телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВидео, аудио и программное обеспечение -30% Все для ремонта, строительства. Инструменты -30% Бытовая техника -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Технология изготовления микросхем

найти похожие
найти еще

Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Главный тип ИС в настоящее время — полупроводниковые ИС. Классификация ИС. Классификация ИС может производиться по различным признакам, ограничимся одним. По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные. Полупроводниковая ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Пленочная ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим их толщиной различают тонкопленочные ИС (толщина пленок до 1-2 мкм) и толстопленочные ИС (толщина пленок от 10-20 мкм и выше). Поскольку до сих пор никакая комбинация напыленных пленок не позволяет получить активные элементы типа транзисторов, пленочные ИС содержат только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и т. п.). Поэтому функции, выполняемые чисто пленочными ИС, крайне ограничены. Чтобы преодолеть эти ограничения, пленочную ИС дополняют активными компонентами (отдельными транзисторами или ИС), располагая их на той же подложке и соединяя с пленочными элементами. Тогда получается ИС, которую называют гибридной. Гибридной ИС (или ГИС) — это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Дискретные компоненты, входящие в состав гибридной ИС, называются навесными, подчеркивая этим их, обособленность от основного технологического цикла получения пленочной части схемы. Еще один тип «смешанных» ИС, в которых сочетаются полупроводниковые и пленочные интегральные элементы, называют совмещенными. Совмещенная ИС — это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла (как у пленочной ИС). Совмещенные ИС выгодны тогда, когда необходимы высокие номиналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей; эти требования легче обеспечить с помощью пленочных элементов, чем с помощью полупроводниковых. Во всех типах ИС межсоединения элементов осуществляются с помощью тонких металлических полосок, напыленных или нанесенных на поверхность подложки и в нужных местах контактирующих с соединяемыми элементами. Процесс нанесения этих соединительных полосок называют металлизацией, а сам «рисунок» межсоединений — металлической разводкой. В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают 20x20 мм, чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить.

Для снятия нарушенного слоя прошедшие операции калибровки монокристаллы полупроводников подвергают операции химического травления. 1.6.2 Ориентация В процессе роста монокристаллов наблюдается несоответствие оси слитка кристаллографической оси. Для получения пластин, ориентированных в заданной плоскости, до резки производят ориентацию слитков. Способы ориентации кристаллов определяются их природой, типом детали и ее функциональным назначением. Оптически изотропные диэлектрики ориентируют для учета влияния технологических свойств кристалла на точность параметров детали. У анизотропных диэлектриков положение преломляющих и отражающих поверхностей детали зависит от требуемого преобразования светового потока. Ориентация полупроводников предусматривает определения кристаллографической плоскости, в которой материал имеет заданные электрические свойства. Ориентацию полупроводников проводят рентгеновскими или оптическими методами. Рентгеновский метод основан на отражении рентгеновских лучей от поверхности полупроводникового материала. Интенсивность отражения зависит от плотности упаковки атомами данной плоскости. Кристаллографической плоскости, более плотно упакованной атомами, соответствует большая интенсивность отражения лучей. Кристаллографические плоскости полупроводниковых материалов характеризуются определенными углами отражения падающих на них рентгеновских лучей. Величины этих углов для кремния: (111) –17°56', (110) - 30° 12', (100) – 44°23' Рентгеновский диафрактометрицеский метод основан на измерении угла отражения характеристического рентгеновского излучения от идентифицируемой плоскости. Для этого применяют рентгеновские дифрактометры общего назначения, например типа ДРОН-1,5, или рентгеновские установки, например типа УРС-50И (М), и другие, снабженные рентгеновскими гониометрами и устройствами, обеспечивающими вращение горизонтально располагаемого монокристалла вокруг оси с заданной скоростью. При проведении измерения падающий на торцевой срез монокристалла рентгеновский луч направляют под брэгговским углом отражения р. Счетчик рентгеновских квантов (Гейгера) располагают под углом 2р к падающему лучу. Если ориентируемая плоскость, например (111), составляет некоторый угол, а с торцевым срезом монокристалла, то отражение от нее можно получить, повернув монокристалл на этот же угол. Определение угла отражения проводят относительно двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых лежит в плоскости чертежа (рисунок 3) Рисунок 3 — Схема ориентации монокристаллов полупроводников рентгеновским методом:1—падающий рентгеновский луч; 2— монокристалл; 3 — отраженный рентгеновский луч: 4 — счетчик ГейгераОптический метод основан на том, что на протравленной в селективном травителе поверхности полупроводника возникают фигуры травления, конфигурация которых определяется ее кристаллографической ориентацией. На поверхности (111) фигуры травления имеют форму трехгранных пирамид, а на (100)—четырехгранных. При оснащении такой поверхности параллельным пучком света отражающиеся лучи будут образовывать на экране световые фигуры. В зависимости от того, насколько сильно отклонена плоскость торцевого среза монокристалла от плоскости (hkl), световая фигура, образованная отраженным пучком света, будет находиться ближе или дальше от центра экрана.

Более совершенен способ прокатывания пластины между двумя валиками (рисунок 10), при котором обеспечивается нагрузка, пропорциональная длине скрайберной риски. Рисунок 10 — Разламывание полупроводниковой пластины прокатыванием между валиками: 1 — пластина; 2 — упругий валик; 3 — защитная пленка; 4 — стальной валик; 5 — пленка-носитель Пластину 1, расположенную рисками вверх, прокатывают между двумя цилиндрическими валиками: верхним упругим (резиновым) 2 и нижним стальным 4. Для сохранения первоначальной ориентации кристаллов пластину закрепляют на термопластичной или адгезионной пленке-носителе 5 и защищают ее рабочую поверхность полиэтиленовой или лавсановой пленкой 3. Расстояние между валиками, определяемое толщиной пластины, устанавливают, перемещая один из них. При прокатке более упругий валик в зависимости от толщины пластины деформируется и к ней прикладывается нагрузка, пропорциональная площади ее поперечного сечения или длине скрайберной риски. Пластина изгибается и разламывается по рискам, вначале на полоски, а после поворота на 90° - на кристаллы. Рисунок 11 — Разламывание полупроводниковой пластины на сферической основе: 1 — сфера; 2 — пластина; 3 — резиновая диафрагмаПри разламывании на сферической опоре (рисунок 11) пластину 2, расположенную между двумя тонкими пластичными пленками, помещают рисками вниз на резиновую диафрагму 3, подводят сверху сферическую опору 1 и с помощью диафрагмы пневмоническим и гидравлическим способами прижимают к ней пластину, которая разламывается на отдельные кристаллы. Достоинствами этого способа являются простота, высокая производительность, (ломка занимает не более 1ё1,5 мин) и одностадийность, а также достаточно высокое качество, т.к. кристаллы не смещаются относительно друг друга.Таблица 5 — Глубина нарушенного слоя пластин кремния после различных видов механической обработки Вид обработки Условия обработки Глубина нарушенного слоя, мкм Резка алмазным кругом с внутренней режущей кромкой Зернистость режущей кромки АСМ 60/53; =4000мин-1; подача 1мм/мин 20 - 30 Шлифование Свободный абразив: суспензия порошка ЭБМ-10 ЭБМ-5 11 – 15 7 – 9 Шлифование, полирование Связный абразивный круг АСМ – 28 Алмазная паста: АСМ – 3 АСМ – 1 АСМ – 0,5 14 – 166 – 9 5 – 6 1 - 2 Химико- механическое полирование Суспензия аэросила, SiO2(зерно 0,04 – 0,3 мкм) Суспензия цеолита 1 – 1,51 – 2 Часть II. Расчет ОПРЕДЕЛЕНИЕ СУММАРНОГО ПРИПУСКА НА МЕХАНИЧЕСКУЮ ОБРАБОТКУZ=ZГШ ZТШ ZПП ZФП,где Z – сумма припусков на обработку, ZГШ – припуск на грубую шлифовку, ZТШ – припуск на точную шлифовку, ZПП – припуск на предварительную полировку, ZФП – припуск на финишную полировку.Z= ( ,M – исходная масса материала. M = 739 0,0223 = 16,479кг. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МАССЫ МАТЕРИАЛА MП = ( m) / ,где MП – полезная масса материала. MП = (600000 0,0223)/1124 =11,903кг. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МАТЕРИАЛА kИМ = MП/ M ,где kИМ – коэффициент использования материала. KИМ =11,903/16,479 = 0,722 Заключение В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Журнал «Компьютерра» 2007 № 16 (684) 24 апреля 2007 года

Остается надеяться, что нынешняя несостоявшаяся сенсация с участием Microsoft ускорит появление "24/7" Power Pack на прилавках магазинов. ВБ Другое измерение IBM представила новую технологию компоновки микросхем, заключающуюся в формировании многослойных трехмерных конструкций. Это позволит размещать разные функциональные электронные блоки гораздо ближе друг к другу, чем при нынешних методах производства, и, по прогнозам разработчиков, приведет к созданию более компактных, быстродействующих и экономичных систем. В новом методе монтажа 3D chip-stacking несколько кремниевых пластин, изготовленных по стандартной методике, укладываются в многослойную "вафлю". Для объединения слоев в каждом из них протравлены вертикальные каналы, которые заполняются металлом (технология through-silicon vias). Такой подход позволяет на три порядка уменьшить длину проводников в системе, что, в свою очередь, снижает энергопотребление и повышает скорость передачи данных между компонентами конструкции. Кроме того, при трехмерной компоновке можно организовать гораздо больше путей передачи информации между разными блоками (микросхемами)

скачать реферат Синтез частотно-избирательного фильтра

Вместе с тем -фильтры имеют недостатки. Так, в области низких частот значительно возрастают их масса и габариты, а для обеспечения помехоустойчивости в условиях воздействия электромагнитных полей приходится применять устаревшие конструкции – экранированные катушки, которые и определяют основные размеры и массу электрической части изделия. Уменьшение габаритов катушек не приводит к положительным результатам, так как добротность катушки индуктивности снижается пропорционально квадрату ее линейных размеров. Достижения полупроводниковой технологии, особенно микроэлектроники, обусловили интенсивную разработку и широкое использование -фильтров, которые в значительной степени лишены недостатков -фильтров. Важными достоинствами -фильтров является хорошее сочетание технологии их изготовления с технологией изготовления микросхем, возможность совмещения функций фильтрации и усиления, а также малые массогабаритные характеристики, особенно по сравнению с -фильтрами, работающими на низких частотах. Недостатки -фильтров проявляются с увеличение частоты рабочего диапазона. Это связано с тем, что реальные активные элементы обладают собственными частотными зависимостями, которые приводят к смещению полюсов передаточной функции фильтра относительно требуемых координат.

Стиральный порошок "Умка", детский, 6 кг.
На основе натурального мыла. Порошок максимально безопасен для кожи и для ткани. Легко выполаскивается из белья. Низкие дозировки делают
690 руб
Раздел: Для стирки детских вещей
Настольная игра "Дети Каркассона" (новая версия).
14-го июля каждого года народ Франции отмечает национальный праздник. В Каркассоне в этот день ребетня из окрестных деревень с шумом и
1190 руб
Раздел: Классические игры
Игра-баланс "Морской мир".
Игра-баланс "Морской мир" от производителя "Жирафики" предназначена для мальчиков и девочек в возрасте от трех лет.
640 руб
Раздел: Сортеры, логические игрушки
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Особого развития художественные ремесла Мстеры (производство икон и церковной утвари, вышивка гладью) получили после реформы 1861.К началу1930-х гг. бывшие художники-иконописцы освоили технологию изготовления изделий из папье-маше, украшенных миниатюрной живописью, сохранив стилистику древнерусской иконописи. В 1931 была основана артель "Пролетарское искусство" (с 1960 - фабрика). Работают и другие фабрики: строчевышивальная (белая мстерская гладь и "владимирские швы"), "Ювелир" (изделия в технике скани), игрушечная, мебельная и другие, а также Мстерский художественный музей.Литература:Семеновский Д. Н. Мстера. М., 1939.Тиц А. А. По окраинам Владимирским: Вязники, Мстера, Гороховец. М., 1969.Бардина Р. А. Художественные промыслы Владимирской области. Ярославль, 1975.Н. В. ГаевскаяА. Л. Иорданский МСТЕРСКАЯ ВЫШИВКА - традиционный русский вышивальный промысел, сложившийся в Мстере. История промысла насчитывает несколько столетий. Его основу заложили в 18 веке монахини женского монастыря Иоанна Милостивого, украшавшие золотым и серебяным шитьем по бархату и атласу предметы церковного ритуала - хоругви, плащаницы, воздухи

скачать реферат Синтез частотно-избирательного фильтра

Дело в том, что на частотах свыше 100 кГц катушка индуктивности становится достаточно удобным элементом схемы, и - фильтрами. Поэтому основным доводом в пользу той или иной реализации фильтра является совместимость с точки зрения технологии изготовления схем и интегральных микросхем. По оценкам специалистов, изготовление микроэлектронных -фильтров для частот ниже 40 50 МГц при современном (20 век) технологическом уровне вряд ли возможно. Поэтому и в диапазоне сотен килогерц применение - фильтров следует считать оправданным и целесообразным. В настоящее время сформировались следующие подходы к построению безиндуктивных фильтров: 1. Имитация индуктивностей с помощью активных специальных цепей – конверторов сопротивления, например гираторов. Такие цепи представляют собой четырехполюсник, который преобразует емкостное сопротивление на выходных зажимах в индуктивное сопротивление на входных. С помощью гираторов можно заменить в схеме -прототипа все индуктивности на активные элементы и пассивные элементы. 2. Использование ОУ, охваченных частотно-зависимыми обратными связями.

 Повседневная жизнь времен Жанны д'Арк

Существуют документы, показывающие нам «экономическую полицию» в действии: в 1421 г. сержанты парижского Шатле явились к торговцу растительным маслом, чья лавка была рядом с воротами Бодуайе и который продавал масло по три парижских су за пинту, тогда как максимальная установленная цена была два су три денье. Но торговцу удалось подкупить сержантов, которые прекратили преследование. Менее удачливым оказался портной, который несколькими месяцами позже подменил выбранное покупателем сукно на другое, более низкого качества; покупатель заметил подмену и потребовал от сержанта опечатать сукно, ставшее предметом мошенничества; портной, разозлившись, сломал печати, за что поплатился заточением. В цехах контроль за торговым качеством продукции был доверен «maitres jures», которых иногда называли «надзирателями», «синдиками» и даже «королями» и которых избирали на общем собрании мастеров. Они должны были следить за соблюдением уставов корпораций как во всем, что касалось условий труда, так и во всем, что было связано с технологией изготовления; они вмешивались также в конфликты мастеров между собой или в конфликты между мастерами и работниками

скачать реферат Современные средства связи

Многопроцессорные ЭВМ, технологической основой которых являлись так называемые большие интегральные микросхемы относили к компьютерам четвертого поколения. Под большими интегральными микросхемами понимали степень “насыщения” блока микросхем. Однако не существовало четкой границы между “малыми”, “средними” или “большими” микросхемами, так что такая терминология не может быть названа полностью научной. Значительно больший фактор в развитии электронных вычислительных машин, а значит и компьютерных сетей, – это изменение основных элементов оперативной памяти. Если первые ЭВМ имели в своем составе запоминающие устройства на так называемых ферролитовых сердечниках, то настоящей революцией в развитии вычислительной техники было введение в качестве элементов памяти полупроводниковых приборов, которые изготавливались по технологии, аналогичной технологии изготовления интегральных схем. Образцы такой памяти небольшого объема создавались и использовались начиная с 70-х годов как “сверхбыстродействующая память”; в то же время наметилась тенденция создания оперативной памяти на полупроводниках и использования ферритовых запоминающих устройств в качестве дополнительной “медленной” памяти.

скачать реферат Лабораторные по проектированию РЭС

Исходные данные к циклу лабораторных работ Назначение МЭА: контрольно-измерительная. Условие эксплуатации: бортовые, самолетные. Максимальная температура окружающей Среды: 400 С. Сложность электрической схемы в эквивалентных усилителях и/или вентилях: 5000 Тип схемы аналогово-цифровая. Средний коэффициент объединения по входу одного вентиля к1=2. Уровень интеграции микросхем, Jc=75. Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы с размерами кристаллов Iкр х Вкр=2х2 мм; уровень интеграции кристалла Jк=5; выводы кристаллов – гибкие. Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79. Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний. Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная. Вариант конструкции блока МЭА: Книжная. Техническая долговечность: 5 лет. Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90. Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3. Серийность производства МЭА: 100. Постановка задачи разработки конструкции МЭУ Необходимо разработать принципиальный вариант конструкции МЭУ, исходя из определенных условий.

скачать реферат ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Наличие двух слоев различных диэлектриков в конденсаторной структуре повышает надежность пленочных емкостных элементов. Верхний электрод — золото с подслоем хрома 4 — получен термическим испарением в вакууме. Нижним электродом является слой нитрида тантала 3, сопротивление которого достаточно велико. Рассмотренный вариант комплексной технологии изготовления пассивной части ГИС СВЧ диапазона очень сложен и трудоемок, а совместимость различных технологических методик приводит к серьезным ограничениям рабочих характеристик микросхемы в целом. Все это сдерживает внедрение ГИС СВЧ диапазона, содержащих сосредоточенные R- и С- элементы в массовое производство. В настоящее время наиболее широкое распространение в производстве ГИС общего применения получил вакуумный метод нанесения тонких пленок с использованием избирательного химического травления как наиболее простой, менее трудоемкий и пригодный для массового производства. Достигнутые успехи в области создания пассивных R-,C- и L-элементов, а также в получении бездефектных пленок меди толщиной более 5 мкм термическим испарением в вакууме способствовали созданию комплексной технологии изготовления ГИС СВЧ диапазона (см. рис. 2.4). Применение вакумно-термических методов для получения СВЧ микросхем позволяет по производственным признакам поставить их в общий ряд гибридных интегральных микросхем.

скачать реферат Моделирование систем радиосвязи и сетей радиовещания

Другие дискретные компоненты выбраны исходя из аналогичных соображений. Интегральные микросхемы. Ввиду большого разнообразия серий микросхем, пригодных для использования в разрабатываемом устройстве и значительного количества параметров микросхем, их выбор аналогично выбору дискретных компонентов затруднителен. Поэтому выбор микросхем будет произведен по их параметрам. Справочные данные. 512 ВИ1 U =5 В10%. Iпотр, мА. статический режим 0,1 динамический режим при fmax тактовых импульсов 4 fmi 0,1 Выходной ток высокого (низкого) уровня при Uвых Н=4,1 В, (UвыхL=0,4 В), мА – 1,01,6. Входной ток, мкА 1. 1821ВМ85 Допустимые предельные значения: Температура окружающей среды - -10С. Направление на всех выводах по отношению к корпусу – -0,57 В. Мощность рассеивания – 1,5 Вт. Статические параметры в диапазоне температур -10С. Изм. Лист № Докум. Подп. Дата Лист 23 3. КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ 3.1. Выбор и определение типа платы, ее технологии изготовления, класса точности, габаритных размеров, материала, толщины, шага координатной сетки. 1. По конструкции печатные платы с жестким и гибким основанием делятся на типы: односторонние двусторонние многослойные Для данного изделия необходимо использовать двустороннюю печатную плату с металлизированными монтажными и переходными отверстиями.

Подгузники Libero Newborn, 24 штуки, 0-2,5 кг.
Первые в жизни подгузники для малыша должны быть особенно мягкими и комфортными. Подгузники "Libero Newborn" специально созданы
345 руб
Раздел: 0-5 кг
Фломастеры "Jungle Innovation" на подставке, 12 цветов.
Чернила легко смываются с рук и одежды. Эти фломастеры идеальны для раскрашивания, поскольку они долговечны, их краски насыщенны, хорошего
343 руб
Раздел: 7-12 цветов
Карандаши акварельные "Mondeluz", 24 цвета.
Акварельные карандаши применяются в живописи, рисовании, работе в смешанных техниках. Совмещают в себе свойства цветного карандаша и
384 руб
Раздел: Акварельные
скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы). В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек. Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение. Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов. 2.1. Назначение подложек. В технике ИМС подложки выполняют две функции: а) являются основанием, на поверхности или в приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют структуры ИМС; б) являются элементом конструкции, обеспечивающим практическое применение ИМС в корпусном или бескорпусном исполнении.

скачать реферат Характеристики процессора и внутренней памяти компьютера (быстродействие, разрядность, объем памяти и др.)

Первые модели имели 16-разрядное адресное пространство и, следовательно, объем памяти 216 = 64 Кбайта. Затем, когда памяти под разрабатываемые программные системы перестало хватать, инженеры введением некоторых весьма специфических способов формирования адреса увеличили ее размер на порядок – в MS DOS стандартная память была принята равной 640 Кбайт. Сейчас вы вряд ли сможете приобрести новый компьютер с ОЗУ менее 32-64 Мбайт, т.е. еще на два порядка больше (надеюсь, читатели не забыли, что 1 Мб = 1024 Кбайта). Еще одной важной характеристикой памяти является время доступа или быстродействие памяти. Этот параметр определяется временем выполнения операций записи или считывания данных; он зависит от принципа действия и технологии изготовления запоминающих элементов. Оставляя в стороне целый ряд других технологических характеристик современных запоминающих устройств, нельзя, тем не менее, пройти мимо статического и динамического устройства микросхем памяти. Статическая ячейка памяти – это специальная полупроводниковая схема (инженеры называют ее триггер), обладающая двумя устойчивыми состояниями. Одно из них принимается за логический ноль, а другое – за единицу.

скачать реферат Устройство ввода аналоговой информации

Министерство образования и науки РФ Федеральное агентство по образованию УСТРОЙСТВО ВВОДА АНАЛОГОВОЙ ИНФОРМАЦИИ Пояснительная записка Руководитель Подпись Дата Студент Подпись Дата 2008 Содержание Введение 1. Общий принцип работы АЦП 1.1 Метод Oversampli 1.2 Классификация АЦП 1.3 Квантование амплитуды аналогового сигнала, разрядность АЦП7 2. Принцип работы интерфейса USB 2.1 Обзор архитектуры USB-порта 2.2 Протокол передачи данных USB-порта 2.3 Драйвер D2XX 3. Функциональная схема АЦП с интерфейсом USB 4. Электрическая схема АЦП с интерфейсом USB 4.1 Выбор микросхем для реализации USB 4.2 Выбор микросхем для реализации АЦП 4.3 Реализация входа АЦП на базе операционного усилителя 5. Описание и принцип работы устройства ввода аналоговой информации 5.1 Технические характеристики 5.2 Описание работы устройства ввода аналоговой информации 6. Конструктивный расчет печатной платы 7. Технология изготовления печатной платы 8. Смета затрат на устройство ввода аналоговой информации 8.1 Материалы и комплектующие 8.2 Затраты на адаптацию 8.3 Общепроизводственные затраты 8.4 Нематериальные активы 8.5 Коммерческие расходы 9 Экономическая эффективность разработки Заключение Список информационных источников Введение В последние годы сформировалось совершенно новое направление в метрологии и измерительной технике – компьютерно-измерительные системы (КИС), и их разновидность, или направление развития – виртуальные (виртуальный – кажущийся) измерительные приборы (проще, виртуальные приборы).

скачать реферат Микропроцессоры

В основе терагерцевого транзистора лежит несколько совершенно новых технологий. Первая — это новый диэлектрический материал с гораздо более высокими изолирующими свойствами (с более высокой диэлектрической проницаемостью); вторая — затворы, с помощью которых снижается ток утечки. Разработанные для этого нового транзистора элементы конструкции планируется использовать в серийной продукции I el во второй половине текущего десятилетия. Еще одной перспективной технологией, позволяющей устранить ограничения по росту тактовой частоты современных микросхем, является новая технология изготовления корпусов. В современных микросхемах полупроводниковые кристаллы соединяют с корпусом с помощью крошечных шариков припоя, обеспечивающих механическое крепление и электрическое соединение кристалла с корпусом. В результате экспоненциального роста частоты будущих процессоров эффективность шариковых соединений, толщина корпуса и количество точек соединения превращаются в серьезную проблему. В октябре 2001 года корпорация I el представила новаторскую технологию изготовления корпусов, получившую название Bumpless Build-up Layer (BBUL), которая позволяет избавиться от шариковых соединений, наращивая корпус вокруг полупроводникового кристалла.

скачать реферат Логические элементы

На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах V 1 работает в активном инверсном режиме, а V 2 находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовые элемент ТТЛ, несмотря на прощеную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способностью и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором, в соответствии с рисунком 2б, для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность. Улучшенными параметрами по сравнения с предыдущей схемой обладает базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 3. Однако объединение выходов в схеме не допустимо. В статических режимах работы схемы, в соответствии с рисунком 3, V 4 повторяет состояние V 2. При запирании V 2 база транзистора V 4 через резистор R3 подключается к “земле”, чем и обеспечивается закрытое состояние V 4.

Настольная игра "Фефекты фикции".
Увлекательная детская игра для развития речи и творческого мышления, разработанная профессиональными логопедами и детьми. В комплекте:
990 руб
Раздел: Русский язык, слова, речь
Шторка антимоскитная, черная.
Размеры: 100х220 см. Препятствует проникновению насекомых. Не нарушает естественную циркуляцию воздуха. Подходит для любых типов дверных
352 руб
Раздел: Сетки противомоскитные
Альбом "Мои школьные годы" (книга с карманами на 11 лет).
Перед Вами то, что каждая семья так долго ждала – красивое, качественное, креативное школьное портфолио. Да еще и на все школьные годы!
842 руб
Раздел: Портфолио
скачать реферат Разработка блока динамического ОЗУ с мультиплексором кода адреса

Информация представляется в виде заряда: наличие заряда на конденсаторе соответствует логической 1, отсутствие-логическому 0. Поскольку время сохранения конденсатором заряда ограничено, предусматривают периодическое восстановление (регенерацию) записанной информации. Кроме того, для них необходима синхронизация, обеспечивающая требуемую последовательность включений и выключений функциональных узлов. Для изготовления микросхем динамического ОЗУ в основном применяют -МДП технологию, которая позволяет повышать быстродействие и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе. - выход на три состояния; DI- входные данные; W/R- запись-считывание; DO- выходные данные; A- адрес; RAS- строб адреса строки; CAS- строб адреса столбца; Микросхема К565РУ3Г информационной емкостью 16Кx1бит. В ее структурную схему (приложение 1) входят выполненные в одном кремниевом кристалле матрица накопителя, содержащая 16384 элементов памяти, расположенных на пересечениях 128 строк и 128 столбцов, 128 усилителей считывания и регенерации, дешифраторы строк и столбцов, устройство управления, устройство ввода-вывода и мультиплексный регистр адреса.

скачать реферат Плёночные и гибридные интегральные схемы

I. Основные понятия. Первым делом определимся с некоторыми важными понятиями. Электронный элемент – это конструктивно самостоятельное образование, выполняющее одну элементарную функцию (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности). Электронная схема реализуется на основе многих дискретных элементов (запоминающий элемент, усилительный каскад, логический элемент). Функциональный модуль образуется при соединении нескольких элементарных схем в одну конструктивно законченную сборочную единицу. Узел – конструктивное объединение нескольких модулей. Использование специальной технологии изготовления тонких слоев различной проводимости на изоляционной подложке или целенаправленное изменение проводимости в определенных зонах полупроводникового материала позволило реализовать и объединить различные электрические функции в едином технологическом процессе. При установке такого элемента в корпус с необходимыми выводами получают микросхему (МС). Одна МС заменяет несколько элементарных схем, выполненных на основе дискретных элементов.

скачать реферат Изготавление изделий из пласмассы

Для выбора материала и способа переработки приведены алгоритмы. Весь материал в работе изложен с учетом новейших достижений в области строения, классификации и особенностей переработки пластмасс. Учебное пособие предназначено для самостоятельного изучения раздела ТПС “Основы технологии изготовления деталей из пластмасс” студентами приборостроительных специальностей МГТУ им. Н.Э. Баумана. 1.Введение. Пластмассы - материалы на основе органических природных, синтетических или органических полимеров, из которых можно после нагрева и приложения давления формовать изделия сложной конфигурации. Полимеры - это высоко молекулярные соединения, состоящие из длинных молекул с большим количеством одинаковых группировок атомов, соединенных химическими связями. Кроме полимера в пластмассе могут быть некоторые добавки. Переработка пластмасс - это совокупность технологических процессов, обеспечивающих получение изделий - деталей с заданными конфигурацией, точностью и эксплуатационными свойствами. Высокое качество изделия будет достигнуто, если выбранные материал и технологический процесс будут удовлетворять заданным эксплуатационным требованиям изделия: электрической и механической прочности, диэлектрической проницаемости, тангенсу угла диэлектрических потерь, прочности, плотности и т.п. Эти требования должны быть учтены при создании элементной базы (микросхем, микросборок и т.п.) и элементов базовых несущих конструкций (БНК), печатных плат, панелей, рам, стоек, каркасов и др.

скачать реферат Создание информационно-справочной подсистемы САПР конструкторско-технологического назначения. Интегральные микросхемы

При добавлении базы данных выбор общих характеристик (наименование, код, и т.п.) объекта возлагается на оператора. Параметры учета о изменении количества и наличие микросхем на производстве оператор использующий данную подсистему не имеет право менять эти параметры вручную. Подсистема обеспечивает обновление существующих микросхем за счёт объектно-ориентированной структуры программного комплекса – перекомпоновка без изменения базовых объектов программного комплекса. 2. ОБЗОР ОБЬЕКТОВ ПОДЛЕЖАЩИХ ОБРАБОТКЕ ИНФОРМАЦИОННО-СПРАВОЧНОЙ СИСТЕМЫ 2.1 Классификация и обозначения цифровых микросхем Интегральная микросхема это микроэлектронное изделие, состоящее из активных (транзисторов) и пассивных (диодов, резисторов, конденсаторов) элементов, а также из соединяющих их проводников, которое изготавливается в едином технологическом процессе в объеме полупроводника или на поверхности диэлектрического основания, заключено в корпус и представляет собой неразделимое целое. Иногда ее называют интегральной схема, иногда микросхемой, соответственно, возможны сокращенные обозначения ИМС, ИС, МС. По технологии изготовления микросхемы делятся на три разновидности: полупроводниковые (самые распространенные), пленочные (почти не выпускаются) и гибридные (выпускают немного и выпуск сокращают).

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.