телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАТовары для дачи, сада и огорода -30% Бытовая техника -30% Всё для дома -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Фотодиод в оптоэлектронике

найти похожие
найти еще

Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО Кафедра физики Полупроводников ФОТОДИОД В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Курсовая работа Студента 1 курса физического факультета Машкова Дмитрия Александровича Научный руководитель профессор Роках А.Г. /подпись/ Зав. кафедрой профессор, доктор Б.Н.Климов /подпись/ Саратов – 1999г. План работы1. Введение и постановка задачи 2. Физические основы внутреннего фотоэффекта 3. Принцип действия фотодиода 4. Практическая часть (исследование характеристик фотодиода) 5. Применение фотодиода в оптоэлектронике 6. Заключение 7. Литература1.ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ В наши дни прогресс в различных областях науки и техники немыслим без приборов оптической электроники. Оптическая электроника уже давно играет ведущую роль в жизни человека. А с каждым годом ее внедрение во все сферы человеческой деятельности становится все интенсивнее. И этому есть свои причины. Устройства оптоэлектроники имеют ряд отличий от других устройств. Можно выделить следующие их достоинства. а) Высокая информационная емкость оптического канала, связанная с тем, что частота световых колебаний (около 1015 Гц) в 103-104 раз выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне. Малое значение длины волны световых колебаний обеспечивает высокую достижимую плотность записи информации в оптических запоминающих устройствах (до 108 бит/см2). б) Острая направленность светового излучения, обусловленная тем, что угловая расходимость луча пропорциональна длине волны и может быть меньше одной минуты. Это позволяет концентрированно и с малыми потерями передавать электромагнитную энергию в заданную область пространства. В малогабаритных электронных устройствах лазерный луч может быть направлен на фоточувствительные площадки микронных размеров. в) Возможность двойной – временной и пространственной модуляции светового луча. Минимальная элементарная площадка в плоскости, перпендикулярной направлению распространения, которая может быть выделена для независимой модуляции части луча близка к (2(108 см2). Это позволяет производить параллельную обработку информацию, что очень важно при создании высокопроизводительных комплексов. г) Так как источник и приемник в оптоэлектронике не связаны друг с другом электрически, а связь между ними осуществляется только посредством светового луча (электрически нейтральных фотонов), они не влияют друг на друга. И поэтому в оптоэлектронном приборе поток информации передается лишь в одном направлении – от источника к приемнику. Каналы, по которым распространяется оптическое излучение, не воздействуют друг на друга и практически не чувствительны к электромагнитным помехам (отсюда и высокая помехозащищенность). д) возможность непосредственного оперирования со зрительно воспринимаемыми образами: фотосчитывание, визуализация (например, на жидких кристаллах). Любое оптоэлектронное устройство содержит фотоприемный блок. И в большинстве современных оптоэлектронных устройств фотодиод представляет основу фотоприемника. Фотодиоды обладают наилучшим сочетанием фотоэлектрических параметров, основных с точки зрения использования в оптоэлектронике: высокие значения чувствительности и быстродействия, малые значения паразитивных параметров (например, ток утечки).

Этим и обуславливается его повсеместное применение. В будущем крайне важно повышение рабочей температуры фотодиодов. Оценивая сегодняшнюю оптоэлектронику в целом, можно сказать, что она скорее «криогенная», чем «комнатная». Будущее оптоэлектроники находится в прямой зависимости от прогресса фотодиодных структур. Оптическая электроника бурно развивается, разрабатываются новые типы фотоприемников, и наверняка уже скоро появятся фотодиоды на основе новых материалов с большей чувствительностью, повышенным быстродействием и с улучшенными характеристиками в целом.7.ЛИТЕРАТУРА 1) Роках А. Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. - Саратов: Издательство Саратовского университета, 1984. 2) Названов В. Ф. Основы оптоэлектроники. – Саратов: Издательство Саратовского университета, 1980. 3) Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. – М.: Советское радио, 1977. 4) Василевский А. М. и др. Оптическая электроника/ А. М. Василевский, М. А. Кропоткин, В. В. Тихонов. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. Отд-ние, 1990. 5) Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергия, 1976. 6) Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы/ В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков. – М.: Высшая школа, 1973.

Это обусловлено тем, что толщина базы фотодиода значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. То есть практически все неосновные носители заряда, возникшие в базе, принимают участие в образовании фототока. г) спектральная характеристика фотодиода – это зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны, при малых длинах волн большим показателем поглощения и увеличения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. То есть коротковолновая граница чувствительности зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. Положение максимума в спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения. д) постоянная времени – это время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в е раз (63%) по отношению к установившемуся значению. е) темновое сопротивление – сопротивление фотодиода в отсутствие освещения. ж) интегральная чувствительность K = Iф/ – освещенность. з) инерционность. Существует 3 физических фактора, влияющих на инерционность: 1) время диффузии или дрейфа неравновесных носителей через базу ( ; 2) время пролета через p- переход (i ; 3) время перезарядки барьерной емкости p- перехода, характеризующееся постоянной времени RСбар . Время диффузии носителей заряда через базу можно определить (аналогично времени пролета носителей заряда через базу транзистора) для бездрейфового: прол = 50 нс. Время пролета через p- переход: (i = , где ( - толщина p- перехода, vmax – максимальная скорость дрейфа носителей заряда (vmax для кремния и германия равна 5 106 см/c). Толщина p- перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i=0.1 нс. RCбар определяется барьерной емкостью p- перехода, зависящей от напряжения и сопротивления базы фотодиода при малом сопротивлении нагрузки во внешней цепи. Величина RСбар порядка нескольких наносекунд. 4.ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Расчет КПД фотодиода. КПД вычисляется по формуле: , где Pосв – мощность освещенности, I – сила тока , U – напряжение на фотодиоде. Максимальная мощность фотодиода соответствует максимальной площади данного прямоугольника. Мощность Сила Напряжен КПД, Освещенности, тока, ие, % МВт мА В 1 0.0464 0.24 1.1 3 0.1449 0.41 2 5 0.248 0.26 1.3 7 0.242 0.45 1.6 Среднее значение: 1.5%. Вывод: коэффициент полезного действия фотодиода согласно полученным данным составил в среднем 1.5%.5.ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОДИОДА В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Фотодиод является составным элементом во многих сложных оптоэлектронных устройствах. И поэтому он находит широкое применение. а) оптоэлектронные интегральные микросхемы. Фотодиод может обладать большим быстродействием, но его коэффициент усиления фототока не превышает единицы. Благодаря наличию оптической связи оптоэлектронные интегральные микросхемы обладают рядом существенных достоинств. Почти идеальная гальваническая развязка управляющих цепей при сохранении между ними сильной функциональной связи. б) многоэлементные фотоприемники.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ - см. Фотоэффект. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ - устройство на основе полупроводниковых фотоэлементов, предназначенное для преобразования световой энергии в электрическую (напр., солнечная батарея). ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ - усилитель постоянного тока (напряжения), работа которого основана на изменении фотопроводимости светочувствительного элемента (напр., фоторезистора, фотодиода), включенного последовательно с нагрузкой, под действием светового потока, модулированного усиливаемым сигналом. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭКСПОНОМЕТР - см. Экспонометр. ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ - то же, что внешний фотоэффект. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ - электровакуумные или полупроводниковые приборы, преобразующие энергию электромагнитного излучения оптического диапазона в электрическую (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, передающие электронно-лучевые приборы и др.) или преобразующие изображения в невидимых (инфракрасных, ультрафиолетовых, рентгеновских) лучах в видимые изображения (напр., электронно-оптические преобразователи)

скачать реферат Матричные фотоприемники

Толщина p- перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i=0.1 нс. RCбар определяется барьерной емкостью p- перехода, зависящей от напряжения и сопротивления базы фотодиода при малом сопротивлении нагрузки во внешней цепи. Величина RСбар порядка нескольких наносекунд. 1.3.ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Расчет КПД фотодиода. КПД вычисляется по формуле: , где Pосв – мощность освещенности, I – сила тока , U – напряжение на фотодиоде. Максимальная мощность фотодиода соответствует максимальной площади данного прямоугольника. Мощность Сила Напряжен КПД, Освещенности, тока, ие, % МВт мА В 1 0.0464 0.24 1.1 3 0.1449 0.41 2 5 0.248 0.26 1.3 7 0.242 0.45 1.6 Среднее значение: 1.5%. Вывод: коэффициент полезного действия фотодиода согласно полученным данным составил в среднем 1.5%. 1.5 Принципиальная схема 1.6 ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОДИОДА В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Фотодиод является составным элементом во многих сложных оптоэлектронных устройствах. И поэтому он находит широкое применение. а) оптоэлектронные интегральные микросхемы. Фотодиод может обладать большим быстродействием, но его коэффициент усиления фототока не превышает единицы.

Ящик почтовый с замком, синий.
Ящик почтовый с замком. Материал: пластик. Длина: 385 мм. Ширина: 310 мм. Высота: 80 мм.
448 руб
Раздел: Прочее
Набор линеров "Sacura Pigma Micron", 3 штуки, черные.
Универсальные капиллярные ручки для письма, создания скетчей, иллюстраций, чертежей, ведения дневниковых, архивных записей и журналов
564 руб
Раздел: Капиллярные
Конверт С6, комплект 1000 штук.
Формат С6 (114 х 162 мм). Белый, без надписей. Клей декстрин. Плотность бумаги - 80 г/м2. В комплекте - 1000 штук. Конверт почтовый
512 руб
Раздел: Прочее
 Физические эффекты и явления

Разновидностью внутреннего фотоэффекта является вентильный фотоэффект - появление э.д.с. в месте контакта двух полупроводников (или полупроводника и металла). Основное применение вентильных фотоэлементов - индикация электромагнитного излучения. На основе вентильного фотоэффекта работают также солнечные батареи. Одним из приборов работающих на вентильном фотоэффекте, является фотодиод, обладающий многими преимуществами по сравнению с обычными фотоэлементами (7). А.с. 475719: Устройство для регулирования напряжения электромагнитных генераторов содержащее датчик тока, ввиде шунта в цепи его нагрузки и импульсный транзисторный усилитель, ко входу которого подключены последовательно стабилизаторон с ограничивающим резистором и формирователь пилообразного напряжения, к выходу обмотка возбуждения генератора, отличающееся тем, что с целью повышения надежности и точности регулирования параллельно упомянутому шунту включен светодиод одноэлектронной пары, фотодиод который через цепь подпитки подключен параллельно огрничивающему резистору. 14.1.2

скачать реферат Волоконно-оптические линии связи

Таким образом, и в промежуточном усилителе остается задача преобразования и регенерации электрического сигнала (усиление или восстановление нужной формы импульса при двойных бинарных сигналах). Этот восстановленный электрический сигнал вторично используют для управления лазером или светоизлучающим диодом, который теперь излучает усиленный световой сигнал.7.2 ФОТОДИОДЫ ИСПОЛЬЗУЮТ ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ В оптических системах связи, в которых на выходе каждого отдельного световода должен быть установлен чувствительный фотоприемник, вводятся два прибора которые могут, быть выполнены методом микроэлектронной технологии. Речь идет о p-i- фотодиоде и лавинном фотодиоде. Оба используют внутренний фотоэффект, который проявляется в этом специальном случае непосредственно в окрестностях р- перехода.7.3 ШУМ — СИЛЬНЕЙШИЙ ВРАГ ТЕХНИКИ СВЯЗИ Понятие, которое имеет решающее значение для функционирования каждой системы связи, — помехи. Насколько не одинаковы неисправности системы из-за потерь в сети питания или отказов каких-либо элементов, встречающиеся в каждом приборе или устройстве, настолько же не одинаковы помехи, вызванные электромагнитными полями.

 Битва за мировой океан в 'холодной' и будущих войнах

Итак, "холодная война" 1946-1991 годов проходила при ядерном сдерживании, в условиях угрозы развязывания ракетно-ядерной войны - войны пятого поколения. 3. ВОЙНЫ ШЕСТОГО ПОКОЛЕНИЯ К исходу XX века, несмотря на огромные достижения в различных областях науки и технологии, способствовавшие созданию новейших революционных видов и родов вооружений и военной техники, военное предвидение в России оказалось неспособным обосновать характер войн нового поколения. Военная практика значительно обогнала военную теорию, застывшую на уровне войн прошлого поколения, о чем свидетельствует принятая в 1999 году военная доктрина России. В результате экономических достижений в ряде стран уже идет очередная военно-технологическая революция, позволяющая формировать новую материально-техническую базу ведения войны в XXI веке, основу которой составляют высокие наукоемкие технологии и информационные системы. При этом важнейшую роль играют микроэлектроника, оптоэлектроника, сенсорная техника, а также новые технологии производства и применения высококачественных материалов

скачать реферат Медицинские датчики

Имеются так называемые когерентные волоконно-оптические линии связи, где пригодны только одномодовые волокна. В многомодовом оптическом волокне когерентность принимаемых световых волн падает, поэтому его использование в когерентных линиях связи непрактично, что и предопределило применение в подобных линиях только одномодовых оптических волокон. Напротив, хотя при использовании оптических волокон для датчиков вышеуказанные факторы тоже имеют место, но во многих случаях их роль уже иная. В частности, при использовании оптических волокон для когерентных измерений, когда из этих волокон формируется интерферометр, важным преимуществом одномодовых волокон является возможность передачи информации о фазе оптической волны, что неосуществимо с помощью многомодовых волокон. Следовательно, в данном случае необходимо только одномодовое оптическое волокно, как и в когерентных линиях связи. Тем не менее, на практике применение одномодового оптического волокна при измерении нетипично из-за небольшой его дисперсии. Короче говоря, в сенсорной оптоэлектронике, за исключением датчиков-интерферометров, используются многомодовые оптические волокна. Это обстоятельство объясняется еще и тем, что в датчиках длина используемых оптических волокон значительно меньше, чем в системах оптической связи.

скачать реферат Информатизация учебного процесса

Современная стадия научно-технической революции отличается тем, что, во- первых, технология переработки естественных материалов дополнилась технологиями создания принципиально новых материалов на атомно-молекулярном уровне, когда осуществляется опора на практическое использование законов атомной и ядерной физики, квантовой механики и релятивистской механики, законов молекулярной генетики, оптоэлектроники, нанотехнологий, информологии и др., т. е. опора на представления, концепции, теории и законы, составляющие преимущественно квантово-полевую картину мира. Во- вторых, если главной отраслью в начальной стадии научно-технической революции определялось машиностроение, автоматизированное на базе микроэлектроники и вычислительной техники, то теперь это сама микроэлектроника и вычислительная техника во всех ее разновидностях: компьютеры, компьютерные сети и системы, глобальные международные сети и другие средства информатики, телематики и теленетики. В-третьих, резко возросла информатизация общества, появились индустрия информатики, новые информационные технологии. В-четвертых, произошла интеграция науки и производства, наука стала непосредственной производительной силой, а в информационной парадигме она ныне рассматривается как система накопления, хранения и переработки информации, ее анализа с выработкой норм и правил отбора; как система создания методик и методологий моделирования.

скачать реферат Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

Таким образом, оптоэлектроника ба- зируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники, среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая элек- троника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и техно- логия, а также нелинейная оптика, электрооптика, голография, во- локонная оптика. - 2 - Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связа- ны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства: 1. Высокая информационная ёмкость оптического канала. 2. Острая направленность излучения. 3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной. 4. Бесконтактность, "элетропассивность" фотонных связей. 5. Возможность простого оперирования со зрительно восприни- маемыми образами. Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными приборами очень широкие возможности применения в качестве эле- ментов связи, индикаторных приборов, различных датчиков.

скачать реферат Лазеры. Основы устройства и применение их в военной технике

Для первоначальной юстировки оптической системы используется опорное зеркало, укрепленное на тщательно обработанной поверхности головки, перпендикулярно оси цилиндрического корпуса. Осветитель диффузионного типа представляет собой два входящих один в другой цилиндра между стенками которых находится слой окиси магния. Модулятор добротности рассчитан на непрерывную устойчивую работу или на импульсную с быстрым запусками. основные данные унифицированной головки таковы: длина волны - 1,06 мкм, энергия накачки - 25 Дж, энергия выходного импульса - 0,2 Дж, длительность импульса 25нс, частота следования импульсов 0,33 Гц в течение 12с допускается работа с частотой 1 Гц), угол расходимости 2 мрад. Вследствие высокой чувствительности к внутренним шумам фотодиод, предусилитель и источник питания размещаются в одном корпусе с возможно более плотной компоновкой, а в некоторых моделях все это выполнено в виде единого компактного узла. Это обеспечивает чувствительность порядка 5 10 в -8 Вт. В усилителе имеется пороговая схема, возбуждающаяся в тот момент, когда импульс достигает половины максимальной амплитуды, что способствует повышению точности дальномера, ибо уменьшает влияние колебаний амплитуды приходящего импульса.

Настольная игра "Звонго!".
"Звонго" – безумно притягательная игра! В маленькой яркой сумочке всё необходимое для звонкой игры: волшебная магнитная палочка
1262 руб
Раздел: Классические игры
Карта желаний "Dream&Do".
Карта желаний, которая поможет тебе визуализировать мечты и достигать задуманного. Это твой источник вдохновения и напутствий,
1860 руб
Раздел: Прочее
Ящик "Профи", 25 литров.
Ящик хозяйственный "Профи" из цветного пластика. Размер: 410х295х312 мм. Объем: 25 литров.
416 руб
Раздел: Более 10 литров
скачать реферат Измерение параметров лазеров

Для измерения малых потоков требуются приемники с высокой чувствительностью и низким уровнем шума. Фотодиоды уступают по чувствительности ФЭУ. Однако ФД обладают низким уровнем шума. Это позволяет применять ФД для измерения малых потоков не непосредственно, а с помощью усилителя. В этом случае ФД вполне могут конкурировать с ФЭУ, а в ряде случаев и превосходить их по характеристикам. Основные преимущества ФД по сравнению с ФЭУ: небольшие габариты, низковольтное питание, высокая надежность и механическая прочность, более высокая стабильность чувствительности, низкий уровень шумов, лучшая помехозащищенность от электрических и магнитных полей. Недостатки ФД по сравнению с ФЭУ: меньшее быстродействие для большинства ФД, более сильное влияние температуры на параметры и характеристики прибора. Для измерения временных параметров лазерного излучения следует применять наиболее быстродействующие фотоэлектрические приемники — ФЭ, для измерения малых потоков — ФЭУ и лавинные ФД. Для измерения мощности лазерного излучения в непрерывном режиме могут быть использованы как вакуумные, так и полупроводниковые ФП, поскольку здесь не требуется их высокого быстродействия.

скачать реферат Технологические средства автоматизации

Твердотельные оптоэлектронные реле с МОП - транзисторами на выходе являются альтернативой электромеханическим и полупроводниковым реле на основе тиристоров. Прибор состоит из инфракрасного светодиода, оптически связанного с матрицей фотодиодов, которые работают в фотовольтрическом режиме и управляют выходным коммутирующим элементом, последний представляет собой пару МОП - транзисторов, соединенных истоками. При включении МОП - транзисторов в последовательную цепь получается линейный переключатель постоянного и переменного тока двунаправленного действия. Основные характеристики малый ток управления - 10 : 30 мА наработка на отказ - 25 000 часов коммутирование нагрузок в цепях постоянного и переменного тока; совместимость с ТТЛ / ТТЛШ, КМОП низкое сопротивление в открытом состоянии малые утечки в закрытом состоянии - менее 100 мА возможность коммутации малых токов - ~ 1мкА высоковольтная монолитная схема Uиз. - не менее 1500 В / не менее 4000 В диапазон рабочих температур - Вопрос 64. На рис. 1,а показан виток провода abcd, вращающийся по часовой стрелке вокруг оси 00' в магнитном поле между северным ( ) и южным (S) полюсами магнита.

скачать реферат Полупроводниковые диоды

На основе использования свойств р- -перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования пе- ременного тока в постоянный.Их основные параметры: I пр max - максимальный прямой ток ; V пр ^^ RC-постоянной. Время диффузии носителей через базу определено как: =W /2 D p Время полета носителей через область область объемного заря- да (шириной d ) можно оценить как = d /V max, где V max - мак- симальная скорость движения носителей в электрическом поле, которая при больших полях не зависит от напряженности элек- трического поля вследствии уменьшения подвижности в силовых полях. Высоким быстродействием обладают фотодиоды на основе барьера Шоттки. В типичной структуре такого диода через тон- кую полупрозрачную пленку металла и поглощается в основном в области объемного заряда полупроводника. Следовательно, ин- нерционность обуславливается только временами i и rc . Малое значение обуславливается узкой областью объемного заряда, а небольшое значение получается за счет того, что удельное сопротивление металла много меньше, чем полуп- роводника, и соответственно меньше.

скачать реферат Применение гетеропереходов в оптоэлектронике

Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны. Гетеропереход. Физические основы. Если - и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют

скачать реферат Акустоэлектроника (Доклад)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники Реферат по курсу “Основы микроэлектроники” на тему: “Акустоэлектроника” Выполнил: студент гр. Руководитель: Днепропетровск – 1998 Акустоэлектроника – это направление функциональной микроэлектроники, основанное на использовании пьезоэлектрического эффекта, а также явлений, связанных с взаимодействием электрических полей с волнами акустических напряжений в пьезоэлектрическом полупроводниковом материале. По существу, акустоэлектроника занимается преобазованием акустических сигналов в электрические и электрических в акустические. Обратим внимание на то, что данное определение аналогично определению оптоэлектроники, где речь идет о взаимных преобразованиях оптических и электрических сигналов. На рис. 1, а показана структура элементарной ячейки кварца, состоящей из 3х молекул диоксида кремния. При отсутствии деформации центр тяжести положительных и отрицательных ионов совпадает (плюсом отмечены ионы кремния, минусом – кислорода). Сжатие кристалла в вертикальном направлении (рис. 1, б) приводит к смещению положительных ионов вниз, а отрицательных вверх.

Набор фломастеров (36 цветов).
Яркие цвета. Проветриваемый и защищенный от деформации колпачок. Помогают научиться координировать движения рук. Возраст: от 3 лет.
396 руб
Раздел: Более 24 цветов
Комплект в кроватку Polini "Я и моя мама" (7 предметов, 140х70 см).
Комплект из 7 предметов Polini Я и моя мама рассчитан на детскую кроватку со спальным ложе размером 140х70 см. Европейский дизайн и
5735 руб
Раздел: Комплекты в кроватку
Фломастеры "Connector. Балерина", 45 предметов.
Подарочный набор фломастеров. В упаковке: 33 фломастера Connector, 10 клипов для соединения, 2 карточки для раскрашивания.
1162 руб
Раздел: Более 24 цветов
скачать реферат Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

С этой точки зрения для реализации максимальной пороговой чувствительности необходимо выбирать фотодиод с минимальными темновыми токами. Величина темнового тока зависит от свойств материала фотодиода, температуры, площади р- - перехода, конструктивных особенностей и т. д. В фотодиодах с р - i - - переходом довольно широкая область собственной проводимости ( i - область) расположена между двумя областями полупроводника противоположного знака проводимости; в i-области распределено сильное однородное электрическое поле, что способствует увеличению чувствительности фотодиода. Чувствительность германиевых и кремниевых р - i - - фотодиодов составляет 0.5. 0.6 А/Вт, темновой ток при глубоком охлаждении (77 К) может быть доведен до 10-11 А. В последнее время разработаны р-i- - фотодиоды на основе I GaAs/I P, которые совместно с усилителем на полевом транзисторе (FЕТ) образуют интегральную схему; такой р-i- - FEТ- приемник работает в диапазоне длин волн 1,3.1,5 мкм, имеет высокую квантовую эффективность 0.65 . 0.7, малую емкость - 0.15 рF, что определяет высокое быстродействие.

скачать реферат Проектирование передающего устройства одноволоконной оптической системы передачи для городской телефонной сети

Именно прямая модуляция используется на городской телефонной сети в системах «Соната-2» и ИКМ-120. 1.3.2. Оптический передатчик. На рис.1.13 представлена структурная схема оптического передатчика (ОП) с прямой модуляцией несущей. Преобразователь кода ПК преобразует стыковой код, в код, используемый в линии, после чего сигнал поступает на модулятор. Схема оптического модулятора исполняется в виде передающего оптического модуля (ПОМ), который помимо модулятора содержит схемы стабилизации мощности и частоты излучения полупроводникового лазера или светоизлучающего диода. Здесь модулирующий сигнал через дифференциальный усилитель УС-1 поступает в прямой модулятор с излучателем (МОД). Модулированный оптический сигнал излучается в основное волокно ОВ-1. Для контроля мощности излучаемого оптического сигнала используется фотодиод (ФД), на который через вспомогательное волокно ОВ-2 подается часть излучаемого оптического сигнала. Напряжение на выходе фотодиода, отображающее все изменения оптической мощности излучателя, усиливается усилителем УС-2 и подается на инвертирующий вход усилителя УС-1.

скачать реферат Волоконно-оптические датчики

Появление в начале 1960-х годов лазеров способствовало ускорению развития оптоэлектроники. Потенциальные характеристики лазеров описаны еще в 1958 г., а уже в 1960 г. был создан самый первый лазер — газовый, на основе смеси гелия и неона. Генерирующие непрерывное излучение при комнатной температуре полупроводниковые лазеры, которые в настоящее время получили наиболее широкое применение, стали выпускаться с 1970 г. Появление оптических волокон Важным моментом в развитии оптоэлектроники является создание оптических волокон. Особенно интенсивными исследования стали в конце 1960-x годов, а разработка в 1970 г. американской фирмой "Корнинг" кварцевого волокна с малым затуханием (20 дБ/км) явилась эпохальным событием и послужила стимулом для увеличения темпов исследований и разработок на все 1970-е годы. На рис. 2 показано снижение минимальных потерь передачи для различных оптических волокон на протяжении минувших десяти с лишним лет. Можно заметить, что для кварцевых оптических волокон потери за 10 лет (в 1970-е годы) уменьшились примерно на два порядка. Изначальной и главной целью разработки оптических волокон было обеспечение ими оптических систем связи.

скачать реферат Диоды

Полупроводниковые диоды подразделяются на группы, в зависимости от их мощности, диапазона рабочих частот, напряжения и диапазона рабочих частот. Как у дидов так и у транзисторов есть одно уникальное свойство. При изменении температуры, их внутреннее сопротивление изменяется и следовательно величина напряжения выпрямленного тока тоже изменяется в большую или меньшую сторону. Свето и фотодиоды применяются в качестве датчиков и индикаторов. ТранзисторыБез транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и даже компьютерных аппаратурах. Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p - переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух остриёв (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждое остриё образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать напряжение прямой полярности, а между коллектором и базой- обратной полярности, то оказывается, что величина тока коллектора находится в прямой зависимости от величины тока эмиттера.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.