23 SiGe 24 Кремний на изоляторе (silico -o -i sula or, SOI) 24 Перовскиты 25Заключение 25 Список использованной литературы: 26Введение Сейчас, когда человечество входит в третье тысячелетие, для обитателей мегаполисов незаменимой вещью, фактически правой (или левой) рукой стал компьютер.

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Стабилитроны, вольтамперная характеристика, параметры, назначение. Варикапы, варакторы, параметрические диоды: назначение, основные параметры. Импульсные диоды: назначение, параметры. Диоды с барьером Шотки, параметры, сравнение с обычными диодами, применения. Туннельные диоды, особенности устройства, вольтамперная характеристика, параметры, применения. Диоды со структурой p-i- типа, принцип работы, параметры, применение. 4 Биполярные транзисторы Устройство и принцип действия транзистора, назначение и способы изготовления. Схемы включения: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Режимы работы: активный, отсечки, насыщения, инверсный. Работа транзистора в активном режиме. Потенциальная диаграмма. Инжекция неосновных носителей в эмиттерном переходе, движения носителей в базовой области, экстракция неосновных носителей в коллекторном переходе. Коэффициенты инжекции и передачи тока эмиттера. Связь между токами электродов. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора при различных включениях переходов. Статические характеристики биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (входные, выходные, прямой передачи, обратной связи).

скачать реферат Расчет радиопередатчика с ЧМ модуляцией

Также выходная цепь применяется для фильтрации выходного напряжения активного элемента от высших гармонических составляющих. Межкаскадные согласующие цепи применяются в многокаскадных радиопередатчиках для преобразования входного сопротивления АЭ последующего каскада в оптимальное сопротивление на выходных электродах АЭ предыдущего каскада.5. Связь с антенной В диапазоне коротких волн используется очень большое количество разнообразных антенн направленных и ненаправленных. Для обеспечения работы антенны в диапазоне частот необходимо использоваться антенно – согласующее устройство связь с которым осуществляется фидером. Фидер предназначен для передачи высокочастотной энергии от источника к нагрузке. Исходя из технического задания в качестве фидера может использоваться коаксиальный кабель с волновым сопротивлением 75 Ом, например РК-75.2. РАСЧЕТ КВАРЦЕВОГО АВТОГЕНЕРАТОРА 1. Схема автогенератора Схема автогенератора изображена на рисунке 4, рабочая частота автогенератора 3125 кГц. В качестве активного элемента в схеме автогенератора будет применен биполярный транзистор КТ 315Б, т.к. он обеспечивает требуемую выходную мощность и может работать на рассчитываемой частоте.

скачать реферат Усилитель мощности системы поиска нелинейностей

В результате выполненной курсовой работы получена схема электрическая принципиальная широкополосного усилителя мощности АМ, ЧМ сигналов. Найдена топология элементов и их номиналы Основными требованиями, предъявляемыми к ШУМ, являются: обеспечение заданной мощности излучения в широкой полосе частот; малый уровень нелинейных искажений; высокий коэффициент полезного действия; стабильность характеристик в диапазоне температур. В соответствии с указанными требованиями был разработан ШУМ на транзисторах КТ934В и КТ934Б, в котором использована схема выходного каскада со сложением напряжений , применена активная коллекторная термостабилизация, и четырехполюсные межкаскадные корректирующие цепи . Технические характеристики ШУМ: полоса рабочих частот (10-250) МГц; номинальный уровень выходной мощности 10 Вт; коэффициент усиления 15 дБ; сопротивление генератора и нагрузки 50 Ом; напряжение питания 18 В. Устройство, рассматриваемое в данной работе, может широко применяться на практике в различных системах поиска нелинейноатей. Список использованных источников 1Титов А.А. Григорьев Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на полевых транзисторах. – Томск, 2000. - 27 с. 2Титов А.А. Расчет диссипативной межкаскадной корректирующей цепи широкополосного усилителя мощности. //Радиотехника. 1989. № 2. 3Мамонкин И.Г. Усилительные устройства: Учебное пособие для вузов. – М.: Связь, 1977. 4 Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах – 2764.zip 5 Титов А.А., Ильюшенко В.Н., Авдоченко Б.И., Обихвостов В.Д. Широкополосный усилитель мощности для работы на несогласованную нагрузку. /Приборы и техника эксперимента. 1996. № 2. 6 Бабак Л.И. Анализ широкополосного усилителя по схеме со сложением напряжений. - Сб. статей. Наносекундные и субнаносекундные усилители. /Под ред. И.А. Суслова. - Томск: Изд-во Том. ун-та. 1976. 7 Зайцев А.А.,Миркин А.И., Мокряков В.В. Полупроводниковые приборы.

Стержень для шариковых ручек "QuinkFlow", синий, F.
Стержень для шариковых ручек "QuinkFlow". Цвет чернил: синий. Длина: 98 мм. Линия письма: F.
343 руб
Раздел: Стержни для ручек
Кроватка для кукол, деревянная.
Если ваша дочка мечтает собрать для любимой куколки целый мебельный гарнитур, то начинать необходимо с покупки именно этой реалистичной
365 руб
Раздел: Спальни, кроватки
Изограф, 0,4 мм.
Чертежный прибор для черчения и рисования на бумаге, ватмане и чертежной пленке. Изограф имеет резервуар для чернил, который легко
1273 руб
Раздел: Циркули, чертежные инструменты
скачать реферат передатчик расчет 50 - 80 Мгц

Министерство образования РФ Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого Кафедра “Радиосистем” Расчётная работа по учебной дисциплине «Формирование и генерирование сигналов» Преподаватель Голик Ф.В. « » 2002 г. Студент гр. 9011 Руппель Д.А. « » 2002 г. Новгород великий 2002 1. Цель работы Рассчитать электрические режимы оконечного и предоконечного каскадов передатчика на биполярных транзисторах. Спроектировать выходную колебательную систему (ВКС) оконечного каскада, нагруженную на согласованный с антенной фидер с характеристическим сопротивлением 50 Ом. Спроектировать цепь межкаскадной связи (выход предоконечного каскада - вход оконечного).2. Задание на расчетную работу1. Вариант 17 2. Мощность передатчика 40Вт 3. Диапазон частот 30-50МГц 4. Режим работы В3. Расчет оконечного каскада Для выбора варианта схемы оконечного каскада обратимся к заданию на расчетную работу. Диапазон частот с перекрытием менее 1.8, что позволяет использовать однотактную схему передатчика. Мощность в 40Вт можно обеспечить, использовав мощный транзистор, работающий на пределе используемых коллекторных напряжений и тока.

скачать реферат Теория электрических цепей

В качестве активных фильтров используются активные полосовые RC-фильтры на основе операционных усилителях с полиномиальной аппроксимацией частотной характеристики полиномами Чебышева. Развязывающие (усилительные) устройства представляют собой масштабирующие усилители на интегральных микросхемах. 2.РАСЧЕТ АВТОГЕНЕРАТОРА. 2.1 Рекомендации по расчету автогенератора. В качестве задающего генератора в работе используются схемы на биполярном транзисторе с пассивной RC-цепью обратной связи Рис.1. Автогенератор собран на составном транзисторе V 1-V 2 для увеличения входного сопротивления транзистора по цепи базы. При расчете RC-генератора необходимо руководствоваться следующими практическими соображениями. Сопротивление нагрузки выбирается так, чтобы выполнялось условие: Rк>R. Подобный выбор удобнее делать после расчета значений сопротивлений R. Емкости конденсаторов С цепи обратной связи обычно выбирают в пределах 100пФ?1мкФ, а величину емкости разделительного конденсатора Ср - из условия: Ср>>С. 2.2 Расчет автогенератора.

скачать реферат Блок усиления мощности нелинейного локатора

В данной работе этот коэффициент составляет 3дБ. Всего ёмкостей четыре, поэтому можно распределить на каждую из них по 0.75дБ. Найдём постоянную времени, соответствующую неравномерности 0.75дБ по формуле: , (3.7.2) где – допустимые искажения в разах. Величину разделительного конденсатора найдём по формуле: , (3.7.3) Тогда Величины блокировочных ёмкостей и дросселей найдем по формулам: (3.7.4) (3.7.5) (3.7.6) (3.7.7) (3.7.8) Тогда 4. Заключение Рассчитанный усилитель имеет следующие технические характеристики: 1. Рабочая полоса частот: 20-500 МГц 2. Линейные искажения в области нижних частот не более 1.5 дБ в области верхних частот не более 1.5 дБ 3. Коэффициент усиления 21дБ 4. Выходная мощность - 5 Вт 5. Питание однополярное, Eп=14.2 В 6. Диапазон рабочих температур: от 10 до 50 градусов Цельсия Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=50 Ом Усилитель имеет запас по усилению 6дБ, это нужно для того, чтобы в случае ухудшения, в силу каких либо причин, параметров отдельных элементов коэффициент передачи усилителя не опускался ниже заданного уровня, определённого техническим заданием. РТФ КП 468730.001.ПЗ Лит Масса Масштаб Изм Лист докум. Подп. Блок усиления мощности Выполнил Авраменко нелинейного локатора Проверил Титов Схема электрическая принципиальная Лист Листов ТУСУР РТФ Принципиальная Кафедра РЗИ схема Гр. 148-3 Литература 1. Красько А.С., Проектирование усилительных устройств, методические указания 2. Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах, Томск, ТУСУР, 1999.

скачать реферат Видеоусилитель

При оптимальном выборе параметров фильтра, скола вершины уменьшается в раз. Выбор и стабилизация режимов работы усилительных каскадов на транзисторах Режим работы усилительного каскада по постоянному току определяется исходным положение рабочей точки (РТ) активного элемента. Это положение задается в биполярном транзисторе (БТ) током коллектора и напряжением коллектор-эмиттер . Выбор РТ активного прибора в усилителях больших сигналов (когда и ) производят по статистическим вольтамперным характеристикам (ВАХ) прибора, ориентируясь на получение необходимого усиления и допустимых нелинейных искажений усилительного сигнала. При выборе РТ активного прибора в усилителях малых сигналов ( и ) можно ориентироваться на следующие рекомендации . Значения тока и напряжения выбирают, главным образом для получения определенных усилительных параметров, обеспечения экономичного потребления энергии источника питания и стабильности режима работы. Увеличение улучшает усилительные свойства транзистора, но при этом растут входная и проходная проводимость усилительного прибора, а также энергопотребление каскада.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.