телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАКанцтовары -5% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -5% Программное обеспечение -5%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

найти похожие
найти еще

Ручка "Помада".
Шариковая ручка в виде тюбика помады. Красный цвет колпачка.
21 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый.
Оригинальный светильник - ночник - проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фонариков) 2) Три
330 руб
Раздел: Ночники
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ на курсовую работу по дисциплине «Физико-химические основы технологии микроэлектроники» Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). материал кремний примеси - Ga,P и Sb исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых) Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин. 2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости. Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии: ?при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин. ?при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин. ?после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин. Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа. Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г. Шишлянников Родин Реферат. В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии. Содержание. Введение 1.Расчетная часть 1.1Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель 1.2Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной 1.2.1Расчет распределения Si-Ga 1.2.2Расчет распределения Si-P 1.2.3Расчет распределения Si-Sb 1.3Распределение примесей после диффузии 1.3.1Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога 1.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело 1.3.3Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей 1.3.4Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей 1.4Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. 1.4.1Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин 1.4.2Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин 1.4.3Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа Заключение Литература Введение. Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела.

Представленные решения позволяют находить распределения примеси в твердом теле при любых начальных условиях. Решение конкретной задачи сводится к подстановке в (12) или (13) соответствующих ситуации начальных условий с последующими, как правило, очень громоздкими преобразованиями. 1.3.1 Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога) Диффундирующая примесь (диффузант) поступает в полубесконечное тело через плоскость x=0 из второго полубесконечного тела (источника) с равномерным распределением примеси. Концентрация примеси в источнике - o. Полагается, что в принимающем диффузант теле нет рассматриваемой примеси. Начальное распределение концентраций для этого случая задается в виде (x,0) = o для x (x,0) = 0 для x>0 Решением уравнения (11) для этого случая является выражение (14) Второе слагаемое в квадратных скобках называют интегралом ошибок Гаусса или, иначе, функцией ошибок - error fu c io и сокращенно обозначают erf (z). В соответствии с сокращением это распределение называют erf - распределением. (15) В математике часто используют как самостоятельную и другую функцию erfc z = 1- erf z (16) которая называется дополнением функции ошибок до единицы или дополнительной функцией ошибок - error fu c io compleme . Обе функции табулированы. Таким образом, выражение (14) можно записать (17) Величина?имеет размерность длины и носит название диффузионной длины или длины диффузии. Физический смысл этого параметра - среднее расстояние, которое преодолели диффундирующие частицы в направлении выравнивания градиента концентрации за время . Рассмотренное решение можно использовать как простейшую модель, представляющую распределение примеси в автоэпитаксиальной структуре. При этом, в качестве независимых источников примеси выступает как подложка, так и эпитаксиальный слой. Процессы диффузии с каждой стороны рассматриваются в этом случае как независящие друг от друга, а реальное распределение примесей на границе раздела будет представлять собой сумму отдельных решений. 1.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело. Диффузант поступает в полубесконечное тело через плоскость x=0 из источника, обеспечивающего постоянную концентрацию примеси o на поверхности раздела твердое тело - источник в течение любого времени. Такой источник называют бесконечным или источником бесконечной мощности. Полагается, что в принимающем диффузант теле нет рассматриваемой примеси. Начальное распределение концентраций и граничные условия для этого случая задаются в виде (x, ) = o для x=0 (x,0) = 0 для x>0 Решением уравнения (16) для данных условий является выражение (18) Если в объеме полупроводникового материала до диффузии имелась примесь противоположного типа по отношению к диффундирующей, эта примесь распределена по объему равномерно и её концентрация равна b, то в этом случае в полупроводнике образуется электронно-дырочный переход. Его положение (глубина залегания) xj определяется условием (x, )= b, откуда (19) и (20) здесь запись erfc-1 обозначает аргумент z функции erfc.

Условие полного перемешивания на практике реализовать невозможно. Процессы массопереноса в расплавленной зоне при реальных скоростях кристаллизации и разумной интенсивности перемешивании всегда приводят к образованию диффузионного слоя на границе раздела фаз в области кристаллизации. Наличие слоя жидкости с концентрационным пиком, из которого и происходит кристаллизация, влияние его на условия разделения компонентов учитывается введением в выражения (1) и (2) эффективного коэффициента распределения kэфф вместо равновесного ko. Равновесный коэффициент сегрегации связан с эффективным соотношением Бартона-Прима-Слихтера: (4) где Vкр - скорость перемещения расплавленной зоны (скорость кристаллизации); ?- толщина диффузионного слоя; Dж - коэффициент диффузии примеси в жидкой фазе. Эта замена является лишь более или менее удачным приближением к реальной ситуации, и не соответствует требованию условия постоянства концентрации. Распределение примеси после зонной плавки для реальных процессов описывается выражением (5) Данное выражение позволяет анализировать влияние на сегрегационные процессы скорости перемещения зоны и условий перемешивания жидкой фазы. Условие 3 справедливо только для сильно разбавленных растворов, т.е. при малых концентрациях примеси в системе. Кроме того, условие малости концентрации должно соблюдаться на протяжении всего процесса зонной плавки. Для того, чтобы допущение 3 оказалось состоятельным, требуется использовать при кристаллизационной очистке исходные материалы прошедшие предварительную очистку. 1.2 Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной) 1.2.1 Расчет распределения Si-Ga. Рассчитаем распределение галия в слитке кремния для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин. 0=0.02% (массовых). Длина зоны l составляет 10% от длины слитка L. Испарением примеси при переплавке пренебречь. Распределение сурьмы вдоль слитка определяется уравнением (5) на длине слитка a = (L - l)/l = A-1, т.е. при 0? a? 9. При a? распределение примеси представляется уравнением (3). Доля закристаллизовавшегося расплава g на этом участке изменяется от нуля до величины, близкой к единице. Для g = 1 уравнение (3) не имеет смысла. Прежде чем приступить к расчету переведем 0 из % (массовых) в % (атомные), а затем в см-3. Для этого воспользуемся формулой перевода. (6) где А1, А2–атомные массы компонентов; 2–второй компонент смеси. Атомная масса–для галлия = 69,72 Концентрация собственных атомов в кристаллической решетке кремния соб=5?1022 см-3. Следовательно, исходная концентрация галлия в слитке: 0=8,06?10-5?5?1022=4,03?1018 см-3 Для расчета эффективного коэффициента сегрегации воспользуемся выражением (4). Для галлия в кремнии k0=8?10-3 . Отношение ?/Dж=200 с/см из задания. Подставляя значения k0, ?/Dж, Vкр в (4), вычислим kэфф. Для этого Vкр переведем из мм/мин в см/с, получим Vкр=2,5?10-3; 8,33?10-3; 2,5?10-2 см/с. Соответственно получим kэфф=1,3?10-2; 4,09?10-2; 0,545 ?Заполняем расчетную таблицу, меняя с выбранным шагом расстояние от начала слитка в длинах зоны a (на участке зонной плавки).

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ЗО)

Зонная очистка основана на том, что при равновесии между жидкой и твёрдой фазами растворимость примесей в жидкой и твёрдой фазах различна. Для получения чистых материалов обычно расплавленную зону перемещают по слитку несколько раз или одновременно на слитке создают несколько перемещающихся расплавленных зон с участками твёрдого материала между ними. Скорость перемещения расплавленных зон обычно 0,1—10 мм/мин, число проходов 10—15 и более. Очистку заканчивают при достижении предельного (конечного) распределения примеси, которое не может быть изменено последующими перемещениями зон.   Эффективность зонной очистки материала от примеси зависит от коэффициента распределения этой примеси — отношения концентрации примеси в твёрдой фазе к концентрации в жидкой фазе, от количества проходов и скорости перемещения зоны, от отношения длины слитка к длине зоны. Зонное выравнивание заключается в том, что в первую зону помещается легирующая добавка, которая при многократном перемещении зоны по слитку равномерно распределяется по его длине

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

В случае, если продолжительность второй стадии не очень велика по сравнению с первой, или, иными словами, D2 2 ? D1 1 , предположение о том, что диффузионный слой, образовавшийся в результате загонки, будет вести себя как тонкий источник неверно. В этом случае решение диффузионного уравнения будет выглядеть следующим образом Поверхностная концентрация примеси после второй стадии диффузии выражается при данных условиях соотношением (29) Выражение (25) используется для представления распределения при условии, что D1 1 >D2 2 – . 1.4 Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. 1.4.1 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30 мин.= 1800с. Материал – кремний; примесь – галлий. Условия проведения диффузии соответствуют решению, представляемому уравнением (18). . Температуру соответствующую максимальной растворимости галлия в кремнии, а так же и саму предельную растворимость найдем из графика предельной растворимости примеси в кремнии. пред. раств.= 0=6(1019 см-3, Т=1523 К.

Набор для проведения раскопок "Jewerly Excavation. Горный хрусталь".
Набор для проведения раскопок "Горный хрусталь" из серии Jewerly Excavation станет идеальным подарком для юных любителей
337 руб
Раздел: Археологические опыты
Фоторамка "Вращающийся куб".
Декоративная фоторамка, выполненная в виде куба. На гранях куба вы сможете разместить шесть фотографии формата 10 см х 10 см. Куб
317 руб
Раздел: Мультирамки
Этажерка для обуви "Комфорт-3".
Выполнена из металлических трубок с антикоррозионным напылением. Пластиковые колпачки на ножках защищают поверхность пола от царапин.
972 руб
Раздел: Полки напольные, стеллажи
 Космическая технология и производство

Конвекционные течения ведут к появлению местных пульсаций температуры в жидкости, а за счет того, что растворимость примеси в расплаве зависит от температуры,P и к неоднородному распределению примеси в растущем кристалле. Это явление, обусловленное конвекцией, называется полосчатостью, или микросегрегацией. Полосчатость является одним из дефектов структуры полупроводниковых монокристаллов. Благодаря возможности уменьшить роль конвекции в космосе ожидают, что монокристаллы, выращиваемые на борту КА, будут обладать более однородной структурой. Для оценки влияния конвекционных течений на явление сегрегации на примере монокристаллов германия, легированного примесями, на станции «Скайлэб» был поставлен такой эксперимент. Установленные в ампулах кристаллы размещались в электронагревательной печи, где они сначала частично расплавлялись, а затем в условиях почти постоянного перепада температур остывали и закристаллизовывались. В качестве легирующих примесей в разных ампулах использовались галлий, сурьма и бор. Сравнение с контрольными образцами, полученными тем же способом на Земле, показало, что сегрегация примесей в кристаллах германия, доставленных из космоса, оказалась в несколько раз меньше

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Необходимость внедрения гибких систем автоматизированного проектирования очевидна, поскольку проектирование микросхем сложный и длительный процесс. В настоящее время используется сквозное моделирование микросхем, которое включает в себя расчет и анализ характеристик и параметров на следующих уровнях: -технологическом; -физико-топологическом; -электрическом; -функционально-логическом. В ходе данной работы нам необходимо осуществить сквозное проектирование схемы ТТЛ-инвертора на трех первых уровнях. Расчеты предусматривается произвести с использование программы расчета параметров модели биполярного транзистора Bip ra и программы схемотехнического моделирования PSpice.1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 1.1 Распределение примесей в базе Распределение примесей в базе описывается кривой Гаусса и определяется формулой: , (1) где: S- поверхностная концентрация акцепторов; D- коэффициент диффузии примеси; - время диффузии; - глубина залегания коллекторного p- перехода. Поверхностная концентрация определяется по формуле: Тогда имеем следующее выражение для распределения примеси в базе: , (3) Результаты расчета распределения примеси в базе приведены в таблице 1, а сама кривая представлена на рисунке 1. 1.2 Расчет режимов базовой диффузии К основным параметрам диффузионного процесса относят время диффузии и температуру диффузии.

 Материаловедение. Шпаргалка

Возможно использование магнитного анализа и для решения некоторых более сложных задач физического металловедения. Метод внутреннего трения основан на изучении необратимых потерь энергии механических колебаний внутри твердого тела. Используя этот метод, можно рассчитать коэффициенты диффузии с высокой точностью, в том числе и при низких температурах, где никакой другой метод неприменим; определять изменение концентрации твердых растворов; распределение примесей; получить информацию о фазовых и полиморфных превращениях и изменениях дислокационной структуры. Магнитотвердые стали и сплавы применяют для изготовления постоянных магнитов. Для постоянных магнитов применяют высокоуглеродистые стали с 1P% С, легированные хромом (3P%) ЕХ3, а также одновременно хромом и кобальтом, ЕХ5К5, ЕХ9К15М2. Легирующие элементы повышают коэрцитивную и магнитную энергию. В промышленности широкое применение получили сплавы типа алнико. Сплавы тверды, хрупки и не поддаются деформации, поэтому магниты из них изготовляют литьем, затем проводят шлифование

скачать реферат Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Применяя дополнительную селективную обработку резистивного слоя лучом лазера, можно корректировать сопротивление резистора за счет изменения профиля распределе­ния примесей в данной части слоя. Достоинствами резисторов, изготовленных нанесением на по­верхность кристалла ИМС металлических или поликристалличес­ких кремниевых пленок, являются независимость их сопротивления от величины напряжения, поданного на резистор, а также меньшие паразитные емкости и ТКС по сравнению с диффузионными или имплантированными резисторами. Металлические и поликремние­вые резисторы также поддаются корректировке путем пропускания через них электрического тока (плотность тока в импульсе не ме­нее 106 А/см2) или обработки лучом лазера. Изменение сопротив­ления при этом происходит вследствие изменений кристаллической: структуры пленок (размеров зерен, перераспределения примесей и т. п.). Коэффициент паразитной емкости резисторов Таблица 2.2 Тип резисторов Коэффициент КR (пФ/(кОм-мкм2)) при удельном сопротивлении эпитаксиального коллекторного слоя р р=1 Ом-см р=6 Ом-см р=10 Ом-см Базовый слой Сжатые резисторы на основе: базового слоя коллекторного слоя 1 10-32,7 10-5 8 10-5 5 10—41,6 10-3 4 10-5 4,5 10-41,1 10-5 2,8 10-5 Расчет диффузионных и имплантированных резисторов заклю­чается в определении их геометрических размеров с учетом профи­ля распределения примесей в полупроводниковых слоях.

скачать реферат Полупроводниковые пластины. Методы их получения

В этом случае концентрация введенной примеси оказывается рав ной концентрации исходной примеси исх в полупроводнике. Раз меры диффузионной области в плане определяются размерами окна в слое диэлектрика, так как скорость диффузии примеси в SiO2 и Si3 4 на несколько порядков ниже, чем в полупроводнике. Различные способы диффузионного легирования различаются фазовым состоянием легирующей примеси (газообразное, жидкое, твердое), подводом примеси к подложке и конструкцией установок. В большинстве случаев диффузию проводят в окислительной атмосфере. Температура диффузионного легирования кремния 1050- 1200°С. Диффузия в полупроводник в большинстве случаев происходит за счет перемещения диффундирующих частиц, по вакантным узлам кристаллической решетки. Кроме этого, возможны прямой обмен атомов местами в узлах кристаллической решетки и перемещение атомов по междоузлиям. В качестве легирующих примесей выбирают элементы, имеющие достаточно высокую скорость диффузии и хорошую растворимость в полупроводнике при температуре диффузии.

скачать реферат Технология получения монокристаллического Si

При этом помимо кристаллизационной очистки кремния от нелетучих примесей (преимущественно акцепторов) происходит существенная очистка его от летучих доноров за счет испарения их из расплавленной зоны. Так, после 15 проходов расплавленной зоны со скоростью 3 мм/мин, получают монокристаллы кремния р- типа электропроводности с остаточной концентрацией примеси менее 1013 см-3 и удельным сопротивлением (по бору) более 104 Ом см. Производство монокристаллов кремния Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского (до 80—90 % потребляемого электронной промышленностью) и в меньшей степени методом бестигельной зонной плавки. Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела. Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость - твердое тело. Скорость роста V определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями переноса на границе раздела.

скачать реферат Печатные платы

В соответствии с применяемыми исходными продуктами называют и методы: хлоридный и силановый. Хлоридный метод основан на использовании химического взаимодействия паров тетрахлорида кремния с чистым водородом. В результате реакции на подложке осаждается чистый кремний, а пары HCl уносятся потоком водорода. Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокристалличен и имеет ту же структуру и ориентацию, что и подложка. Если к парам тетрахлорида кремния добавить пары галоидных соединений бора (BBr3) или фосфора (PCl3), то эпитаксиальный слой будет иметь уже не собственную, а примесную проводимость, поскольку в ходе химической реакции в кремний будут внедряться акцепторные атомы бора или донорные атомы фосфора. 5.2 Диффузионное легирование Внедрение примесей в исходную пластину (в эпитаксиальный слой) путем диффузии при высокой температуре является одним из основных способов создания диодных и транзисторных структур в интегральной технологии. Диффузия может быть локальной и общей. В первом случае она осуществляется на определенных участках пластины через специальные маски (рис 12 а, б), во втором – по всей поверхности (рис 10 в).

Картридж лазерный "ProMEGA Print Cartridge 725", черный.
Картридж для лазерного принтера Canon LBP6000 отличный способ сэкономить на печати в вашем офисе, без видимых потерь в качестве. Ресурс:
384 руб
Раздел: Картриджи для лазерных принтеров
Карандаши цветные "Jumbo", трехгранные, 20 цветов + точилка.
Мягкие, но при этом очень прочные карандаши, легко затачиваются и не крошатся. Насыщенные штрихи на бумаге. Не токсичны! В комплекте: 20
514 руб
Раздел: 13-24 цвета
Полка для ванной "Aquala".
Позвольте себе провести уютный вечер в ванне. Только вы, пена, бокал вина, книга и полная релаксация. На полке достаточно места для
3590 руб
Раздел: Решетки, сиденья для ванны
скачать реферат Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6

Дальнейшую очистку синтезированного материала осуществляют методом горизонтальной зонной плавки под давлением паров кадмия. В настоящее время отсутствуют данные о зависимости коэффициентов распределения примесей от отклонений состава расплава от стехиометрии, т. е. oт величины давления паров кадмия над расплавом. По-видимому, целесообразно проводить процесс при давлении паров кадмия, близком к равновесному (0,9 ат). Для получения легированных кристаллов к исходной смеси компонентов добавляются навески легирующих примесей: I , Ga, P, As. Однако, как отмечалось в гл. IV, введение примеси сопровождается возникновением противоположного заряженного дефекта, и концентрация носителей должна зависеть от отклонений от стехиометрии. Слитки, выращиваемые из расплава, обычно состоят из отдельных крупных монокристаллических блоков. Свойства полученных кристаллов проявляют вполне удовлетворительную зависимость от условий очистки исходных компонентов и значения давления паров кадмия, установленного в камере кристаллизации. Из сказанного следует, что известные значения структурно- чувствительных свойств соответствуют образцам с самой различной степенью компенсации.

скачать реферат Механизмы имплантации в металлы и сплавы ионов азота с энергией 1-10 кэВ

Ионы газа вытягиваются и ускоряются под действием приложенного между экстрактором 7 и анодом 6 высокого напряжения (10 – 50 кВ). Ионный поток 10 фокусируется, проходя через фокусирующий электрод 8, и попадает на поверхность образца 9. При прохождении через отверстие в экстракторе ионы обладают энергией, достаточной для внедрения в поверхностные слои образца. 2.2 Механизмы взаимодействия имплантируемых ионов с мишенью Из литературных источников , известно, что механические свойства обрабатываемой поверхности после имплантации ионов зависят, прежде всего, от концентрации внедренных ионов и образующихся в процессе имплантации радиационных дефектов. Для расчета пробегов и концентраций ионов при имплантации применяется теория Линхардта-Шарфа-Шиотта (ЛШШ), изложенная в работах . Существенное влияние на распределение примеси по глубине поверхностного слоя изделия оказывает радиационно-стимулированная диффузия. На диффузионные процессы существенное влияние оказывает температура нагрева поверхностного слоя образца. Однако в случае ионов газов с энергией в диапазоне 1 – 10 кэВ ( Дж) нагрев будет незначительным для расчета окончательного распределения примеси можно пренебречь изменением температуры в зоне воздействия, а значит и её влиянием на диффузионные процессы.

скачать реферат Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава

Методами химико- спектрального и активационного анализов, методом радиоактивных индикаторов (для циркония и гафния) показано, что в начальной части формируется концентрационный профиль со снижением концентрации, затем переходная область, за которой следует область нарастания концентрации вплоть до выпадения второй фазы. Распределение примесей-геттеров, а также уровень их концентрации в твердой фазе свидетельствует о том, что их взаимодействие с кислородом происходит в расплаве с последующим распределением атомов металла, связанного и не связанного с кислородом, с различными коэффициентами сегрегации. Более высокая концентрация примеси в начале слитка по сравнению со средней его частью противоречит диаграммам состояния кремний-титан (цирконий, гафний), имеющим эвтектический переход, соответственно которому элементы IV группы должны иметь коэффициент распределения меньше единицы. Отсутствие зависимости характера распределения от условий -перемешивания расплава подтверждает данные о взаимодействии примесей с кислородом. Следствием такого взаимодействия является различное поведение растворенного металла при кристаллизации кремния.

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Требуемый диаметр устанавливается оператором, который наблюдает за процессом через окно в корпусе установки. Точность управления диаметром слитка обычно невысока, поэтому дается допуск на 3.5 мм в большую сторону. 6. Выращивание цилиндрической части ведется в автоматическом режиме со скоростью 1,5.3 мм/мин. Поскольку уровень расплава в тигле при этом непрерывно понижается, меняются тепловые условия в зоне роста. Этот принципиальный недостаток трудно устраним в методе Чохральского, и обеспечение требуемой однородности — по длине слитка — проблема, во многом определяющая технико-экономические показатели. Для этого используются все возможные аппаратурные средства: регулирование температуры, скорости вытягивания, подъем и опускание нагревателя и тигля. 7. Оттяжка на конус и отрыв кристалла от остатков расплава завершают процесс выращивания. Ограничения метода Чохральского состоят в следующем. Растворение в кремнии материала кварцевого тигля происходит с заметной скоростью. Вследствие непрямого и непостоянного по длине слитка фронта кристаллизации и изменения гидродинамических условий наблюдается сложная неоднородность в распределении примеси и удельного сопротивления по площади кристалла. 3. Неравномерное распределение дефектов, а также примесей по длине слитка.

скачать реферат Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

Этот метод позволяет также соразмерять возможности численного моделирования по точности с точностью исходных данных. В условиях резкого увеличения размерности задач, характерного для этапа создания СБИС и УБИС, главной тенденцией развития методов моделирования стало совмстное пpименения моделей различных иерархических уровней. Идея многоуровневого моделирования структур элементов БИС подразумевает комплексное использование при проектировании различных моделей одного и того же объекта -полупроводникового прибора транзисторного типа. На этапе технологического молелирования применяют модели, имитирующие процессы ионного легирования диффузии, эпитаксиального (гомо, гетеpо, молекуляpного) наращивания и оксидиpования. Именно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупроводниковых структурах, глубины и конфигурации р- -переходов. Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных конфигураций (топологии). Такими моделями являются модели литогpафии, исключающие нанесение и тpавление пленок. Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического оборудования (время обработки, температура, наружнос давление, доза и энергия ионной бомбардировки и т. п. ) Общее назначение моделей технологических пpоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигуpации и pазмеpах областей, распределении примесей в полупроводниковой структуре.

Калькулятор научный Casio "FX991ES PLUS", 417 математических действий.
Калькулятор Casio FX991ES PLUS обладает 403 встроенными функциями. Натурализованный ввод данных (как в учебнике математики) помогает
1391 руб
Раздел: Калькуляторы
Цифровой педиатрический термометр Chicco в футляре.
Цветной, практичный и компактный. Можно измерить температуру под мышкой, орально и ректально. Основные характеристики: — практичный футляр
439 руб
Раздел: Прочие
Ящик для игрушек "Hippo", цвет лайм прозрачный, артикул 2216/016.
Ящик представляет собой высокий, достаточно удобный пластиковый контейнер. Является удачным решением проблемы уборки игрушек. Ну а чтобы
431 руб
Раздел: Корзины, контейнеры для игрушек
скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжительности диффузии). Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию.

скачать реферат Сверхбольшие интегральные схемы

Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке - типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать - канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Рассмотрим основные технологические этапы производства -МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами. Принципиальная схема вентиля (инвертора) приведена на рисунке. Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения (нормально закрытых) и одного транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально открытый). Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор третьего транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора. Нормально открытый транзистор служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение (логический нуль) только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т.е. на их затворы подан высокий потенциал - логическая единица. Подложка. В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016см-3.

скачать реферат Физические основы электроники

Соответственно область (p) называется базовой (или базой). Правая область служит для переход 1 -р называют эмиттерным, а 2-p коллекторным. Средняя снижения сопротивления коллектора. Контакты с областями БТ обозначены на рисунках 3.1 и 3.2 буквами: Э - эмиттер; Б - база; К- коллектор. Основные свойства БТ определяются процессами в базовой области, которая обеспечивает взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов. Поэтому ширина базовой области должна быть малой (обычно меньше 1 мкм). Если распределение примеси в базе от эмиттера к коллектору однородное (равномерное), то в ней отсутствует электрическое поле и носители совершают в базе только диффузионное движение. В случае неравномерного распределения примеси (неоднородная база) в базе существует “внутреннее” электрическое поле, вызывающее появление дрейфового движения носителей: результирующее движение определяется как диффузией, так и дрейфом. БТ с однородной базой называют бездрейфовыми, а с неоднородной базой - дрейфовыми. Биполярный транзистор, являющийся трехполюсным прибором, можно использовать в трех схемах включения: с общей базой (ОБ) (рисунок 3.3,а), общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 3.3,б), и общим коллектором (ОК) (рисунок 3.3,в). Стрелки на условных изображениях БТ указывают (как и на рисунке 3.1) направление прямого тока эмиттерного перехода.

скачать реферат Расчет параметров ступенчатого p-n перехода

В резких p- -переходах изменение концентрации примесных атомов от d до a происходит на расстоянии, меньшем ширины обеднённого слоя . Резкость границы играет существенную роль, т.к. в плавном p- -переходе трудно получить те вентильные свойства, которые необходимы для работы диодов и транзисторов . На рис. 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резком изменении типа проводимости. При плавном изменении типа проводимости (рис. 1.1.а) градиент концентрации2 результирующей примеси мал, соответственно малы и диффузионные токи3 электронов и дырок. Эти токи компенсируются дрейфовыми токами4, которые вызваны электрическим полем связанным с нарушением условия электрической нейтральности: a = p d,(1.1.1) где и p – концентрация электронов и дырок в полупроводнике: a, d – концентрация ионов акцепторной и донорной примесей. Рисунок 1.1 Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости: (а) плавное изменение типа проводимости; (б) резкое изменение типа проводимости.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.