телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для детей -5% Сувениры -5% Образование, учебная литература -5%

все разделыраздел:Компьютеры, Программирование

Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах

найти похожие
найти еще

Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
19 руб
Раздел: Совки
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Полевые транзисторы V 8, V 9 установлены на ребристых теплоотводах с площадью охлаждающей поверхности около 500 см2, которые, в свою очередь, закреплены на плате усилителя. Плата рассчитана на установку постоянных резисторов МЛТ, подстроечного резистора СПЗ-5, электролитических конденсаторов K50-3 (С1, С5), К50-22 (С7) и керамических конденсаторов КМ-56. В качестве катушки L1 использован стандартный дроссель Д-2,4 с индуктивностью 20 мкГн. Кроме указанных на схеме, в первом каскаде усилителя (V 1-V 3) могут работать транзисторы КТ313А, КТ208К, КТ209К. Для дифференциального каскада желательно подобрать пару экземпляров с близкими параметрами. Вместо транзисторов КТ630Б (они тоже должны быть с близкими параметрами) можно использовать транзисторы КТ630А или КТ605 с любым буквенным индексом, вместо КТ816Г — КТ814Г, КТ816В (V 5) и КТ814В, КТ814Г (V 9)., вместо КП904А — КП904Б. Допустима замена стабилитронов КС211Е на КС212Е, KC213E, диодов КД103А - на Д223 с любым буквенным индексом или КД522А. Функции диодов КД223А могут выполнять диоды КД103А. Усилитель хорошо подавляет синфазные помехи и может работать от нестабилизированного источника питания, однако более предпочтителен стабилизированный источник. 4.3 Налаживание Налаживание усилителя сводится к установке (подстроечным резистором R7) тока покоя транзисторов выходного каскада (В пределах 50 - 200 мА), при котором искажения типа ступенька отсутствуют. Делать это необходимо после 10 - 15-минутного прогрева усилителя с подключенной нагрузкой в реальных условиях охлаждения выходного каскада. Следует учесть, что при включении налаженного усилителя после перерыва в работе, ток покоя в первый момент будет большим (сквозной ток полевых транзисторов может достигать 1А и более). Однако бояться этого не следует — через 1.2 мин. он снизится до значения, установленного при регулировке, и в дальнейшем изменяться практически не будет (такое саморегулирование выходного каскада обусловлено действием ООС по температуре кристалла МДП-транзисторов). Возможное самовозбуждение усилителя устраняют включением между коллектором транзистора V 5 и точкой соединения конденсатора С6 с резистором R11 (на плате) дополнительного конденсатора емкостью около 200 пФ. Следует, однако, учесть, что это приведет к почти двойному увеличению коэффициента гармоник на частотах 10-20 кГц (из-за нарушения симметрии выходного каскада, вызванного паразитными емкостями полевых транзисторов на этих частотах). Снизить искажения в подобном случае можно увеличением в 8.10 раз токе покоя транзисторов предоконечного каскада и одновременным уменьшением во столько же раз сопротивлений резисторов в цепям затворов полевых транзисторов. Делать это, однако, не рекомендуется, так как при таком токе покоя, мощность, рассеиваемая транзисторами предоконечного каскада, возрастает примерно до 10 Вт. Лучше примириться с увеличением искажений, тем более что на высоких частотах они мало заметны. Радикальное снижение искажений в области этих частот возможно при использовании в выходном каскаде комплементарных пар МДП-транзисторов. 5. Моделирование схемы в пакете Mul isim 8 5.1 Подбор элементной базы и проверка работоспособности Для моделирования схемы необходимо подобрать аналоги отечественным компонентам схемы (транзисторы, диоды, стабилитроны), т.к. данный пакет не содержит отечественную элементную базу.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Используйте команды Plot, Axis Setting, чтобы изменить пределы по осям Y. Выберите маркер User defined, затем введите значения от 0 А до 3.0 А, чтобы изменить значения диапазона, и нажмите OK. Затем разметьте кривые, как показано на рис. 0.9, чтобы пояснить распечатку[3]. Отметим, что амплитуда общего тока меньше амплитуды тока в индуктивной ветви. В то же время она меньше и амплитуды тока в емкостной ветви. Рис. 0.9. Разметка кривых в выходном файле программы Probe Анализ транзисторных схем Следующая предварительная схема представляет собой усилитель на биполярном транзисторе (BJT) с типовой схемой смещения на двух резисторах. Эта схема представлена на рис. 0.10. PSpice допускает использование встроенных моделей для биполярных транзисторов и других приборов. Допустим, что транзистор имеет коэффициент усиления для большого сигнала hFE= 80 и что при типовых условиях смещения VBE=0,8 В. Рис. 0.10. Цепи смещения для биполярного транзистора Прежде чем перейти к моделированию на PSpice, определим смещающие токи и напряжения обычными методами

скачать реферат Усилитель мощности звуковой частоты для автомагнитолы

В результате было изучено ПО Mul isim 2001 Pro. Также был отработан алгоритм моделирования схемы усилителя мощности звуковой частоты с малыми нелинейными искажениями. В результате исследования усилителя мощности при помощи использования программных пакетов были получены его основные технические характеристики. Таким образом, данный усилитель обладает хорошими техническими характеристиками, хорошо подходит к массовой сборке, так как требования по его настройке и разбросу параметров применяемых элементов небольшие. По итогам сравнения приведённых характеристик, можно сделать вывод о том, что данный усилитель мощности обладает лучшими характеристиками при использовании созданных отечественных моделей транзисторов, чем при использовании их зарубежных аналогов. Список используемой литературы Зи С.М., «Физика полупроводниковых приборов», .1, Москва, издательство «Мир», 1984. Разевиг В.Д., «Применение программы P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ», Выпуск 2, Москва, «Радио и связь», 1992. Столяров А.А., Курс лекций по Микроэлектронике, КФ МГТУ, 2003. Коссов О.А., «Усилители мощности на транзисторах», Москва, издательство «Энергия», 1964. П. Хоровиц, У. Хилл, «Искусство схемотехники», Т.1, Москва, издательство «Мир», 1984.

Игра интерактивная "Веселый Магистр".
Интерактивная игра «Веселый Магистр» для всей семьи. - 500 интересных тем; - 19 сюрпризов! Правила игры: Интерактивный
1499 руб
Раздел: Прочие
Матрёшка "Колобок" (7 персон).
Матрешка "Колобок" - расписная деревянная игрушка, созданная по сюжету любимой всеми детьми сказки "Колобок". Игра с
649 руб
Раздел: Матрешки
Кружка "Снеговик", цвет: зеленый.
Оригинальная керамическая кружка в виде снеговика - отличный подарок к новому году. Забавная крышечка-шапочка выполнена из
367 руб
Раздел: Кружки
 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Наша задача состоит в том, чтобы разработать версию этой модели, пригодную для использования в PSpice. Эта модель содержит ИТУТ для использования с hf и управляемого напряжением источника напряжения (ИНУН) для использования с hr. В модель на рис. 3.6 введен резистор RI для моделирования hi, E, чтобы определить hr, RO в качестве 1/h0, и F, чтобы определить hf. Рис. 3.5. Модель в h-параметрах для транзистора Рис. 3.6. Модель схемы с ОЭ, пригодная для анализа на PSpice Анализ схем с общим эмиттером, использующий модель с h-параметрами На рис. 3.7 приведена типовая схема усилителя с общим эмиттером (ОЭ), предназначенная для анализа. Более сложные схемы можно часто привести к этой форме, используя различные теоремы и методы упрощения. Заданы параметры элементов схемы: VS=1 мВ, RS=1 Ом, Ri=1,1 кОм (hie), hr=2,5·10-4 (коэффициент используется в Е), hf=50 (коэффициент используется в F), R0=40 кОм=1/h0, и RL=10 кОм. Источник V0=0 В необходим, чтобы создать независимый источник для команды ввода F. Рис. 3.7. Модель схемы с общим эмиттером в h-параметрах, включающая источник питания и нагрузку Хотя нас интересуют свойства схемы на малых сигналах, мы не будем использовать анализ для переменного тока

скачать реферат Принципы построения и действия ПЗС

В некоторый момент времени на выходной затвор подают импульс положительной полярности, разрешающий вывод зарядового пакета. Если в последнем элементе Ф3 к этому моменту времени был накоплен зарядовый пакет, то он переместиться в потенциальную яму, расположенную под выходным затвором ( рис.8,б) , а затем в более глубокую потенциальную яму области - типа и, наконец, в выходную цепь - резистор, присоединенный к - области. К выходному выводу подключают чувствительный усилитель на МДП - транзисторах, которые создаются на этой же подложке. В ряде случаев необходимо осуществлять неразрушение считывание зарядового пакета. Для этого в качестве датчика поверхностного потенциала и связанной с ним величины зарядового пакета используют МПД - транзистор. ЛИТЕРАТУРА Рычина Т.А. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы., Мн: Радио, 2005г. Ефимов А.В, Микроэлектроника, Мн: ВШ, 2004г. Свитенко В.И. Электрорадиоэлементы, Мн: Радио, 2006г.

 Большая Советская Энциклопедия (ВА)

Валиев Камиль Ахметович Вали'ев Камиль Ахметович (р. 15.1.1931, дер. Верхний Шандер Мамадышского района Татарской АССР), советский учёный в области теоретической физики и полупроводниковой микроэлектроники, член-корреспондент АН СССР (1972). Член КПСС с 1954. Окончил Казанский университет (1954). В 1957—1964 преподавал в Казанском педагогическом институте; в 1964—65 руководил сектором в НИИ, в 1965—77 его директор (профессор с 1966). С 1977 заведующий сектором Института космических исследований АН СССР. Основные труды по исследованию электронного парамагнитного резонанса и ядерного магнитного резонанса , а также по технологии производства интегральных схем . Ленинская премия, Государственная премия Азербайджанской ССР (1976). Награжден орденом Трудового Красного Знамени.   Соч.: Цифровые интегральные схемы на МДП — транзисторах, М., 1971 (совм. с А. Н. Кармазинским и М. А. Королевым). Валиесарский договор 1658 Валиеса'рский договор 1658, договор о перемирии между Россией и Швецией. Заключён 20 декабря в деревне Валиесари (близ Нарвы) по окончании русско-шведской войны 1656—58

скачать реферат Усилитель звуковых частот

Усилитель мощности должен отдавать в цепь нагрузки (потребителя) заданную мощность электрических колебаний. Его нагрузкой могут являться излучатели звука: акустические системы (колонки), наушники (головные телефоны); радиотрансляционная сеть или модулятор радиопередатчика. Усилитель низких частот является неотъемлемой частью всей звуковоспроизводящей, звукозаписывающей и радиотранслирующей аппаратуры. Цель исследования темы: изучить работу усилителя звуковых частот. Задачи: Рассмотреть классификацию и основные параметры усилителя Рассмотреть принцип построения каскада усиления Рассмотреть структурные схемы лампового усилителя Рассмотреть структурные схемы усилителя на биполярных транзисторах Рассмотреть структурные схемы интегрального усилителя Описать изготовление УНЧ на своей практике Актуальность темы: В нашем современном мире усилитель звуковой частоты можно встретить во всей современной и даже несовременной технике: в телевизорах, музыкальных центрах, радиоприёмниках, радиопередатчиках, радиотрансляционных сетях, телефонах, мобильных телефонах, автомагнитолах и т. д. Я всегда интересовался техникой и электроникой.

скачать реферат Расчет усилителя низкой частоты

Рисунок 7 Это схема дифференциального каскада. Я решил выбрать диф. каскад по следующим причинам: V дифференциальный каскад обеспечивает повышенную температурную стабильность предварительного усиления V к дифференциальному каскаду проще подключить обратную связь V у дифференциального каскада сравнительно большое входное сопротивление. Схемная реализация каскада предварительного усиления представлена на рис 8. Это схема усилителя на биполярном транзисторе включенном по схеме с общим эмиттером. Я выбрал эту схему так как у нее сравнительно большие коэффициенты усиления по напряжению и по току, а также большое входное сопротивление. Недостаток этой схемы – сдвиг фаз между входным и выходным сигналом равен 180(. Рисунок 8 Схемная реализация выходного каскада представлена на рис 9. Рисунок 9 Это схема двухтактного усилителя мощности работающего в режиме В. Двухтактный усилитель мощности обладает более низким коэффициентом нелинейных искажений, чем однотактный усилитель мощности. Также важным преимуществом двухтактной схемы является ее малая чувствительность к пульсациям питающих напряжений.

скачать реферат Теория

Напряжение на резисторе Rэ в цепи эмиттера (Uэп = IэпRэ) ( это напряжение отрицательной обратной связи (ООС); при изменении температуры за счет изменения сквозного тока Iкэо изменяется ток коллектора, следовательно, изменяется и постоянная составляющая тока в цепи эмиттера Iэп, при этом меняется и падение напряжения Uэп на резисторе Rэ. Следовательно, напряжение на базе уменьшается, ток базы уменьшается до заданного значения. Таким образом, напряжение на Rэ изменяется пропорционально току коллектора, следовательно, в схеме усилителя действует ООС по току, которая и обеспечивает температурную стабилизацию РТ. В параграфе 2.8.6 дана подробная информация об обратных связях в усилителях. 2.8.4.3. Расчет элементов смещения и температурной стабилизации Сопротивление резистора смещения Rб1 в схеме рис. 2.11, а. Резистор Rб1 и участок база-эмиттер транзистора образуют делитель напряжения в цепи источника Ек. (2.20) Когда в схеме усилителя используется кремниевый транзистор, то напряжение, необходимое для отпирания эмиттерного перехода, составляет 0,6(0,9В.

скачать реферат МОП-транзисторы

МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт- амперные характеристики , аналогичные изображенным на рис. 7 . У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р- п переходом.5. Рекомендации по применению полевых транзисторов. Рекомендации по применению полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом , в истоковых повторителях с особо высокоомным входом , в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний , усилителях низкой частоты , работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот.

Накладка на унитаз "Бегемотик", белая.
Накладка на унитаз подходит ко всем стандартным туалетам. Кроме того, благодаря краям предотвращающим скольжение легко и твердо
408 руб
Раздел: Сиденья
Автокружка с подогревом USB 12 V (450 мл).
Подключается к стандартному автомобильному прикуривателю и разъему USB. Сохраняет жидкость теплой, пока подключена к прикуривателю или
660 руб
Раздел: Автоаксессуары
Набор детской посуды "Фея".
Набор посуды детский "Фея". В комплекте 3 предмета: - тарелка суповая диаметром 15 см, - тарелка обеденная диаметром 17,5 см, -
381 руб
Раздел: Наборы для кормления
скачать реферат УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Технологически это отношение сделать большим очень трудно, поэтому в реальных структурах Ки диф обычно не превышает 10. И КООС у таких ДУ тоже меньше, чем у ДУ на биполярных транзисторах. Однако входные сопротивления велики как для дифференциального, так и для синфазного сигналов (более 1010 Ом). В ДУ на МДП-транзисторах обычно Rвх пл определяется утечками структуры. Для получения ДУ с очень большими входными сопротивлениями и с хорошими другими параметрами целесообразно использовать усилитель рис. 14, в котором транзисторы Т1 и Т2 являются МДП-транзисторами. В ИС широкое распространение получили замены резисторов транзисторами, которые, являются наиболее предпочтительными элементами для ИС. Пример такой замены приведен с помощью рис. 15. Однако не только МДП - транзисторы, но и биполярные широко используются в усилительных ИС (в частности, в ДУ) вместо резисторов RK, т. е. выполняют в усилителях функцию динамических нагрузок. На рис. 16 приведена принципиальная схема одного из вариантов ДУ с динамической нагрузкой.

скачать реферат Проектирование и расчет усилителя электронного модуля

Введение Усилители низкой частоты (УНЧ) предназначены для усиления непрерывных периодических сигналов, частотный спектр которых лежит в пределах от десятков герц до десятков килогерц. Назначение УНЧ в конечном итоге состоит в получении на заданном сопротивлении оконечного нагрузочного устройства требуемой мощности усиливаемого сигнала. Современные УНЧ выполняются преимущественно на биполярных и полевых транзисторах в дискретном и интегральном исполнении. Несмотря на все, более расширяющееся использование машинных методов схемотехнического проектирования современной электронной аппаратуры, в повседневной практике разработчикам электронных схем приходится вначале решать задачи приближенного расчета типовых узлов и устройств, а затем уточнять результаты расчета на ЭВМ или экспериментальным путем. В данном курсовом проекте расчет усилителя низкой частоты также в начале будет, производится без применения программного обеспечения, а затем схема моделируется на ЭВМ с целью проверки принятых решений и уточнения полученных результатов Таким образом, целью данного курсового проектирования является приобретение практических навыков конструирования электронных схем и опыта моделирования электронных схем на ЭВМ на примере разработки схемы усилителя низкой частоты с заданными в техническом задании параметрами. 1 Анализ технического задания Из анализа технического задания следует, что на выходе УНЧ должен стоять мощный оконечный каскад.

скачать реферат Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

С этой точки зрения для реализации максимальной пороговой чувствительности необходимо выбирать фотодиод с минимальными темновыми токами. Величина темнового тока зависит от свойств материала фотодиода, температуры, площади р- - перехода, конструктивных особенностей и т. д. В фотодиодах с р - i - - переходом довольно широкая область собственной проводимости ( i - область) расположена между двумя областями полупроводника противоположного знака проводимости; в i-области распределено сильное однородное электрическое поле, что способствует увеличению чувствительности фотодиода. Чувствительность германиевых и кремниевых р - i - - фотодиодов составляет 0.5. 0.6 А/Вт, темновой ток при глубоком охлаждении (77 К) может быть доведен до 10-11 А. В последнее время разработаны р-i- - фотодиоды на основе I GaAs/I P, которые совместно с усилителем на полевом транзисторе (FЕТ) образуют интегральную схему; такой р-i- - FEТ- приемник работает в диапазоне длин волн 1,3.1,5 мкм, имеет высокую квантовую эффективность 0.65 . 0.7, малую емкость - 0.15 рF, что определяет высокое быстродействие.

скачать реферат Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах

Это следует учитывать при расчете рабочих точек рассматриваемого и предоконечного каскадов. При выполнении условия (1.67) коэффициент усиления каскада в области верхних частот описывается выражением: . Оптимальная по Брауде АЧХ каскада реализуется при расчете , (1.69) а значение . (1.70) Пример 12. Рассчитать каскада со сложением напряжений приведенного на рисунке 6.4, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1) и условий: =0,9. Решение. По формулам (1.68), (1.69) получим =10,4 пФ. Теперь по (1.70) найдем =478 МГц. 7 РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ С ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНЫМИ КОРРЕКТИРУЮЩИМИ ЦЕПЯМИ 7.1 РАСЧЕТ ВЫХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ В рассматриваемых выше усилительных каскадах расширение полосы пропускания было связано с потерей части выходной мощности в резисторах корректирующих цепей, либо цепей ООС. Этого недостатка лишены усилители, построенные по принципу последовательного соединения корректирующих цепей (КЦ) и усилительных элементов . Пример построения такой схемы усилителя по переменному току приведен на рисунке 7.1. Рисунок 7.1 Схема усилителя с корректирующими цепями При этом расчеты входных, выходных и межкаскадных КЦ ведутся с использованием эквивалентной схемы замещения транзистора приведенной на рисунке 1.2. Из теории усилителей известно , что для получения максимальной выходной мощности в заданной полосе частот необходимо реализовать ощущаемое сопротивление нагрузки, для внутреннего генератора транзистора, равное постоянной величине во всем рабочем диапазоне частот.

скачать реферат Антенный усилитель с подъёмом АЧХ

В данном случае полоса частот составляет 400-800 МГц. С учётом того, что усилительные свойства транзисторов значительно ухудшаются с ростом частоты, то разработка устройства с подъёмом АЧХ на таких частотах является непростой задачей. Наиболее эффективным представляется использование в данном случае межкаскадных корректирующих цепей 4-го порядка. Такая цепь позволяет делать коэффициент усиления с подъёмом до 6 дБ в полосе частот от 0 до fв, что очень важно для данного устройства. Использование этих корректирующих цепей даёт возможность брать транзисторы с граничной частотой , т.е. менее дорогостоящие, без ухудшения параметров всего усилителя. 2. Техническое задание Усилитель должен отвечать следующим требованиям: Рабочая полоса частот: 400-800 МГц Линейные искажения в области нижних частот не более 3 дБ в области верхних частот не более 3 дБ Коэффициент усиления 25 дБ с подъёмом области верхних частот 6 дБ Амплитуда выходного напряжения Uвых=2.5 В Диапазон рабочих температур: от 10 до 60 градусов Цельсия Сопротивление источника сигнала и нагрузки Rг=Rн=50 Ом 3. Расчётная часть 3.1 Структурная схема усилителя.

Помпа для воды "HotFrost", A6, механическая.
Цвет корпуса: синий/серый. Тип установки: на бутыль. Тип помпы: механический. Тип крана: кнопка на корпусе. Количество кранов: 1. Материал
372 руб
Раздел: Прочее
Шкатулка декоративная для ювелирных украшений "Вокруг света", 18,5x13,5x7,5 см.
Шкатулка декоративная для ювелирных украшений. Размер: 18,5x13,5x7,5 см. Материал: МДФ, комбинированные материалы. В ассортименте, без
873 руб
Раздел: Шкатулки для украшений
Табурет-стремянка "Альтернатива".
Табурет сделанный из пластмассы высокого качества. Ширина: 475 мм. Длина: 510 мм. Высота: 425 мм. Максимальная нагрузка: 120 кг. Расцветка
772 руб
Раздел: Лестницы
скачать реферат ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Особенно широко они применяются в радиотехнических устройства, в системах автоматики, в приборах экспериментальной физики, в измерительных приборах. В зависимости от задач на импульсные усилители накладываются различные требования, которым они должны отвечать. Поэтому усилители могут различаться между собой как по элементной базе, особенностям схемы, так и по конструкции. Однако существует общая методика, которой следует придерживаться при проектировании усилителей. Задачей представленного проекта является отыскание наиболее простого и надежного решения. Для импульсного усилителя применяют специальные транзисторы, имеющие высокую граничную частоту. Такие транзисторы называются высокочастотными. Итогом курсового проекта стали параметры и характеристики готового импульсного усилителя. 2.Предварительный расчет усилителя 2.1 Расчет рабочей точки Исходные данные для курсового проектирования находятся в техническом задании. Средне статистический транзистор даёт усиление в 20 дБ, по заданию у нас 25 дБ, отсюда получим, что наш усилитель будет иметь как минимум 2 каскада.

скачать реферат Передающий модуль бортового ретранслятора станции активных помех

Рисунок 10 Структурная схема ВЧ тракта При расчете электронного режима транзисторов воспользуемся методикой предназначенной для расчета режима мощного транзистора СВЧ . Рассмотренная методика может быть использована для расчета режима мощного транзистора усилителя, работающего на частотах порядка сотен мегагерц, и позволяет получить параметры режима, достаточно близкие к экспериментальным. На значениях частот 1 3 ГГц погрешность расчета возрастает из-за использования упрощенной эквивалентной схемы транзистора и недостаточной точности при определении её параметров. Выберем схему подключения транзистора с ОБ, т.к. при таком включение значительно возрастает верхняя рабочая частота до и др. Эквивалентная схема усилителя ОБ для тока и напряжения первой гармоники представлена как Рисунок 11. Рисунок 11 Эквивалентная схема усилителя Расчет выходного усилителя мощности Выбор типа транзистора Выбор транзистора осуществляется с учетом типа модуляции, диапазона рабочих частот, полосы пропускания, требований к управлению (способа перестройки), характера и параметров нагрузки, а также возможностей обеспечения заданного уровня выходной мощности.

скачать реферат Блок усиления мощности нелинейного локатора

Рабочая полоса частот: 20-500 МГц 2. Линейные искажения в области нижних частот не более 1.5 дБ в области верхних частот не более 1ю5 дБ 3. Коэффициент усиления 15 дБ 4. Выходная мощность 5 Вт 5. Диапазон рабочих температур: от 10 до 50 градусов Цельсия 6. Сопротивление источника сигнала и нагрузки Rг=Rн=50 Ом 3. Расчётная часть 3.1 Структурная схема усилителя. Зная, что каскад с общим эмиттером позволяет получать усиление около 7 дБ, оптимальное число каскадов данного усилителя равно трём. Предварительно распределим на каждый каскад по 6 дБ. Таким образом, коэффициент усиления устройства составит 18 дБ, из которых 15 дБ требуемые по заданию, а 3 дБ будут являться запасом усиления. Структурная схема, представленная на рисунке 3.1, содержит кроме усилительных каскадов корректирующие цепи, источник сигнала и нагрузку. Рисунок 3.1 3.2 Распределение линейных искажений в области ВЧ Расчёт усилителя будем проводить исходя из того, что искажения распределены как 1 дБ на каждый каскад БУМ. 3. Расчёт выходного каскада 3.3.1 Выбор рабочей точки Координаты рабочей точки можно приближённо рассчитать по следующим формулам , (3.3.3) где – начальное напряжение нелинейного участка выходных характеристик транзистора, .Возьмем Так как в выбранной мной схеме выходного каскада сопротивление коллектора отсутствует, то .

скачать реферат Радиолокационный приемник

Амплитудный линейный детектор (АД) выполняют на полупроводниковых диодах или транзисторах. Диодные полупроводниковые детекторы могут иметь как последовательные, так и параллельные схемы включения. Рис.15. Последовательная схема включения АД. Источником сигнала является колебательный контур Lк, Ск , индуктивно связанный с выходом резонансного усилительного каскада. К нему подключен детектор , образованный диодом Д и нагрузкой RC. Фильтр (Lф и его паразитная емкость Сф) - уменьшает высокочастотные пульсации выходного напряжения. Перед детектированием импульсы, принимаемые РЛ приемным устройством, согласно структурной схеме, проходят фильтровую обработку. Фо - представляет собой согласованный фильтр. Фильтр Фв - весовой сумматор на скользящем интервале. Рис.16.Весовой сумматор на скользящем интервале.Итак, коэффициенты устройств, входящих в структурную схему (до АД): Капч= 0.95, Кузп= 0.9, Кувч= 5.5, Купзк= 0.92, Кпч= 0.5, Купч= 1,6 после СФ (т.к. он ослабляет сигнал), необходимо ввести в схему усилитель с коэффициентом передачи: Кус= 10. Введем каскад с ОЭ. 8.Проектирование АПЧ.Для автоподстройки частоты гетеродина можно использовать частотный детектор приемника и управитель частоты (УЧАП), который должен работать при относительно медленном изменении частоты, вызванном нестабильностью передатчика и гетеродина приемника. Рис.16. Принципиальная схема АПЧ.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.