телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАКниги -30% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -30% Канцтовары -30%

все разделыраздел:Компьютеры, Программирование

Основные характеристики и параметры логических элементов

найти похожие
найти еще

Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Основные характеристики логических элементов Амплитудная передаточная характеристика UВЫХ = f(UBX) определяет формирующие свойства ЛЭ, его помехоустойчивость, амплитуду и уровни стандартного сигнала. Вид характеристики зависит от типа логического элемента (ЭСЛ, ТТЛ) и может изменяться в определенных пределах в зависимости от разброса параметров схем, изменений напряжения питания, нагрузки, температуры окружающей среды. Рассмотрим типовую амплитудную передаточную характеристику (АПХ) инвертирующего ЛЭ (рис. 2.1). В статическом состоянии выходной сигнал ЛЭ может находиться либо на верхнем (UB), либо на нижнем (UH) уровне напряжения. Асимптотический верхний (т. В) и асимптотический нижний (т. А) уровни логических сигналов находятся как точки пересечения АПХ (кривая 1) с ее зеркальным отображением (кривая 2) относительно прямой единичного усиления UВЫХ = UВХ. Разность является логическим перепадом UЛ выходных уровней ЛЭ. На практике из-за влияния помех и разбросов амплитудных передаточных характеристик для каждого типа ЛЭ устанавливается минимальный логический перепад: , где - соответственно верхний и нижний уровни выходного порогового напряжения. Выходные пороговые напряжения находят с помощью пороговых точек b и а на характеристике, в которых дифференциальный коэффициент усиления по напряжению KU=-1. Зоны статической помехоустойчивости ЛЭ по нижнему ()' и верхнему ()' уровням напряжения в комбинационных логических цепях определяются выражениями: где ()', ()' характеризуют максимально допустимые уровни статической помехи на входе ЛЭ в комбинационных логических цепях; — выходное пороговое напряжение нижнего уровня; - выходное пороговое напряжение верхнего уровня. Однако из-за наличия схем с положительной обратной связью в технической документации на все ИС зоны статической помехоустойчивости по входу ограничиваются входными пороговыми напряжениями: — по нижнему уровню и - по верхнему. Эти пороговые напряжения называются соответственно пороговым напряжением зоны переключения (порог зоны переключения) нижнего уровня и пороговым напряжением зоны переключения верхнего уровня. В зоне переключения, заключенной между пороговыми напряжениями, работа ЛЭ в статическом режиме запрещается. Рис. 2.1. Амплитудная передаточная характеристика инвертирующего ЛЭ Рис. 2.2. Разброс амплитудных передаточных характеристик логических элементов Таким образом, статическая помехоустойчивость ЛЭ по нижнему уровню входного сигнала определяется выражением а по верхнему уровню входного сигнала — выражением . Максимальная помехоустойчивость ЛЭ по нижнему и верхнему уровням достигается при идеальной амплитудной передаточной характеристике, для которой . Реализация характеристик, близких к идеальным, связана с известными трудностями вследствие технологического разброса параметров микросхем при изготовлении, изменения пороговых напряжений в зависимости от изменения напряжения питания и температуры окружающей среды в процессе эксплуатации. Поэтому реально зоны статической помехоустойчивости для каждого типа ЛЭ устанавливают на основании статистического анализа амплитудных передаточных характеристик. На рис. 2.2 заштрихованная область соответствует возможным разбросам амплитудных передаточных характеристик ЛЭ одного типа.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Война и мир в терминах и определениях

Вместе с тем придание образцу ВВСТ качества ремонтопригодности усложняет его конструкцию, требует дополнительных разъемов, а, значит, снижает надежность. Поэтому требование ремонтопригодности не является абсолютным по отношению ко всем образцам ВВСТ. Многие боеприпасы и даже более сложные образцы ВВСТ не обладают качеством ремонтопригодности. И это для них признается рациональным. СОСТАВНАЯ ЧАСТЬ НИР ПО ВОЕННОЙ ТЕХНИКЕ часть НИР, выполняемая по единому исходному техническому документу и замыслу (ТЗ) для решения отдельных вопросов, входящих в содержание НИР в целом. СРЕДСТВ ВООРУЖЕННОЙ БОРЬБЫ ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ параметры и критерии, определяющие возможность успешного применения этих средств, прежде всего, вооружения, военной и специальной техники для решения всей совокупности возлагаемых на них задач в различных условиях боевой обстановки. Включают такие важнейшие показатели, как боевая эффективность, мобильность, надежность, живучесть, круглосуточность, всепогодность, боевая универсальность, автономность, ремонтопригодность, моральное и физическое долголетие – «жизненный цикл» и т.п

скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Граничная частота или частота единичного усиления, составляющая для современных ОУ десятки МГц, определяется при коэффициенте усиления, равном единице . Обратите внимание на основной принцип применения ОУ – включение глубокой отрицательной обратной связи (ООС), позволяющей за счет избыточного коэффициента усиления обеспечить независимость параметров функционального узла от параметров ОУ. В частности, при введении сопротивления ООС коэффициент усиления определяется отношением резисторов на входе и в цепи ООС. Основные сведения об ОУ и принципах их применения содержатся в . 3 Цифровые ИМС Базовыми ячейками всех цифровых ИМС являются логические элементы, выполняющие логические операции И-НЕ, ИЛИ-НЕ . Особое внимание уделите изучению системы параметров интегральных логических элементов . Основные статические параметры логического элемента могут быть определены из передаточной характеристики. В основу классификации ИМС логических элементов положено их схемотехническое построение . Значительно облегчит понимание особенностей каждого вида ИМС логических элементов предварительное рассмотрение статического и динамического режимов простейших логических элементов.

Держатель для сумки "Jardin D'Ete" со стразами "Стихия колец".
Держатель для сумки стал неотъемлемой частью домашнего и офисного интерьера. И теперь выбор подарка для бизнес-леди не составит особого
944 руб
Раздел: Прочее
Кружка фарфоровая "FIFA 2018. Забивака. Франция", 480 мл.
Объем: 480 мл. Материал: фарфор.
389 руб
Раздел: Кружки, посуда
Фотобумага "Lomond" для струйной печати, А4, 120 г/м, 100 листов, односторонняя, матовая.
Формат: А4 (210х297 мм). Плотность -120 г/м2. Матовая. Односторонняя. Упаковка - 100 листов.
392 руб
Раздел: Фотобумага для цветной печати
 История средневековой арабо-исламской философии

Все эти трудности, слабости, ухищрения попадали в поле зрения и размышления философов. Так создавалась почва для критического взгляда на самодостаточность разума, характерную для средневекового рационализма, и тенденции выйти за пределы привычной рационалистической доктрины. Рекомендуемая литература Кобзев А.И. Учение о символах и числах в китайской классической философии. М., 1994. Рационалистическая традиция и современность. Индия. М., 1988. Рационалистическая традиция и современность. Ближний Восток. М., 1990. Щербатской Ф.И. Избранные труды по буддизму. М., 1988. 9. Связь «фалсафы» с наукой и практической деятельностью. Опыт как элемент знания Основная характеристика средневекового знания умозрительность. Логика как главный способ получения знания и его организации. Обнаружение недостаточности чисто логической аргументации истинности знания. Поиски достоверных оснований в исходных посылках. Обращение к опытно-практическому знанию как сфере получения исходных посылок. Основные параметры опытно-практического знания, новое понимание опыта по сравнению с античностью

скачать реферат Схемотехническое и функциональное проектирование вакуумной коммутационной аппаратуры

Как было отмечено ранее, для решения задач функционально-схемотехнического проектирования ВКА, относящегося к начальным стадиям конструирова- ния ТО (до детальной проработки) и формирующего на 70 - 80% облик будущего изделия , достаточно рассматривать ВКА в виде двуху- ровневой системы. Структурирование и формализация описания ВКА и этапов про- цесса ее функционального и схемотехнического проектирования выдви- гает в качестве основной задачи установление логических и функцио- нальных зависимостей между модулями ВКА, их параметрами и требова- ниями и условиями внешней среды. Сложность ВКА и указанных взаимосвязей требует системного подхода к анализу ВКА при ее проектировании . Для построения системной модели ВКА, необходимой для установления и раскрытия ее системных характеристик и выявления отношений между ними, предста- вим системное описание ВКА на начальных стадиях проектирования в виде двух групп соотношений: (2.1) (2.2) - 42 - где - множество функций; - множество структур; - мно- жество функциональных свойств; - множество свойств, проявляю- щихся при взаимодействии с окружением; - номер ФМ ВКА; - количество ФМ;, - соответственно множество существующих вариантов ВКА и ее элементов и множество отношений между ними; - множество целей проектирования ВКА; - множество соот- ветствий, определяющих уравнения функционирования и проектирования ВКА; - множество соответствий, оценивающих оптимальность ВКА; = 1,2 - уровень членения ВКА. Выражение (2.1) описывает системную модель ВКА как объекта конструирования, а выражение (2.2) - системную модуль процесса проектирования ВКА.

 Встраиваемые системы. Проектирование приложений на микроконтроллерах семейства 68HC12/HCS12 с применением языка С

Handbook of Operational Amplifier Circuit Design. New York: McGraw-Нill, 1976. 6.PHollander, M. А. Electrical signals and systems. New York: McGraw-Нill. 5.13. Вопросы и задания Основные 1.PЧто означают буквы «HC» в названии семейства микроконтроллеров 68HC12? 2.PНазовите и определите физический смысл 8 электрических параметров для входов и выходов серии логических элементов. Включите в свой ответ диаграммы входных и нагрузочных характеристик. 3.PНазовите 8 электрических параметров, характеризующих входы и выходы МК семейства 68HC12. Приведите диаграммы, которые связывают эти параметры. 4.PКакова максимальная нагрузка по току входов и выходов МК семейства 68HC12? 5.PЧто произойдет с VOH и VOL, если будет превышена нагрузка по току? 6.PКакие два условия должны быть выполнены, чтобы светодиод светился? 7.PПочему схема сопряжения со светодиодом, представленная на рис. 5.3, не будет работать? Предложите рабочий вариант схемы при условии, что прямой ток светодиода 15 мА, а прямое падение напряжения 1,7 В? 8.PОпишите два способы защиты от дребезга механических контактов. 9.PЧто такое выход с тремя состояниями? 10.PКак работает твердотельное реле? В каких случаях его следует использовать? Более сложные 1

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Базовые цепи генераторов стабильного тока или стабилизаторов тока. Каскады сдвига уровня и выходные каскады. Дифференциальный каскад (ДК). Идентичность параметров транзисторов и нагрузочных резисторов. Параметры и характеристики ОУ. Основной принцип применения ОУ – включение глубокой отрицательной обратной связи (ООС). 3 Цифровые ИМС. Основные виды цифровых ИМС: РТЛ, ДТЛ, ТТЛ и др. Системы параметров интегральных логических элементов. Логические элементы с барьером Шотки и логические элементы на основе переключателей тока. МДП транзисторные ключи. Транзисторные ключи на комплементарных структурах (КМДП). Интегральные логические элементы с инжекционным питанием (И2Л). Принципы построения триггеров и их типы. Триггер элементарная ячейка запоминающих устройств. Типы запоминающих устройств и их основные параметры. 4 Большие и сверхбольшие интегральные схемы (БИС и СБИС) Повышение степени интеграции основная тенденция развития микроэлектроники. Пути повышения степени интеграции и проблемы, связанные с созданием БИС и СБИС. Особенности базовых элементов БИС и СБИС ( -МДП, КМДП, И2Л). Приборы с зарядовой связью (ПЗС).

скачать реферат Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

При этом исходные данные представляют собой описание логической схемы на уровне библиотечных логических элементов, требования к его функционированию, описание конструкции БМК и библиотечных элементов, а также технологические ограничения. Требуется получить конструкторскую документацию для изготовления работоспособной матричной БИС. Важной характеристикой любой электронной аппаратуры является плотность монтажа. При проектировании матричных БИС плотность монтажа определяется исходными данными. При этом возможна ситуация, когда искомый вариант реализации не существует. Тогда выбирается одна из двух альтернатив: либо матричная БИС проектируется на БМК больших размеров, либо часть схемы переносится на другой кристалл, т. е. уменьшается объем проектируемой схемы Основным требованием к проекту является 100%-ная реализация соединений схемы, а традиционным критерием, оценивающими проект, суммарная длина соединений. Именно этот показатель связан с такими эксплуатационными параметрами, как надежность, помехоустойчивость, быстродействие. В целом задачи конструирования матричных БИС и печатных плат родственны, что определяется заранее заданной формой элементов и высоким уровнем унификации конструкций.

скачать реферат Разработка МПС на базе КР580

Особенности МПС Все микросхемы, входящие в состав комплекта КР580, выполнены по МДП технологии, однако входные и выходные сигналы соответствуют уровням логических схем ТТЛ-технологии. Это упрощает переходы между микросхемами серии КР580 и микросхемами ТТЛ-технологии любых серий. Следовательно, не возникает трудностей, если при построении микропроцессорной системы используются также некоторые микросхемы ТТЛ-технологии, имеющие широкое применение. Микросхемы комплекта КР580 характеризуются следующими параметрами: температурный диапазон: -10. 70 градусов по Цельсию; потребляемая мощность: (0,7 Вт; напряжение питания: КР580ВМ80А 5В, 12В, -5В, остальные БИС 5В; допустимое отклонение напряжения: 5%, -5%; нагрузочная способность каждого элемента БИС - один вход элемента ТТЛ; время спада и нарастания входных напряжений на выводах БИС (30нс. Основным элементом этого комплекта является БИС микропроцессора - КР580ВМ80А. Основные характеристики этого микропроцессора следующие: 1. Разрядность - 8 бит (1 Байт). 2. Максимальная тактовая частота f=2,5МГц, что соответствует быстродействию - 625000 опер./сек. 3. Объём адресуемой памяти V=65536 байт=64 килобайт.

скачать реферат Цифровые интегральные микросхемы

Общая характеристика цифровых интегральных микросхем и их параметрыПо функциональному назначения ЦИМС подразделяются на подгруппы : логические элементы ЛЭ, триггеры, элементы арифметических и дискретных устройств и другие. Внутри каждой подгруппы микросхемы подразделяются на виды, например виды логических элементов: И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ и т.д. Цифровые интегральные микросхемы выпускаются сериями. В состав каждой серии входят микросхемы, имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение, но относящиеся к различным подгруппам и видам. В зависимости от схемотехнической реализации ИЛЭ делятся на следующие типы: транзисторной логики (ТЛ), диодно-транзисторной логики (ДТЛ), транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), транзисторной логики на МОП-транзисторах(МОП ТЛ). Параметры ЦИМС подразделяются на статические и динамические. К статическим параметрам относятся: входное U0вх и выходное U0вых напряжение логического нуля, входное U1вх и выходное U1вых напряжение логической единицы, аналогично токи логической единицы и нуля, коэффициент разветвления по выходу Краз, определяющий число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу микросхемы (единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем); коэффициент объединения по входу Коб, определяющий число входов микросхемы, по которым реализуется логическая функция; допустимое напряжение статической помехи, характеризующее статическую помехоустойчивость микросхемы, то есть её способность противостоять воздействию мешающего сигнала, длительность которого превосходит время переключения микросхемы; средняя потребляемая мощность.

Кукла Эмили "Позаботься обо мне".
Малышка Эмили из коллекции "Енот" умеет пить и писать. В комплект входят аксессуары - бутылочка, соска-пустышка, горшок и
1293 руб
Раздел: Девочки
Набор смываемых мини-фломастеров, 16 шт.
Набор из 16 смываемых мини-фломастеров Crayola – идеальный комплект, который послужит развитию творческих способностей и фантазии,
589 руб
Раздел: 13-24 цвета
Одеяло летнее "Medium Soft", 140x205 см.
Одеяло Medium Soft Летнее Merino Wool 1,5 сп. Чехол - 100% микрофайбер. Наполнитель - овечья шерсть 100 гр/кв.м. Упаковка - фирменная
556 руб
Раздел: Одеяла
скачать реферат Логическая грамматика

Значение артикля также отличается. Вместо квантора с двумя операциями перехода оно было введено квантором с тремя операциями перехода. Первая операция перехода - квантование переменной X, вторая - для основной характеристики “a d” переменной X, третья - для точного определения характеристики (мощности множества) и ограничения области переменной X. ОБЛАСТЬ ПОНЯТИЙ ГРАММАТИК, ПОСТРОЕННЫХ НА ОПРЕДЕЛЕННЫХ ПРЕДЛОЖЕНИЯХ Экстрапозиционные грамматики (XGs) увеличивают мощь DCGs при перечислении контекстных зависимостей. Правила XG могут иметь в своей левой части более одного нетерминального символа и символ пробела “ “, выражающий случайную цепочку логических символов (терминальных и нетерминальных). Например, правило экстрапозиционной грамматики Rela ive-marker . . . compleme -> . утверждает, что относительное местоимение ” ha ” может быть проанализировано как относительный показатель, за которым следуют какие-нибудь неизвестные фразы и затем дополнение. XGs упрощают выражение синтаксических представлений и следовательно позволяют упростить трактовку семантических и логических описаний. Параметры для нетерминальных символов используются (как и в DCGs) для проверок согласования, производства дерева синтаксического анализа и ограничения возможности присоединения постмодификаторов.

скачать реферат Оперативное запоминающее устройство

одержание Особенности построения и основные параметры типовых ОЗУ.3 Классификация и основные характеристики ОЗУ.5 Статическая память Динамическая память Эволюция микросхем Страничный режим, расслоение SDRAM : день Истинная скорость Прогресс Микросхемы и Контроль Маркировка модулей Стандарт РС Логическая организация Дополнительная (expa ded) Расширенная (ex e ded) Список используемой Введение Под архитектурой ОЗУ принято понимать совокупность представлений о составе его компонентов, организации обмена информацией с внешней средой, а также о функциональных возможностях, реализуемых посредствам команд. Цель данной курсовой работы: анализ архитектуры, назначения и особенности различных поколений ОЗУ. Начиная с первых 16-разрядных микросхем памяти; чипов памяти, применяемых в сегодняшних РС(кэш-память, SRAM, DRAM); и перспективные направления развития оперативной памяти. Будут рассмотрены логическая организация памяти, быстродействие, синхронизация работы (по отношению к процессору), контроль чётности, режимы страничного доступа, расслоение ОЗУ на банки и пакетно- конвейерный режим.

скачать реферат Молекулярная электроника- электроника 21 века

Создание средствами молекулярной электроники искусственных нейронов, различного типа сенсоров, включенных в единую сеть, откроет путь к реализации всех потенциальных возможностей, заложенных в нейрокомпьютерной идеологии, позволит создать принципиально новый тип информационно-вычислительных систем и подойти вплотную к решению проблемы создания искусственного интеллекта. Бактериородопсин: структура и функции. Молекулярная электроника определяется как кодирование (запись), обработка и распознавание (считывание) информации на молекулярном и макромолекулярном уровне. Основное преимущество молекулярного приближения заключается в возможности молекулярного дизайна и производства приборов "снизу вверх", т.е. атом за атомом или фрагмент за фрагментом, - параметры приборов определяются органическим синтезом и методами генной инженерии. Двумя общепризнанными достоинствами молекулярной электроники являются значительное уменьшение размеров устройств и времени срабатывания (ga e propaga io delays) логических элементов. Биоэлектроника, являющая разделом молекулярной электроники, исследует возможность применения биополимеров в качестве управляемых светом или электрическими импульсами модулей компьютерных и оптических систем.

скачать реферат Разработка цифрового таймера

В главе 2, - “Разработка структурной схемы” - по результатам анализа, была разработана структурная схема УВВ с диапазоном выдержек от 1 до 9999 условных интервалов времени. В главе 3 - “Характеристика применяемой элементной базы”- рассмотрены основные параметры применяемых элементов. В главе 4 – “Разработка принципиальной схемы” - для каждого блока структурной схемы был рассмотрен вариант реализации на ИМС серии К555, а также расчет конструктивных параметров печатной платы устройства. В главе 5 – “Расчет источника питания” - приводится расчет сетевого источника питания, включающий расчет стабилизатора напряжения и сетевого трансформатора. В заключение приводится список литературы содержащий 11 источников. К расчетно-пояснительной записке прилагается четыре чертежа: . “Структурная схема” . “Принципиальная схема” . “Печатная плата” . “Временные диаграммы состояний индикаторов” Анализ функций устройств выдержки времени. Если проанализировать схемы различных вариантов устройств выдержки времени (УВВ),то можно сделать вывод, что алгоритм действия устройств во всех случаях одинаковый.

скачать реферат Сплавы магнитных переходных металлов

Существенно, что в методе когерентного потенциала эффект рассеяния электронов вследствие неупорядоченности описывается комплексной величиной, а именно когерентным потенциалом. С точки зрения квантовой механики в этом нет ничего необычного. Напомним, что при многократном рассеянии волны на произвольном ансамбле рассеивателей вводится усредненная по ансамблю волновая функция, а потенциал в уравнении Шредингера становится комплексным . Мнимая часть потенциала описывает поглощение вследствие рассеяния. Основная характеристика спектра возбуждений системы есть плотность состояний на единицу энергии D((). Она определяется мнимой частью функции Грина =GCPA. На основе одночастичной плотности состояний с помощью метода когерентного потенциала можно хорошо описать поведение параметра асферичности ( для сплавов i, Fe и Co . Параметр асферичности является важной характеристикой, экспериментально измеряемой с помощью рассеяния медленных нейтронов и определяется следующим соотношением: g/ ( (79)где ( eg - магнитный элемент, определяемый электронами в состояниях eg- типа, ( - полный спиновый магнитный момент.

Форма для выпечки "Имбирный домик".
Красивая подача десерта приносит не меньшее удовольствие, чем его безупречный вкус! Миниатюрный кекс "Имбирный домик",
303 руб
Раздел: Товары с новогодним дизайном
Карандаши цветные "Крот", 36 цветов.
Карандаши для детского творчества дома и в школе. Яркие насыщенные цвета, мягко пишут, легко стираются ластиком. Шестигранный корпус
315 руб
Раздел: Более 24 цветов
Звуковой плакат "Песенки-потешки".
Представляем Вашему вниманию уникальную новинку — развивающие звуковые плакаты, которые содержат стихотворения, занимательные и
780 руб
Раздел: Электронные и звуковые плакаты
скачать реферат Бактериородопсин для хранения данных

Бактериородопсин: структура и функции. Молекулярная электроника определяется как кодирование (запись), обработка и распознавание (считывание) информации на молекулярном и макромолекулярном уровне. Основное преимущество молекулярного приближения заключается в возможности молекулярного дизайна и производства приборов "снизу вверх", т.е. атом за атомом или фрагмент за фрагментом, - параметры приборов определяются органическим синтезом и методами генной инженерии. Двумя общепризнанными достоинствами молекулярной электроники являются значительное уменьшение размеров устройств и времени срабатывания (ga e propaga io delays) логических элементов. В принципе, темпы развития компьютерных технологий таковы, что размеры полупроводниковых чипов согласно закону Мура приблизятся к молекулярным аналогам около 2030 года, что, однако, потребует значительных финансовых затрат. Выходом из положения может стать гибридная молекулярная и полупроводниковая технология, первым коммерческим успехом которой стали жидкокристаллические дисплеи (LCD).

скачать реферат Единство вещества, энергии и информации – основной принцип существования живой материи

Точно так же, как мы свободно узнаём любую букву русского алфавита по её очертаниям, так и управляющая система живой клетки легко тестирует и узнаёт любой биохимический элемент по составу его функциональных и боковых атомных групп, их строению, форме и химическим свойствам. Кроме отличительных химических свойств каждая буква или символ биологического алфавита обладает ещё и своим структурным и стерическим рельефом, который как бы дополняет его химическую информационную составляющую. Получается так, что если, к примеру, информация в структурном рельефе обыкновенного ключа является его основной характеристикой, то информация биохимических элементов состоит и слагается из разных составляющих – структурной и химической. А эти компоненты, как известно, играют ведущую роль при комплементарных – информационных взаимодействиях. То есть, как структурная, так и физико-химическая составляющие каждого элемента являются его информационными параметрами. Иными словами, в основе представления молекулярной биологической информации лежит принцип эквивалентности структурно-химических и информационных компонентов.

скачать реферат Разработка цифрового таймера

В этом состоянии устройство будет находится до окончания счета, либо до нажатия на клавишу “Сброс”. По окончании счета логический ноль с соответствующего выхода СВВ поступит на входы элемента DD4, играющего роль инвертора, и далее через VD1, на вход С триггера. Логический ноль со входа D перепишется на выход триггера и отключит исполнительное устройство. Элементы VD1, VD2 и R2 представляют собой простейший логический элемент ИЛИ. Их применение позволило отказаться от микросхемы с элементами ИЛИ и обойтись имеющимися лишними элементами микросхемы К555ЛАЗ. Сопротивление резистора R2 подобрано экспериментально и равняется 2,7 кОм. Характеристики использованных микросхем К555ТМ2 и К555ЛА3 приведены выше. Генераторное оборудование 1) Тактовый генератор Тактовый генератор является одним из основных элементов цифрового таймера. От точности установки частоты этого генератора зависит точность интервала выдержки. В цифровых таймерах применяют, как правило, высокостабильные кварцевые генераторы, которые устанавливают в специальные термостатирующие устройства, поддерживающие постоянную температуру окружающей среды.

скачать реферат Расчет преобразователя

В режиме приема деформация изгиба пластины / вызывает механические напряжения, которые приводят к появлению разности потенциалов на электродах 3. Подобную колебательную систему называют полупассивной. Таковы физические предпосылки создания механических колебательных систем, реализующих принцип действия пластинчатых преобразователей. На практике для наибольшей эффективности пластинчатых преобразователей стремятся создать условия закрепления биморфных элементов, близкие к свободному опиранию краев. Так, для одного и того же прямоугольного биморфного элемента при двух свободно опертых краях и двух свободных собственное число для низшей частоты Xi = 3,14, а при двух жестко заделанных краях—Xi -= 4,73, что соответствует различию их резонансных частот в (4,73/3,14)2 = 2,27 раза. Чтобы рассчитать электроакустические характеристики и параметры пластинчатого преобразователя с помощью эквивалентной электромеханической схемы необходимо знать его эквивалентные параметры: массу мэкв, гибкость Сэкв и КЭМТ . Их определяют в каждом конкретном случае через формы колебаний, размеры и упругие параметры биморфных элементов. Круглые преобразователи. Основные элементы пластинчатых преобразователей подобного типа — круглые в плане биморфные элементы, работающие на поперечных колебаниях изгиба.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.