телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАТовары для дачи, сада и огорода -30% Игры. Игрушки -30% Видео, аудио и программное обеспечение -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Полупроводниковые диоды

найти похожие
найти еще

Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10
Эквивалентная схема R туннельного диода может ? ? ? быть представлена в виде Є? ? C ? ? ?Є (Рис. 3). ? ? ? r L Рис. 3 Она состоит из дифференциального сопротивления p- -перехо- да R , зарядной ёмкости C , сопротивления потерь r, индуктив- ности выводов L. Емкость корпуса туннельного диода можно учесть в схеме внешней цепи, поэтому мы её для простоты опустим. Перенос тока в туннельном диоде при V твляется основными носителями, а не неосновными, как в обыч- ных диодах. Скорость распростронения процесса опреде- ляется временем релаксации. Это время порядка 10. 10 с и оно не ограничивает частотные свойства прибора. Поэтому в эквивалентной схеме отсутствует диффузионная ёмкость p- -перехода, а все остальные элементы практически не зависят от частоты. На основании эквивалентной схемы нетрудно записать выраже- ние для полного сопротивления туннельного диода, а из него определить предельную и собственную резонансную частоту. Туннельные диоды, благодаря их высокочастотным свойствам, применяються в схемах высокочастотного переключения, а так-же для усиления и генерирования колебаний на сверхвысо- ких частотах. Схема переключения подобна аналогичной схеме на S-диоде. Для того чтобы нагрузочная прямая пересекала вольт-амперную характеристику в трех точках, сопротивление нагрузки должно быть больше дифференциального сопротивления диода на участке отрицательного сопротивления. Вследствии большей ширины запрещённой зоны арсенида гал- лия напряжение срыва в диодах из него ( ~ 1 B) выше, чем в диодах из германия ( ~ 0,4 B). Поэтому диоды из арсенида гал- лия предпочтительнее для использования в переключающих ус- тройствах (в особенности для счетной техники) и в генерато- рах. Широкая запрещенная зона обуславливает и большую их термостабильность. Германиевые туннельные диоды имеют меньший уровень собственных шумов, что важно для использова- ния в схемах усилителей. э ь Ў = №

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ШОТТ Фридрих Отто (1851-1935) - немецкий химик. Заложил основы современного производства стекла, создал многие виды специальных стекол. В 1884 основал стекольную фирму в Йене. ШОТТЕЛЬ (Schottel) Юстус Георг (1612-76) - немецкий писатель, теоретик литературы, филолог. Трактат "Детальное исследование главного немецкого языка" (1663). ШОТТКИ ДИОД - полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкого физика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как сверхбыстродействующий переключатель. ШОТТКИ ЭФФЕКТ - рост тока электронной эмиссии с поверхности твердого тела под действием электрического поля, ускоряющего электроны (уменьшающего работы выхода). Назван по имени немецкого физика В. Шоттки. ШОУ (Shaw) Джордж Бернард (1856-1950) - английский писатель. Один из учредителей социал-реформистского "Фабианского общества" (1884)

скачать реферат Материаловедение

Вопросы к контрольной работе.1. Опишите свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. 2. Объясните механизм пробоя жидких диэлектриков. 3. Что происходит при контакте двух полупроводников с разным типом проводимости. Начертите вольт - амперную характеристику полупроводникового диода с кратким объяснением этой характеристики. 4. Перечислите основные параметры магнитных материалов и начертите «петлю гистерезиса». 5. Опишите требования, предъявляемые к контактам и материалам, которые применяются для создания качественного контакта.1. Опишите свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. К важнейшим тепловым свойствам диэлектриков относятся нагревостойкость, холодостойкость, теплопроводность, и тепловое расширение. Способность электроизоляционных материалов и изделий без вреда для них как кратковременно, так и длительно выдерживать воздействие высоких температур, называют нагревостойкостью. Нагревостойкость неорганических диэлектриков определяется, как правило, по началу существенного изменения электрических свойств, например по заметному росту угла диэлектрических потерь ( g ) или снижению удельного электрического сопротивления.

Детский велосипед Jaguar трехколесный (цвет: коричневый).
Детский трехколесный велосипед колясочного типа, для малышей от 10 месяцев до 3 лет. Модель с удлиненной рамой, что позволяет подобрать
1440 руб
Раздел: Трехколесные
Кружка фарфоровая "Королевские собаки", 485 мл.
Кружка фарфоровая. Объем: 485 мл.
322 руб
Раздел: Кружки
Карандаши цветные "Triocolor", 24 цвета, трехгранный корпус.
Трехгранная эргономичная форма корпуса. Яркие, насыщенные цвета, линии мягко ложатся на бумагу. Грифель устойчив к механическим
464 руб
Раздел: 13-24 цвета
 Физические эффекты и явления

Основная область применения электролюминесценсии - индикаторные устройства, подсветка шкал, преобразователи изображения. Применение электролюминофоров считают перспективным для создания телевизионных экранов. 15.3.2. Инжекционная электролюминесценция (эффект Лосева). Свечение возникает под действием зарядов, инжектируемых в полупроводниковые кристаллы. При пропускании тока через полупроводниковый диод в области перехода инжектируются избыточные носители тока (электроны и дырки), рекомендация которых сопровождается оптическим излучением (3). Широкое применение основанных на этом эффекте светодиодов обусловленно следующими их особенностями: высокая надежность (срок службы 10 в шестой степени часов), малое энергопотребление (1,5-30 В, 10 мА), малая инерционность (10 в минус девятой степени сек.), высокая яркость свечения в зеленой, красной и инфракрасной областях спектра. А.с. 245 892: Устройство для регистрации электрических сигналов на фотопленку, содержащее источник электрических сигналов, измерительный механизм и механизм протягивания пленки, отличающийся тем, что с целью повышения надежности и упрощения конструкции, в нем измерительный механизм выполнен ввиде полупроводникового электролюминесцентного преобразователя, состоящего из кристалла полупроводника с широкой запрещенной зоной, содержащего p-n-переход и контакты с выводами, служащими для пропускания тока электролюминесценции и тока управления площадью свечения. 15.4

скачать реферат Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Важной областью применения автодинов является контроль параметров материалов и сред. Применение эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред основано на установлении зависимостей величины продетектированного СВЧ-сигнала от параметров контролируемых величин: диэлектрической проницаемости и проводимости. Измерения с помощью приборов основаны на сравнение с эталонами, а точность измерения в основном определяется точностью эталонирования. Теоретическое обоснование возможности использования эффекта автодинного детектирования в диодных СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред проведено на основе численного анализа. Описание отклика диодного СВЧ-автодина может быть сделано на основе рассмотрения эквивалентной схемы генератора (Рис. 1.1), в которой комплексная проводимость Y определяется параметрами исследуемого материала и характеристиками электродинамической системы, а Yd - средняя проводимость полупроводникового прибора. YdY Рис. 1.1. Эквивалентная схема автодина на полупроводниковом диоде.

 Практические советы владельцу автомобиля

В момент включения стартера реле 2 благодаря наличию полупроводникового диода Д1 самоблокируется, его контакты останутся замкнутыми до тех пор, пока не будет отпущен ключ зажигания, несмотря на то что контакты реле 5 могут разомкнуться раньше, при первых вспышках в двигателе. Это обстоятельство позвсляет "сопровождать" двигатель стартером, что бывает необходимо в холодную погоду или вообще при затрудненном пуске. Рис. 44. Подключение диода к включателю зажигания: 1 - включатель зажигания; 2 - тяговое реле стаотера; Д - диод; 50 - клемма включателя зажигания Рис. 45. Схема блокировки включения стартера для автомобилей ВАЗ: 1 - провод к клемме 50 стартера (красный); 2 - дополнительное реле; 3 провод к клемме 50 включателя зажигания (красный); 4 - провод к контрольной лампе генератора (черный); 5 - "штатное" реле включения контрольной лампы; б - провод к блоку предохранителей (оранжевый); 7 провод к генератору (желтый); Д1, Д2 - Диоды Диод Д2 уменьшает подгорание контактов включателя зажигания. Рис. 46. Схема блокировки включения стартера для автомобилей "Москвич-412" и "2140": 1 - аккумуляторная батарея; 2 - стартер; 3 - тяговое реле стартера; 4 дополнительное реле стартера; 5 - включатель зажигания; 6 - контрольная лампа; 7 - реле блокировки; 3 - дополнительные выводы от обмоток генератора; 9 - генератор; 10 - фазные обмотки статора генератора; 11 выпрямительный блок генератора; ЛК., PC, M - клеммы реле блокировки; 15, 50 - клеммы включателя зажигания В схеме можно использовать диоды Д242...Д248 с любыми буквенными индексами или другие с аналогичными характеристиками

скачать реферат Разработка макета системы персонального вызова

Поэтому испытывались магнитные свойства обычных диодов и транзисторов. 3.1 Источник магнитного поля В качестве источника магнитного поля при определении магниточувствительности полупроводниковых приборов применялся торообразный трансформатор с пропиленным зазором 5 мм и имеющий 100 витков медного провода диаметром 1 мм. Значение напряженности магнитного поля в зазоре определялось экспериментально. Для этого была намотана проволочная рамка диаметром 6.5 мм, имеющая 6 витков. Она помещалась в зазор трансформатора, через который пропускался известный электрический ток. ЭДС индуцируемая в рамке также фиксировалась. затем по формуле ( ) определялась напряженность магнитного поля. H = e / (2 f S)(31). где е - ЭДС, индуцируемая магнитным полем, В; f - частота магнитного поля, Гц; S - площадь рамки, м^2. Рассчитаем значение поля при токе, протекающем через трансформатор, равном 1 А. Н1 = 7 4 10Е-3 / (2 50 4 10Е-7 0.065^2) = 2.2 10Е4 Так как зависимость напряженности поля от тока довольно линейна, то для нахождения напряженности поля в зазоре при любом токе необходимо Н1 умножить па значение тока. 3.2 Определение магниточувствительности диода Схема, на которой измерялась магниточувствительность полупроводникового диода приведена на рис. 3.1. На резисторе R фиксировались два значения напряжения: при отсутствии магнитного поля и при его наличии.

скачать реферат Диоды

Полупроводниковые диоды подразделяются на группы, в зависимости от их мощности, диапазона рабочих частот, напряжения и диапазона рабочих частот. Как у дидов так и у транзисторов есть одно уникальное свойство. При изменении температуры, их внутреннее сопротивление изменяется и следовательно величина напряжения выпрямленного тока тоже изменяется в большую или меньшую сторону. Свето и фотодиоды применяются в качестве датчиков и индикаторов. ТранзисторыБез транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и даже компьютерных аппаратурах. Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p - переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух остриёв (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждое остриё образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать напряжение прямой полярности, а между коллектором и базой- обратной полярности, то оказывается, что величина тока коллектора находится в прямой зависимости от величины тока эмиттера.

скачать реферат Лавинно-пролетный диод

Как отмечалось выше, и в этом случае в определенных интервалах значений угла пролета носителей заряда активное сопротивление р-п перехода может быть отрицательным. Однако отсутствие запаздывания в механизме обратной связи, создаваемой объемным зарядом подвижных носителей, ухудшает условия самовозбуждения колебаний. Поэтому генераторы на диодах Зинера осуществить труднее, чем генераторы на лавинно-пролетных диодах.ЗАКЛЮЧЕНИЕСовременная техника СВЧ немыслима без применения полупроводниковых диодов. Видеодетектирование, гетеродинное смешение, усиление слабых сигналов, генерация гармоник, коммутация СВЧ мощности – таковы функции, выполняемые в настоящее время полупроводниковыми диодами в СВЧ системах. Естественно, что такое многообразие применений приводит к многообразию требований, предъявляемых к характеристикам различных типов диодов. Чтобы удовлетворить этим требованиям, разработчик диодов имеет определенную свободу в выборе полупроводникового материала, из которого должны быть изготовлены диоды, его удельного сопротивления, технологии изготовления диода, его геометрии.

скачать реферат Учебная практика по специальности "ТО и ремонт РЭА"

ВАХ диода имеет участки АВ и CD, на которых значительному изменению тока соответствует незначительное изменение напряжения при сравнительно линейной их зависимости. Для стабилизации высокого напряжения (>3 В) используют обратную ветвь (участок АВ) ВАХ. Применяемые для этой цели диоды называют стабилитронами. Для стабилизации небольших значений напряжений (< 1 В —например, в интегральных схемах) используют прямую ветвь (участок CD) ВАХ, а применяемые в этом случае диоды называют стабисторами. Излучающий диод — полупроводниковый диод, излучающий из области р-п- перехода кванты энергии. Излучение испускается через прозрачную стеклянную пластину, размещенную в корпусе диода. Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Cзар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Туннельный диод – диод, имеющий участок с отрицательной прямой проводимостью. Обращенный диод – разновидность туннельного диода, имеющая обратный туннельный эф. Фотодиод по структуре аналогичен обычному полупроводниковому диоду.

Говорящий планшетик "Сказочка", 19x24 см.
Говорящий Планшетик "Сказочка для маленьких" - это незаменимый спутник Вашего малыша, с ним он точно не будет скучать! В памяти
513 руб
Раздел: Планшеты и компьютеры
Подгузники Huggies Elite Soft, (1), до 5 кг, 84 штуки.
Подгузники Huggies Classic обеспечат надежную защиту вашего малыша. Детские подгузники стали еще удобнее. Благодаря дополнительному слою,
879 руб
Раздел: 0-5 кг
Фломастеры смываемые "Jungle", 24 цвета.
Фломастеры с заблокированным пишущим узлом, смываемые. Количество цветов: 24.
438 руб
Раздел: 13-24 цвета
скачать реферат Матричные фотоприемники

Из большого числа фотоприемных устройств (фотодиодные и фототранзисторные приборы , электровакуумные и твердотельные видиконы фотоэлектронные умножители и др. ) наиболее полно удовлетворяют требованиям оптоэлектронных устройств обработки информации твердотельные матричные фотоприемники. В настоящее время в основном применяются дискретные и гибридные матрицы фотоприемников . Дискретные матрицы фотоприемников с малым геометрическими размерами и небольшим количеством элементов создаются из отдельных кремниевых фотодиодов. Гибридная матрица фотоприемника имеет большой счет интеграции и разрабатываются на базе специально созданных кремниевых линеек ,каждая из которых содержит одно количество элементов. 1.2 .ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ФОТОДИОДА Полупроводниковый фотодиод – это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности. Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с p- переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в p- переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к p- переходу на расстоянии, не превышающей диффузионной длины, диффундируют в p- переход и проходят через него под действием электрического поля.

скачать реферат Разработка схемы радиоприемника

Это является существенным недостатком УРЧ с общей базой. Существуют также каскадные схемы УРЧ, в которых сочетаются произвольные включения схем с общей базой и общим эмиттером (рисунок 6). Рисунок 6 – Сочетание схем транзисторных усилителей, включенных по схеме с общей базой и с общим эмиттером. Сочетание различных схем включения транзисторов в одном каскаде УРЧ улучшает его характеристика. Транзистор V 1 включён по схеме с общим эмиттером, V 2 – с общей базой. Преимуществом такой схемы УРЧ является то, что она применяется во всех диапазонах, включая УКВ. 2.2.3 Преобразователь частоты Преобразование сигналов радиочастот в сигнал промежуточной частоты осуществляется в частотно-преобразовательных каскадах ПЗВ. Для преобразования используется нелинейность ВАХ, преобразующих элементов (ПЭ), в качестве которых обычно используются полупроводниковые диоды и транзисторы. Для получения сигнала промежуточной частоты (ПЧ), помимо напряжения сигнала, к ПЭ необходимо подвести напряжение от гетеродина с частотой, отличающейся от частоты сигнала на значение ПЧ.

скачать реферат Магнитомягкие материалы. Ферриты

Час-тота, Гц101021031041051061071081091010 При-мене-ние Сер-деч-ники Табл.5 Применение ферритовых сердечников, обеспечивающих достижение добротности не менее 100. 1 - телеграф 2 - телефон 3 - телефонная несущая 4 - звукозапись Радио, радиолокация: 5 - ДВ 6 - СВ 7 - КВ1 8 - КВ2 9 - УКВ 10 - СВЧ. 3.2. Запоминающие и переключающиеся цепи Успехи в развитии магнитомягких материалов в 60-е годы содействовали быстрому развитию математических машин и позволили осуществить новые конструкции электронных телефонных станций. Элементы, в которых эти материалы используются совместно с полупроводниковыми диодами или транзисторами, почти вытеснили менее надежные, имеющие большие габариты и менее экономичные детали, какими являются электронные лампы и реле. При проектированиикрупных машин для обработки информации нельзя обойтись без этих элементов. Для указанных устройств обычно применяются металлические и ферритовые магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса. В некоторых запоминающих цепях, кроме этих материалов, применяются и другие. 3.3. Принципы действия запоминающих и переключающихся цепей с сердечниками с прямоугольной петлей гистерезиса Толчок развитию запоминающих устройств на основе магнитных материалов дали постоянно повышающиеся к ЭВМ.

скачать реферат Шпаргалка с билетами по физике, 11 класс

Все состояния, кроме одного, являются стационарными условно, и только в одном – основном, в котором электрон обладает минимальным запасом энергии – атом может находиться сколь угодно долго, а остальные состояния называются возбужденными. 2) Электронно-дырочный переход и его свойства. Полупроводниковый диод и его применение. Полупроводниковый диод состоит из p- перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости. При соединении происходит диффузия электронов в р-полупроводник. Это приводит к появлению в электронном полупроводнике нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в дырочном – отрицательных ионов акцепторной примеси, захвативших продиффундировавшие электроны. Между двумя слоями возникает электрическое поле. Если на область с электронной проводимостью подать положительный заряд, а на область с дырочной – отрицательный, то запирающее поле усилится, сила тока резко понизится и почти не зависит от напряжения. Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде – обратным. Если на область с дырочной проводимостью подать положительный заряд, а на область с электронной – отрицательный, то запирающее поле ослабится, сила тока через диод в этом случае зависит только от сопротивления внешней цепи.

скачать реферат Методы количественного обнаружения в образцах экологически опасных радионуклидов

Наиболее обычное средство количественного определения присутствия (- частиц, испускаемых радионуклидами, через использование жидкого сцинтилляционного счетчика. В этих системах образец и фосфор объединяются в растворителе в пределах считающей камеры. Затем камера опускается в отверстие между двумя фотоумножающими трубками для счета. Жидкий сцинтилляционный счетчик стал существенным инструментом исследований, включающих такие радионуклиды, как 3H и 14C. 2.1.3. Полупроводниковые датчики Полупроводниковый датчик представляет собой полупроводниковый диод, на который подается напряжение такого знака, что основные носители тока оттягиваются от переходного слоя. Следовательно, в нормальном состоянии диод заперт. При прохождении через переходный слой быстрая заряженная частица порождает электроны и дырки, которые отсасываются к электродам. В результате возникает электрический импульс, пропорциональный количеству порожденных частицей носителей тока. 2.1.4. Эффективность счета Активная система определения излучения никогда не может видеть 100 процентов распадов, происходящих в данном радиоактивном образце.

Набор столовый детский "Антошка" (4 предмета).
Набор детских столовых приборов: - ложка столовая -1 шт; - вилка столовая - 1 шт; - нож столовый - 1 шт; - ложка чайная - 1
399 руб
Раздел: Ложки, вилки
Подставка для ножей AK-210ST "Alpenkok", 11x22 см.
Размеры: 11х22 см. Подставка для ножей мраморной расцветки с черным наполнением. Материал корпуса: пластик. Внутренняя часть:
673 руб
Раздел: Подставки для ножей
Колокольчик декоративный "Узор", 8x13 см.
Цвет: белый. Материал: фарфор. Размер: 8x13 см.
355 руб
Раздел: Миниатюры
скачать реферат Программа вступительных экзаменов по физике в 2004г. (МГУ)

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. p- -переход и его свойства. Полупроводниковый диод. Транзистор. Термистор и фоторезистор. Электрический ток в газах. Самостоятельный и несамостоятельный разряды. Понятие о плазме. III.3. Магнетизм Магнитное поле. Действие магнитного поля на рамку с током. Индукция магнитного поля (магнитная индукция). Линии магнитной индукции. Картины линий индукции магнитного поля прямого тока и соленоида. Понятие о магнитном поле Земли. Сила, действующая на проводник с током в магнитном поле. Закон Ампера. Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Магнитные свойства вещества. Гипотеза Ампера. Ферромагнетики. III.4. Электромагнитная индукция Магнитный поток. Опыты Фарадея. Явление электромагнитной индукции. Вихревое электрическое поле. Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца. Самоиндукция. Индуктивность. ЭДС самоиндукции. Энергия магнитного поля. III.5. Электромагнитные колебания и волны Переменный электрический ток. Амплитудное и действующее (эффективное) значение периодически изменяющегося напряжения и тока. Получение переменного тока с помощью индукционных генераторов. Трансформатор. Передача электрической энергии. Колебательный контур.

скачать реферат Полупроводниковые приборы и электронные лампы

ДОКЛАД"Полупропроводниковые приборы и электронные лампы"ученика 10 "Б" класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -1998- -2- ПЛАНСтр. ДИОД .3 ЭЛЕКТРОННАЯ .4 ДИОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ Полупроводниковый диод - прибор, обладающий способностью хорошо пропускать через себя электрический ток одного направления и плохо - противоположного направления. Это свойство диода используют, например, в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный (ток одного направления). Слово "диод" образовалось от греческой приставки "ди" - "дважды" и сокращения слова "электрод". Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковую пластинку с двумя областями разной проводимости: электронной ( - типа) и дырочной (p - типа). Между ними - разделяющая граница, называемая p - переходом. Область - типа называют отрицательным электродом, а область p - типа - положительным электродом полупроводникового диода. Диод хорошо пропускает ток, когда его отрицательный электрод соединен с отрицательным полюсом источника напряжения (батареи), а положительный с положительным полюсом, т.е. когда на диод подается напряжение прямой полярности, или, короче, прямое напряжение.

скачать реферат Радиолокационный приемник

Амплитудный линейный детектор (АД) выполняют на полупроводниковых диодах или транзисторах. Диодные полупроводниковые детекторы могут иметь как последовательные, так и параллельные схемы включения. Рис.15. Последовательная схема включения АД. Источником сигнала является колебательный контур Lк, Ск , индуктивно связанный с выходом резонансного усилительного каскада. К нему подключен детектор , образованный диодом Д и нагрузкой RC. Фильтр (Lф и его паразитная емкость Сф) - уменьшает высокочастотные пульсации выходного напряжения. Перед детектированием импульсы, принимаемые РЛ приемным устройством, согласно структурной схеме, проходят фильтровую обработку. Фо - представляет собой согласованный фильтр. Фильтр Фв - весовой сумматор на скользящем интервале. Рис.16.Весовой сумматор на скользящем интервале.Итак, коэффициенты устройств, входящих в структурную схему (до АД): Капч= 0.95, Кузп= 0.9, Кувч= 5.5, Купзк= 0.92, Кпч= 0.5, Купч= 1,6 после СФ (т.к. он ослабляет сигнал), необходимо ввести в схему усилитель с коэффициентом передачи: Кус= 10. Введем каскад с ОЭ. 8.Проектирование АПЧ.Для автоподстройки частоты гетеродина можно использовать частотный детектор приемника и управитель частоты (УЧАП), который должен работать при относительно медленном изменении частоты, вызванном нестабильностью передатчика и гетеродина приемника. Рис.16. Принципиальная схема АПЧ.

скачать реферат Физические основы электроники

Например, если полупроводник электронный и к нему прикладывается отрицательное напряжение, то под действием электрического поля у Рисунок 1.22 Образование обогащенного Рисунок 1.23 График изменения типа слоя на поверхности полупроводника электропроводности на поверхности -типа. полупроводника. поверхности увеличиваются концентрация электронов и электропроводность приповерхностного слоя полупроводника (см. рис. 1.22). При изменении полярности напряжения концентрация электронов в приповерхностном слое уменьшается, а дырок - увеличивается. В связи с этим электропроводность приконтактной области уменьшается, стремясь к собственной. Увеличение напряжения приводит к тому, что концентрация дырок становится выше концентрации электронов и происходит изменение (инверсия) типа электропроводности слоя. При этом электропроводность приповерхностного слоя увеличивается. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника -типа от напряжения показана на рис. 1.23. Это явление принято называть эффектом поля. 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 2.1 Классификация Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам: - методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.; - физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды. диоды Ганна и др.; - назначению: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смесительные, СВЧ-диоды и др.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.