телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАКанцтовары -30% Все для ремонта, строительства. Инструменты -30% Товары для животных -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютерные сети

Силові IGBT і MOSFET транзистори

найти похожие
найти еще

Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
44 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков
Забавная пачка "5000 дублей".
Юмор – настоящее богатство! Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь
60 руб
Раздел: Прочее
Коврик для запекания, силиконовый "Пекарь".
Коврик "Пекарь", сделанный из силикона, поможет Вам готовить вкусную и красивую выпечку. Благодаря материалу коврика, выпечка не
202 руб
Раздел: Коврики силиконовые для выпечки
В цьому випадку необхідне використовування буферних підсилювачів. Перевагою мікросхем виробництва I er a io al Rec ifier є те, що ці пристрої здатні витримувати високі перепади напруги між вхідною і вихідною частиною. Для драйверів серії IR21 ця напруга складає 500–600 В, що дозволяє управляти транзисторами в напівмостових і мостових схемах при живленні від випрямленої промислової напруги 220 В без гальванічної розв'язки. Для управління транзисторами в схемах, розрахованих на живлення від випрямленої напруги 380 В, I er a io al Rec ifier випускає драйвери серії IR22 . Ці мікросхеми працюють при напрузі вихідної частини до 1200 В. Все драйвери I er a io al Rec ifier витримують фронти наведеної напруги до 50 В/нс. Цей параметр називається dv/d immu e. Він свідчить про високу стійкість до режиму защипування, який представляє виняткову небезпеку для імпульсних високовольтних схем. 4. Драйвер нижнього плеча Для управління транзисторами нижнього плеча хорошу альтернативу представляють мікросхеми, що випускаються фірмою Mo orola. Структурна схема однієї з них — МС33153 приведена на рисунку 8. Рисунок 8. – Структурна схема MC33153 Особливістю даного драйвера є Спроможність використовування двох способів захисту (по струму і напрузі насичення) і розділення режиму перевантаження і режиму короткого замикання. Передбачена також Спроможність подачі негативної напруги управління, що може бути дуже корисне для управління могутніми модулями з великими значеннями заряду затвора. Відключення при падінні напруги управління — UVLO здійснюється на рівні 11 В. Вивід 1 (Curre Se se I pu ) призначений для підключення струмкового вимірювального резистора. У мікросхемі цей висновок є входом двох компараторів — з напругою спрацьовування 65 і 130 мВ. Таким чином, в драйвері аналізується стан перевантаження і короткого замикання. При перевантаженні спрацьовує перший компаратор (Overcurre Compara or) і відключає сигнал управління затвором. Скидання захисту проводиться при подачі замикаючого сигналу (високого рівня, оскільки вхід I pu — інвертовано). При цьому сигнал несправності на вихід (Faul Ou pu ) не подається. Якщо струм перевищує заданий в два рази, це розцінюється як КЗ. При цьому перекидається другий компаратор (Shor Circui Compara or), і на контрольному виході з'являється сигнал високого рівня. По цьому сигналу контролер, що управляє роботою схеми, повинен проведе відключення всієї схеми. Час повторного включення повинен визначатися, як було сказано вище, теплової постійної часу силових транзисторів. Вивід 8 (Desa ura io I pu ) призначений для реалізації захисту по напрузі насичення. Напруга спрацьовування по цьому входу — 6,5 В. Етот же вхід призначено для підключення конденсатора Cbla k, що формує час затримки спрацьовування захисту. Така затримка необхідна, оскільки після подачі напруги, яка відмикає затвор на транзисторі на якийсь час, поки йде відновлення протилежного діода, підтримується висока напруга. Рисунок 9. – Захист по напрузі насиченняНа рисунках 10 і 11 показані схеми підключення МС33153 з використанням захисту по напрузі насичення і струму колектора.

Це необхідно для виключення помилкових спрацьовувань. Дана функція реалізована в мікросхемі IR2125. Конденсатор С1, підключений до висновку ERR, визначає час аналізу стану перевантаження. При С1 = 300 пФ час аналізу складає близько 10 мкс (це час заряду конденсатора до напруги 1,8 В - порогової напруги компаратора схеми ERROR IMI G драйвера). На цей час включається схема стабілізації струму колектора, і напруга на затворі знижується. Якщо стан перевантаження не припиняється, то через 10 мкс транзистор відключається повністю. Відключення захисту відбувається при знятті вхідного сигналу, що дозволяє користувачу організувати схему тригера захисту. При її використовуванні особлива увага слідує приділити вибору часу повторного включення, яке повинне бути більше теплової постійної часу кристала силового транзистора. Теплова постійна часу може бути визначена по графіку теплового імпедансу Z hjc для одиночних імпульсів. Описаний спосіб включення транзистора має свої недоліки. Резистор RSE SE повинен бути достатньо могутнім і мати над малу індуктивність. Виті могутні резистори, що серійно випускаються, звичайно мають неприпустимо високу паразитну індуктивність. Спеціально для прецизійного вимірювання імпульсних струмів фірма CADDOCK випускає резистори в корпусах ТЕ-220 і ТЕ-247. Крім того, вимірювальний резистор створює додаткові втрати потужності, що знижує ефективність схеми. На рисунку 6 приведена схема, вільна від вказаних недоліків. У ній для аналізу ситуації перевантаження використовується залежність напруги насичення від струму колектора. Для MOSFE транзисторів ця залежність практично лінійна, оскільки опір відкритого каналу мало залежить від струму стоку. У IGB графік Vo = f(Ic) нелінійний, проте точність його цілком достатня для вибору напруги, відповідної струму вимагається захисту. Рисунок 6 – До аналізу перевантаження Для аналізу стану перевантаження по напрузі насичення вимірювальний резистор не потрібний. При подачі позитивного управляючого сигналу на затвор на вході захисту драйвера SC з'являється напруга, визначувана сумою падіння напруги на відкритому діоді VD2 і на відкритому силовому транзисторі Q1 і дільником R1, R4, який задає струм спрацьовування. Падіння напруги на діоді практично незмінне і складає близько 0,5 В. Напруга відкритих транзисторів при вибраному струмі короткого замикання визначається з графіка Vo = f(Ic). Діод VD4, як і VD1, повинен бути швидкодійним і високовольтним. Окрім захисту від перевантаження по струму драйвер аналізує напругу живлення вхідної частини VСС і вихідного каскаду VB, відключаючи транзистор при падінні VB нижче 9 В, що необхідне для запобігання лінійному режиму роботи транзистора. Така ситуація може виникнути як при пошкодженні низьковольтного джерела живлення, так і при неправильному виборі ємністі С2. Величина останньої повинна обчислюватися виходячи із значень заряду затвора, струму затвора і частоти проходження імпульсів. Для розрахунку значення бутстрепної ємності Cb в документації фірми I er a io al Rec ifier рекомендуються наступні формули:Cb = 15 2 (2 Qg Igbs/f I )/(Vcc – Vf – Vls), I = (Io Ioff) w.де Io і Ioff — струми включення і виключення затвора, w = Qg/Io — час комутації, Qg — заряд затвора, f — частота проходження імпульсів, Vcc — напруга живлення, Vf — пряме падіння напруги на діоді зарядного насоса (VD1 на рисунку 10.6), Vls — пряме падіння напруги на іншому діоді (VD3 на рисунку 10.6), Igbs — струм затвора в статичному режимі.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Социальная философия

Важнейшим свойством компьютеров явиляется работа с информацией. Привлекательна скорость обработки информации. Буквально ошеломила скорость уже первых машин - 5 тыс. операций в секунду. Специалисты отмечают, что компьютеры первого поколения были способны обеспечить решение крайне трудоемких вычислительных задач, которые могли оказаться не по силам человеку или потребовали бы для своего выполнения продолжительной работы целой армии вычислителей. Улучшение конструкции машины (особенно замена 18 тыс. электронных ламп полупроводниковыми транзисторами) позволило не только сократить их размеры и вес, но главное - значительно увеличить быстроту операций. Серийное производство компьютеров второго поколения началось в США с 1960 года. За этим последовало создание (в 1963-1980 годах) машин третьего и четвертого поколений; основу их конструкций составляли так называемые большие и сверхбольшие интегральные схемы на полупроводниковых пластинах миниатюрных размеров; скорость вычислений была доведена до нескольких сот миллионов операций в секунду

скачать реферат Экология Уссурийска

Вторая с том, что вовсе не противоборство, а взаимопомощь – основа всего сущего на Земле. Мы создавали себе богов и идолов, уходили от языческого понимания сил Земли. Миллионы транзисторов не заменят куска хлеба голодному, миллиарды телевизоров не спасёт от жажды, триллион автомобилей не дадут глотка воздуха задыхающемуся. Умереть под горой технических побрякушек – удел лишь жадных глупцов. Если химия может всё, то прежде всего – убивать. Это угроза всему живому на Земле и прежде всего – Человеку. Все химические загрязнения окружающей среды ведут ко многим болезням человечества и разрушению природы. Биосфера серьёзно больна. Её поразило вмешательство человека. Безумная техника сминает природу, кромсает биосферу, давит человечество, травит Землю. Смог, удушающий людей, озоновые дыры над полюсами и чума ХХ века – СПИД – достаточное тому доказательство. Физика Земли должна быть неизменна. Атом войны – это вечная зима смерти, испепеляющий планету ураган. Мирный атом пусть останется в стенах ядерных реакторов. Миру нужна тишина. Шум – это физический наркотик, калечащий тело и душу.

Набор мисок Mayer & Boch "Фиалки".
Набор эмалированных мисок из 10 предметов: миска (5 штук) + крышка (5 штук). Материал: углеродистая сталь. Эмалированное покрытие. Крышка:
487 руб
Раздел: Наборы
Накладка на унитаз "Бегемотик", белая.
Накладка на унитаз подходит ко всем стандартным туалетам. Кроме того, благодаря краям предотвращающим скольжение легко и твердо
302 руб
Раздел: Сиденья
Фоторамка-коллаж для 12 фото, 58x45x2 см, арт. 238642.
Фоторамка украсит интерьер помещения оригинальным образом и позволит сохранить на память изображения дорогих вам людей и интересных
1460 руб
Раздел: Мультирамки
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

В основе романтических романов и повестей ("Живописец", "Блаженство безумия"; обе - 1833) - конфликт "мечты" и "существенности". Исторический роман "Клятва при гробе Господнем" (1832). "История русского народа" (т. 1-6, 1829-33) полемически направлена против Н. М. Карамзина. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор) - транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению. ПОЛЕВОЙ УСТАВ - официальный документ, определявший в Вооруженных Силах СССР основные положения по подготовке и ведению соединениями и частями общевойскового боя, управлению войсками, их передвижению и др. ПОЛЕВОЙ ШТАБ РВСР (Реввоенсовета Республики) - высший оперативный орган Главного командования Красной Армии в годы Гражданской войны. Образован в сентябре 1918 на базе штаба Высшего военного совета

скачать реферат Экология и здоровье детей г. Уссурийска

В нашем городе для очистки питьевой воды применяют хлорирование. Если в воде отсутствует хлор, то вода не пригодна к употреблению. Из всего вышесказанного следует, что человек должен сам позаботиться об окружающей его среде, и тогда его усилия возвратятся к нему чистым воздухом, водой, почвой – в общем всем самым необходимым в нашей жизни. П рирода Земли. Тысячелетиями мы боролись с нею, покоряли её, преобразовывали, нещадно уничтожали её. В порыве борьбы с природой и инакомыслящими мы проглядели две великие истины. Первая та, что человечество существует и развивается за счёт природы. Вторая с том, что вовсе не противоборство, а взаимопомощь – основа всего сущего на Земле. Мы создавали себе богов и идолов, уходили от языческого понимания сил Земли. Миллионы транзисторов не заменят куска хлеба голодному, миллиарды телевизоров не спасёт от жажды, триллион автомобилей не дадут глотка воздуха задыхающемуся. Умереть под горой технических побрякушек – удел лишь жадных глупцов. Если химия может всё, то прежде всего – убивать. Это угроза всему живому на Земле и прежде всего – Человеку.

 Новые компоненты мира

В конечном счете наука - наиболее эффективный способ добычи новой информации. Поэтому она и стала самостоятельной производительной силой. Тем более, что время, за которое чистая, так сказать, информация воплощается в конкретные формы, неуклонно сокращается. Телефон прошел путь от идеи до первого опытного образца за 56 лет. Радио - за 35 лет. Радару понадобилось,всего 15, телевизору - 14, квантовым генераторам - 9, транзисторам только 5 лет. И это прекрасно, когда абсолютно новые, принципиально почти непредсказуемые творения науки все быстрее и быстрее приходят в наш мир! Это лишнее доказательство того, что наука способна преобразить его. Теперь о негативных последствиях и - от этого никуда не уйдешь - о бомбе, которая, кстати, прошла эту дистанцию за 6 лет, - значит, для большинства людей грибовидное облако поднялось внезапно. Зловещий отсвет того взрыва лег сначала на физиков, потом на ученых вообще. Событие это позволило английскому писателю Чарльзу Сноу сказать: "Весь остальной мир напуган как их достижениями - научными открытиями и изобретениями, так и возможными последствиями этих открытий

скачать реферат Микропроцессоры

Время жизни процессоров «по диэлектрику» определяют при помощи трех параметров экстраполяции — делаются стресс-тесты при повышенном напряжении (2,0–2,9 В), при повышенной температуре и на транзисторах большей площади. Полученные результаты экстраполируются на реальные размеры и условия работы транзисторов (например, температуру 90 градусов и напряжение 1,4 В) и по спецификациям допустимого тока утечки вычисляется среднее время жизни. По словам одного из сотрудников лаборатории AMD, для процессоров Op ero последнего поколения (90 нм) среднее время жизни оценивается (по этой характеристике) примерно в три года, но такое, казалось бы, малое время оправдывается требованиями нынешних пользователей — им, дескать, уже не нужны процессоры, живущие десять лет, поскольку апгрейд, как правило, требует их замены чаще. Бесконтактная диагностика микросхем Идеальным тестовым прибором для проверки кристаллов является тот, который бы мог измерять каждое напряжение, ток и температуру при определенных условиях. Методы контактных микрозондов здесь непригодны в силу очень многих причин (В первую очередь хотя бы потому, что такой зонд не сможет «приконтачиться» непосредственно к транзисторам на пластине — ведь они находятся под несколькими слоями металлизации и толстым слоем пассивирующего диэлектрика).

скачать реферат Педагогика - вопросы и ответы (история, цели, образование...)

Например: если для изучения телеграфа в школе потребовалось 60 лет после изобретения Морзе, изучение Дарвина – 56 лет, то с транзистором школьники познакомились уже через 10 лет после его изобретения; синтезом инсулина, исследованиями космоса с помощью искусственных спутников, космической биологией – через 4 – 5 лет. Система возможностей – учет возрастных возможностей обучения, с которыми необходимо считаться. Например: в 70-е годы совершенствование содержания решали путем введения в школьные программы сложных разделов, изучавшиеся ранее в старших классах, вузах не увенчалось успехом. Доказано: запомнить ребенок может все, и чем он моложе, тем больше и быстрее, другое дело осмыслить, понять, усвоить, ибо для этого необходим определенный уровень развития. Общие принципы формирования содержания. 1. Гуманистичность 2. Научность. 3. Последовательность планирование содержания по линии, где новое знание опирается на предшествующее. 4. Историзма – содержание в развитии во времени, в пространстве. 5. Систематичность – изучение содержания в системе (МПС, ВКС, МКС). 6. Связи с жизнью – действенность, изучаемых знаний, умений. 7. Соответствие возрастным особенностям (если материал слишком легок, то и знание и познание силы растут медленно). 8. Доступность. Структура изложения содержания.

скачать реферат Полупроводниковые приборы

В силу того, что статические характеристики транзистора в схемах ОЭ или ОК примерно одинаковы, рассматриваются характеристики только для двух способов включения : ОБ или ОЭ. Представление транзистора схемой замещения (эквивалентной схемой) необходимо для проведения расчетов цепей с транзисторами. Особый интерес представляет схема замещения в физических параметрах, в которых все ее элементы связаны с внутренними (физическими) параметрами транзистора. Использование такой схемы замещения создает удобство и наглядность при анализе влияния параметров прибора на показатели схем с транзисторами. Ниже рассматриваются схемы замещения транзисторов ОБ и ОЭ для переменных составляющих токов и напряжений применительно к расчету схем с транзисторами, работающими в усилительном режиме, в частности усилительных каскадов. Такие схемы замещения справедливы для линейных участков входных и выходных характеристик транзистора, при которых параметры транзистора можно считать неизменными. В этом случае используют так называемые дифференциальные параметры транзистора, относящиеся к небольшим приращениям напряжения и тока. Наиболее точно структуру транзистора при этом отображает Т-образная схема замещения.

скачать реферат Ремонт и регулировка мониторов для компьютеров

У такий набір входять різні викрутки, гайкові ключі, бокорезы, плоскогубцы, приналежності для пайки. Сучасні ВМ мають конструкцію, що містить мінімальна кількість кріпильних деталей. Як правило, для розбирання і зборки ВМ досить однієї викрутки з хрестовим наконечником, але для операцій, настроювання, заміни транзисторів і т.д. можуть знадобитися й інші інструменти. У набір викруток, що рекомендується, повинні входити дві (хрестова і прямі) довжиною 350 — 400 мм і діаметром 5 мм, дві — довжини 150 мм і діаметром 3 мм, а також маленькі (діаметром 2 — 2.5 мм) для настроювання мініатюрних под-строечных резисторів. Для виключення випадкових замикань на платі викрутки для настроювання бажано ізолювати трубкою, залишивши незакритим тільки самий кінець. Усі викрутки, особливо силові, повинні мати гарне заточення, щоб не псувати шліци на гвинтах. Корисно мати набір торцевых ключів з подовжувачами, це може особливо допомогти при ремонті ВМ старих чи конструкцій вітчизняних. Для обрізки і формування висновків деталей необхідно використовувати бокорезы і малі плоскогубцы (длинногубцы) із прямими і вигнутими кінцями.

Набор для специй "Садовая ягода", 2 предмета+салфетница, 23x6,5x9 см.
Набор для специй из 2 предметов и салфетницы на деревянной подставке. Размер: 23x6,5x9 см. Материал: керамика.
318 руб
Раздел: Прочее
Настольная игра "Свинтус".
Свинтус веселая и быстрая игра, в которую могут играть как двое, так и несколько человек. Итак, сражение за звание лучшего работника можно
390 руб
Раздел: Игры в дорогу
Подставка для украшений Jardin D'Ete "Сиреневые сны".
Подставка для ювелирных изделий не оставит равнодушной ни одну любительницу изысканных вещей. Сочетание оригинального дизайна и
940 руб
Раздел: Подставки для украшений
скачать реферат Программа вступительных экзаменов по физике в 2004г. (МГУ)

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. p- -переход и его свойства. Полупроводниковый диод. Транзистор. Термистор и фоторезистор. Электрический ток в газах. Самостоятельный и несамостоятельный разряды. Понятие о плазме. III.3. Магнетизм Магнитное поле. Действие магнитного поля на рамку с током. Индукция магнитного поля (магнитная индукция). Линии магнитной индукции. Картины линий индукции магнитного поля прямого тока и соленоида. Понятие о магнитном поле Земли. Сила, действующая на проводник с током в магнитном поле. Закон Ампера. Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Магнитные свойства вещества. Гипотеза Ампера. Ферромагнетики. III.4. Электромагнитная индукция Магнитный поток. Опыты Фарадея. Явление электромагнитной индукции. Вихревое электрическое поле. Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца. Самоиндукция. Индуктивность. ЭДС самоиндукции. Энергия магнитного поля. III.5. Электромагнитные колебания и волны Переменный электрический ток. Амплитудное и действующее (эффективное) значение периодически изменяющегося напряжения и тока. Получение переменного тока с помощью индукционных генераторов. Трансформатор. Передача электрической энергии. Колебательный контур.

скачать реферат Розробка управляючого і операційног вузлів ЕОМ

Перші спроби випускати серії простих польових елементів, подібний по схемі з РТЛ, до успіху не привели. Логічні елементи виходили малошвидкодіючі, оскільки внутрішній опір канала у польового транзистора на порядок більше,чим опір між колектором і емітером насиченого біполярного транзистора. Однополярні мікросхеми МОП не відрізнялись успіхом ні перешкодостійкістю,ні малою потребуючою силою. Добрі результати дало використання двополярного інвертора, який побудований на комплементарній польовій парі. Тепер можна конкретно вибрати необхідні елементи КМОН для реалізації даної схеми, хоча при проектуванні постійно перевірялася можливість втілення схем за допомогою стандартних мікросхем серій КМОН. 2.10 МікросхемиОтже: - як D-тригери беремо мікросхему К176ТМ2Ця мікросхема містить два D-тригера і є корисна тим, що має інверсні виходи, а також має входи скидання (Rese ). Довжина тактового імпульсу не повинна бути меншою 100 нс. Час встановлення виходів – не менше 25 нс.Логічні мікросхеми також легко підібрати. К561ЛА7 К561ЛА8 К561ЛА9 К561ЛИ2Хоча мікросхеми серії К561 і підтримують напругу живлення до 15 Вольт (чим більша напруга, тим більша швидкодія) але ми змушені використовувати мікросхеми старішої серії К176, максимальна напруга живлення яких – 9 Вольт.

скачать реферат Блок усиления мощности нелинейного локатора

В данной работе этот коэффициент составляет 3дБ. Всего ёмкостей четыре, поэтому можно распределить на каждую из них по 0.75дБ. Найдём постоянную времени, соответствующую неравномерности 0.75дБ по формуле: , (3.7.2) где – допустимые искажения в разах. Величину разделительного конденсатора найдём по формуле: , (3.7.3) Тогда Величины блокировочных ёмкостей и дросселей найдем по формулам: (3.7.4) (3.7.5) (3.7.6) (3.7.7) (3.7.8) Тогда 4. Заключение Рассчитанный усилитель имеет следующие технические характеристики: 1. Рабочая полоса частот: 20-500 МГц 2. Линейные искажения в области нижних частот не более 1.5 дБ в области верхних частот не более 1.5 дБ 3. Коэффициент усиления 21дБ 4. Выходная мощность - 5 Вт 5. Питание однополярное, Eп=14.2 В 6. Диапазон рабочих температур: от 10 до 50 градусов Цельсия Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=50 Ом Усилитель имеет запас по усилению 6дБ, это нужно для того, чтобы в случае ухудшения, в силу каких либо причин, параметров отдельных элементов коэффициент передачи усилителя не опускался ниже заданного уровня, определённого техническим заданием. РТФ КП 468730.001.ПЗ Лит Масса Масштаб Изм Лист докум. Подп. Блок усиления мощности Выполнил Авраменко нелинейного локатора Проверил Титов Схема электрическая принципиальная Лист Листов ТУСУР РТФ Принципиальная Кафедра РЗИ схема Гр. 148-3 Литература 1. Красько А.С., Проектирование усилительных устройств, методические указания 2. Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах, Томск, ТУСУР, 1999.

скачать реферат Курс физики

Пользоваться психрометром, определять экспериментально модуль упругости материала. Переводить температуру из шкалы Цельсия в шкалу Кельвина и обратно. Приводить примеры, подтверждающие основные положения МКТ в быту, технике, природе. Объяснять явления диффузии, броуновского движения, давления газа, испарения и конденсации, кипения. Электродинамика Учащимся необходимо знать: Физические понятия: электрическое и магнитное поля; сторонние силы; электрический ток в растворах, полупроводниках, нагревание проводника, термоэлектронная эмиссия, собственная и примесная проводимость полупроводников p- переход в полупроводниках. Физические величины: электрический заряд; напряженность, разность потенциалов, напряжение, электроемкость, диэлектрическая проницаемость; ЭДС; магнитная индукция, магнитный поток, магнитная проницаемость. Законы: Кулона, сохранения заряда, Ома для полной цепи, электролиза. Практическое применение: электроизмерительные приборы магнитоэлектри-ческой системы (магнитная запись звука, электролиз в металлургии и гальвано-технике, электронно-лучевая трубка); полупроводниковый диод, терморезистор, (транзистор).

скачать реферат Экономический рост

На первый взгляд ход технического прогресса исторически характеризуется глубиной и стремительностью. Газовые и дизельные двигатели, конвейеры и сборочные линии приходят на ум как наиболее существенное достижение прошлого. совсем недавно «волшебная лампа технологии» выпустила «джинна автоматизации» и вместе с тем все возможные чудеса фабрики, приводимой в движение одним нажатием кнопки. Сверхзвуковые самолеты, транзисторы и интегральные схемы, компьютеры, ксероксы, контейнерные перевозки и ядерная энергия, не говоря уже о космических полетах, - это те технологические достижения, которые относились к области фантастики в недалеком прошлом. Подобные нововведения благоприятно влияют на экономический рост. 3. Типы экономического роста 3.1 Экстенсивный тип Экстенсивный тип экономического роста – это исторически первоначальный путь расширенного воспроизводства (экстенсивный – от латинского слова ex e sivus – расширяющийся). В этом случае расширение объемов производства происходит за счет трех факторов: (а) основного капитала (фондов), (б) рабочей силы, (в) материальных затрат (природного сырья, материалов, энергоносителей).

Дорожный горшок Potette Plus, сине-зеленый.
Уникальный дорожный горшок для детей от 15 месяцев, который может стать незаменимым помощником для родителей в дороге. Детский дорожный
1392 руб
Раздел: Прочие
Комплект детского постельного белья "Неон" (цвет: синий).
Постельное белье из бязи выполнено из высококачественного хлопка, что гарантирует крепкий и здоровый сон. Комплект не требует особого
1498 руб
Раздел: Детское, подростковое
Игрушечная коляска-люлька.
Кукольная коляска-люлька фирмы "Melogo Toys", выполненная по типу и подобию настоящих колясок – мечта каждой девочки. Поддон
1499 руб
Раздел: Коляски-люльки
скачать реферат Блок питания для компьютера, мощностью 350Вт, форм-фактор АТХ

Параллельно конденсаторам С5, С6 включены высокоомные сопротивления R2, R3 номиналом 200 кОм, через которые С5, С6 разряжаются при выключении ИБП. Кроме этого эти сопротивления выравнивают напряжение на С5, С6 (для симметрии работы схемы). 3.2 Силовой каскад. Силовой каскад построен по двухтактной полумостовой схеме. Транзисторы V 1, V 2 – ключевые силовые транзисторы, которые при работе БП отпираются по очереди. Управляющее напряжение, которое подается на базы этих транзисторов построено таким образом, чтобы всегда была “мертвая зона”, когда оба транзисторов закрыты. Этим предупреждаются сквозные токи через транзисторы V 1, V 2. Электродвижущая сила (ЕДС) на вторичных обмотках управляющего трансформатора в первый момент после включения еще отсутствует. Поэтому, чтобы низкоомное сопротивление обмоток не шунтировало управляющие переходы база-эмиттер силовых ключей, приходится применять в схеме развязывающие диоды VD5, VD6. Диоды VD7, VD8 предназначены для создания пути протекания тока рекуперации (частичное возвращение энергии, которая была накоплена в индуктивности рассеивания трансформатора источника питания), который протекает по цепи: 1-C7-C6-VD8- 1 для диода VD8 и 1-C7-C5-VD7- 1 для диода VD7.

скачать реферат Проектирование аналоговых устройств

Если результирующее установление фронта импульса для ИУ напрямую не задано, то оно может быть определено из следующего соотношения: , где - заданные искажения фронта входного сигнала; - заданные искажения фронта выходного сигнала. Результирующая неравномерность вершины прямоугольного импульса равна сумме неравномерностей, образующихся за счет разделительных и блокировочных цепей: , где - неравномерность вершины за счет i-й цепи; - число цепей. Искажения фронта импульса связаны с частотными искажениями в области ВЧ, а искажения вершины импульса - с частотными искажениями в области НЧ . Поэтому все указанные выше рекомендации по распределению частотных искажений для ШУ остаются в силе и для ИУ. В связи с возможным разбросом номиналов элементов и параметров транзисторов необходимо обеспечить запас по основным характеристикам УУ в 1,2-1,5 раза.4  РАСЧЕТ ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА4.1  Выбор транзистораВыбор транзистора для оконечного каскада осуществляется с учетом следующих предельных параметров: Ё граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ для ШУ, для ИУ; Ё предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер для ШУ, для ИУ; Ё предельно допустимого тока коллектора (при согласованном выходе) для ШУ, для ИУ.

скачать реферат Основные показатели работы усилителей

Реже используются схемы включения с общим коллектором и общим стоком. Схемы включения с общей базой или общим затвором находят применение только в узком классе устройств, например во входных цепях радиоприемных устройств, работающих в диапазоне УКВ. Рассмотрение таких каскадов, в силу специфики построения, связанной с сильным влиянием на их свойства паразитных параметров реальной конструкции каскада, требует самостоятельного рассмотрения и выходит за рамки настоящего курса. Поэтому в дальнейшем будем рассматривать только специфику построения и основные параметры каскадов, использующих соответственно схемы включения с общим эмиттером и общим коллектором для биполярных и с общим истоком и общим стоком для полевых транзисторов. Наименование (обозначение) усилителя производится в соответствии со схемой включения транзистора: усилитель ОЭ, ОК, ОБ, ОИ и ОЗ. К числу таких типичных усилительных схем следует отнести каскады усилителей низкой частоты. Поэтому изучение усилительных устройств целесообразно начать именно с рассмотрения схем УНЧ, выяснения принципов их построения, назначения отдельных элементов и порядка их расчета. 1Усилительный каскад – часть усилителя, образующая одну ступень усиления.

скачать реферат Защита салона автомобиля от съема информации

В качестве возможных решений можно предложить следующие приборы: 1. Генератор акустического шума W G-023. Предназначен для защиты переговоров от прослушивания в замкнутых пространствах (тамбур, салон автомобиля, небольшие кабинеты и пр.) за счет генерации «белого» шума в акустическом диапазоне частот, что обеспечивает снижение разборчивости после записи или передачи по каналу связи. Технические характеристики приведены в таблице 3.5 Таблица 3.5 – Технические характеристики W G-023. Диапазон частот 100-12000Гц Максимальная выходная мощность 1 Вт Габариты 111x70x22 мм Питание 220/9 В Самым простым методом получения белого шума является использование шумящих электронных элементов (ламп, транзисторов, различных диодов) с усилением напряжения шума . Принципиальная схема несложного генератора шума приведена на рис 3.5. рис 3.5 Генератор шума Источником шума является полупроводниковый диод - стабилитрон VD1 типа КС168, работающий в режиме лавинного пробоя при очень малом токе. Сила тока через стабилитрон VD1 составляет всего лишь около 100 мкА. Шум, как полезный сигнал, снимается с катода стабилитрона VD1 и через конденсатор С1 поступает на инвертирующий вход операционного усилителя DA1 типа КР140УД1208.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.