телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАКрасота и здоровье -30% Разное -30% Рыбалка -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин

найти похожие
найти еще

Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Оптический метод ориентации является наиболее простым, не требует дорогостоящего, сложного оборудования. Он заключается в следующем. При травлении монокристалла вследствие неодинаковой скорости растворения полупроводникового материала по различным кристаллографическим направлениям образуются фигуры травления, которые имеют вид углублений с правильными гранями. Поэтому отраженный от образца слабо расходящийся пучок света образует на экране световую фигуру, по положению которой можно оценить величину отклонения кристаллографической плоскости от плоскости торца слитка, при этом отражающая плоскость всегда совпадает с кристаллографической плоскостью (111). Отклонение реальной поверхности торца слитка от кристаллографической плоскости (111) приводит к отклонению отраженного луча на экране на некоторое расстояние d (рис. 3,а) характеризующееся некоторым углом ( реальной поверхности шлифа от плоскости (111). Типичной световой фигурой для слитка, выращенного в направлении – четырех лепестковая звезда (рис. 3, б). Перед началом ориентации выводят световое пятно в центр экрана в место пересечения вертикальной и горизонтальной осей. Для этого вместо слитка ставят эталон, который имеет зеркальную полированную поверхность. Затем устанавливают слиток. Если торец слитка совпадает с кристаллографической плоскостью, например с плоскостью (111), то световое пятно будет находиться на экране в месте пересечения. Поворотом слитка вручную вокруг оси устанавливают световую фигуру так, чтобы её лепестки- лучики занимали симметричное положение относительно вертикальной оси. В этом положении слиток закрепляется прижимным винтом кристаллодержателя. До процесса ориентации выявляют микроструктуру слитка. Это осуществляют путем травления шлифованного торца Ge (или Si) слитка селективными травителями, состав, которых приведен в табл.1. Точность ориентации этим методом зависит от состава травителя и режима травления; от диаметра, расходимости и яркости светового пучка и других факторов. Установка ориентировки слитков световым методом настольного типа ЖК 78.08 представлена на рис.4. В светозащитном корпусе 8 смонтированы все узлы и детали установки: оптическая система, состоящая из осветителя 1, отделённого плитой 6, конденсатора 2, диаграммы 3, отражающих зеркал 4, 5, 10, объектива 7 с зубчатыми парами 9 и 11 для установки фокуса и размера диаграммы соответственно; кристаллодержатель 12, служащий для установки и крепления слитка или эталона, помещается на верхнюю плиту до упоров и прижимается зажимом, стол кристаллодержателя, имеющий деталь с базировочной плоскостью, с помощью цангового зажима соединен с угломерной головкой 20, которая обеспечивает поворот стола с ориентируемым слитком на необходимый угол; подвижная плита 18, движущаяся в шариковых направляющих; фиксатор подвижной плиты 19; угломерная головка 20, предназначена для измерения углов поворота ориентируемого слитка с точностью до 1(, конструкция ее представляет собой червячную пару с выбором люфта за счет упругой системы (более подробная конструкция угломерной головки приведена ниже на рис.5); отражающие зеркала 10 и 13; экран 15, состоящий из рамы, матового стекла, листа органического стекла с нанесенной на нем шкалой и двух электролампочек, подсвечивающих стекло со шкалой с торцов; электрический блок 22.

Измерительный шкаф включает стабилизатор напряжения СН-1, блок РЕ-1 (интегрирующую схему), схему питания счетчика квантов и самопишущий потенциометр ЭПП-09. Для обеспечения высокой стабильности излучения рентгеновской трубки в аппарате, кроме стабилизатора напряжения, предусмотрен стабилизатор анодного тока. Регулировка напряжения на трубке ступенчатая (см. рис. 9. на приложении 2). Блок схема рентгеновского аппарата УРС-50И приведена на рис. 9 (см. приложение 2). Установка соединена с сетью через входной стабилизатор напряжения СН-1 высокой точности. Генераторное устройство предназначено для питания рентгеновской трубки высоковольтным напряжением. Блок ПС-64М-1 преобразует импульсы для нормальной работы электромеханического счетчика. При работе аппарата рентгеновские лучи, выходящие из окна рентгеновской трубки, попадают на исследуемый образец, находящийся вместе со счетчиком рентгеновских квантов МСТР-4 (РМ-4) на гониометрическом устройстве ГУР-3. Лучи, отраженные под некоторым углом от образца, попадают на счетчик рентгеновских квантов, представляющий собой газовый конденсатор в стеклянной оболочке с тонким слюдяным оконцем в торце, наполненный смесью аргона и метилаля. Счетчик представляет собой цилиндрический газовый конденсатор, состоящий из металлической тонкостенной трубки, вдоль оси которой протянута металлическая нить. Между центральной нитью и обкладкой счетчика прикладывается напряжение 1300-1500 В от высоковольтного выпрямителя (ВВ) блока РЕ-1, и достаточно появления в счетчике в результате ионизационного действия рентгеновских лучей одной пары ионов (электрона и положительного иона), чтобы счетчик сработал, т.е. чтобы через него прошел единичный импульс тока длительностью 200мс. Количество импульсов тока, возникающих в счетчике в единицу времени, пропорционально интенсивности отраженного рентгеновского пучка. Монокристаллические слитки кремния и германия ориентируются с помощью специальной приставки (см. рис. 10 на приложении), состоящей из блока вращения и электрического блока управления. Блок вращения устанавливается на гониометре. С его помощью слиток прижимается к базовой поверхности и вращается в ручную или от электродвигателя относительно горизонтальной оси. Гониометрическое устройство позволяет вращать счетчик или образец независимо друг от друга или вместе. Вращение можно осуществлять с разной скоростью. Гониометрическое устройство дает возможность производить точный отсчет углов относительно первичного пучка лучей, производящих ионизацию в счетчике квантов. Возбуждаемые в счетчике квантов импульсы тока, проходя через резисторы, преобразуются в импульсы напряжения, которые затем усиливаются в блоке РЖ (усилителя импульсов) и передаются по кабелю на вход мультивибратора блока ПС-64М-1. В первом каскаде этого блока различные по длительности, форме и амплитуде импульсы формируются в очень короткие (порядка 50 мс) прямоугольные импульсы напряжения одинаковой амплитуды. После этого каждый импульс идет по двум путям: к пересчетному устройству и к измерителю скорости счета. Пересчетное устройство состоит их шести каскадов, каждый из которых пропускает один импульс из двух, поступающих на его вход.

Московский институт стали и сплавов ( технологический университет) кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников Домашнее задание Тема: Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин. Выполнил: студент группы К3-01-2 Гашников Г.Э. Руководитель: доцент Курносов А.И. Москва 2003 год Введение Производство полупроводниковых приборов использует самые малые размеры деталей приборов и их высокую точность. Следовательно, для массового производства полупроводниковых приборов необходимо специальное оборудование. Если в период становления полупроводникового производства могло быть использовано оборудование родственных производств (в основном электровакуумного), то в настоящее время появилась относительно новая отрасль – полупроводниковое машиностроение. Полупроводниковое машиностроение отличается спецификой конструкций, способствующих поддержанию производственной гигиены, прецизионной точностью и большим разнообразием (полупроводниковая техника использует ряд процессов из других областей техники), высоким уровнем механизации и автоматизации, а также значительным насыщением оборудования электронными устройствами. Весь комплекс технологического оборудования, предназначенный для производства полупроводниковых приборов, можно разделить на десять основных групп: оборудование для входного контроля исходных материалов, обработки полупроводников, создания электронно- дырочных переходов и получения невыпрямляющих контактов, изготовление корпусов, сборки приборов, измерения из параметров, испытания и выполнения заключительных операций, а также вспомогательное оборудование для получения чистых газов, воды, химических реактивов и изготовления фотошаблонов. Итак, высокая точность, малые размеры и массовость производства полупроводниковых приборов привели к механизации и автоматизации наиболее трудоёмких процессов и созданию высокопроизводительных полуавтоматических и автоматических установок и агрегатов. Используемые материалы при работе на оборудовании для ориентации полупроводниковых пластин. Область использования и общая характеристика оборудования для ориентации полупроводниковых пластин. Основными полупроводниковыми материалами, применяемыми для изготовления полупроводниковых приборов, являются германий и кремний. Эти материалы имеют кристаллическую структуру, но для изготовления полупроводниковых приборов используют монокристаллы германия и кремния, т.е. полупроводники с правильной кристаллической структурой, превращенные в единый кристалл. Для характеристики внутренней структуры кристаллов обычно пользуются понятием кристаллическая решетка, которая представляет собой пространственную сетку; в узлах ее располагаются частицы (атомы, ионы или молекулы), образующие кристалл. Формы кристаллических решеток разнообразны Монокристаллы германия и кремния – вещества анизотропные, т.е. их свойства в различных направлениях неодинаковы и зависят от ориентирования относительно кристаллографических плоскостей, обозначаемых индексами Миллера, например (100), (110), (111). Погрешности при выращивании слитков приводят к тому, что торцы слитков не всегда перпендикулярны к их оси (т. е. заданному кристаллографическому направлению), поэтому перед резкой на пластины следует выполнить ориентацию слитка: выявить расположение основных кристаллографических плоскостей.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Социальная философия

Важнейшим свойством компьютеров явиляется работа с информацией. Привлекательна скорость обработки информации. Буквально ошеломила скорость уже первых машин - 5 тыс. операций в секунду. Специалисты отмечают, что компьютеры первого поколения были способны обеспечить решение крайне трудоемких вычислительных задач, которые могли оказаться не по силам человеку или потребовали бы для своего выполнения продолжительной работы целой армии вычислителей. Улучшение конструкции машины (особенно замена 18 тыс. электронных ламп полупроводниковыми транзисторами) позволило не только сократить их размеры и вес, но главное - значительно увеличить быстроту операций. Серийное производство компьютеров второго поколения началось в США с 1960 года. За этим последовало создание (в 1963-1980 годах) машин третьего и четвертого поколений; основу их конструкций составляли так называемые большие и сверхбольшие интегральные схемы на полупроводниковых пластинах миниатюрных размеров; скорость вычислений была доведена до нескольких сот миллионов операций в секунду

скачать реферат Полупроводниковые пластины. Методы их получения

Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях народного хозяйства. Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, неукоснительного соблюдения технологической дисциплины и обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов и вакуумной гигиены в производственных помещениях. Фотолитографические процессы - важнейшая составная часть технологии изготовления микроэлектронных приборов. Именно они обеспечивают формирование элементов структур с субмикронными размерами и хорошую их воспроизводимость.

Цветные карандаши Color Peps, трехгранные, 24 цвета.
Цветные карандаши Color Peps от Maped удовлетворят все потребности детей. Треугольная форма для удобного использования. Мягкий и прочный
433 руб
Раздел: 13-24 цвета
Светильник садовый плавающий на солнечных батареях "Лилия розовая".
Декоративный солнечный садовый светильник в виде лилии, водонепроницаемый. Применяется для декорации пруда. Светодиод меняет цвет.
413 руб
Раздел: Необычные светильники
Набор детской складной мебели "Маша и Медведь. Азбука 3".
Комплект складной, подходит для кормления, игр и обучения. Поверхность столешницы ламинированная с нанесением ярких познавательных
1971 руб
Раздел: Наборы детской мебели
 Улица длиною в жизнь

Завод в Кишиневе так и не справился с задачей, и выпуск "электрофотографических аппаратов" там прекратили. А чем занимался секретный институт в Вильнюсе, было неизвестно. В эти годы, когда романы Солженицына и Пастернака тайно ночью перепечатывали на папиросной бумаге, я хорошо понимал, что мой скромный вклад в цивилизацию в моей стране представляет опасность. Поэтому и не удивился, когда в комнату постучали, и дама из первого отдела института очень вежливо объяснила, что свой аппарат я должен сдать для "списания". - Для какого списания? - спросил я. - Вы знаете, ведь это самый первый в мире ксерокс! - Знаю, - ответила дама. - Но держать его в своей комнате вы не имеете права. В ваше отсутствие сюда могут приходить посторонние люди... К академику жаловаться я не пошел. Мой ксерокс забрали и разломали. Но одна важная деталь долго сохранялась в институте. А именно полупроводниковая пластина с зеркальной поверхностью. Институтские дамы нашли ее на помойке и повесили в туалете вместо зеркала. Мыла и туалетной бумаги там не было никогда

скачать реферат Технико-экономическое сравнение систем Адаптивного и Массового производств

Для AMS фабрики доступны три главные технологические изменения в производстве: 1). Способность заменить фактически все установки групповой обработки на установки индивидуальной обработки подложек, причем затрачивая на это минимум средств; 2). Возможность сгруппировать эти устройства не подвергаясь значительным потерям в управлении процессом; 3). Снижение времени наладки, особенно в степперах. Заменяя оборудования групповой обработки пластин, особенно печей и линий влажной обработки, уменьшается минимальное время всего процесса обработки. Сгруппированное оборудование позволяет дальнейшее уменьшение времени, предлагая конвейерную загрузку партий (коротко-срочный режим) или параллельную обработку партий (режим технологической зрелости). Удаляя часть оборудования и уменьшая время наладки создаем экономически выгодные маленькие размеры партий, которые могут быть использованы для дальнейшего уменьшения сроков производства. Адаптивная Производственная Система представляет собой новый подход к альтернативной системе полупроводникового производства, как с точки зрения физического оборудования, так и эксплуатации, что послужило причиной возрастающей важности к основным затратам и срокам производства в добавлении к традиционной себестоимости подложек.

 Boss: бесподобный или бесполезный

После поломки компрессора я был уверен, что мы сможем выполнить заказ на сорок-пятьдесят процентов. Но положение дел значительно улучшилось, и я уверен, что мы справимся к назначенному сроку. Не забывайте, мы ведь один из лучших в мире заводов по производству плат! «Пусть почувствуют, что значимость племени у нас на высоте». – Мы должны отстоять свою репутацию от нападок главного офиса. Вы ведь знаете, что с нами будет, если мы не выполним заказ в срок, – напомнил Дэннис. «Пусть поволнуются о судьбе племени». Дэннис повернулся к Элу. – Прошлый раз вы рассказывали, что от рабочих поступило много предложений, как улучшить производительность. Почему же об этом ничего больше не слышно? Эл отошел от стены. – У меня есть хорошие новости. Мы уже занялись внедрением двух предложений. Одно из них касалось ускорения сушильного процесса, а второе – уменьшения времени транспортировки деталей. Эти два усовершенствования позволят нам увеличить мощности как минимум на двенадцать процентов. Если учесть, что мы планируем изменить процесс штамповки полупроводниковых пластин, то производительность увеличится еще на восемь процентов. – Чудесно! – ответил Грэг. – Если я правильно посчитал, получается, что к назначенному сроку мы сможем выполнить девяносто процентов заказа

скачать реферат Программа регистрации процесса производства для автоматизированной системы управления предприятием электронной промышленности

По своему содержанию дипломный проект соответствует современному уровню науки и техники. Современное полупроводниковое производство представляет собой сложный организационно-технологический комплекс, который включает в себя одновременную обработку многих сотен партий полупроводниковых пластин, проходящих по различным сложным, имеющим циклический характер, технологическим маршрутам с участием большого числа специализированных единиц оборудования, расположенных на различных производственных участках. Для эффективной работы производства нужно обеспечить управление транспортом и обработкой партий пластин, включающее учет технологически необходимых времен обработки и возможных временных задержек, учет приоритетов изготовления, мониторинг качества и сбор статистики, учет реставраций, связанных с исправление возможных несоответствий, учет возможных сбоев в работе технологического оборудования и т.п. Система управления процессом производства должна быть построена таким образом, чтобы обеспечить разумный компромисс между желанием максимально загрузить имеющееся оборудование (что неизбежно приводит к возникновению очередей на обслуживание при прохождении партий полупроводниковых пластин по технологическому маршруту) и необходимостью обеспечить короткое время выполнения заказа (для чего необходимо, чтобы изготавливаемая партия пластин как можно меньше простаивала в очередях).

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Это приводит к образованию в пластине сравнительно глубоких (до 50.100 мкм) и узких (до 25 40 мкм) канавок. Канавка, узкая и глубокая по форме, играет роль концентратора механических напряжений. При разламывании пластины возникающие напряжения приводят к образованию на дне канавки трещин, распространяющихся сквозь всю толщину пластины, в результате чего происходит ее разделение на отдельные кристаллы. Наряду с созданием глубокой разделительной канавки достоинством лазерного скрайбирования является его высокая производительность (100.200 мм/с), отсутствие на полупроводниковой пластине микротрещин и сколов. В качестве режущего инструмента используют импульсный оптический квантовый генератор с частотой следования импульсов 5.50 кГц и длительностью импульса 0,5 мс. Рисунок 8 — Схема лазерного скрайбирования полупроводниковой пластины 1.8 Разламывание пластин на кристаллыРазламывание пластин на кристаллы после скрайбирования осуществляется механически, приложив к ней изгибающий момент. Отсутствие дефектов кристаллов зависит от приложенного усилия, которое зависит от соотношения габаритных размеров и толщины кристаллов. Наиболее простым способом является разламывание пластин на кристаллы валиком (рисунок 9).

скачать реферат Паранормальные явления человеческой психики

На сбруе смонтирован электростимулятор с датчиками-контактами, дифференцированно размещенными по телу животного (вправо, влево, вперед, вверх, вниз), а также элементы электропитания, компьютер, радио и навигационное оборудование ориентации в пространстве и определения своего местоположения. По команде, передаваемой по радио или от компьютера, в котором заложена программа действий, карта местности и маршрут следования, электростимулятор начинает вырабатывать сигналы, подаваемые на тот или иной датчик, управляющий движением животного примерно так же, как запряженная лошадь управляется вожжами и кнутом. Опыты с крысами и собачкой показали, что методика управления действительно оказывается достаточно эффективной. Однако автор изобретения был жестоко раскритикован за бесчеловечное обращение с животными. При этом критики, похоже, постарались закрыть глаза на методы укротителей использующих в своей практике не только сахар, но и железную палку. Более того, пока мы упражняемся в гуманизме, используя методы и лозунги Лиги защиты животных, эксперименты, судя по некоторым данным уже давно перенесены на людей.

скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжительности диффузии). Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию.

Вешалка для одежды напольная, раздвижная ТД-00013, 1600x430x1550 мм.
Длина: 160 см. Регулируемая высота: 90-155 см. Ширина: 43 см. Количество перекладин: 1. Максимальная нагрузка: 15 кг. Вешалка напольная
861 руб
Раздел: Вешалки напольные
Металлическая клетка-корона, белая, 16,5x21,5 см.
"Садовая" металлическая серия кукольной миниатюры в масштабе 1:12. Размер: 16,5x21,5 см. Материал: металл. Цвет: белый.
308 руб
Раздел: Прочие
Музыкальный центр "Парк развлечений".
Это детское пианино с диапазоном в одну октаву предназначено для малышей. Над клавиатурой пианино расположены кнопки с изображением
1575 руб
Раздел: Сортеры, логические игрушки
скачать реферат Информационный сектор США

Интенсивное создание сетей стимулирует бурное развитие под отрасли передачи данных (объем продаж в 1988 г.4,9 млрд. долл., оценка). Весьма высокие темпы прироста (36-50%) наблюдались в 1988 г. в производстве и сбыте цифрового коммуникационного оборудования, цифровых мультиплексоров, волоконно-оптических приборов и средств комплексного обслуживания, где реализуются функции передачи речи, данных и изображений. Поставщики волоконно-оптических локальных сетей стремятся показать, что они обходятся дешевле медных (с учетом расходов на монтаж). Их рынок обширен. 60% установленных в американских корпорациях ПК было подсоединено к средствам связи. Волоконно-оптические системы передачи (ВОСП) успешно развиваются, особенно на абонентских линиях связи (АЛ). Согласно оценкам, ВОСП на АЛ станут возможной альтернативой обычным кабельным линиям к 1992 г., а может быть и раньше. Сектор полупроводниковых приборов — основа прогресса большинства направлений вычислительной промышленности. Объем их продаж в 1988 г. достиг 15,6 млрд. долл. оборудования для полупроводниковых приборов — 2,4 млрд. долл. компонентов - 24,6 млрд. долл. (оценка). Высокими темпами в последние три года развивались средства программного обеспечения (объем их продаж, согласно оценке, в 1988 г. составил 20,2 млрд. долл.) (см. табл. 4). По прогнозам специалистов ближайшие пять лет рынок этой продукции будет иметь благоприятные перспективы (причем со скачками в некоторых под отраслях до 50% в год).

скачать реферат Тиристоры

Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров . Приборы с четырехслойной структурой р-п-р-п представляют собой один из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов, свойства которых определяются наличием в толще полупроводниковой пластины смежных слоев с различными типами проводимости. Основу такого прибора составляет кремниевая пластина, имеющая четырехслойную структуру, в которой чередуются слои с дырочной р и электронной проводимостями (рис. l.a) Эти четыре слоя образуют три р-п перехода J1,J2, J3. Выводы в приборах с че- тырехслойной структурой делаются от двух крайних областей (р и ), а в большинстве приборов - и от внутренней области р. Крайнюю область р структуры, к которой подключается положительный полюс источника питания, принято называть анодом A , крайнюю область , к которой подключается отрицательный полюс этого источника,-катодом К, а вывод от внутренней области р-управляющим электродом УЭ. Естественно, что для полупроводникового прибора такие определения носят условный характер, однако они получили широкое распространение по аналогии с тиратронами и ими удобно пользоваться при описании схем с этими приборами.

скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезистор не проявляется. Таким образом, на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя фоторезистор не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится, диффузия.Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее- 2 мкм. Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.'Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы.

скачать реферат Печатные платы

Лазерное скрайбирование применяется в крупносерийном производстве для разделения пластин кремния диаметром до 76 мм. Арсенид галлия нельзя скрайбировать лазерным лучом из-за выделения токсичных соединений мышьяка. 3 Обработка поверхности пластин Полученные полупроводниковые пластины нельзя сразу использовать для производства интегральных микросхем. Сначала они должны пройти предварительную обработку. Поверхность пластин после резки весьма неровная: размеры царапин, выступов и ямок иногда намного превышают размеры будущих структурных элементов. Поэтому перед началом основных технологических операций пластины многократно шлифуют, а затем полируют. Цель шлифовки помимо удаления механических дефектов состоит также в том, чтобы обеспечить необходимую толщину пластины (200 ( 300 мкм), недостижимую при резке и параллельность плоскостей. 3.1 Шлифовка Под шлифованием понимают процесс обработки поверхностей заготовок на твердых дисках – шлифовальниках из чугуна, стали, латуни, стекла и других материалов с помощью инструментов – шлифовальников и абразивной суспензии (обработка свободным абразивом) или с помощью алмазных шлифовальных кругов (обработка связанным абразивом).

скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы). В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек. Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение. Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов. 2.1. Назначение подложек. В технике ИМС подложки выполняют две функции: а) являются основанием, на поверхности или в приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют структуры ИМС; б) являются элементом конструкции, обеспечивающим практическое применение ИМС в корпусном или бескорпусном исполнении.

Датчик обнаружения угарного газа.
Ежегодно сотни людей по всему миру погибают от отравления угарным газом. Именно поэтому в каждом доме, где используется любая
783 руб
Раздел: Детекторы, датчики движения
Таблетки для посудомоечных машин "Paclan Brileo. Classic", 80 штук.
Таблетки обладают отличным моющим действием за счет входящих в состав "умных" энзимов (амилазы и протеазы). Отлично моют посуду,
592 руб
Раздел: Для посудомоечных машин
Тачка "Садовод".
Играя с тачкой «Садовод» ваш малыш сможет почувствовать себя более самостоятельным и взрослым, помогая своим родителям на даче или в
945 руб
Раздел: Садовый инвентарь
скачать реферат Комплект технологической документации по оптической контактной литографии

Таблица 1 Основные параметры литографических процессов Способ литографического процесса Минимальная ширина линии, мкм Ошибка совмещения, мкм Контактная фотолитография фоторезист позитивный ФП-383 ТУ 2378-005-29135749-2007 характеристики и применение. Os ec micro каталог продукции – установки для литографических процессов. Установка отмывки полупроводниковых пластин Os ec AD 976 руководство по эксплуатации. Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста Os ec EVG®101 руководство по эксплуатации. Установка прецизионного двухстороннего совмещения и экспонирования Os ec EVG620 руководство по эксплуатации. iko каталог продукции – Микроскопы для исследования полупроводниковых пластин. Прямой моторизированный инспекционный микроскоп iko Eclipse L200А руководство по эксплуатации. Sawa ec каталог продукции – температурные установки. Установка сушильная Sawa ec HP 150 руководство по эксплуатации.

скачать реферат Акустоэлектроника (Доклад)

Более перспективными в этом отношении являются ЭАУ на поверхностных волнах. Структура такого усилителя показана на рис. 3, а. С помощью входного решетчатого преобразователя (рис. 3, б), напыляемого на поверхность пьезоэлектрического кристалла Пэ, в последнем возбуждается акустическая волна. На некотором участке поверхность пьезокристалла соприкасается с поверхностью полупроводниковой пластины, в которой от источника Е проходит ток. Следовательно, на участке поверхностного контакта пьезокристалла и полупроводника произойдет взаимодействие акустической волны с потоком электронов. Именно на этом участке происходит акустическое усиление сигнала, который затем снимается в виде усиленного переменного напряжения с выходного преобразователя, работающего в режиме обратного пьезоэффекта. Достоинство ЭАУ поверхностного типа состоит в том, что материалы пьезоэлектрика и полупроводника могут быть разными. Первый из них должен обладать высокими пьезоэлектрическими свойствами, второй – обеспечивать высокую подвижность электронов.

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или диффузионного слоя и покрытую слоем двуокиси кремния SiO2 или нитрида кремния Si3 4. Границу пластины и пленки можно с большой долей правдоподобия принять отражающей, т.к. коэффициенты диффузии большинства примесей в кремнии на несколько порядков больше, чем в двуокиси кремния и нитриде. Однако, равномерность распределения примеси в источнике, особенно при его создании методом диффузии или имплантации - весьма грубое и вынужденное приближение. 1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей Решение диффузионного уравнения при этих условиях находится из предыдущего при h?и условии, что количество диффузанта в источнике Q= oh. (26) Приведенное выражение представляет собой Гауссово распределение. Тонкий слой на поверхности полупроводниковой пластины является источником, который очень быстро истощается. Непрерывная диффузия в этом случае приводит к постоянному понижению поверхностной концентрации примеси в полупроводнике.

скачать реферат Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов

При неудовлетворительном качестве отмывки обработку повторяют. Такая оценка качества отмывки имеет существенный недостаток: для контроля пластину необходимо извлечь из тары для хранения и поместить на предметный столик микроскопа или установки контроля угла смачивания. Поэтому поверхность пластин при контроле загрязняется в результат контакта с атмосферой. После отмывки необходимо сразу же передать пластины на следующую операцию, так как при хранении происходит загрязнение их поверхности. Если отмытые пластины необходимо хранить, их поверхность следует защищать от воздействия внешней среды. Так, полимерный комплекс КС-1 позволяет надёжно защищать полупроводниковые пластины от внешней атмосферы в течение достаточно длительного времени (до 10 суток). Кроме того, очищенные полупроводниковые пластины можно хранить в герметичном сосуде с парами фреона. Сушка деталей.На производстве применяются следующие виды сушки: воздушная сушка в сушильных камерах, горячая сушка в сушильных шкафах , радиационная сушка, сушка токами высокой частоты.При воздушной сушке в сушильных камерах детали или заготовки размещают на полках и выдерживают до нескольких суток при нормальной сушке (15–20 С) температуре.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.