телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВсе для ремонта, строительства. Инструменты -30% Игры. Игрушки -30% Образование, учебная литература -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

МОП-транзисторы

найти похожие
найти еще

Ручка "Помада".
Шариковая ручка в виде тюбика помады. Расцветка корпуса в ассортименте, без возможности выбора!
25 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
При подключении к истоку отрицательного (для п-канала), а к стоку положительного напряжения (рис. 1 ) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению. Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика (обычно слоем оксида кремния). На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП- транзисторами или МОП- транзисторами (металл - оксид- полупроводник). Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р- канале и положительного при п-канале). Это напряжение называют пороговым (UЗИ.пор ). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения. В МДП - транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с -каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (UЗИ.отс ). МДП - транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда. 2. Схемы включения полевого транзистора. Рис. 3. Схемы включения полевого транзистора.

Зависимость крутизны характеристики от температуры у полевых транзисторов такая же как и у тока стока. С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается. Хотя абсолютное изменение тока незначительно , его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора. В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напряжения на затворе полевого транзистора и режима его работы. Температурная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р-п переходом приведена на рис. 6 . В рис. 6. Зависимость тока утечки затвора полевого транзистора от температуры. полевом транзисторе с изолированным затвором ток затвора практически не зависит от температуры. 4.4. Максимально допустимые параметры. М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е п а р а м е т р ы определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые не должны превышаться при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток UЗИmax , затвор - сток UЗСmax , сток - исток UСИmax , максимально допустимое напряжение сток - подложка UСПmax , исток - подложка UИПmax , затвор - подложка U ЗПmax . Максимально допустимый постоянный ток стока I Сmax максимально допустимый прямой ток затвора IЗ(пр)max , максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Рmax . 4.5. Вольт – амперные характеристики полевых транзисторов. а б Рис. 7. Вольт – амперные характеристики полевого транзистора со встроеным каналом - типа: а – стоковые; б – стоко – затворные. Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока I C от одного из напряжений UСИ или UЗИ при фиксированной величине второго. В МДП - транзисторе с индуцированным каналом с подложкой р-типа при UЗИ = 0 канал п-типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении UЗИ.ПОР < 0 за счет обеднения канала основными носителями проводимость его значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид , изображенный на рис. 7 , а стоко - затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока IC.НАЧ. Особенностью МДП - транзистора с индуцированным каналом п - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения ( U ЗИ = 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт- амперные характеристики , аналогичные изображенным на рис. 7 . У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р- п переходом.5. Рекомендации по применению полевых транзисторов. Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Лекции по схемотехнике

Нагрузочные, наоборот, имеют более длинный, но узкий канал, поэтому имеют более высокое выходное сопротивление и выполняют роль большого активного сопротивления. Существенным преимуществом логических элементов на МОП-транзисторах перед логическими элементами на биполярных транзисторах является малая мощность, потребляемая входной цепью. Однако по быстродействию они уступают схемам на биполярных транзисторах. Это обусловлено тем, что у них имеются сравнительно большие паразитные ёмкости CЗИ и CСИ, на перезарядку которых затрачивается определённое время. Кроме того, выходное сопротивление у открытого МОП-транзистора больше, чем у биполярного, что увеличивает время заряда конденсаторов нагрузки и ограничивает нагрузочную способность ЛЭ. 3.6.1 Логические элементы на ключах с динамической нагрузкой Логические элементы на ключах с динамической нагрузкой состоят из одного нагрузочного и нескольких управляющих транзисторов. Если управляющие транзисторы включены параллельно, то, как и в НСТЛ (см. рисунок 15,а), элемент осуществляет логическую операцию ИЛИ-НЕ, а при последовательном соединении — операцию И-НЕ (рисунок 18,а,б)

скачать реферат Технологические средства автоматизации

Твердотельные оптоэлектронные реле с МОП - транзисторами на выходе являются альтернативой электромеханическим и полупроводниковым реле на основе тиристоров. Прибор состоит из инфракрасного светодиода, оптически связанного с матрицей фотодиодов, которые работают в фотовольтрическом режиме и управляют выходным коммутирующим элементом, последний представляет собой пару МОП - транзисторов, соединенных истоками. При включении МОП - транзисторов в последовательную цепь получается линейный переключатель постоянного и переменного тока двунаправленного действия. Основные характеристики малый ток управления - 10 : 30 мА наработка на отказ - 25 000 часов коммутирование нагрузок в цепях постоянного и переменного тока; совместимость с ТТЛ / ТТЛШ, КМОП низкое сопротивление в открытом состоянии малые утечки в закрытом состоянии - менее 100 мА возможность коммутации малых токов - ~ 1мкА высоковольтная монолитная схема Uиз. - не менее 1500 В / не менее 4000 В диапазон рабочих температур - Вопрос 64. На рис. 1,а показан виток провода abcd, вращающийся по часовой стрелке вокруг оси 00' в магнитном поле между северным ( ) и южным (S) полюсами магнита.

Набор бутылочек для кормления Avent "Natural" (2 штуки по 260 мл), от 1 месяца.
Бутылочка помогает легче совмещать грудное вскармливание и кормление из бутылочки. Благодаря инновационному дизайну малышу теперь легче
916 руб
Раздел: Бутылочки
Скетчбук. Гарри Поттер. Хогвартс.
Да начнется магия! Новые скетчбуки прямиком из величайшей вселенной Гарри Поттера! Откройте магический блокнот для рисования, и он станет
322 руб
Раздел: Блокноты художественные
Асборн - карточки. Тренируем зрение.
Набор карточек «Тренируем зрение» создан при поддержке ведущих офтальмологов специально для профилактики утомляемости глаз,
389 руб
Раздел: Прочие
 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Выходной файл результатов анализа схемы на рис. 11.7, дополненный результатами спектрального анализа Мощные полевые транзисторы MOSFET Для изучения случая, касающегося МОП-транзисторов, необходимо выбрать соответствующую модель такого устройства из библиотеки EVAL.LIB. Это модель IRF150, которая отображает мощный МОП-транзистор n-типа. Чтобы познакомиться с его свойствами, рассмотрим семейства входных и выходных характеристик.  Выходные характеристики Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. 11.11. Входной файл для нее: n-Channel MOSFET Output Characteristics VDD 2 0 12V VGS 1 0 0VMFET 2 10 0 IRF150; сток, исток, затвор и подложка .DC VDD 0 12V 0.8V VGS 0 8V 1V .LIB EVAL.LIB .PROBE .END Рис. 11.11. Схема для снятия характеристик МОП-транзисторов Как показано на рис. 11.11, источник и подложка объединены, как и требуется. Выходные характеристики показаны на рис. 11.12. В качестве примера больших токов стока отметим, что при VGS=5 В ток насыщения становится больше 7 А. Входной файл библиотечной модели для IRF150 задает пороговое значение напряжения при нулевом смещении Vt0=2,831 В

скачать реферат Логические элементы

Однако основной переход база – коллектор не опирается, ибо конструкция многоэмиттерного транзистора (и режим работы) такова, что ток в цепи база – коллектор может протекать тогда, когда оказываются запертыми все переходы база – эмиттер. Таким образом, только при одновременной подаче на оба входа напряжения логической 1 отпирается переход база – коллектор транзистора V 1, что в свою очередь приводит к отпиранию транзистора V 2 появлению на выходе напряжения логической 1 в полном соответствии с правилом действия логического элемента И.МОП – вариант схемы логического элемента И приведен на рис. 5, г. Здесь, как и в предыдущих схемах, вместо сопротивления нагрузки используется МОП – транзистор с отпирающим напряжением на затворе. Рис.5. Логический элемент И на биполярных транзисторах (а), диаграммы напряжений на его входах А, В я выходе Q (б); элемент И, выполненный на многоэмиттерном (б) и МОП-транзисторах (а) Логический элемент ИЛИ. Логическое утверждение «Если А или В истинно, тогда Q истинно» записывается так А В=Q, где знак « » есть символ, обозначающий операцию ИЛИ. Соответствующая этому определению Функциональная табл. 2. показывает, что выход получается при наличии любого входного сигнала.

 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

03 LSENSE 5 12 2uH IC=2mA М — МОП-транзистор (MOSFET) Общие формы: М [имя] <узел стока> <узел управляющего электрода> <узел истока> <узел корпуса/подложки> <имя модели> [L-значение] [W=значение] [AD=значение] [AS-значение] [PD=значение] [NRD=значение] [NRS=значение] [NRG=значение] [NRB=значение] Примеры: M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12u М13 15 3 0 0 РSTRONG М2А 0 2 100 100 PWEAK L=33u w=12u + AD=288p AS=288p PD-60U PS=60u NRD=14 NRS=24 NRG=10 N — цифровой вход Общая форма: N[имя] <ток узла> <напряжение низкого уровня> <напряжение высокого уровня> <имя модели> [SIGNAME = <имя>] [IS = начальное значение] Примеры: NRESET 7 15 16 FROM_TTL N12 18 0 100 FROM_CMOS SIGNAME=VCO_GATE IS = 0 O — цифровой выход Общая форма: O[имя] <ток узла> <опорное напряжение> <имя модели> [SIGNAME = <имя>] Примеры: OVCO 17 0 16 TO_TTL O5 22 100 TO_CMOS SIGNAME=VCO_OUT Q — биполярный транзистор Общая форма: Q[имя] <узел коллектора <узел базы> <узел

скачать реферат Управление тюнером спутникового телевидения

Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при вкл=50150 мс. Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ. Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В. Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания 5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ. Элементы ОЗУ на кМОП V используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения mi Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок. Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100200 мА.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

После чего, при температуре порядка от 700 до 1400 градусов, происходит процесс диффузии, проникновения требуемых элементов в кремний на его открытых в процессе литографии участках. В результате на поверхности пластины получаются участки с нужными свойствами. И в конце этого этапа на их поверхность наносится все та же защитная пленка из окисла кремния, толщиной порядка одного микрона. Все. Осталось только проложить по поверхности чипа металлические соединения (сегодня для этой роли обычно используется алюминий, а соединения сегодня обычно расположены в 6 слоев), и дело сделано. В общих чертах, так в результате и получается, к примеру, классический МОП транзистор: при наличии напряжения на затворе начинается перемещение электронов между измененными областями кремния. Теперь, слегка пробежавшись по классическому процессу создания сегодняшних чипов, можно более уверенно перейти к обзору технологий, которые предполагают внести определенные коррективы в эту картину. Медные соединения Первая из них, уже начавшая широко внедряться в коммерческое производство - это замена на последнем этапе алюминия на медь. Медь является лучшим проводником, чем алюминий (удельное сопротивление 0,0175 против 0,028 ом мм2/м), что, в полном соответствии с законами физики, позволяет уменьшить сечение межкомпонентных соединений.

скачать реферат Теория

Толщина индуцированного канала практически неизменна и составляет 1(2 нм, поэтому модуляция его проводимости возможна лишь за счет изменения концентрации носителей, подтянутых в канал из подложки. Транзисторы с индуцированным -каналом работают только при положительной полярности напряжения на затворе, то есть в режиме обогащения канала (рис. 3.8, а)( для полевого транзистора с индуцированным каналом параметр напряжения отсечки Uотс теряет смысл, а более удобным будет понятие порогового напряжения Uо. Так как номинальный ток через транзистор с индуцированным каналом развивается при условии, если напряжение на затвореUзи ( 2Uо, то и максимальная крутизна его достигается при Uзи ( 2Uо; если концентрация электронов, поступившая из диэлектрика, очень высокая, то в подложке p-типа между стоком и истоком образуется -канал, но он возникает при Uзи = 0, следовательно, такой канал уже нельзя называть индуцированным, и транзистор в этом случае принято называть МОП- транзистором со встроенным каналом (встроенным заранее).

скачать реферат Разработка управления тюнером спутникового телевидения

Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при вкл=50150 мс. Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ. Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В. Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания 5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ. Элементы ОЗУ на кМОП V используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения mi Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок. Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100200 мА.

Набор цветных карандашей "Color'peps", 48 штук , 48 цветов.
Карандаши цветные из американской липы, треугольные, ударопрочный грифель.В наборе 2 цвета металлик, 4 флюоресцентных, всего 48 цветов.
1006 руб
Раздел: Более 24 цветов
Тетрадь на резинке "Study Up", В5, 120 листов, клетка, оранжевая.
Тетрадь общая на резинке. Формат: В5. Количество листов: 120 в клетку. Бумага: офсет. Цвет обложки: оранжевый.
442 руб
Раздел: Прочие
Дорожная косметичка, 21x15x12 см, арт. 82629.
Стильная косметичка выполненная из современных полимерных материалов, станет отличным современным подарком и займет достойное место среди
324 руб
Раздел: Дорожные наборы
скачать реферат Моделирование процессов ионной имплантации

Значительное преимущество метода то, что после расплавления и кристаллизации аморфных слоев по методу жидкофазной эпитаксии в них отсутствуют линейные дефекты. С использованием технологии лазерного отжига создают биполярные и МОП- транзисторы, кремниевые солнечные батареи. 6. Отжиг в атмосфере кислорода. Процессы отжига, в результате которых все имплантированные ионы занимают электрически активные положения в узлах кристаллической решетки, обычно приводят к возникновению микродефектов. Эти дефекты называют вторичными дефектами. Любые внешние микродефекты развиваются в большие дислокации и дефекты упаковки. Эти дефекты, называемые третичными дефектами, имеют достаточно большие размеры. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СБИС Создание мелких переходовТребование формирования слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов.

скачать реферат Микроконтроллеры Z86 фирмы ZILOG

Дополнительно к основным функциям порты P0 и P1 могут использоваться для интерфейса внешней памяти (Р0 -старшие разряды адреса A8.A15, P1 -мультиплексированная шина адреса/данных AD0.AD7), а порт P2 -для последовательного интерфейса SPI в модели 06 (P20 -вход DI, P27 -выход D0). Схемотехника портов P0, P1, P2 поясняется рис. 1.13. Двухтактный буферный выходной усилитель выполнен на комплементарных МОП-транзисторах V 1 и V 2. Отключение транзистора V 1 переводит буферный усилитель в конфигурацию с открытым стоком. Входной буфер содержит автофиксатор и триггер Шмитта, который обеспечивает формирование входного сигнала. Рис. 1.13. Схемотехника входного и выходного буферов Автофиксатор предназначен для фиксации потенциала незадействованного входа на уровне допустимых КМОП потенциалов, близких к потенциалам шины питания VCC или общей шины G D. Этим исключается переход пары входных транзисторов в активный режим и резкое возрастание потребляемого тока. Автофиксатор представляет собой бистабильную ячейку (триггер), выполненную на двух замкнутых в кольцо инверторах, управляемую по выходу.

скачать реферат Проектирование индуктивной трёхточки на транзисторе с индуктированным n-каналом

Введение Очень важное значение в радиоэлектронике имеют колебательные системы, генерирующие электромагнитные колебания. Такую систему, или устройство с самовозбуждением, называют динамической системой, преобразующей энергию источника постоянного тока в энергию незатухающих колебаний, причём основные характеристики колебаний (амплитуда, частота, форма колебаний, гармонический состав и т.д.) определяется , в основном, параметрами самой системы. Процесс получения сигналов требуемой формы и частоты называют генерированием электрических колебаний. С точки зрения математических моделей колебательные системы разделяют на линейные и нелинейные, автономные и неавтономные. Особый класс представляют автоколебательные системы или автогенераторы. В радиопередатчиках систем связи автогенераторы применяют часто в качестве каскадов, создающие электромагнитные колебания несущей частоты (рис.1). Основное требование – это высокая стабильность генерируемой частоты и КПД. В СВЧ-диапазоне автогенераторы зачастую используют в качестве выходных каскадов передатчиков. Требования к таким автогенераторам аналогичны требованиям к усилителям мощности – обеспечение мощных колебаний при высоком КПД , выходной мощности и стабильности частоты. 1. Выбор схемы для проектирования Выберем за основу для проектирования LC-генератора Хартлея на МОП транзисторе с индуцированным каналом схему на рис.1Введём нагрузочный резистор в цепь стока и уберём микрофон и антенну.

скачать реферат Расчет каскадов ЧМ передатчика

Курсовой проект по дисциплине «Устройства генерирования и передачи сигналов» по теме: «Расчет каскадов ЧМ передатчика» Составление блок-схемы передатчика Составление блок-схемы передатчика начинается с выходного каскада начинается с выходного каскада. Данные, определяющие его мощность, содержатся в задании. Также задается колебательная мощность в антенне в режиме несущей частоты. В данном передатчике необходимо применить умножитель частоты, в качестве которого может работать предоконечный или дополнительный предварительный каскад, включаемый между возбудителем и предоконечным каскадом. Вид блок-схемы передатчика с частотной модуляцией представлен на рисунке: Техническое задание: Требуется произвести расчет передатчика, работающего на 120 МГц. Вид модуляции – частотная (ЧМ) Максимальная девиация частоты – 100 кГц Вид передаваемых сообщений – аудиосигналы Мощность передатчика – 100 Вт 1. Расчет выходного каскада Для работы в выходном каскаде выберем транзистор Приведем его характеристики. Тип – кремниевый  канальный высокочастотный МОП – транзистор вертикальной структуры, выполненный по технологии с двойной диффузией, рекомендован производителем для применения в промышленных устройствах в КВ УКВ диапазоне.

скачать реферат Цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП)

Во-первых, при различных входных кодах ток, потребляемый от источника опорного напряжения (ИОН), будет различным, а это повлияет на величину выходного напряжения ИОН. Во-вторых, значения сопротивлений весовых резисторов могут различаться в тысячи раз, а это делает весьма затруднительной реализацию этих резисторов в полупроводниковых ИМС. Кроме того, сопротивление резисторов старших разрядов в многоразрядных ЦАП может быть соизмеримым с сопротивлением замкнутого ключа, а это приведет к погрешности преобразования. В-третьих, в этой схеме к разомкнутым ключам прикладывается значительное напряжение, что усложняет их построение. Эти недостатки устранены в схеме ЦАП AD7520 (отечественный аналог 572ПА1), разработанном фирмой A alog Devices в 1973 году, которая в настоящее время является по существу промышленным стандартом (по ней выполнены многие серийные модели ЦАП). Указанная схема представлена на рис. 4. В качестве ключей здесь используются МОП-транзисторы. Рис. 4. Схема ЦАП с переключателями и матрицей постоянного импеданса В этой схеме задание весовых коэффициентов ступеней преобразователя осуществляют посредством последовательного деления опорного напряжения с помощью резистивной матрицы постоянного импеданса.

Детский велосипед Jaguar трехколесный (цвет: розовый).
Детский трехколесный велосипед колясочного типа, для малышей от 10 месяцев до 3 лет. Модель с удлиненной рамой, что позволяет подобрать
1440 руб
Раздел: Трехколесные
Карандаши цветов "Color Emotion", трехгранные, 36 цветов.
Карандаши цветные, трехгранные. Количество цветов: 36. Материал корпуса: липа.
692 руб
Раздел: Более 24 цветов
Светильник "Плазма №4".
Размер светильника: 19х11х11 см. Диаметр лампы - 9 см. Плазменный светильник в виде шара на подставке, при включении создаёт внутри
1078 руб
Раздел: Необычные светильники
скачать реферат Новое поколение транзисторов

Традиционно IGB используют в применениях, где необходимо работать с высокими токами и напряжениями. Сегодня Adva ced Power ech ology представляет новое поколение РТ IGB , которое позволяет сбалансировать потери на переключение и проводимости, и использовать биполярные транзисторы с изолированным затвором в области высоких частот, где обычно применяются полевые МОП транзисторы, одновременно обеспечивая высокий КПД. Общая структура РТ IGB представлена на рис. 1. Как видно из рисунка, структура РТ IGB практически идентична структуре других топологий биполярных транзисторов с изолированным затвором. Рисунок 1 - Структура РТ IGB Особенностью структуры РТ IGB является наличие комбинации инжектирующего слоя p и буферного слоя . Благодаря высокой инжектирующей способности слоя p , буферный слой контролирует коэффициент передачи транзистора при помощи ограничения числа дырок, которые были изначально введены в область дрейфа. В связи с тем, что время жизни неосновных носителей в буферном слое намного ниже, чем в области дрейфа, буферный слой поглощает захваченные дырки в момент выключения.

скачать реферат Электротехника и основы электроники

Напряжение на выходе V 2 устанавливается низким, т.е. выходной сигнал соответствует логическому нулю (F=0). При наличии на одном из входов логического нуля, например, x1=0, V 1 открывается. На коллекторе транзистора V 1 в этом режиме устанавли- вается низкий потенциал, и что приводит к закрытию транзистора V 2. На выходе устанавливается высокий потенциал, соответствующий логической единице, т.е. при x1=0 F=1 при любом состоянии входов x2 и x3. Таким обра- зом схема реализует функцию ЗИ-НЕ. 3. Логические элементы на основе полевых транзисторов 1. МОП-транзисторная логика на ключах одного типа проводимости Одним из основных достоинств полевых транзисторов с изолирован- ным затвором (МОП-транзисторов) по сравнению с биполярным является более высокая технологичность и возможность изготовления на одной под-ложке большого числа приборов с идентичными параметрами. Кроме того, полевые транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление и практически не потребляют мощности по входной (затворной) цепи. Если логические элементы на базе полевых транзисторов выполнены по интегральной технологии, то в качестве нагрузки ключевого транзистора с точки зрения упрощения технологии оказывается более выгодным исполь-зовать не резистор, а второй МОП-транзистор, у которого затвор и исток замкнуты.

скачать реферат Травление п/п ИМС

Однако необходимость непрерывного повышения степени интеграции и информационной емкости микросхем привело к тому, что влажные процессы не могли обеспечить необходимого разрешения.Для демонстрации этого утверждения рассмотрим один из элементов таких широко применяемых микросхем как динамическую память с произвольным доступом (DRAM). Благодаря тому, что новые поколения компьютеров требуют все большей и большей емкости память, а также тому, что в составе этих микросхем используются огромное количество однотипных элементов, эти микросхемы обладают наивысшей степенью интеграции Рис. 2 ячейка памяти с re ch конденсатором На рис. 2 показана одна из ячеек памяти DRAM чипа разработанного фирмой IBM. В состав ячейки входят МОП транзистор и конденсатор для хранения информационного заряда. В данном случае конденсатор имеет конфигурацию так называемого траншейного ( re ch) конденсатора. Он имеет ширину 0,25 мкм и технология его изготовления включает несколько литографических операций с разрешением 0,15 мкм. Всего же для изготовления такой микросхемы необходимо более 20 литографических операций с травлением самых различных материалов: кремния, диоксида кремния двух типов, поликремния, алюминия или меди, вольфрама.

скачать реферат КРАТКИЙ КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ ПО ТЕОРИЯ ТЕСТИРОВАНИЯ АППАРАТНЫХ И ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ

Применение логического пробника – испытанный способ тестирования в отличие от диагност. программы, которые применяются при функционирующим компьютере. Дальнейшее тестирование проводится по следующей схеме: Для ПР 6502 (см. схему) Проверяется питание. Предполагается, что на соответствующий контакт подается питание 5 В. V-метр должен показать 5 В. Светодиоду логического пробника должен показать (высокое). Если таких показаний нет, подозревается питание. Если питание исправно, то в ПР может быть внутреннее замыкание на землю. Контакт Vss истоков МОП-транзисторов подключаются к земле компьютера. В ПР 6502 (Apple) Vss выделено на контакты 1 и 21, которые заземляются. При проверке этих контактов V-метр должен показать ОВ, а логич. пробник – LOW. При наличии напряжения на контактах 1, 21 необходимо выставить соединения на землю. При наличии питания, пользуясь логич. пробником, двадцать четыре контакта можно проверить очень быстро – это линии шины данных и линии шины адреса (D7-DO AIS – AO соответственно). На всех контактах шины данных должен быть включен светодиод PuLse логич. пробника, т.е. наблюдается воздействие на шину данных сигн. синхронизации. На шину адреса отводится 16 контактов.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.