телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАВидео, аудио и программное обеспечение -30% Товары для дачи, сада и огорода -30% Книги -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Применение гетеропереходов в оптоэлектронике

найти похожие
найти еще

Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
44 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Содержание. Гетеропереход. Физические основы. Применение гетеропереходов. Излучатели. Инжекционный лазер. Светоизлучательный диод. Исскуственные квантовые ящики. Приемники. Фотодиод. Фототранзистор. Введение. Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, хранения и отображения информации. Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно- технологические концепции современной электроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий, таких как эпитаксия, фотолитография, нанесение тонких пленок, диффузия , ионная имплантация, плазмохимия и др. Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны. Гетеропереход. Физические основы. Если - и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ФИ)

Сотрудниками института было выяснено влияние дефектов на прочностные свойства материалов, развито представление о микроскопической модели реальных кристаллов и конденсированного состояния вообще. С начала 30-х гг. проводятся систематические исследования по изучению свойств полупроводников, получению полупроводниковых материалов и разработке их технических применений; в это же время была построена теория выпрямления, изучены меднозакисные и селеновые выпрямители. В 40-х гг. получены первые в СССР плоскостные транзисторы. Разработанные в ФТИ тиристоры послужили основой для создания новой отрасли промышленности – силовой полупроводниковой электроники. Исследование гетеропереходов привело к построению на их основе гетеролазеров и др. приборов квантовой электроники . Работы в области ядерной физики были начаты в 1932 (создана электрокапиллярная теория деления тяжёлых ядер, открыты явления ядерной изомерии радиоактивных элементов и спонтанного распада ядер урана).   Наряду с традиционными в ФТИ успешно развиваются многие др. направления исследований: физика плазмы (диагностика плазмы, методы её нагрева и удержания), физическая газодинамика, астрофизика (физика Солнца, рентгеновская и гамма-астрономия, физика космических лучей), голография и оптоэлектроника, теоретическая и математическая физика, вычислительная техника, эмиссионная электроника и масс-спектроскопия.   На базе ФТИ создано более 10 научно-исследовательских институтов, в том числе институт химической физики АН СССР, Физико-технический институт АН УССР (Харьков), Ленинградский институт ядерной физики АН СССР, институт физики металлов АН СССР

скачать реферат Электронно-дырочные гетеропереходы и их отличия от гомопереходов

В то же время фототранзисторам присуща заметная инерционность, что ограничивает область их примернения в основном устройствами автоматики и управления силовыми цепями. Они изготавливаются практически только на кремнии. Заключение Итак, как вы уже успели убедиться, применение гетеропереходов в оптоэлектронике помогает разрешить многие проблемы. Так, в частности, найдено решение задачи создания приборов с прямозонной энергетической диаграммой, что не удавалось реализовать на гомогенных структурах. Прозрачность широкозонного эмиттера для рекомбинационного излучения базы гетерогенной структуры существенно облегчает задачу констуирования излучательных приборов. Также гетероструктуры способствуют всё большей интеграции оптоэлектронных устройств. Реализация сверхрешеток позволит создавать элементную базу с произвольными зонными диаграммами, т.е. гетероструктуры являются перспективным направлением исследования. Технологические трудности изготовления гетеропереходов, как нам кажется, явление временное и в недалеком будущем преодолимое. Применительно к нашей специальности (физика и техника оптической связи) гетероструктуры являются хорошим подспорьем в конструировании систем волоконно-оптической связи.

Настольная игра "Тайны моря".
Настольная игра «Тайны моря» — простая и веселая игра 2 в 1 для всей семьи. Отправляйтесь на поиски несметных сокровищ, которые скрывает
315 руб
Раздел: Прочие
Пенал "Fairy" с наполнением.
Пенал на 1 отделение укоплектован необходимыми школьными принадлежностями. В комплекте пенала в помощь и на радость школьники найдут
1142 руб
Раздел: С наполнением
Настольная игра "Уве Розенберга Пэчворк".
Настольная игра "Пэчворк" - одна из лучших абстрактных игр в мире. На протяжении игры участники составляют полотно из отдельных
900 руб
Раздел: Классические игры
 Битва за мировой океан в 'холодной' и будущих войнах

Итак, "холодная война" 1946-1991 годов проходила при ядерном сдерживании, в условиях угрозы развязывания ракетно-ядерной войны - войны пятого поколения. 3. ВОЙНЫ ШЕСТОГО ПОКОЛЕНИЯ К исходу XX века, несмотря на огромные достижения в различных областях науки и технологии, способствовавшие созданию новейших революционных видов и родов вооружений и военной техники, военное предвидение в России оказалось неспособным обосновать характер войн нового поколения. Военная практика значительно обогнала военную теорию, застывшую на уровне войн прошлого поколения, о чем свидетельствует принятая в 1999 году военная доктрина России. В результате экономических достижений в ряде стран уже идет очередная военно-технологическая революция, позволяющая формировать новую материально-техническую базу ведения войны в XXI веке, основу которой составляют высокие наукоемкие технологии и информационные системы. При этом важнейшую роль играют микроэлектроника, оптоэлектроника, сенсорная техника, а также новые технологии производства и применения высококачественных материалов

скачать реферат Исследование условий синтеза германатов-висмута (III) в неводных растворителях

В.В.Девяткин Уровень развития химии на современном этапе во многом определяется экспериментальными достижениями в синтезе новых веществ и материалов с заданными свойствами. Многообразием уникальных физических и химических свойств обладают соединения со структурой силленита и эвлитина . К подобным соединениям относятся германаты висмута типа Bi2GeO5, Bi4Ge3O12, Bi12GeO20, нашедшие применение в оптоэлектронике, пьезотехнике, голографии, акустооптике, радиоэлектронике, рентгеновской и позитронной томографии. Пространственно-временные модуляторы света, линии задержки телевизионных сигналов, фильтры промежуточной частоты для цветного телевидения, детекторы g - излучения - вот далеко не полный перечень областей применения и приборов, действующих на основе германатов висмута. Указанные соединения получают твердофазным синтезом, требующим высоких температур, больших энергозатрат и многократного диспергирования компонентов. Поэтому определенный интерес представляет разработка методов получения германатов висмута в мягких условиях, в частности - из растворов. Одной из основных причин, затрудняющих синтез соединений этим методом, является поведение ионов висмута (III) и германат-ионов в водной среде.

 Большая Советская Энциклопедия (ПО)

В зависимости от применяемого полупроводникового материала различают германиевые, кремниевые и др. П. п. По конструктивным и технологическим признакам П. п. разделяют на точечные и плоскостные; последние, в свою очередь, делят на сплавные, диффузионные, мезапланарные, планарные (наиболее распространены, см. Планарная технология ), эпипланарные и др. В соответствии с областью применения различают высокочастотные, высоковольтные, импульсные и др. П. п.   П. п. выпускают в металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, защищающих приборы от внешних воздействий; для использования в гибридных интегральных схемах выпускаются т. н. бескорпусные П. п. (см. Микроэлектроника ). Номенклатура П. п., выпускаемых во всех странах, насчитывает около 100 000 типов приборов различного назначения. См. также Полупроводниковая электроника .   Я. А. Федотов. Полупроводниковый гетеропереход Полупроводнико'вый гетероперехо'д , контакт двух различных по химическому составу полупроводников . На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны DE , подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В «резком» П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см

скачать реферат Матричные фотоприемники

Этим и обуславливается его повсеместное применение. В будущем крайне важно повышение рабочей температуры фотодиодов. Оценивая сегодняшнюю оптоэлектронику в целом, можно сказать, что она скорее «криогенная», чем «комнатная». Будущее оптоэлектроники находится в прямой зависимости от прогресса фотодиодных структур. Оптическая электроника бурно развивается, разрабатываются новые типы фотоприемников, и наверняка уже скоро появятся фотодиоды на основе новых материалов с большей чувствительностью, повышенным быстродействием и с улучшенными характеристиками в целом.3.1.ЛАВИННЫЕФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ СВЕРХРЕШЕТКИ I Sb-I SbBi Волгодонский институт ЮРГТУ (НПИ), г. Волгодонск, ул. Ленина 73/94, тел.: 25668 Анализ физических свойств гетеропереходов, проведенный нами для гетероструктур I SbBi/I Sb, показал, что причиной возможной деградации частотных характеристик и добротности фотодетекторов с использованием этих твердых растворов могут быть скачки в зонной структуре гетероперехода. Эффективность гетероперехода со скачком потенциала в валентной зоне на гетерогранице ?Е пропорциональна exp ( ?Е/k ), где ?Е = Еg1 - Еg2 - ?Е0 Захват носителей приводит к замедлению релаксации фототока с постоянной времени ? ~ exp( ?Е / k ) ? 10 нс, что существенно снижает быстродействие фотоприемников.

скачать реферат Медицинские датчики

Имеются так называемые когерентные волоконно-оптические линии связи, где пригодны только одномодовые волокна. В многомодовом оптическом волокне когерентность принимаемых световых волн падает, поэтому его использование в когерентных линиях связи непрактично, что и предопределило применение в подобных линиях только одномодовых оптических волокон. Напротив, хотя при использовании оптических волокон для датчиков вышеуказанные факторы тоже имеют место, но во многих случаях их роль уже иная. В частности, при использовании оптических волокон для когерентных измерений, когда из этих волокон формируется интерферометр, важным преимуществом одномодовых волокон является возможность передачи информации о фазе оптической волны, что неосуществимо с помощью многомодовых волокон. Следовательно, в данном случае необходимо только одномодовое оптическое волокно, как и в когерентных линиях связи. Тем не менее, на практике применение одномодового оптического волокна при измерении нетипично из-за небольшой его дисперсии. Короче говоря, в сенсорной оптоэлектронике, за исключением датчиков-интерферометров, используются многомодовые оптические волокна. Это обстоятельство объясняется еще и тем, что в датчиках длина используемых оптических волокон значительно меньше, чем в системах оптической связи.

скачать реферат Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

Таким образом, оптоэлектроника ба- зируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники, среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая элек- троника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и техно- логия, а также нелинейная оптика, электрооптика, голография, во- локонная оптика. - 2 - Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связа- ны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства: 1. Высокая информационная ёмкость оптического канала. 2. Острая направленность излучения. 3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной. 4. Бесконтактность, "элетропассивность" фотонных связей. 5. Возможность простого оперирования со зрительно восприни- маемыми образами. Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными приборами очень широкие возможности применения в качестве эле- ментов связи, индикаторных приборов, различных датчиков.

скачать реферат Промышленное применение лазеров

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ составляют самую многочисленную группу. Накачка осуществляется инжекцией через гетеропереход, а также электронным пучком. Гетеролазеры миниатюрны, имеют высокий КПД. Могут работать как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Несмотря на низкую мощность они нашли свое применение в промышленности. Они применяются для спектроскопии, оптической стандартизации частоты, оптико-волоконных линий связи, для контроля формы, интерференционных полос деформации, в оптико-электронике, в робототехнике, в системах пожаробезопасности. В быту применяются в системах оптической обработки информации (в сканерах) в паре с несложной системой многогранных зеркал, применяемых для отклонения луча, в звуко- и видеосистемах, в охранных системах. В последнее время полупроводниковые лазеры, благодаря своим малым размерам, применяются и в медицине. Лазеры с электронной накачкой перспективны в системах проекционного лазерного телевидения. С каждым годом лазеры все прочнее входят в промышленность и быт человека. Список литературы : 1) Промышленное применение лазеров. Под.ред. Г.Кёбнера, М.-1988. 2) Справочник по лазерам, пер. с англ. А.М.Прохорова. Том 1, М.-1978. 3) Физическая энциклопедия. Гл.ред. А.М.Прохоров. Том 2, М.-1990. 4) Звелто О., Принципы лазеров, пер.с англ., М.-1984. 5

Мотоцикл-каталка 2-х колесный, желтый.
Мотоцикл каталка обязательно станет любимой игрушкой Вашего малыша. Большое удовольствие доставляет ребенку самостоятельно оттолкнувшись
1700 руб
Раздел: Каталки
Карандаши цветные "Magic", 12+1 цветов.
Уникальные цветные карандаши с многоцветным грифелем, который дает возможность рисовать и писать сразу тремя цветами. В каждом наборе
713 руб
Раздел: 7-12 цветов
Багетная рама "Melissa" (цвет - коричневый+золотой), 30х40 см.
Багетные рамы предназначены для оформления картин, вышивок и фотографий. Оформленное изделие всегда становится более выразительным и
698 руб
Раздел: Размер 30x40
скачать реферат Фотодиод в оптоэлектронике

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО Кафедра физики Полупроводников ФОТОДИОД В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Курсовая работа Студента 1 курса физического факультета Машкова Дмитрия Александровича Научный руководитель профессор Роках А.Г. /подпись/ Зав. кафедрой профессор, доктор Б.Н.Климов /подпись/ Саратов – 1999г. План работы1. Введение и постановка задачи 2. Физические основы внутреннего фотоэффекта 3. Принцип действия фотодиода 4. Практическая часть (исследование характеристик фотодиода) 5. Применение фотодиода в оптоэлектронике 6. Заключение 7. Литература1.ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ В наши дни прогресс в различных областях науки и техники немыслим без приборов оптической электроники. Оптическая электроника уже давно играет ведущую роль в жизни человека. А с каждым годом ее внедрение во все сферы человеческой деятельности становится все интенсивнее. И этому есть свои причины. Устройства оптоэлектроники имеют ряд отличий от других устройств. Можно выделить следующие их достоинства. а) Высокая информационная емкость оптического канала, связанная с тем, что частота световых колебаний (около 1015 Гц) в 103-104 раз выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне.

скачать реферат Волоконно-оптические датчики

Появление в начале 1960-х годов лазеров способствовало ускорению развития оптоэлектроники. Потенциальные характеристики лазеров описаны еще в 1958 г., а уже в 1960 г. был создан самый первый лазер — газовый, на основе смеси гелия и неона. Генерирующие непрерывное излучение при комнатной температуре полупроводниковые лазеры, которые в настоящее время получили наиболее широкое применение, стали выпускаться с 1970 г. Появление оптических волокон Важным моментом в развитии оптоэлектроники является создание оптических волокон. Особенно интенсивными исследования стали в конце 1960-x годов, а разработка в 1970 г. американской фирмой "Корнинг" кварцевого волокна с малым затуханием (20 дБ/км) явилась эпохальным событием и послужила стимулом для увеличения темпов исследований и разработок на все 1970-е годы. На рис. 2 показано снижение минимальных потерь передачи для различных оптических волокон на протяжении минувших десяти с лишним лет. Можно заметить, что для кварцевых оптических волокон потери за 10 лет (в 1970-е годы) уменьшились примерно на два порядка. Изначальной и главной целью разработки оптических волокон было обеспечение ими оптических систем связи.

скачать реферат Оптико-электронные системы

Таким образом, такая проблема стимулировала создание нового типа прибора – квантовых генераторов излучения для генерации когерентных электромагнитных колебаний в оптическом диапазоне спектра. Отметим здесь, что термин “ОКГ” не бесспорен, поскольку генератором оптических (некогерентных) квантов является и горящая спичка. Поэтому для обозначения обсуждаемого класса излучателей наибольшее применение нашел термин “Лазер”, сформированное из первых букв английской фразы “световой усилитель с помощью вынужденного излучения” по аналогии со своим предшественником, названным “Мазер”, который относится к первым СВЧ генераторам, разработанным проф. Колумбийского университета Е.Таунсом в 1954 году и использовавшим явление вынужденного излучения. Начало основного технологического прорыва в оптическом приборостроении следует отнести к 1920-1930 гг., когда был создан ряд искусственных источников УФ и ИК излучения. Чуть позднее появились первые многокаскадные фотоумножители, первые фоторезисторы, чувствительные в ИК-области спектра. Успехи и интенсивность разработок в области оптоэлектроники (раздела науки и техники, исследующей процессы взаимодействия оптического излучения с веществом для передачи, приема, хранения и т.д. информации) в этот и последующий периоды в значительной степени были стимулированы расширением военных применений ОЭС.

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Перспективы развития микроэлектроники Основные усилия разработчиков ИМС направлены на усовершенствование уже сложившихся принципов создания ИМС, на улучшение их электрических и эксплуатационных характеристик. Работы ведутся, главным образом, в направлении повышения быстродействия схем (уменьшения энергии, расходуемой внешним источником на одно переключение логического устройства) и их степени интеграции. Решение этих проблем связывают с усовершенствованием технологии получения   микроэлектронных структур минимально возможных размеров . Дальнейшее развития микроэлектроники связано с принципиально новым подходом, позволяющим реализовать определенную функцию аппаратуры без применения стандартных базовых элементов, используя различные физические эффекты в твердом теле. Такое направление получило название "функциональная микроэлектроника". Используются оптические явления (оптоэлектроника), взаимодействие электронов с акустическими волнами в твердом теле (акустоэлектроника), эффекты в новых магнитных материалах (магнетоэлектроника), электрические неоднородности в однородных полупроводниках, явление холодной эмиссии в пленочных структурах, явления живой природы на молекулярном уровне (бионика, биоэлектроника, нейристорная электрониа) и др.

скачать реферат Лазерные оптико-электронные приборы

Кроме того, специальные линии необходимы для связи между этими элементами или для формирования измерительной системы с датчиком. Далее, для практического внедрения волоконно-оптических датчиков необходимы элементы системной техники, которые в совокупности с вышеуказанными элементами и линией связи образуют измерительную систему. Список литературы Окоси Т. и др. Волоконно-оптические датчики. ОглавлениеВступление 2 Волоконно-оптические датчики 2 От электрических измерений к электронным 2 От аналоговых измерений к цифровым 3 Цифризация и волоконно-оптические датчики 4 Становление оптоэлектроники и появление оптических волокон 4 Лазеры и становление оптоэлектроники 4 Появление оптических волокон 6 Одно- и многомодовые оптические волокна. 6 Характеристики оптического волокна как структурного элемента датчика и систем связи 7 Классификация волоконно-оптических датчиков и примеры их применения 9 Датчики с оптическим волокном в качестве линии передачи 10 Датчики с оптическим волокном в качестве чувствительного элемента 12 Краткая история исследований и разработок 15 Заключение 15 Список литературы 16 Оглавление 16

Настольная игра "Спрячь крота".
Игра на ловкость рук и остроту глаза. Способствует развитию зрительно-моторной координации движений, концентрации внимания и зрительного
574 руб
Раздел: Игры на ловкость
Магнит "FIFA 2018. Забивака. Удар!".
Магнит с символикой чемпионата мира FIFA 2018. Материал: полистоун.
365 руб
Раздел: Брелоки, магниты, сувениры
Швабра Vileda "Active Max".
Швабра Vileda "Active Max", выполненная с плоской насадкой, предназначена для уборки всех типов напольных покрытий, включая
999 руб
Раздел: Швабры и наборы
скачать реферат Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Исследование гетеропереходов представляет собой важный раздел физики полупроводниковых приборов, который сформировался в последние четыре десятилетия на основе изучения эпитаксиального выращивания полупроводников. Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для конструкторов. Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных схемах. Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах. Однако в этой области имеется еще много нерешенных проблем, многие классы гетеропереходов еще ожидают своего тщательного изучения и применения. Основная часть достижений в исследованиях гетеропереходов связана с использованием гетеропары GaAs-AlGaAs, в которой осуществлен так называемый идеальный гетеропереход. При этом использованы полупроводники с однотипной кристаллической решеткой, которые имеют настолько близкие значения постоянных своих решеток, что на границе не возникает электрически активных дефектов.

скачать реферат Российские нобелевские лауреаты

В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла. Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера. И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А. Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

скачать реферат Оптоэлектроника. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связаны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства: Высокая информационная ёмкость оптического канала. Острая направленность излучения. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной. Бесконтактность, "элетропассивность" фотонных связей. Возможность простого оперирования со зрительно воспринимемыми образами. Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными приборами очень широкие возможности применения в качестве элементов связи, индикаторных приборов, различных датчиков. Тем самым оптоэлектроника вносит свою, очень значительную, долю в комплексную микроминиатюризацию радиоэлектронной аппаратуры. Дальнейшее развитие и совершенствование средств оптоэлектроники служит техническим фундаментом разработки сверхвыскопроизводительных вычислительных комплексов, запоминающих устройств гигантской ёмкости, высокоскоростной связи, твердотельного телевидения и инфравидения.

скачать реферат Научно-технический прогресс - важнейший фактор рационального размещения и развития производительных сил

Это означает: 1) научные знания становятся неотъемлемым компонентом практически каждого занятого в процессе производства; 2) управление производством, технологическими процессами (особенно там, где действуют автоматические системы управления) возможно только на основе науки; 3) научно-исследовательская и конструкторская деятельность включается как непосредственное звено в структуру производственного процесса. Производство, таким образом, все больше становится сферой практически-технологического применения науки. На основе научных достижений нередко возникают и новые отрасли производства. Следовательно, наука, для того, чтобы действительно выполнять роль непосредственной производительной силы, должна опережать развитие производства. Научно-техническая революция охватывает ныне и науку, и технологию, и технику, а также систему организации труда и управления производством. Советский Союз занимал ведущее положение в фундаментальной науке. Результаты фундаментальных исследований в целом ряде случаев успешно применялись для решения оборонных задач и освоения космоса. Присвоенная в 2000 г. российскому физику Ж.Алферову Нобелевская премия за развитие полупроводниковых гетероструктур для оптоэлектроники и электроники высоких скоростей, то есть за исследования, благодаря которым появились современные быстрые структуры и лазерные диоды – основы современных информационных технологий – это успех еще советской науки.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.