телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для спорта, туризма и активного отдыха -30% Разное -30% Бытовая техника -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программированиеподраздел:Компьютеры и периферийные устройства

Структура твердотельных интегральных микросхем

найти похожие
найти еще

Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Последнее объясняется менее жесткими требованиями к фотошаблонам и трафаретам, с помощью которых формируют пленочные элементы, а также применением менее дорогостоящего оборудования. В составе пленочных ИМС возможно получить резисторы с точностью ±5%, конденсаторы ±10%, а с применением подгонки — до десятых долей процента. Гибридно-пленочная технология позволяет реализовать практически любые функциональные схемы. Стремление расширить область применения полупроводниковых ИМС привело к созданию другого типа комбинированных микросхем (рис. 4). При их изготовлении полупроводниковую технологию совмещают с тонкопленочной технологией для создания некоторых пассивных элементов, к которым предъявляются повышенные требования по точности и температурной стабильности. Рис. 4. Фрагмент совмещенной ИМС: Т — транзистор, R — пленочный резистор.Совмещенная интегральная микросхема — это комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы (обычно пассивные) наносят на поверхность пластины (кристалла) методами пленочной технологии.2. Степень интеграцииИзвестно, что полупроводниковые интегральные микросхемы по сравнению с аналогичными печатными схемами с навесными элементами имеют лучшие технико-экономические показатели: размеры и массу, надежность, быстродействие, стоимость. Известно также, что эти показатели улучшаются с повышением функциональной сложности ИМС, т. е. с увеличением числа элементов, полученных с помощью интегральной технологии, с возрастанием степени интеграции. Степень интеграции — это показатель степени сложности ИМС, характеризуемой числом элементов, полученных с помощью интегральной технологии на общем кристалле. Для характеристики степени интеграции используют показатель К=lg , где — число элементов ИМС. В зависимости от значения К условно различают ИМС малой степени интеграции, средней степени интеграции, большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие (СБИС). Повышение степени интеграции ИМС является, таким образом, важнейшей задачей микроэлектроники, в значительной мере определяющей основные тенденции схемотехнических и конструкторско-технологических разработок.2.1 Факторы, ограничивающие степень интеграцииСреди факторов, ограничивающих степень интеграции, важное место занимает технологический фактор. В полупроводниковой интегральной микросхеме нельзя заменить или даже исправить дефектный элемент. При наличии хотя бы одного дефектного элемента ИМС целиком бракуется. Плотность дефектов в свою очередь -определяется качеством технологического процесса и прежде всего процесса фотолитографии. Рис. 5. Формирование окисной маски: а — окисление поверхности пластины; б — нанесение фотослоя (1 — «прокол» в фотослое); в — экспонирование через фотошаблон (2 — непрозрачный дефект на фотошаблоне); г — проявление и образование фотомаски (3 — «проколы» в фотомаске); д — травление окисла и снятие фотомаски (4 — «проколы» в окисной маске) Качество защиты пластины окисной пленкой, с помощью которой избирательно вводят примеси для получения р- и -областей (рис. 5), зависит от ее однородности, сплошности.

Содержание Введение 1. Основные виды структур ИМС 1.1 Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы 2. Степень интеграции 2.1 Факторы, ограничивающие степень интеграции 3. Причины ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем 4. Микросборка оптоэлектронные ИМС Литература Введение Твердотельная интегральная микросхема – это законченный функциональный электронный узел, элементы которого конструктивно не разделены и изготавливаются в едином технологическом процессе, в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины (межсоединения). Для характеристики типа применяемых в ИМС транзисторов, а также технологических методов их изготовления пользуются понятием структура ИМС. В общем случае структура ИМС определяет последовательность слоев в составе микросхемы по нормали к поверхности кристалла, различающихся материалов, толщиной и электрофизическими свойствами. Так, в практике производства ИМС используют структуры на биполярных транзисторах (в частности, диффузионно-планарные, эпитаксиально-планарные и др.) на МДП-приборах, структуры ИІЛ и т. д. Заданная структура ИМС позволяет установить состав и последовательность технологических методов обработки пластины и определить технологические режимы для каждого метода. Основные виды структур ИМС На рис. 1 представлен фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой, включающий биполярный транзистор и резистор. Для одновременного формирования транзистора и резистора необходимо, чтобы р-область резистора и изолирующая его -область имели глубину и электрофизические свойства, одинаковые с областями соответственно базы и коллектора транзистора. Аналогичное соответствие должно обеспечиваться для всех элементов, входящих в состав ИМС. Оно является главным признаком и непременным условием применения интегральной технологии и позволяет минимизировать число технологических операций, составляющих цикл обработки. Таким образом, интегральная технология представляет собой совокупность методов обработки, позволяющую при наличии структурного подобия (технологической совместимости) различных элементов ИМС формировать их одновременно в едином технологическом процессе. Важно отметить, что выпускаемые в составе той или иной серии ИМС различного функционального назначения имеют единую структуру и, следовательно, единую базовую технологию. Для базовой технологии характерны не только определенная технологическая последовательность обработки и определенный комплект оборудования, но и постоянная, отработанная настройка оборудования, т. е. жесткие технологические режимы. Последнее является существенным для экономичности и эффективности процесса производства ИМС. Очевидно, что базовая технология не зависит от размеров элементов в плане, их взаимного расположения и рисунка межсоединений. Все эти свойства конкретной ИМС определяются в процессе топологического проектирования, а обеспечиваются фотолитографией — процессом избирательного травления поверхностных слоев с применением защитной фотомаски. Рис. 1. Фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой: — транзистор; R — резистор Топология микросхемы — чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений ИМС в плоскости, параллельной плоскости кристалла.

Этот пример иллюстрирует общую тенденцию в развитии конструкций ЭВА, сопровождающую процесс повышения степени интеграции ИМС (передачу ей функций ТЭЗ, передачу ТЭЗ функций панели или блока и т. д., в том числе замену печатными платами трудоемкого .проводного монтажа) и состоящую в проникновении ИМС на все более высокие уровни функциональной иерархии ЭВА. Это объективно приводит к повышению технологичности конструкций ЭВА. Использование микросборок дает возможность преодолеть и еще одно противоречие, порождаемое требованием повышения степени интеграции, а именно: сужение области применения функционально сложных ИМС, увеличение их номенклатуры и связанные с этим трудности стандартизации. Поскольку микросборка представляет собой набор кристаллов ИМС средней степени интеграции, производство которых обособлено от производства собственно микросборок, появляется возможность изготовлять микросборки по единой типовой технологии независимо от состава кристаллов ИМС и функционального назначения микросборки. Высокий процент выхода годных БИС может быть достигнут за счет элементной избыточности. При проектировании топологии функциональную схему БИС расчленяют на ряд составных функциональных частей (ячеек), каждую из которых дублируют в пределах кристалла БИС несколько раз, образуя группы. После формирования структур создают первый уровень межсоединений и периферийных контактов в пределах каждой ячейки. В результате контроля на функционирование определяют дефектные ячейки. Второй уровень межсоединений (а при необходимости и третий) объединяет группы ячеек в общую систему, причем дефектные и неиспользуемые годные ячейки отключают от общей схемы путем' разрыва проводников с помощью лазера или фотолитографии. Микросборки и метод элементной избыточности — это компромиссное решение задачи повышения степени интеграции, так как оба метода основаны на использовании экономически целесообразной степени интеграции ячеек — составных частей БИС. В.первом случае дефектные ячейки-кристаллы отбраковываются на ранних стадиях процесса и не пропускаются на сборку, во втором — сохраняются в составе кристалла, увеличивая его площадь. Однако во втором случае обеспечиваются более высокие быстродействие и надежность. Конструкторско-технологические возможности для повышения степени интеграции ИМС далеко не исчерпаны. Однако уменьшение размеров элементов требует и снижения потребляемой ими мощности, что влечет за собой снижение быстродействия, помехоустойчивости, надежности. Уменьшение объемов, занимаемых элементами, приводит к тому, что флуктуации электрофизических свойств полупроводникового материала в микрообъемах снижают воспроизводимость параметров элементов даже в пределах одного кристалла. Выход из положения — отказ от традиционных методов построения функциональных схем как совокупности простейших элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и разработка элементов с более широкими функциональными возможностями. Такие возможности открывает функциональная микроэлектроника. В функциональной микроэлектронике носителем информации является многомерный сигнал, параметрами которого управляют динамические неоднородности среды, возникающие под действием управляющего сигнала.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (УС)

Для возбуждения двухтактного каскада, состоящего из однотипных усилительных элементов (например, транзисторов р – п – р -типа), используют фазоинверсный предоконечный каскад (фазоинвертор ) или трансформатор, вторичная обмотка которого имеет вывод от средней точки (рис. 7 ); каскад, содержащий разнотипные элементы (т. н. комплементарные структуры, например транзисторы р – n – р- и n – р – n -типов), возбуждается от источника однофазного напряжения, т. е. от обычного однотактного каскада, и в этом случае отпадает необходимость применения трансформатора. По сравнению с однотактным каскадом двухтактный позволяет получать гораздо большую выходную мощность с меньшими нелинейными искажениями. Распространены бестрансформаторные У. э. к. звуковой частоты на транзисторах: одиночных комплементарных (с выходной мощностью до 1 вт ) и т. н. составных (с выходной мощностью несколько десятков вт и более). Отсутствие трансформаторов допускает изготовление У. э. к. в виде полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем.   Ламповый усилитель большой мощности используется на узлах проводного вещания и в радиопередатчиках (в качестве модуляционного устройства)

скачать реферат Методы контроля в производстве интегральных микросхем

Микросхемы выдерживают в камерах тепла и влаги в течение нескольких суток в условиях повышенной влажности (95.98%) при температуре (40±5) °С. Критерием забраковки является ухудшение электрических параметров вследствие проникновения влаги в корпуса. Однако в камерах тепла и влаги отбраковываются ИМ только с грубыми течами. Кроме того, камера не позволяет оперативно обнаруживать негерметичность ИМ с хорошо защищенными структурами. Проникновение влаги в корпус таких ИМ обнаруживается значительно позже, когда произойдет отказ, например, из-за корозии интерметаллических соединений.Список использованной литературы:Малышева И.А. «Технология производства интегральных микросхем» , М., Радио и связь 1991. Курносов А.И. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» М., 1979.

Накладка на унитаз "Бегемотик".
Унитазная накладка подходит ко всем стандартным туалетам. Кроме того, благодаря краям предотвращающим скольжение легко и твердо
419 руб
Раздел: Сиденья
Ватман "Kroyter Проф", А1, 100 листов.
Нарезанные листы ватмана для черчения. Формат: А1 (600Х840 мм). Плотность: 200 г/м2. В наборе: 100 листов.
2739 руб
Раздел: Прочее
Именная кружка с надписью "Любимая мама".
Предлагаем вашему вниманию готовое решения для подарка по любому поводу – именная кружка. Кружка изготовлена из керамики, в нежной
434 руб
Раздел: Кружки
 Цифровой журнал «Компьютерра» № 67

Любопытно, что в Intel считают переход на трёхмерные транзисторы прекрасной иллюстрацией действия так называемого закона Мура (напомню, что Гордон Мур был одним из основателей корпорации), который гласит, что число транзисторов на кристалле удваивается каждые два года. С приближением к 22-нм технологической норме многие стали говорить о том, что закон Мура исчерпал себя, но изобретение трёхмерных структур лишний раз подтвердило его справедливость. По словам самого Мура, «на протяжении многих лет мы осознавали, что степень миниатюризации транзисторов имеет определённые пределы. Преобразование базовой структуры революционный подход, который позволяет и далее следовать выявленному ранее закону развития технологий». Очевидно, что внедрение трёхмерной технологии Tri-Gate одновременно с переходом на 22-нм технологическую норму обеспечивает Intel беспрецедентные конкурентные преимущества перед всеми существующими производителями интегральных микросхем. Ближайший соперник, компания AMD, серийно производит процессоры на основе 45-нм технологии, а переход на 32-нм техпроцесс ожидается лишь в начале июня с презентацией гибридных процессоров под кодовым названием Llano

скачать реферат Устройства приёма-обработки сигналов УПОС

Структура приемника приведена на рис. 1. Рис. 1. Структурная схема радиоприемника.С выхода преселектора сигнал поступает на блок преобразования частоты (ПЧ), в состав которого входят смеситель (СМ) и гетеродин. Здесь производится перенос спектра сигнала на промежуточную частоту (465 кГц). Основное требование к этому блоку - низкий коэффициент шума, малый коэффициент нелинейных искажений в полосе перестройки приемника, постоянство промежуточной частоты. Далее сигнал поступает на усилитель промежуточной частоты (УПЧ). В УПЧ осуществляется основное усиление сигнала в заданной полосе частот, которая для коротковолновых приемников примерно равна удвоенной полосе пропускания усилителя низкой частоты, т.е. - 2 кГц. Существует два вида схем обеспечения требуемой полосы усиливаемых частот. УПЧ с распределенной избирательностью и УПЧ с сосредоточенной избирательностью. В настоящее время наибольшее распространение получили схемы УПЧ с сосредоточенной избирательностью, благодаря широкому применению интегральных микросхем, реализующих блок УПЧ и фильтров сосредоточенной селекции (ФСС) на поверхностно-акустических волнах (ПАВ) с пьезокерамическими преобразователями, образующими частотно избирательные микроблоки (ЧИМ), которые позволяют получить очень высокую добротность и высокий коэффициент передачи в полосе пропускания. УПЧ. УПЧ характеризуется такими качественными характеристиками как номинальное значение промежуточной частоты, полосой пропускания, коэффициентом усиления, устойчивостью работы, коэффициентом шума и линейностью фазочастотной характеристики (ФЧХ).

 Стивен Джобс - деспотичный

Специалисты и первый персональный компьютер В середине 1970-х Джобс и Возняк испытывали огромное давление. "Ай-Би-Эм", средства массовой информации и некоторые из наиболее авторитетных ученых-электронщиков предсказывали им провал. Эти пророчества преследовали их на протяжении долгого времени, пока они собирали деньги, запускали продукт в производство и развивали новый рынок сбыта. Промышленные специалисты считали, что ни "Эппл-1", ни "Эппл-2" не будут пользоваться массовым спросом, равно как и любой другой персональный компьютер этого класса. Этими авторитетами были не кто иной, как Роберт Нойс - изобретатель интегральных микросхем и создатель "Интел", Нолан Бушнель - создатель промышленности видеоигр и председатель правления фирмы "Атари", и Билл Хьюллет - создатель "Хьюллет-Паккард" и первого калькулятора (Возняк работал на "ХП"). По иронии судьбы, сделанное "Интел" революционное изобретение микропроцессор - было техническим устройством, которое заложило основы создания промышленности ПК. Нойс публично заявил, что рынок ПК будет принадлежать лишь любителям и на персональные компьютеры не будет массового спроса

скачать реферат Основные требования к полупроводниковым материалам

Может быть, такие преимущества смогут обеспечить некоторые соединения элементов третьей и пятой групп таблицы Д. И. Менделеева. Среди них есть материалы с большей подвижностью носителей заряда. Это, в первую очередь, относится к арсениду галлия. Большая ширина запрещенной зоны арсенида галлия обеспечит большую максимальную допустимую температуру полупроводникового прибора, а, следовательно, допустимую мощность расселения. Большая подвижность носителей заряда должна обеспечить улучшение частотных свойств транзисторных и диодных структур полупроводниковых приборов (в том числе и интегральных микросхем). Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания не основных носителей в базовой области диодной структуры. Одна и важнейших задач полупроводниковой электроники - это повышение пробивного напряжения коллекторного перехода транзистора и тиристора, а также пробивного напряжения выпрямляющего электрического переходя диода.

скачать реферат Роль и место общественных организаций в вопросах формирования сферы интеллектуальной собственности в России

Что сдерживает развитие подобных предприятий в России? Ставка на "экономику трубы". Одной из необходимой составляющей НИС является действенная законодательная база, регламентирующая вопросы создания, охраны и защиты результатов интеллектуальной деятельности, средств идентификации товаров, услуг, предприятий и вопросы защиты от недобросовестной конкуренции. В нашей стране вопросам совершенствования правовой базы в области охраны объектов интеллектуально собственности (ОИС) со стороны государственных и общественных структур уделяется значительное внимание. Недавно произошли серьезные изменения основных законов, регулирующих вопросы правовой охраны и использования объектов интеллектуальной собственности: Федеральными законами Российской Федерации внесены изменения и дополнения в Патентный закон Российской Федерации, в законы Российской Федерации "О товарных знаках, знаках обслуживания и наименованиях мест происхождения товаров", "О правовой охране топологий интегральных микросхем", "О правовой охране программ для электронных вычислительных машин и баз данных", были приняты в первом чтении Государственной Думой изменения и дополнения в Закон Российской Федерации "Об авторском праве и смежных правах"; законопроект «О коммерческой тайне».

скачать реферат ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Наличие двух слоев различных диэлектриков в конденсаторной структуре повышает надежность пленочных емкостных элементов. Верхний электрод — золото с подслоем хрома 4 — получен термическим испарением в вакууме. Нижним электродом является слой нитрида тантала 3, сопротивление которого достаточно велико. Рассмотренный вариант комплексной технологии изготовления пассивной части ГИС СВЧ диапазона очень сложен и трудоемок, а совместимость различных технологических методик приводит к серьезным ограничениям рабочих характеристик микросхемы в целом. Все это сдерживает внедрение ГИС СВЧ диапазона, содержащих сосредоточенные R- и С- элементы в массовое производство. В настоящее время наиболее широкое распространение в производстве ГИС общего применения получил вакуумный метод нанесения тонких пленок с использованием избирательного химического травления как наиболее простой, менее трудоемкий и пригодный для массового производства. Достигнутые успехи в области создания пассивных R-,C- и L-элементов, а также в получении бездефектных пленок меди толщиной более 5 мкм термическим испарением в вакууме способствовали созданию комплексной технологии изготовления ГИС СВЧ диапазона (см. рис. 2.4). Применение вакумно-термических методов для получения СВЧ микросхем позволяет по производственным признакам поставить их в общий ряд гибридных интегральных микросхем.

скачать реферат Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

При этом следует различать технологические параметры интегральных микросхем и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микросхемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств, реализованных на их основе, оказываются относительно низкими ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК Базовый кристалл представляет собой прямоугольную многослойную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют периферийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области располагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществления внешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буферных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП и включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализовать различные буферные схемы за счет соответствующего соединения элементов этой структуры. В общем случае в периферийной области могут находиться ячейки различных типов. Причем периферийные ячейки могут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных поворотом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением).

Копилка-раскраска "Лисенок".
Набор для творчества. Копилка-раскраска. Пластиковая копилка легкая, приятная на ощупь, не бьется при падении и ее легко раскрашивать. В
324 руб
Раздел: Копилки
Бумага чертежная, А4, 100 листов.
Плотность 200 г/м2. ГОСТ 597-73.
519 руб
Раздел: Папки для акварелей, рисования
Подарок «Вкусный Новый год».
Новый год - это волшебное время, которое особенно ждут самые маленькие. Подарочный набор «Вкусный Новый год» станет отличным решением для
350 руб
Раздел: Новогодние наборы от My-shop.ru
скачать реферат Печатные платы

Полупроводниковые структуры интегральных микросхем нельзя изготовить, не применив хотя бы один из трех процессов: эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев, диффузионное и ионное легирование. Рассмотрим каждый из них. 5.1 Эпитаксия Эпитаксия – процесс наращивания монокристаллических слоев на монокристаллических подложках. Монокристаллические подложки в процессе роста эпитаксиального слоя выполняют ориентирующую роль затравки, на которой происходит кристаллизация. Эпитаксиальные слои можно наращивать в вакууме, из парогазовои и жидкой фазы. В зависимости от состава материалов слоя и подложки различают процессы автоэпитаксии и гетероэпитаксии. Если составы материалов практически одинаковы, например слой кремния на кремниевой пластине, процесс называют автоэпитаксией. Гетероэпитаксия – процесс ориентированного нарастания вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Для осаждения слоев кремния из парогазовой фазы в промышленном производстве используют кремнийсодержащие соединения: тетрахлорид кремния, силан.

скачать реферат Моделирование процессов ионной имплантации

Заключение: В данном программном проекте представлены задачи, которые удовлетворяют всем правилам и параметрам расчетов процесса ионной- имплантации, а также представлены в наглядном виде все процессы расчета данных структур, указанных в дипломном проекте. 8. Литература: 1. Архангельский «Программирование в среде Delphi 4.0». 2. А. И. Курносов, В. В. Юдин «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем». 3. Программирование в среде urbo Pascal v. 7.0.

скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы). В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек. Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение. Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов. 2.1. Назначение подложек. В технике ИМС подложки выполняют две функции: а) являются основанием, на поверхности или в приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют структуры ИМС; б) являются элементом конструкции, обеспечивающим практическое применение ИМС в корпусном или бескорпусном исполнении.

скачать реферат Лабораторный практикум

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 СИНТЕЗ КОМБИНАЦИОННЫХ СХЕМ 1 Цель работы Настоящая лабораторная работа знакомит студентов с основными логическими функциями и реализующими их элементами широко распространенной I55 серии интегральных микросхем, развивает навык в составлении уравнений, описывающих структуру логических устройств, их минимизации и реализации с учетом имеющегося набора логических элементов. 2 Краткая теория вопроса 2.1 Минимизация булевых функций Для получения минимальной дизъюнктивной нормальной формы булевой функции воспользуемся методом карт Карно. Карты Карно позволяют достаточно быстро и эффективно минимизировать функции от малого числа (четыре - шесть) аргументов. При этом весьма просто минимизируются неполностью определённые функции. Такой класс функций наиболее часто встречается в проектировании простых узлов ЭВМ, в частности, узлов, синтезируемых на основе конечных автоматов. Чтобы быстрее нанести булеву функцию, заданную таблично или алгебраически (СДНФ), рекомендуется следующий практический прием. Основой будем считать карту Карно для четырех аргументов; из двух таких карт формируется карта для пяти аргументов, из четырех таких карт - карта Карно для шести аргументов.

скачать реферат Микропроцессор i8086/i8088

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОТКРЫТЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра информационных систем и измерительных технологийКУРСОВОЙ ПРОЕКТпо предмету: Системное программированиеВыполнил: студентка 4 курса специальность 200106 Шифр 604992/с Проверил: Москва 2008 содержаниеВведение 1. Структура микропроцессора i8086 2. Разработка программного обеспечения 2.1. Основной алгоритм 2.2. Отладка и тестирование 2.3. Подсчёт контрольного кода четности 2.4. Битовое маскирование 2.5. Подсчет в массиве байтов с четным количеством бит 2.6. Проверка элементов массива на чётность 3. Ввод числовых данных 4. Алгоритм проверки ввода десятичного числа Приложение Литература ВведениеПроизводство интегральных микросхем на сегодняшний день - фундамент не только индустрии информационных и компьютерных технологий, но и многих смежных отраслей - бытовой электроники, медицины, военной промышленности. Следует различать два основных направления развития производства микросхем. Первое - разработка архитектуры, включающая в себя выбор тех или иных функций и особенностей будущих схем, микросхемотехнику и компоновку на кристалле функциональных блоков и их элементов.

Набор детской складной мебели "Познайка".
Комплект складной. Сиденье детского стульчика изготовлено из материала с водоотталкивающей пропиткой. Удобный механизм складывания и
1624 руб
Раздел: Наборы детской мебели
Подставка для канцелярских принадлежностей "Attache", 7 секции, металлическая сетка, 110x165x175 мм, цвет.
Подставка из 7 секций для пишущих принадлежностей и канцелярских мелочей. Выполнена из металла (сетка). Секции расположены в форме цветка.
805 руб
Раздел: Подставки, лотки для бумаг, футляры
Кружка-хамелеон "Сова", 330 мл.
Для тех, кто любит подольше поспать, кому утро не в радость, поможет взбодриться кружка-хамелеон «Сова». Просыпайтесь вместе с
304 руб
Раздел: Кружки, чашки, блюдца
скачать реферат Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не обладают предельными для данного уровня технологии параметрами и, как пра- вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам. При этом следует различать технологические параметры интегральных микросхем и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микрос- хемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств, реализованных на их основе, оказываются относительно низкими. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК Базовый кристалл представляет собой прямоугольную многослой- ную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют перифе- рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области рас- полагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществления внешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буфер- ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП и включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализовать различные буферные схемы за счет соответствующего соединения эле- ментов этой структуры.

скачать реферат МОП-транзисторы

Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах. Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса ). Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия , сульфид цинка и широко зонные проводники . Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые. Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора МОП- структуры (Металл- Окисел- Полупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры. МОП – ТРАНЗИСТОРЫ 1.

скачать реферат Методы размещения и трассировки печатных плат на примере модуля памяти

При разработке конструкции печатных плат проектеровщику приходится решать схемотехнические (минимизация кол-ва слоёв, трассировка), радиотехнические (расчёт паразитных наводок), теплотехнические (температурный режим работы платы и элементов), конструктивные (размещения), технологические (выбор метода изготовления) задачи. В данном курсовом проекте при разработке печатной платы мы попытались показать методы решения лишь схемотехнических и технологических задач. 1. ВЫБОР СЕРИИ И ТИПОВ МИКРОСХЕМ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ СХЕМЫ ПО КОРПУСАМ. 1.1. Выбор физических элементов для реализации схемы и обзор параметров выбранной серии. Выбор серии интегральных микросхем для реализации блока оперативной памяти в первую очередь продиктован скоростью работы такого блока. В этом отношении микросхемы серии ТТЛШ (транзисторно–транзисторная логика со структурой Шотки) наиболее предпочтительны. Электрическая функциональная схема блока оперативной памяти содержит сорок пять элементов 2И-НЕ, три элемента 3И-НЕ. Для реализации блока оперативной памяти выбираем следующие типы микросхемы: две микросхемы серии КР1531ЛА3 (корпус содержит 4 элемента 2И-НЕ); две микросхемы серии КР1531ЛА4 (корпус содержит 3 элемента 3И-НЕ); Основные параметры микросхем ТТЛШ серии КР1531: — напряжение питания Uип = 5В ( 10%; — выходное напряжение низкого уровня не более U0вых = 0,5В; — выходное напряжение высокого уровня не менее U1вых = 2,5В; — время задержки распространения зд.р. = 4,5нс; — потребляемая мощность Pпот = 4мВт; — сопротивление нагрузки Rн = 0,28кОм; 1.2. Распределение элементов функциональной схемы по корпусам.

скачать реферат Сверхбольшие интегральные схемы

Поэтому в ходе проектирования логическими элемент может быть размещен в любом месте кристалла, а для создания всей схемы требуется изготовить только фотошаблоны слоев коммутации. Основные достоинства БМК, заключающиеся в снижении стоимости и времени проектирования, обусловлены: применением БМК для проектирования и изготовления широкого класса БИС; уменьшением числа детализированных решений в ходе проектирования БИС; упрощением контроля и внесения изменений в топологию; возможностью эффективного использования автоматизированных методов конструирования, которая обусловлена однородной структурой БМК. Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не обладают предельными для данного уровня технологии параметрами и, как правило, уступают как заказным, так и стандартным схемам. При этом следует различать технологические параметры интегральных микросхем и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микросхемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств, реализованных на их основе, оказываются относительно низкими.6.1 Основные типы БМК Базовый кристалл представляет собой многослойную прямоугольную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют периферийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области располагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществления внешнего подсоединения и периферийные ячейки для реализации буферных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП и включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализовать различные буферные схемы за счет соответствующего соединения элементов этой структуры.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.