телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАКрасота и здоровье -5% Книги -5% Товары для животных -5%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Конструирование микросхем и микропроцессоров

найти похожие
найти еще

Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
149 руб
Раздел: Ванная
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Результаты расчета всех резисторов данной группы сведены в таблицу. Таблица 9. Результаты расчет резисторов второй группы РезисторКфbmi ?, ммbmi p, ммb, ммl, ммВид резистора R22,80,820,00110,822,30Прямой, неподстр. R390,670,0520,676,03Прямой, неподстр. R470,700,0530,704,90Прямой, неподстр. R52,50,850,01850,851,03Прямой, неподстр. R82,50,850,360,852,13Прямой, неподстр. R1120,910,470,911,82Прямой, неподстр. R1520,910,000140,911,82Прямой, неподстр. На этом расчет резисторов второй группы завершен. Все резисторы получились прямыми и неподстраиваемыми. Вследствие этого размеры резисторов минимальны, что позволит располагать их на подложке компактно и с наибольшей степенью интеграции. Расчет резисторов закончен ! Расчет контактных переходов для резисторов первой группы 1. Исходные данные для низкоомных резисторов:, где Rн - номинальное сопротивление резистора; - относительная погрешность контактирования; - удельное поверхностное сопротивление; bmi - минимальная ширина резистора; 2. Рассчитаем максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода: Ом; 3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода: Ом; 4. Проверка условия: Rк доп должно быть больше, чем Rк п. Условие соблюдается. 5. Находим минимальную длину контактного перехода: мм; 6. Находим реальную длину контактного перехода: Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию. Расчет контактных переходов для резисторов второй группы 1. Исходные данные для высокоомных резисторов:, где Rн - номинальное сопротивление резистора; - относительная погрешность контактирования; - удельное поверхностное сопротивление; bmi - минимальная ширина резистора; 2. Рассчитаем максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода: Ом; 3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода: Ом; 4. Проверка условия: Rк доп должно быть больше, чем Rк п. Условие соблюдается. 5. Находим минимальную длину контактного перехода: мм; 6. Находим реальную длину контактного перехода: Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию. Расчет геометрических размеров тонкопленочных конденсаторов, выполненных методом свободной маски (МСМ) 1. Исходные данные: а). конструкторские:, где Cн - номинальная емкость конденсатора; ?C - относительная погрешность номинальной емкости; Up- рабочее напряжение на конденсаторе; ?max C - максимальная рабочая температура МС; экспл - время эксплуатации МС. б). технологические:, где ?b(?l) - абсолютная погрешность изготовления; ?lустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета; - относительная погрешность удельной емкости. 2. Выбор материала диэлектрика: В качестве материала диэлектрика будем использовать “СТЕКЛО ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ”. Характеристики этого материала приведены в таблице: Таблица 10. Материал диэлектрика конденсатора МатериалС0, пФ/мм2? g ?Eпр, В/мкм?с, 10-4 S, %/1000ч Стекло электровакуумное С41-1 НПО.027.600 100 - 300 5 - 6 0,002 - 0,005 200 - 400 2 1,5 3. Определение толщины диэлектрика: мкм, где Кз - коэффициент запаса, необходимый для обеспечения надежностных характеристик и равный 2 - 4. Примем Кз = 2. 4. Определение удельной емкости по рабочему напряжению: 5.

Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Рис. 1. Схема электрическая принципиальная Таблица 1. Номиналы элементов схемы: R1950 ОмR74,25 кОмR131 кОмR191 кОм R214 кОмR812,5 кОмR143,5 кОмC13800 пФ R345 кОмR9500 ОмR1510 кОмV 1-V 8КТ 312 R435 кОмR103 кОмR163,5 кОмE7,25 В R512,5 кОмR1110 кОмR172,5 кОм R6950 ОмR12500 ОмR181 кОм Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке. Рис. 2. Возможная схема включения Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения ЭлементНоминалЭлементНоминал RA8,2 кОмCB1 мкФ RB43 ОмCC0,033 мкФ RC2,2 кОмCD0,015 мкФ RD1,5 кОмCE4700 пФ CA3300 пФCF3300 пФ Технические требования: Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе. Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям: •предельная рабочая температура - 150? С; •расчетное время эксплуатации - 5000 часов; •вибрация с частотой - 5-2000 Гц; •удары многократные с ускорением 35; •удары однократные с ускорением 100; •ускорения до 50. Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год. Аннотация Ц елью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной технологии. В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили результаты: - произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования “VI US”, в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов; - произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы; - произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между элементами; - выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79. Введение П риведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы: Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном транзисторе Т7, Т8.

Существует несколько разновидностей этого метода. Например, рпи прямой фотолитографии вначале на диэлектрическую подложку наносят сплошную пленку резистивного материала и создают защитную фоторезистивную маску, черз которую травят резистивный слой. Затем эту маску удаляют и сверху наносят сплошную пленку металла (например, алюминия). После создания второй фоторезистивной маски и травления незащищенного алюминия на поверхности подложки остаются полученные ранее резисторы, а также сформированные проводники и контактные площадки, закрытые фоторезистивной маской. Удалив ненужную более маску, на поверхность наносят сплошную защитную пленку (например, SiO2) и в третий раз создают фоторезистивную маску, открывая участки защитного покрытия над контактными площадками. Протравив защитное покрытие в этих местах и удалив фоторезистивную маску, получают плату ГИМС с пленочными элементами и открытыми контактными площадками. Использованная литература 1. Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу “Конструирование микросхем и микропроцессоров”, МИЭМ, 1988 2. Романычева Э.Т., Справочник: ”Разработка и оформление конструкторской документации РЭА”, Радио и связь, 1989 Оглавление Задание на курсовое 2 4 5 Электрический расчет принципиальной 6 Данные для расчета размеров тонкопленочных элементов. 7 Расчет геометрических размеров 8 Расчет контактных 13 Расчет геометрических размеров 15 Выбор и обоснование 17 Граф - анализ 18 19 Обоснование выбора 20 Последовательность технологического процесса. 20 Методы формирования тонкопленочных элементов. 21 Использованная 23 24

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Стивен Джобс - деспотичный

Специалисты и первый персональный компьютер В середине 1970-х Джобс и Возняк испытывали огромное давление. "Ай-Би-Эм", средства массовой информации и некоторые из наиболее авторитетных ученых-электронщиков предсказывали им провал. Эти пророчества преследовали их на протяжении долгого времени, пока они собирали деньги, запускали продукт в производство и развивали новый рынок сбыта. Промышленные специалисты считали, что ни "Эппл-1", ни "Эппл-2" не будут пользоваться массовым спросом, равно как и любой другой персональный компьютер этого класса. Этими авторитетами были не кто иной, как Роберт Нойс - изобретатель интегральных микросхем и создатель "Интел", Нолан Бушнель - создатель промышленности видеоигр и председатель правления фирмы "Атари", и Билл Хьюллет - создатель "Хьюллет-Паккард" и первого калькулятора (Возняк работал на "ХП"). По иронии судьбы, сделанное "Интел" революционное изобретение микропроцессор - было техническим устройством, которое заложило основы создания промышленности ПК. Нойс публично заявил, что рынок ПК будет принадлежать лишь любителям и на персональные компьютеры не будет массового спроса

скачать реферат Технология изготовления микросхем

При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними. В курсовой работе был разработан технологический процесс для изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем из монокристаллического кремния. При этом коэффициент использования материала для рассмотренных производственных условий составил 0,722. Это говорит о том, что технологичность производства находится на довольно высоком уровне, особенно на этапе обработки заготовок, т. к. выход годного по обработке равен 81%. Значение коэффициента использования материала довольно высоко, хотя данный технологический процесс был сравнительно недавно внедрен на производстве. Список используемой литературы Березин А.С., Мочалкина О.Р.: Технология и конструирование интегральных микросхем. — М. Радио и связь, 1983. — 232 с., ил. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. — М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.: ил. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. — М.: Радио и связь,1989. — 400 с., ил. Конструирование и технология микросхем.

Подгузники Huggies Classic Mega Pack (78 штук), 4-9 кг.
Подгузники Huggies Classic, сделанные из мягких дышащих материалов, заботятся о комфорте вашего малыша. Специальный блок-гель в
852 руб
Раздел: 6-10 кг
Набор доктора "Скорая помощь" на тележке, 13 предметов.
Что бы попасть на прием к доктору, больше не нужно никуда ходить, коляска скорой помощи сама приедет на вызов. Оригинальный игровой набор
1950 руб
Раздел: Наборы доктора
Настольный набор Лагос (8 предметов, чёрное дерево).
В набор входят: -коврик для письма с жестким основанием 450x550x2 мм -стакан для письменных принадлежностей -подставка для ручек (2 ручки
6690 руб
Раздел: Настольные канцелярские наборы
 Машины создания

Эти достижения охватят мир в пределах от десяти до пятидесяти лет, то есть в пределах сроков жизни наших собственных или членов наших семей. Что более существенно, заключения следующей главы подсказывают, что политика «подождём-посмотрим» была бы слишком дорогой: она бы стоила миллионы жизней, и, возможно, конец жизни на Земле. Является ли доказательство реализуемости нанотехнологии и ассемблеров достаточно обоснованными, чтобы быть принятыми серьезно? По-видимому это так, поскольку суть доказательства опирается на два известных факта науки и конструирования. Они следующие: (1) что существующие молекулярные машины служат целому ряду простых функций, и (2) что части, служащие этим простым функциям, могут быть скомбинированы так, чтобы строить сложные машины. Поскольку химические реакции могут связывать атомы различным образом, и поскольку молекулярные машины могут направлять химические реакции в соответствии с программными инструкциями, ассемблеры определённо реализуемы. Нанокомпьютеры Ассемблеры принесут одно крупное достижение очевидной и фундаментальной важности: инженеры будут их использовать, чтобы сократить размер и стоимость микросхем компьютера и ускорить их функционирование на много порядков

скачать реферат Конструирование микросхем

Затем эту маску удаляют и сверху наносят сплошную пленку металла (например, алюминия). После создания второй фоторезистивной маски и травления незащищенного алюминия на поверхности подложки остаются полученные ранее резисторы, а также сформированные проводники и контактные площадки, закрытые фоторезистивной маской. Удалив ненужную более маску, на поверхность наносят сплошную защитную пленку (например, SiO2) и в третий раз создают фоторезистивную маску, открывая участки защитного покрытия над контактными площадками. Протравив защитное покрытие в этих местах и удалив фоторезистивную маску, получают плату ГИМС с пленочными элементами и открытыми контактными площадками. Использованная литература 1. Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу “Конструирование микросхем и микропроцессоров”, МИЭМ, 1988 2. Романычева Э.Т., Справочник: ”Разработка и оформление конструкторской документации РЭА”, Радио и связь, 1989

 Журнал «Компьютерра» 2008 № 12 (728) 25.03.2008

В фильмах колонки показали себя отлично - как в драмах, так и в боевиках. Четкие диалоги, естественные взрывы. Игры подарили те же ощущения - пугать соседей можно запросто. Пожалуй, я такие бы купил, но только если бы цена не так сильно кусалась. На периферии Автор: Юрий Ревич В 2007 году мировой рынок полупроводников оценивался в 273 млрд. долларов. Не менее 40 млрд. из них приходится на долю микропроцессоров (МП) для персональных компьютеров. А отдельной статьей идет производство микроконтроллеров (МК), которое составляет в стоимостном выражении около трети от производства МП - примерно 14 млрд. Если учесть, что "средний" МП стоит десятки долларов, а МК - около одного доллара, нетрудно сделать вывод о решительном преобладании МК над МП в количественном отношении. Точно подсчитать соотношение выпускаемых микросхем в штуках довольно сложно (ежегодно во всем мире выпускается около 600 млрд. полупроводниковых микросхем), но по данным 2002-03 года, лишь 6% всех выпускаемых процессоров составляли привычные нам процессоры для ПК

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Следовательно на карман в котором они находятся подается максимальное напряжение действующее в этой схеме т.е. напряжение питания.Конденсаторы данной ИМС реализуются по МДП-технологии, что предполагает дополнительный этап фотолитографии для создания слоя тонкого диэлектрика МДП-структуры.На этапах изготовления ИМС используется негативный фоторезист, кроме этапа разделительной р диффузии когда используется позитивный фоторезист.Топология кристалла и фотошаблонов представлена на чертежах.Выводы.В данной работе была разработана топология и рассчитаны параметры интегральной логической схемы резисторно-емкостной транзисторной логики (РЕТЛ). Приведенные расчеты подтверждают полное соответствие разработанной ИМС требованиям технического задания. Топология микросхемы разработана с учетом технологических возможностей оборудования. Линейные размеры элементов и расстояния между ними больше минимально допустимых, что обеспечит меньшую погрешность при производстве, а следовательно, и больший выход годных изделий при групповом производстве.Электрические параметры схемы учитывают работу схемы в реальных условиях, а именно скачки питающего напряжения и напряжения на логических входах.Расчеты параметров элементов схемы предусматривают ее эксплуатацию в климатических условиях, характерных для широты Украины.Разработанная ИМС полностью пригодна для эксплуатации в современной электронной аппаратуре.Литература.1. Калниболотский Ю.М. и др. Расчет и конструирование микросхем.- Киев, "Высшая школа",1983.2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л.А. – М.:"Высшая школа", 19843.

скачать реферат Основные платформы эвм и области их использования

Традиционной сферой применения суперкомпьютеров всегда были научные исследования: физика плазмы и статистическая механика, физика конденсированных сред, молекулярная и атомная физика, теория элементарных частиц, газовая динамика и теория турбулентности, астрофизика. В химии - различные области вычислительной химии: квантовая химия (включая расчеты электронной структуры для целей конструирования новых материалов, например, катализаторов и сверхпроводников), молекулярная динамика, химическая кинетика, теория поверхностных явлений и химия твердого тела,конструирование лекарств. Естественно, что ряд областей применения находится на стыках соответствующих наук, например, химии и биологии, и перекрывается с техническими приложениями. Так, задачи метеорологии, изучение атмосферных явлений и, в первую очередь, задача долгосрочного прогноза погоды, для решения которой постоянно не хватает мощностей современных суперЭВМ, тесно связаны с решением ряда перечисленных выше проблем физики. Среди технических проблем, для решения которых используются суперкомпьютеры, укажем на задачи аэрокосмической и автомобильной промышленности, ядерной энергетики, предсказания и разработки месторождений полезных ископаемых, нефтедобывающей и газовой промышленности (в том числе проблемы эффективной эксплуатации месторождений, особенно трехмерные задачи их исследования), и, наконец, конструирование новых микропроцессоров и компьютеров, в первую очередь самих суперЭВМ.

скачать реферат ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Исходными данными для расчета геометрических размеров резистивных элементов являются номинальное значение их сопротивления R и рабочая мощность рассеяния Р. Резистивный материал выбирают с учетом удельного сопротивления единицы поверхности пленки ро, ее толщины 1, допустимой удельной мощности рассеяния Ро. Необходимое удельное сопротивление должно обеспечиваться при толщине пленки не менее 0,05 мкм, в противном случае надежность резисторов при повышенных электрических и тепловых нагрузках не гарантируется. Следует учитывать также, что допустимая удельная мощность рассеяния для конкретного резистивного материала определенной толщины зависит от теплопроводности материала подложки и класса чистоты обработки се поверхности. Поэтому при конструировании микросхем, работающих при повышенной мощности рассеяния, допустимую мощность целесообразно рассчитывать по температуре локального перегрева в зоне резистора, которая не должна превышать 100 С. Перекрытие резистивной пленки и проводящего элемента в зоне их контактирования (рис. 2.5) должно обеспечивать надежный контакт независимо от способов формирования элементов и придания им заданной конфигурации.

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Заключение В ходе данной работы было произведено сквозное проектирование ТТЛШ – инвертора. В результате были рассчитаны параметры биполярного транзистора. Профили распределения примесей в биполярной структуре представлены на графиках в Приложениях 1,2,3, а модели транзисторов в Приложении 6. Кроме того мы рассчитали такие параметры ТТЛШ – инвертора, как напряжение логических уровней, пороговые напряжения, помехоустойчивость схемы, время задержки, среднюю потребляемую мощность. Результаты расчётов представлены в пункте 3 и приложениях 7,8,9,10. Полученные результаты удовлетворяют требованиям ТТЛШ – микросхем. Расчёты представленные в этой работе являются приближёнными, так как для более точных расчётов необходимы более мощные средства автоматического проектирования. В ходе работы мы пренебрегли процессами сегрегации примеси при окислении, а также зависимостью коэффициента диффузии от концентрации. В результате работы мы получим математическую модель технологического процесса ТТЛШ –инвертора. Список используемой литературы 1 Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов.- Москва.: Высшая школа, 1974. – 400с.: ил. 2 Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1982. 224 с.: ил. 3 Матсон Э.А. Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. –Мн.: Высшая школа, 1983. –271 с.: ил. 4 Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1984. –231с.: ил.----------------------- ?/?/?

Машина-каталка "Вихрь №2".
Каталка снабжена зеркалом заднего вида, без клаксона. Ребёнок может ездить на автомобиле, отталкиваясь ногами от пола и управлять рулём, а
1604 руб
Раздел: Каталки
Конверт Heitmann Felle 7965 GR, серый/серый.
Конверт флисовый Heitmann Felle Winter cosy защитит Вашего малыша от морозов, ветров и непогоды во время прогулок. Конверт оснащен
2961 руб
Раздел: Конверты в коляску
Шкатулка декоративная с часами "Дуэт" (двойная), 26x17x11,5 см.
Декоративная двойная шкатулка, с часами. Размер: 26x17x11,5 см. Часы: 9,5x9,5 см. Питание: 1 батарейка AA. Материал: МДФ, верх - холст.
1012 руб
Раздел: Шкатулки сувенирные
скачать реферат Микропроцессоры

КФ МГТУ им. Н.Э.Баумана Реферат на тему: «МИКРОПРОЦЕССОРЫ» Калуга СодержаниеВведение Закон Мура Экспансия закона Мура Следствия закона Мура Заглянем в будущее Транзисторы Взгляд в будущее Отладка кристаллов микросхем I el Silico Debug Анализ структур Электрические испытания Бесконтактная диагностика микросхем Кремниевая нанохирургия Заключение Список используемых источников Введение Компьютерная техника лежит в основе современного прогресса. Она обеспечивает работу современных станков, контроль технологических процессов на производстве, связь на всех уровнях (от межгосударственного до бутового), с помощью нее проводятся сложные и трудоемкие расчеты, что значительно ускоряет процессы конструирования, разработки, фундаментальные исследования, то есть задает темпы прогресса. Основой современной компьютерной техники являются микропроцессоры. Увеличение их быстродействия позволяет ставить перед техникой новые задачи, такие как моделирование сложных процессов, обработка больших объемов информации (наблюдение за космосом), обеспечение автономной работы устройств, машин и целых комплексов.

скачать реферат Сверхбольшие интегральные схемы

В этих условиях актуальной становится проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и СБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существование двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупносерийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства которых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительно большие затраты на их проектирование и конструирование оправдываются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного вида полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стандартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко второму классу, при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпускаются для удовлетворения нужд отдельных отраслей промышленности. Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами на их проектирование. Основным средством снижения стоимости проектирования и, главное, ускорения темпов разработки новых видов микроэлектронной аппаратуры являются системы автоматизированного проектирования (САПР).

скачать реферат Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

Предварительные сведения В данном реферате рассматриваются технологии, связанные с особенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах. Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Анализируются основные этапы автоматизированного процесса пректирования ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Характерной тенденцией развития элементной базы современной электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степени интеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и СБИС. При решении данной проблемы важно учитывать существование двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупносерийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства которых достигает миллионов штук в год. Поэтому относительно большие затраты на их проектирование и конструирование оправдываются. Этот класс схем включает микропроцессоры, различного вида полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стандартных микросхем и др.

скачать реферат Анализ и оценка аппаратных средств современных ПЭВМ

Последняя программа необходима для загрузки операционной системы с соответствующего накопителя. Система BIOS в IBM-совместимых компьютерах реализована в виде одной или двух микросхем, установленных на системной плате компьютера. Наиболее перспективным для хранения системы BIOS является сейчас флэш-память. BIOS на ее основе имеют, например, системные платы фирм I el, Mylex, Compaq и т.д. Это позволяет легко модифицировать старые или добавлять дополнительные функции для поддержки новых устройств, подключаемых к компьютеру. Поскольку содержимое ROM BIOS фирмы IBM было защищено авторским правом (т.е. его нельзя подвергать копированию), то большинство других производителей компьютеров вынуждены были использовать микросхемы BIOS независимых фирм, системы BIOS которых, разумеется, были практически полностью совместимы с оригиналом. Наиболее известны из этих фирм три: America Mega re ds I c. (AMI), Award Sof ware и Phoe ix ech ologies. CMOS RAM Система BIOS в компьютерах, основанных на микропроцессорах i80286 и выше, неразрывно связана с неизменяемой памятью (CMOS RAM), в которой хранится информация о текущих показаниях часов, значение времени для будильника, конфигурации компьютера: количестве памяти, типах накопителей и т.д. Именно в этой информации нуждаются программные модули системы BIOS.

скачать реферат Процессоры

Это дает пользователям целый ряд преимуществ - от значительного повышения общей производительности до серьезного увеличения времени автономной работы. Тактовая частота увеличена до 233 МГц, расход энергии снижен почти на 50% Технология производства микропроцессоров обычно характеризуется минимальным возможным размером элемента - чем меньше кристалл, тем с большей скоростью может работать схема. 0.25-микронная технология позволяет создавать элементы, имеющие вдвое меньшую площадь по сравнению с возможностями 0.35-микронной технологии (обычно применяемой в производстве самых быстрых устройств). Благодаря постоянной работе над проблемой уменьшения размера микросхем и минимальных элементов, I el выпускает все более производительные процессоры. Кроме того, уменьшение размера схемы позволяет разместить на кремниевой пластине большее количество кристаллов - это дает возможность быстрее удовлетворить спрос на высокопроизводительные мобильные процессоры. Что дает использование 0.25-микронной технологии? Тактовая частота процессора при использовании 0.25-микронной технологии может быть поднята до 233 МГц.

Двухколесный мотоцикл-каталка со шлемом, значком и протоколом.
Двухколесный мотоцикл-каталка снабжен шлемом, значком и протоколом. Такая игрушка предназначена для детей старше одного года. Она
1558 руб
Раздел: Каталки
Комплект постельного белья 1,5-спальный "Disney", с наволочкой 50х70 см.
Добро пожаловать в мир популярных персонажей, супергероев и сказочных существ. Постельное белье для мальчиков и девочек украсит интерьер и
1981 руб
Раздел: Детское, подростковое
Подставка для книг "Brauberg", большая.
Подставку возможно расширить по бокам для работы с большими книгами. Максимальная высота: 37 см, максимальная ширина: 33 см. Регулируемый
1386 руб
Раздел: Подставки, лотки для бумаг, футляры
скачать реферат Человек в новом информационном обществе

Принятая здесь концепция позволяет теперь ранжировать и установить соотношение между понятиями информатизации, медиатизации, компьютеризации и электронизации общества. Электронизация представляет собой в общем и целом инженерно- технический процесс, состоящий в производстве, конструировании и широком внедрении полупроводников, приборов и других электронных технологий и создании на их основе различных электронных устройств, включая интегральные схемы, микропроцессоры и т.д., применяемые в промышленности, научных исследованиях, бытовых приборах, транспорте и т.д. Электронная промышленность охватывает изготовление новых материалов с заданными свойствами, элементной базы для компьютеров, средств связи и т.д. Сама по себе электронизация общества еще не означает радикальных изменений в социальной сфере, хотя предполагает более или менее существенные изменения в сфере промышленного производства и экономики. Компьютеризация как бы надстраивается над электронизацией, создающей различные элементы и компоненты современных компьютеров, качество которых зависит в первую очередь от электронных приборов и устройств, включая устройства для запоминания, интегральные микропроцессорные схемы и т.д. Разумеется, создание современных компьютеров и их широкое внедрение для контроля и автоматизации производства, для конструирования, производства и использования роботов и т.п. сами по себе играют революционизирующую роль, особенно при наличии высокой компьютерной насыщенности.

скачать реферат История развития электроники

В качестве параметра количественно иллюстрирующего этот процесс используют ежегодное изменение числа элементов размещаемых на одном кристалле, что соответствует степени интеграции. По закону Мура число элементов на одной ИС каждые три года возрастает в 4 раза. Наиболее популярны и прибыльны оказались логические кристаллы высокой плотности – микропроцессоры фирмы I el и Mo orolla. В 1981– 1982 годах прогресс интегральных микросхем СБИС стимулировался наличием технологии литографии(электронно-лучевая, рентгеновская и на глубоком ультрафиолете от эксимерного лазера) и наличием производственного оборудования. Уже в 1983 г. как отметил Мур(на международной конференции) ввиду образования излишних производственных мощностей, как в США так и в Азии, прогресс в развитии микроэлектроники стал определяться только ситуацией на рынке. Так уже в 1985 – 1987 годах 80% всех ДЗУПВ в США поставляет уже Япония, так как им удалось усовершенствовать технологию и снизить цены. 6.4 История создания микроэлектроники в СССР ("Вестник Дальневосточного отделения РАН", 1993г., 1 номер) По данным опубликованным в вестнике основателем микроэлектроники в СССР был Старос Филипп Георгиевич. Он родился в 1918 г. в пригорода Нью-Йорка, в семье выходца из Греции Саранта. Закончил в 1941 г. колледж, получил диплом инженера-электрика, работал в оборонных исследовательских центрах, а вечерами учился, чтобы сдать экзамен на степень магистра технических наук.

скачать реферат Современные микропроцессоры (апрель 2001г.)

Поскольку все основные производители вентиляторов выпускают модели как для процессоров Socke A (AMD), так и Socke 370 (I el) нет смысла подробно описывать каждый из них. Результаты тестов у аналогичных моделей (как это видно на примере вентилятора Golde Orb), будут практически одинаковыми. Производство микропроцессоров. Основным химическим элементом, используемым при процессоров, является кремний, самый распространённый элемент на земле. Это основной элемент, из которого состоит прибрежный песок; однако в таком виде он не достаточно чист для производства микросхем. Прежде чем использовать кремний для производства микросхем, его очищают, плавят, после чего он кристаллизируется; из этого материала делают большие цилиндрические заготовки. В настоящее время используются заготовки диаметром приблизительно 200 мм и длинной до 1000 мм, весить они могут до 40 кг. Заготовка вставляется в цилиндр, диаметром 200 мм (текущий стандарт), часто с плоской вырезкой на одной стороне для точности позиционирования и обработки. Затем каждая заготовка разрезается алмазной пилой более чем на 1000 круговых подложек, толщиной менее миллиметра. После этого подложка полируется до тех пор, пока её поверхность не станет зеркально-гладкой.

скачать реферат История советских калькуляторов

У калькулятора был 15-сегментный 16-разрядный индикатор и работал только от пяти вольт. Это устройство было сделано на основе однокристального микропроцессора К1801ВЕ1 и имело 64кбит ПЗУ типа К596РЕ1. Ошибки и особенности микрокалькуляторов Немного об ошибках и особенностях. Учитывая специфику разработки советских микрокалькуляторов, включая геополитические аспекты, может стать ясно, что если наши разработчики разрабатывали микрокалькулятор сами, не опираясь на результаты послойного сканирования микросхем импортных аналогов, то они постоянно вносили какую-то изюминку в их работу. Это были как ошибки в вычислениях микрокалькуляторов, так и интересные находки. В семействе калькуляторов серии Б3-26 (Б3-23, Б3-24Г, МК-57), например, признаком наличия числа в регистре памяти являлось свечение точки в самом левом неиспользуемом разряде. Кроме этого, этот микрокалькулятор прекрасно вычислял квадратные корни из отрицательных чисел. Корень от -4 был равен -2. И никаких сообщений об ошибках. В микрокалькуляторе Б3-32, разработчики, увидев, что на индикаторе есть незадействованная точка слева, решили ее задействовать. У этой модели точка слева загорается при нажатии клавиши.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.