телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАРыбалка -30% Бытовая техника -30% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Полупроводниковые пластины. Методы их получения

найти похожие
найти еще

Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях народного хозяйства. Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, неукоснительного соблюдения технологической дисциплины и обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов и вакуумной гигиены в производственных помещениях. Фотолитографические процессы - важнейшая составная часть технологии изготовления микроэлектронных приборов. Именно они обеспечивают формирование элементов структур с субмикронными размерами и хорошую их воспроизводимость. На современном обо- рудовании достигается разрешающая способность, позволяющая получать несколько тысяч линий на миллиметр. Необходимым условием качественной фотолитографии является наличие бездефектных высокоточных фотошаблонов. § 1. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОРОВ И МИКРОСХЕМ Общая схема технологического процесса Возникновение современной технологии полупроводниковых приборов относится к 1957-1958 гг., когда были открыты локальная диффузия по оксидной маске и фотолитография. Сочетание этих методов заложило основу планарной ( pla e - плоскоcть ) технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС). В настоящее время она является доминирующей технологией полупроводникового производства. Планарную технологию применяют для создания твердотельной структуры, содержащей полупроводниковый кристалл с определеннным распределением легирующих элементов ( p- - переходов ), систему внутренних соединений с диэлектрической изоляцией, а также для формирования внешних выводов этой структуры и ее защиты. Общая технологическая схема процессов производства полупроводниковых приборов показана на рис. 1. Она включает комп лексы подготовительных процессов, процессов групповой и индивидуальной обработки. В комплекс подготовительных процессов входят: инженерное проектирование схемы, разработка ее топологии и соответствующего комплекта фотошаблонов, а также ряд заготовительных операций - подготовка полупроводниковых подложек, корпусов приборов и др. Формирование самой структуры прибора происходит при групповой обработке, которая состоит из процессов окисления, диффузии примесей, эпитаксии, вакуумного напыления, фотолитографии и технохимической обработки. Развернутая схема групповой обработки пластины при формировании прибора на примере эпитаксиально-планарной структуры представлена на рис. 2. Показанная на схеме часть технологического процесса изготовления приборов связана с одновременным получением множества идентичных структур (кристаллов) на одной полупроводниковой пластине.

В большинстве случаев диффузию проводят в окислительной атмосфере. Температура диффузионного легирования кремния 1050- 1200°С. Диффузия в полупроводник в большинстве случаев происходит за счет перемещения диффундирующих частиц, по вакантным узлам кристаллической решетки. Кроме этого, возможны прямой обмен атомов местами в узлах кристаллической решетки и перемещение атомов по междоузлиям. В качестве легирующих примесей выбирают элементы, имеющие достаточно высокую скорость диффузии и хорошую растворимость в полупроводнике при температуре диффузии. Для кремния в каче стве диффузантов чаще всего используют элементы III и V групп таблицы Д. И. Менделеева. Основной донорной примесью является фосфор, который по сравнению с часто применяемыми сурьмой и мышьяком имеет более высокую скорость диффузии в кремний. В качестве акцепторных примесей используют алюминий, галлий, индий и бор. Бор применяют наиболее часто, поскольку он обладает наиболее высокой предельной растворимостью. Одним из эффективных способов создания р- -переводов является ионное легирование. Ионы легирующего вещества, обладающие высокой энергией, направляются на поверхность полупроводника и внедряются в его кристаллическую решетку. При этом ионы вызывают каскад смещений атомов полупроводника, приводя к образованию аморфизированных областей, в которых кристаллическая структура решетки нарушена. Для получения высокой концентрации активных примесей (помещения их в узлы кристаллической решетки) и восстановления кристаллической структуры полупроводника после ионного легирования требуемся отжиг, который проводят при 400-700°С. Внедренные и смещенные атомы при этих температурах приобретают подвижность, достаточную для перехода в вакантные узлы и упорядочения структуры. Процесс ионного внедрения характеризуется энергией ионов, плотностью тока ионного пучка, дозой облучения. Изменяя пара метры ионного пучка, можно управлять профилем распределения концентрации внедренных ионов и с высокой точностью изменять концентрацию примесей в полупроводнике. Эпитаксия. Это технологический процесс выращивания тонких монокристаллических слоев полупроводника на монокристалличеcкиx подложках. Материал подложки в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла, а получаемая пленка является продолжением ее структуры. Характерной особенностью эпитаксии является возможность формирования слоев с заданными электро- физическими свойствами и геометрическими размерами. Так, если в процессе эпитаксиального выращивания наряду с атомами полупроводника в росте пленки участвуют и атомы легирующего элементa, то на границе раздела пленка - подложка можно получить p- -переход или изотопные переходы - и р -р. Таким образом, в тонких слоях (2-10 мкм) эпитаксиально-планарных структур создаются элементы ИМС, а подложка толщиной 500 мкм яв ляется несущей конструкцией. При создании приборов диффузионным легированием число диффузионных процессов может быть ограниченно. Так, при проведении трех диффузионных процессов трудно получить нужную концентрацию примеси в нижнем слое, в особенности если он должен иметь высокое удельное сопротивление, т. е. низкую концентрацию носителей.

А л м а з н ы й к р у г с в н у т р е н н е й р е ж у щ е й к р о м к о й. (AКВP) обеспечивает разделение слитков достаточно большого диаметра (до 200 мм) с высокой производительностью, точностью и малыми потерями дорогостоящих полупроводниковых материалов. Круг АКВР представляет собой металлический кольцеобразный корпус толщиной 0,05-0,2 мм, на внутренней кромке которого закреплены алмазные зерна, осуществляющие резание. Корпус изготовляют из высококачественных коррозионно-стойких хромоникелевых сталей с упрочняющими легирующими добавками. В отечественной промышленности для корпусов используют сталь марки 12Х18Н10Т. Формообразование ленты производят способом холодной прокатки, в результате чего достигается прочность на разрыв до 1760-1960 МПа. Недостатком холодной прокатки является возникновение у ленты анизотропии механических свойств, что объясняется деформацией и направленной ориентацией зерен, образующих структуру стали. Анизотропия текучести ленты в направлении прокатки и в направлении, перпендикулярном ей, препятствует равномерному натяжению корпуса круга. Уменьшить анизотропию можно совершенствованием исходной структуры стали до прокатки и применением термообработки. Алмазосодержащий режущий слой на внутренней кромке корпуса формируют гальваностегией. В электролотическую ванну посещают корпуса, защищенные изоляторами по всей поверхности, исключая внутреннюю кромку. Ванну заполняют электролитом и засыпают в нее алмазный порошок требуемой зернистости. При пропускании постоянного электрического тока между анодом и корпусами на внутренней кромке осаждается металлический слой, захватывающий и прикрепляющий к корпусу алмазные зерна. осаждаемый металлический слой называется связкой. Чаще всего это никель или кобальт. Толщина режущей кромки в два-три раза больше толщины корпуса. Размер алмазных зерен, закрепленных на внутренней кромке, выбирают в зависимости от физико-механических свойств разрезаемого полупроводникового материала (таердости, хрупкости, способности к адгезии, т. е. прилипанию к режущей кромке). Как правило, для резки кремния целесообразно использовать алмазные зерна с размером основной фракции 40-60 мкм. Зерна должны быть достаточно прочными и иметь форму, близкую форме правильных кристаллов. Германий и сравнительно мягкие полупроводниковые соединения типа А3В5 (арсенид галлия, арсенид индия,антимонид индия, фосфид галлия и др.) целесообразно резать алмазами, размер зерен основной фракции которых 28-40 мкм. Требования к прочности этих зерен не столь высоки, как при резке кремния. Монокристаллы сапфира, корунда, кварца, большинства гранатов разделяют высокопрочными кристаллическими алмазами размер зерен основной фракции которых 80-125 мкм. В связи с тем что диаметры слитков и механические свойства разрезаемых материалов разнообразны, используют круги АКВР различных типоразмеров. Характеристики наиболее распространенных из них приведены в табл-З. Схему резки полупроводникового слитка кругом АК.ВР показана на рис. 22. Круг 1 растягивают и закрепляют на барабане 2, который приводят во вращение вокруг своей оси.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Социальная философия

Важнейшим свойством компьютеров явиляется работа с информацией. Привлекательна скорость обработки информации. Буквально ошеломила скорость уже первых машин - 5 тыс. операций в секунду. Специалисты отмечают, что компьютеры первого поколения были способны обеспечить решение крайне трудоемких вычислительных задач, которые могли оказаться не по силам человеку или потребовали бы для своего выполнения продолжительной работы целой армии вычислителей. Улучшение конструкции машины (особенно замена 18 тыс. электронных ламп полупроводниковыми транзисторами) позволило не только сократить их размеры и вес, но главное - значительно увеличить быстроту операций. Серийное производство компьютеров второго поколения началось в США с 1960 года. За этим последовало создание (в 1963-1980 годах) машин третьего и четвертого поколений; основу их конструкций составляли так называемые большие и сверхбольшие интегральные схемы на полупроводниковых пластинах миниатюрных размеров; скорость вычислений была доведена до нескольких сот миллионов операций в секунду

скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1). Рис. 1. Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин: 1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления. Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС.

Логическая игра "IQ-Твист".
IQ-Твист - логическая игра, головоломка для взрослых и детей. Увлекательный способ проверить своё пространственное восприятие. Игра
547 руб
Раздел: Игры логические
Швабра плоская с декором "Premium" (микрофибра).
Швабра плоская с декором "Premium". Чистящая поверхность тряпки изготовлена из микрофибры. Данный материал обладает повышенной
640 руб
Раздел: Швабры и наборы
Шкатулка "Фермерский шик" - В (25,5x18,5x11 см).
Короб шкатулки выполнен из ткани. Ручка из бусин. Внутри пластиковый поддон с разделителями. Шкатулка очень удобна в использовании, и к
492 руб
Раздел: Шкатулки для рукоделия
 Теория функций, Функционика (Модель личности по Аугустинавичуте)

Ментальное восприятие предполагает известное расстояние до изучаемого , витальное - наоборот , слияние с ним . А к ц е п т н о с т ь - п р о д у к т и в н о с т ь ф у н к ц и й Акцептные элементы "отражают , фотографируют , репродуцируют действительность и обеспечивают психику объективной информацией . Это всегда то , что находится во внешнем мире вне психики . Это всегда отражение объективного мира , информация про объективный внешний мир. И про себя самого, как про частицу этой объективности. Следует отметить , что акцептному элементу всегда присуще чувство эмпатии или чуство какой-то слитности с отражаемым . Эти элементы воспринимают и акцептируют то , что есть вовне". Эта информация воспринимается как объективная данность , которую можно воспринимать, воспроизводить ( репродуцировать ) и использовать . "Коммуникат продуктивность элемента - это то , что извлекается из акцептным методом полученной информации . Этот элемент можно назвать творческим , потому что в том , что он извлекает из акцептным методом полученной информации , есть частица того , чего нет и не было в объективном мире

скачать реферат Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела

Обезжиривание — первая операция при жидкостной очистке. Сухая очистка применяется на этапе формирования элементов и межэлементных соединений микросхем и, как правило, выполняется непосредственно перед проведением ответственных технологических процессов (напыление пленок, литография) или совмещена, т. е. проводится в одном оборудовании, с последующей обработкой (например, с получением термического оксида, с эпитаксиальным наращиванием полупроводниковых слоев). Методы сухой очистки исключают необходимость применения дорогостоящих и опасных в работе жидких реактивов, а также проблемы межоперационного хранения пластин и подложек и очистки сточных вод, которые являются немаловажными при использовании жидких средств очистки. Кроме того, процессы сухой очистки более управляемы и легче поддаются автоматизации. С точки зрения механизма процессов все методы очистки можно условно разделить на физические и химические (см. рисунок 1). При физических методах загрязнения удаляются простым растворением, отжигом, обработкой поверхности ускоренными до больших энергий ионами инертных газов.

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ШАЛАШНИКИ - то же, что беседковые птицы. ШАЛВА Ксанский (ум. 1660; по др. данным в 1664) - святой, грузинский князь, один из руководителей Кахетинского восстания 1659. Память в Православной церкви 18 сентября (1 октября). ШАЛИ - город (с 1990) в Российской Федерации, Чечня, в 18 км от ж.-д. ст. Аргун. 26,8 тыс. жителей (1993). Центр сельскохозяйственного района. Пищевая промышленость. ШАЛИММУ и ШАХАРУ (Шалим И Шахар) - в западносемитской мифологии боги вечерней и утренней зари, приносящие благоденствие. ШАЛИН Радий Евгеньевич (р. 1933) - российский ученый, член-корреспондент РАН (1994). Труды по созданию конструкционных материалов для авиационной техники и технологии их производства. Ленинская премия (1981). ШАЛЛ (Shull) Клифорд (р. 1915) - американский физик. В 1951 разработал с сотрудниками метод получения поляризованных нейтронов, который нашел широкое применение при исследовании свойств нуклонов, структуры ядра, в физике твердого тела. Развил метод дифракции нейтронов. Нобелевская премия (1994, совместно с Б. Брокхаузом)

скачать реферат Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин

Весь комплекс технологического оборудования, предназначенный для производства полупроводниковых приборов, можно разделить на десять основных групп: оборудование для входного контроля исходных материалов, обработки полупроводников, создания электронно- дырочных переходов и получения невыпрямляющих контактов, изготовление корпусов, сборки приборов, измерения из параметров, испытания и выполнения заключительных операций, а также вспомогательное оборудование для получения чистых газов, воды, химических реактивов и изготовления фотошаблонов. Итак, высокая точность, малые размеры и массовость производства полупроводниковых приборов привели к механизации и автоматизации наиболее трудоёмких процессов и созданию высокопроизводительных полуавтоматических и автоматических установок и агрегатов. Используемые материалы при работе на оборудовании для ориентации полупроводниковых пластин. Область использования и общая характеристика оборудования для ориентации полупроводниковых пластин. Основными полупроводниковыми материалами, применяемыми для изготовления полупроводниковых приборов, являются германий и кремний. Эти материалы имеют кристаллическую структуру, но для изготовления полупроводниковых приборов используют монокристаллы германия и кремния, т.е. полупроводники с правильной кристаллической структурой, превращенные в единый кристалл.

скачать реферат Электронные и микроэлектронные приборы

Большое достоинство данного метода состоит также в том, что при наличии на пластине ступенек, молекулы химически активных газов обтекают эти неровности и пленка повторяет форму пластины. Метод химического осаждения из газовой фазы при низком давлении широко применяется преимущественно для получения пленок поликристаллического кремния и нитридов кремния. При попытках использования этого метода для формирования других пленок возникает ряд проблем. Так, в случае формирования защитных пленок фосфорсиликатного стекла (применяющихся для защиты поверхности ИС) приходится считаться с зависимостью диаметра пластин от диаметра камеры, в которой производится обработка. Предпринимались попытки оптимизации этой зависимости с целью достижения наилучшей равномерности толщины пленок, но пока не удалось получить удовлетворительных результатов для практических применений. Например, для получения пленок, содержащих фосфор и мышьяк, в камеру наряду с моносиланом необходимо вводить в малых количествах такие газы, как фосфин и арсин, что приводит к существенному снижению скорости формирования пленок и ухудшению равномерности пленки по толщине.

скачать реферат Нитрид бора и его физико-химические свойства

СОДЕРЖАНИЕ: ВВЕДЕНИЕ: 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА 2. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДА БОРА (куб.) 3. СВОЙСТВА БОРАЗОНА 4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА. 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА. 6. ПРИМЕНЕНИЕ БОРАЗОНА. 7. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ. 8. ВЫВОДЫ. 9. ЛИТЕРАТУРА. ВВЕДЕНИЕ: Группа полупроводниковых соединений типа AIIIBV на основе бора - одна из наименее изученных среди полупроводниковых соединений с алмазоподобной структурой. Однако эти соединения представляют большой интерес из-за их высокой химической стойкости, большой ширины запрещённой зоны и других специфических свойств. Эти свойства обусловлены особым положением бора в периодической системе. Бор принадлежит к тем элементам второго ряда периодической системы, атомы которых характеризуются наиболее прочными связями. Бор – проводник весьма тугоплавкий (~23000С) и твёрдый (~3000кг/мм2).Всё это даёт основание полагать, что, соединения типа AIIIBV на основе бора будут обладать интересными свойствами. Общая характеристика кубического нитрида бора (боразона)B . Нитрид бора B -электронный аналог углерода. Как химическое соединение он известен уже свыше 100 лет.

скачать реферат Магнитометры

Диаграмма фазового равновесия системы b-S приведена на рисунке: oC 2500 ( ж 2000 2000 ( Ж 1500 b3S 3 ( b3S 910-920 1000 b3S 840-860 500 805-820 bS 7 232-234 b 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 S Соединение b3S хрупко и изделие из него не могут бать получены обычным металлургическим путем, т.е. выплавкой с последующей деформацией. Массивные изделия из этого соединения: цилиндры, пластины и т.д. получают, как правило, металлокерамическим методом, т.е. смешивая в соответствующих пропорциях порошки ниобия и олова, прессуя изделия нужной формы и нагревая их до температуры образования химического соединения b3S , обычно в интервале 960-1200O.Получение джозефсоновских переходов.Джозефсоновские туннельные переходы представляют собой две тонкие сверхпроводящие пленки разделенные барьерным слоем диэлектрика или полупроводника. Рассмотрим некоторые из методов получения переходов с диэлектрическим барьером. На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая пленка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.

Фоторамка "Poster black".
Рамка может располагаться как вертикально, так и горизонтально. Экран у рамки пластиковый. Для фотографий размером: 30х40см. Материал рамки: пластик.
332 руб
Раздел: Размер 30x40
Светильник "Плазма №5".
Размеры светильника: 22х11х11.5 см. Диаметр лампы: 11 см. Плазменный светильник в виде шара на подставке, при включении создаёт внутри
1191 руб
Раздел: Необычные светильники
Универсальная вкладка для дорожных горшков (голубой).
Вкладка для дорожных горшков подойдет для любого дорожного горшка, она хорошо ложится на сиденье, обеспечивая комфорт и удобство в
664 руб
Раздел: Прочие
скачать реферат Печатные платы

Лазерное скрайбирование применяется в крупносерийном производстве для разделения пластин кремния диаметром до 76 мм. Арсенид галлия нельзя скрайбировать лазерным лучом из-за выделения токсичных соединений мышьяка. 3 Обработка поверхности пластин Полученные полупроводниковые пластины нельзя сразу использовать для производства интегральных микросхем. Сначала они должны пройти предварительную обработку. Поверхность пластин после резки весьма неровная: размеры царапин, выступов и ямок иногда намного превышают размеры будущих структурных элементов. Поэтому перед началом основных технологических операций пластины многократно шлифуют, а затем полируют. Цель шлифовки помимо удаления механических дефектов состоит также в том, чтобы обеспечить необходимую толщину пластины (200 ( 300 мкм), недостижимую при резке и параллельность плоскостей. 3.1 Шлифовка Под шлифованием понимают процесс обработки поверхностей заготовок на твердых дисках – шлифовальниках из чугуна, стали, латуни, стекла и других материалов с помощью инструментов – шлифовальников и абразивной суспензии (обработка свободным абразивом) или с помощью алмазных шлифовальных кругов (обработка связанным абразивом).

скачать реферат Распределение примесей в кремнии

Непрерывная диффузия в этом случае приводит к постоянному понижению поверхностной концентрации примеси в полупроводнике. Эту особенность данного процесса используют в полупроводниковой технологии для получения контролируемых значений низкой поверхностной концентрации примеси, например, для создания базовых областей кремниевых транзисторных структур дискретных приборов или ИМС. На первом этапе процесса проводится кратковременная диффузия (при пониженных температурах) из постоянного источника, распределение примеси после которой описывается выражением (18). Значение o при этом велико и определяется либо пределом растворимости данной примеси в полупроводниковом материале, либо концентрацией примеси в стеклообразном слое на поверхности полупроводника. Этот этап часто называют загонкой. После окончания первого этапа пластины помещают в другую печь для последующей диффузии, обычно, при более высоких температурах. В этой печи нет источника примеси, а если он создается на первой стадии в виде стеклообразного слоя на поверхности пластин, его предварительно удаляют.

скачать реферат Методы получения тонких пленок

В отраслях промышленности, производящих электронные, в том числе микроэлектронные устройства, используют разнообразные технологические процессы, в которых исходные материалы и полуфабрикаты преобразуются в сложные изделия, выполняющие различные радио-, опто- или акустоэлектрические функции. При изготовлении всех видов полупроводниковых приборов и ИМС в том или ином объеме используется технологический процесс нанесения тонких пленок в вакууме – тонкопленочная технология. В данной работе представлены основные методы получения тонких пленок, их схемы работы, а так же достоинства и недостатки этих методов. Физические вакуумные методы Физические методы осаждения различных материалов хорошо известны и достаточно подробно обсуждаются в научной литературе. Можно сказать, что все эти технологии возможны для получения оксидных пленок. Ниже приведен краткий обзор этих методов получения пленок в вакууме. Термовакуумное напыление Термовакуумный метод получения тонких пленок основан на нагреве в вакууме вещества до его активного испарения и конденсации испаренных атомов на поверхности подложки.

скачать реферат Изобретение фотографии и кинематографа

Это выдающееся изобретение легло в основу всего последующего развития фотографии. Существо процесса заключается в том, что медная пластина, покрытая тонким слоем серебра, тщательно отполированная до зеркального блеска, помещается в специальный ящик, полированной стороной вниз. Снизу ящика под пластиной помещается чашка с кристаллическим йодом. При подогреве йод начинает возгоняться и пары его сублимируются на полированной серебряной пластине. Йод вступает в реакцию с серебром, и пластина покрывается тонким слоем йодистого серебра, становясь светочувствительной. Такая чувствительная пластина экспонировалась в камере-обскуре с очковой линзой. После экспонирования пластину помещали в тот же ящик, но теперь в чашку вместо йода наливали ртуть. При подогревании она испарялась, в пары ее оседали на поверхности экспонированной пластинки только в тех местах, где подействовал свет, давая при этом отчетливое позитивное изображение объекта. Тальботипия Одновременно с Ж. Н. Ньепсом в Англии над методами получения фотоизображения работал видный ученый того времени Вильям Генри Фокс Тальбот (1800-1877).

скачать реферат Защита салона автомобиля от съема информации

В качестве возможных решений можно предложить следующие приборы: 1. Генератор акустического шума W G-023. Предназначен для защиты переговоров от прослушивания в замкнутых пространствах (тамбур, салон автомобиля, небольшие кабинеты и пр.) за счет генерации «белого» шума в акустическом диапазоне частот, что обеспечивает снижение разборчивости после записи или передачи по каналу связи. Технические характеристики приведены в таблице 3.5 Таблица 3.5 – Технические характеристики W G-023. Диапазон частот 100-12000Гц Максимальная выходная мощность 1 Вт Габариты 111x70x22 мм Питание 220/9 В Самым простым методом получения белого шума является использование шумящих электронных элементов (ламп, транзисторов, различных диодов) с усилением напряжения шума . Принципиальная схема несложного генератора шума приведена на рис 3.5. рис 3.5 Генератор шума Источником шума является полупроводниковый диод - стабилитрон VD1 типа КС168, работающий в режиме лавинного пробоя при очень малом токе. Сила тока через стабилитрон VD1 составляет всего лишь около 100 мкА. Шум, как полезный сигнал, снимается с катода стабилитрона VD1 и через конденсатор С1 поступает на инвертирующий вход операционного усилителя DA1 типа КР140УД1208.

Глобус физический, диаметр 210 мм.
Диаметр: 210 мм. Масштаб:1: 60000000. Материал подставки: пластик. Цвет подставки: чёрный. Размер коробки: 216х216х246 мм. Шар выполнен из
362 руб
Раздел: Глобусы
Подарочная расчёска для волос "Дашенька".
Стильная детская расчёска дарит радость и комфорт. Этот практичный аксессуар по достоинству оценят как маленькие модницы, так юные
372 руб
Раздел: Расчески, щетки для волос
Средство для мытья посуды Finish "Power Powder", (лимон), порошкообразное, 2,5 кг.
Порошок предназначен для мытья посуды в посудомоечных машинах. Он имеет в составе компонент "Stain Soaker" с эффектом
666 руб
Раздел: Для посудомоечных машин
скачать реферат Разработка твёрдосплавной развёртки

Это позволяет исключить во время изготовления инструмента погрешности базирования. Развертка изготавливается из стали 9ХС с напайными пластинами из твердого сплава ВК6-М. Это облегчает процесс обработки инструмента и позволяет сэкономить дорогостоящие материалы. Также имеется возможность применить прогрессивные технологические процессы и средства автоматизации производства. Однако к развертке предъявляются очень высокие требования по точности и качеству обрабатываемых поверхностей. Это приводит к необходимости использовать различные типы высокоточного оборудования и контрольно- измерительного инструмента. 1.4. ОБОСНОВАНИЕ И ВЫБОР МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ ЗАГОТОВКИ Развертка является телом вращения, поэтому наиболее выгодно поставлять заготовки в виде круглого прутка. Получать заготовки штамповкой невыгодно, так как для этого необходимы дорогие штампы. В условиях среднесерийного производства оптимальным будет изготовление заготовок прокатом. Прутки изготовляются коваными, горячекатаными, холоднотянутыми (калиброванными) и холоднотянутыми шлифованными (серебрянка). Кованую быстрорежущую сталь, поставляемую диаметром 40 - 200 мм, применяют для изготовления режущих инструментов больших размеров, например для сверл, концевых фрез диаметром 50 - 80 мм.

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или диффузионного слоя и покрытую слоем двуокиси кремния SiO2 или нитрида кремния Si3 4. Границу пластины и пленки можно с большой долей правдоподобия принять отражающей, т.к. коэффициенты диффузии большинства примесей в кремнии на несколько порядков больше, чем в двуокиси кремния и нитриде. Однако, равномерность распределения примеси в источнике, особенно при его создании методом диффузии или имплантации - весьма грубое и вынужденное приближение. 1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей Решение диффузионного уравнения при этих условиях находится из предыдущего при h?и условии, что количество диффузанта в источнике Q= oh. (26) Приведенное выражение представляет собой Гауссово распределение. Тонкий слой на поверхности полупроводниковой пластины является источником, который очень быстро истощается. Непрерывная диффузия в этом случае приводит к постоянному понижению поверхностной концентрации примеси в полупроводнике.

скачать реферат Защита салона автомобиля от съема информации

Предназначен для защиты переговоров от прослушивания в замкнутых пространствах (тамбур, салон автомобиля, небольшие кабинеты и пр.) за счет генерации «белого» шума в акустическом диапазоне частот, что обеспечивает снижение разборчивости после записи или передачи по каналу связи. Технические характеристики приведены в таблице 3.5Таблица 3.5 – Технические характеристики W G-023. Диапазон частот100-12000Гц Максимальная выходная мощность1 Вт Габариты111x70x22 мм Питание220/9 В Самым простым методом получения белого шума является использование шумящих электронных элементов (ламп, транзисторов, различных диодов) с усилением напряжения шума. Принципиальная схема несложного генератора шума приведена на рис 3.5.рис 3.5 Генератор шумаИсточником шума является полупроводниковый диод - стабилитрон VD1 типа КС168, работающий в режиме лавинного пробоя при очень малом токе. Сила тока через стабилитрон VD1 составляет всего лишь около 100 мкА. Шум, как полезный сигнал, снимается с катода стабилитрона VD1 и через конденсатор С1 поступает на инвертирующий вход операционного усилителя DA1 типа КР140УД1208.

скачать реферат Полупроводниковые материалы в металлургии

Восстановление протекает по уравнению SiO2 2C=Si 2CO. Путём хлорирования технического кремния получают тетрахлорид кремния. Старейшим методом разложения тетрахлорида кремния является метод выдающегося русского химика академика Н.Н.Бекетова. Метод этот можно представить уравнением: SiCl4 Z =Si 2Z Cl2. Здесь пары тетрахлорида кремния, кипящего при температуре 57,6°C, взаимодействуют с парами цинка. В настоящее время тетрахлорид кремния восстанавливают водородом. Реакция протекает по уравнению: SiCl4 2Н2=Si 4НCl. Кремний получается в порошкообразном виде. Применяют и йодидный способ получения кремния, аналогичный описанному ранее йодидному методу получения чистого титана. Чтобы получить чистыми германий и кремний, их очищают от примесей зонной плавкой аналогично тому, как получают чистый титан. Для целого ряда полупроводниковых приборов предпочтительны полупроводниковые материалы, получаемые в виде монокристаллов, так как в поликристаллическом материале имеют место неконтролируемые изменения электрических свойств.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.