телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВидео, аудио и программное обеспечение -5% Игры. Игрушки -5% Красота и здоровье -5%

все разделыраздел:Промышленность и Производство

Получение пленок из газовой фазы

найти похожие
найти еще

Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
87 руб
Раздел: Небесные фонарики
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Коврик для запекания, силиконовый "Пекарь".
Коврик "Пекарь", сделанный из силикона, поможет Вам готовить вкусную и красивую выпечку. Благодаря материалу коврика, выпечка не
212 руб
Раздел: Коврики силиконовые для выпечки

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Энциклопедический словарь

ХИМИЧЕСКОЕ ОРУЖИЕ боевые отравляющие вещества и средства их применения (ракеты, снаряды, мины, авиационные бомбы и др.). Химическое оружие относится к оружию массового поражения. Применение химического оружия запрещено Женевским протоколом 1925, который ратифицировали (или присоединились к нему) св. 100 государств. Однако его разработка, производство и накопление в империалистических странах продолжаются. ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, монокристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (напр., в планарной технологии), нитевидных монокристаллов ("усов"), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др. ХИМИЧЕСКОЕ РАВНОВЕСИЕ состояние реагирующей системы, при котором в ней протекают только обратимые реакции. Параметры состояния системы при химическом равновесии не зависят от времени; состав такой системы называют равновесным

скачать реферат Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

В течении периода насыщения индия мышьяком подложка находится вне реактора. Продолжительность насыщения определяется количеством индия, его температурой и скоростью поступления пара мышьяка к поверхности индия. При использовании не полностью насыщенного источника индия состав газовой фазы в зоне осаждения непостоянен. При выращивании арсенида индия -типа в системе I -AsCl3-H2 в газовый поток вводится смесь H2S H2 . Концентрацией H2S определяется уровень легирования. Для получения пленок р-типа используется элементарный цинк и кадмий, вводимые в виде легирующей добавки из испарителя с отдельной зоной нагрева. Система I -HCl-AsH3-H2. Принципиальными технологическими преимуществами гидридов являются следующие: . летучие ковалентные гидриды можно получать из всех наиболее важных в полупроводниковой технике элементов; . свойства гидридов позволяют успешно применять очистку, основанную на трех фазовых переходах (жидкость- пар, твердое- пар, твердое- жидкость), а также эффективные методы газовой очистки (сорбции, ионного обмена); . содержание основного элемента в гидриде выше, чем в любом другом соединении; . гидриды имеют малую реакционную способность по отношению к конструкционным материалам.

Набор для творчества "Чемодан чудес. Большой набор фокусника".
В этом чемоданчике находится целое волшебное представление. В нем - 4 книги с подробными инструкциями по проведению фокусов и все
1795 руб
Раздел: Фокусы
Держатель для пропуска "DELUXE PRO".
Элегантный держатель для горизонтального вертикального пропуска из прозрачного акрила с рулеткой (вытягивается на 80 см). Оригинальный
516 руб
Раздел: Бейджи, держатели, этикетки
Гирлянда электрическая "Портьера", 200LED (цветное свечение), 8 режимов.
Электрическая гирлянда-портьера поможет создать в помещении волшебную праздничную обстановку. Гирлянда эффектнее всего будет смотреться на
753 руб
Раздел: Светодиодные гирлянды
 Обзоры ножей ведущих производителей

Заметно окисляется на воздухе выше 730830P`C. При высоких температурах взаимодействует с углеродом, образуя твердые растворы-карбонитриды титана. Основные методы получения нитрида титана азотирование Ti около 1200P`C (так производят наиболее чистый продукт); восстановление оксидов Ti углеродом или другими восстановителями в присут. N2 ок. 2000P`C (так получают наиболее дешевый нитрид титана, который, однако, содержит примеси внедрения-углерод, кислород). Нитрид титана получают также химическим осаждением из газовой фазы при восстановлении TiCl4 водородом в присут. N2; разложением металлоорганических соединений, содержащих титан и азот. Используют нитрид титана в виде изделий из компактного материала (получают методами порошковой металлургии) и покрытий. Нитрид титана огнеупорный материал для изготовления тиглей и лодочек для испарения расплавленных металлов, защитных чехлов термопар, сопел для распыления металлов, компонент твердых сплавов; его применяют для нанесения коррозионно и износостойких покрытий на жаропрочные металлы и сплавы, для легирования сталей и жаропрочных сплавов

скачать реферат Электронные и микроэлектронные приборы

Большое достоинство данного метода состоит также в том, что при наличии на пластине ступенек, молекулы химически активных газов обтекают эти неровности и пленка повторяет форму пластины. Метод химического осаждения из газовой фазы при низком давлении широко применяется преимущественно для получения пленок поликристаллического кремния и нитридов кремния. При попытках использования этого метода для формирования других пленок возникает ряд проблем. Так, в случае формирования защитных пленок фосфорсиликатного стекла (применяющихся для защиты поверхности ИС) приходится считаться с зависимостью диаметра пластин от диаметра камеры, в которой производится обработка. Предпринимались попытки оптимизации этой зависимости с целью достижения наилучшей равномерности толщины пленок, но пока не удалось получить удовлетворительных результатов для практических применений. Например, для получения пленок, содержащих фосфор и мышьяк, в камеру наряду с моносиланом необходимо вводить в малых количествах такие газы, как фосфин и арсин, что приводит к существенному снижению скорости формирования пленок и ухудшению равномерности пленки по толщине.

 Большая Советская Энциклопедия (КУ)

Расположен на левом берегу р. Сейм (бассейн р. Днепр), в 6 км от ж.-д. станции Лукашевка (на линии Курск — Льгов), в 56 км к юго-западу от Курска. Образован в 1971 в связи со строительством Курской атомной электростанции. Посёлок назван в честь И. В. Курчатова. Курчатовий Курчато'вий (лат. Kurchatovium), Ku, искусственно полученный радиоактивный химический элемент IV группы периодической системы Менделеева, атомный номер 104. Известны только радиоактивные изотопы: 260Ku и 259Ku (периоды полураспада 0,1 и 4,5 сек), впервые (1964 и 1966) обнаруженные в Дубне (СССР) по спонтанному делению ядер, и 261Ku и 257Ku (T1/2 4,5 и 65 сек), впервые (1969) зарегистрированные в Беркли (США) по альфа-излучению. К. синтезирован за счёт реакции слияния ядер при бомбардировке изотопа 94242Pu ускоренными ионами 1022Ne на циклотроне в Объединённом институте ядерных исследований в Дубне. Название элемента 104 предложено академиком Г. Н. Флёровым в честь И. В. Курчатова.   К. является первым «трансактиноидным» элементом. Электронная конфигурация атомов Ku в газовой фазе 5f146d27s2 аналогична конфигурации первого «транслантаноидного» элемента гафния (Hf) 4f145d26s2

скачать реферат Технологические основы электроники

Гетероэпитаксиальные слои, полученные в таких структурах, имеют небольшую толщину (~1 мкм), что обусловлено относительным несовершенством кристаллической структуры, выращиваемой на сапфире: с увеличением толщины пленки плотность дислокации увеличивается. МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения.

скачать реферат Особенности получения новых материалов с применением нанотехнологий

Электродуговое испарение весьма производительно, но сопровождается образованием металлической капельной фазы, освобождение от которой требует специальных конструктивных мер. Этого недостатка лишен магнетронный вариант ионно-плазменного осаждения, в котором мишень (катод) распыляется за счет бомбардировки ионами плазмы газового разряда низкого давления, которая формируется между катодом и анодом. Поперечное постоянное магнитное поле локализует плазму у распыляемой поверхности мишени и повышает эффективность распыления. Таблица 2 Основные методы получения наноструктурвых пленок на основе тугоплавких соединений Метод Вариант метода Соединение Физические методы Термическое испарение Активированное реактивное испарение Нитриды и карбиды Электронно-лучевой нагрев Бориды и карбиды Лазерная обработка Нитриды и карбиды Ионное осаждение Ионно-дуговое распыление Нитриды и карбиды Магнетронное распыление Нитриды, карбиды, бориды Ионно-лучевая обработка; имплантация Нитриды и бориды Химические методы Осаждение из газовой фазы Плазмосопровождаемые и плазмоактивируемые СDV-процессы Нитриды, карбиды, бориды Электронный циклотронный резонанс То же Термическое разложение Газообразные и конденсированные прекурсоры Нитриды и бориды На Рисунок 9 показана схема магнетронного распыления с мишенью прямоугольной формы, на поверхности которой в районе выхода и входа магнитных силовых линий возникает «дорожка распыления».

скачать реферат Фуллерены

Активно исследуется также возможность получения сверхтвердых полимеризованных давлением фуллеритовых фаз. Фуллерены как прекурсоры для роста алмазных пленок и карбида кремния. Пленки широкозонных полупроводников, таких как алмаз и карбид кремния, перспективны для использования в высокотемпературной, высокоскоростной электронике и оптоэлектронике, включающей ультрафиолетовый диапазон. Стоимость таких приборов зависит от развития химических методов осаждения (CVD) широкозонных пленок и совместимости этих методов со стандартной кремниевой технологией. Основная проблема в выращивании алмазных пленок — это направить реакцию предпочтительно по пути образования фазы sp^3, а не sp^2. Представляется эффективным использование фуллеренов в двух направлениях: повышение скорости формирования алмазных центров зародышеобразования на подложке и использование в качестве подходящих «строительных блоков» для выращивания алмазов в газовой фазе. Показано, что в микроволновом разряде происходит фрагментация С60 на С2, которые являются подходящим материалам для роста алмазных кристаллов. «MER Corpora io » получила алмазные пленки высокого качества со скоростью роста 0.6 мкм/ч, используя фуллерены как прекурсоры роста и зародышеобразования.

скачать реферат Культивирование вирусов

Большой интерес представляют работы, посвященные получению взвешенных культур клеток в синтетической среде, не содержащей сыворотки крови. Предпринимаются попытки увеличить вязкость питательной среды за счет безбелковых ингредиентов. С этой целью используется метил-целлюлоза и гиалуроновая кислота. Метилцеллюлоза в концентрации 0,1-0,2% обладает максимальным защитным действием на взвешенные в среде клетки. Протективное действие метилцеллюлозы заключается в том, что молекулы образуют защитный слой вокруг клетки, предотвращающий повреждение клеток при перемешивании среды. Весьма важным показателем состояния суспензионной культуры является парциальное давление кислорода в жидкой фазе. Концентрация кислорода в газовой фазе зависит от плотности клеточной популяции и нередко бывает ниже атмосферной. Недостаток кислорода ведет к появлению грануляции цитоплазмы, клетки теряют правильную округлую форму. При небольшом избытке кислорода клетки имеют хорошо очерченную, правильную, округлую форму, и становятся очень крупными при повреждающем действии избытка кислорода.

Набор "Анна & Эльза" - героини мультфильма "Холодное Сердце".
Мини-куклы Анна и Эльза в наборе Princess Sisters Celebration предстают в очень красивых праздничных платьях. Наряды куколок сделаны из
450 руб
Раздел: Эльза ("Холодное сердце")
Детская каталка "Вихрь", фиолетовая.
Маленькие гонщики в возрасте от 1 до 3 лет будут в восторге от маневренной машинки "Вихрь". Легкая и невероятно простая в
743 руб
Раздел: Каталки
Карандаши цветные, шестигранные, 24 цвета.
Карандаши цветные для художественных работ и детского творчества. Современный дизайн. Графитовый стержень имеет высокую степень прочности,
311 руб
Раздел: 13-24 цвета
скачать реферат Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения

Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу (SiCl3), последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных элементах, где основную стоимость составляет именно используемый кремний и применение кремния восстановленного из газовой фазы приведет к такой цене, что преимущество солнечной (альтернативной) энергетики перед традиционными источниками энергии, будет можно сказать с обратным знаком. В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более дешевых технологий получения солнечного кремния. Технология предусматривает карботермическое восстановление из чистых природных кварцитов, имеющихся в Прибайкалье, и последующую его очистку путем отмывания в различных кислотах и перекристаллизацию при различных технологических параметрах. Возникает необходимость исследования дефектности структур, а также одержания в нем примесей и связи этих параметров с характеристиками технологических процессов.

скачать реферат Влияние физических и химических факторов на основность алкиламинов

В работе приведены корреляционные соотношения между РА и IР и, в частности, для карбонильных соединений (РА = -0,690 IР 15,03) и для спиртов и эфиров (РА = - 0,397 IР 12,29). Подводя итог рассмотрению экспериментальных исследований процесса переноса протона в газовой фазе, отметим, что найденные в этих работах критерии полезны и пригодны для количественного сравнения основности в данных условиях . Более того, из сопоставления экспериментальных данных, полученных для одних и тех же соединений в газовой фазе и в растворе, могут быть выполнены количественные оценки энергии сольватации про тонированных оснований. В основу таких расчетов положен термодинамический цикл Борна . Однако довольно часто при изучении протонирования органических оснований возникает необходимость установить центр присоединения протона. В тех случаях, когда органическая молекула обладает несколькими вероятными центрами основности, не всегда можно предугадать, куда именно присоединится протон. При этом весьма желательно иметь наглядное представление об изменении электронной структуры и конфигурации молекулы в результате протонирования.

скачать реферат Получение фенолов

Министерство образования РФ Новомосковский институт РХТУ им. Д. И. Менделева Кафедра ХТОВ УДК 66.094.37 Реферат на тему: «Получение фенолов»Студент: Полуньков П. В. Группа: О-00-1 Преподаватель: Маклаков С. А. Новомосковск – 2001 АННАТАЦИЯ30 страниц, 2 таблицы, 3 библ. назв, - приложений. ФЕНОЛ, КРЕЗОЛ, СМОЛА, НЕФТЬ, ОКИСЛЕНИЕ, ОКИСЛИТЕЛЬНОЕ ДЕКАРБОКСИЛИРОВАНИЕ, ЩЕЛОЧНОЕ ПЛАВЛЕНИЕ, СУЛЬФОКИСЛОТА, БЕНЗОЛ, ГИДРОКСИЛИРОВАНИЕМ, БЕНЗОЙНОЯ КИСЛОТА, ХЛОРБЕНЗОЛ В реферате представлены способы получения фенолов. СОДЕРЖАНИЕВВЕДЕНИЕ 4 1. ПОЛУЧЕНИЕ ФЕНОЛА ИЗ ПРИРОДНОГО СЫРЬЯ 5 1.1. Выделение фенолов из фракций смол коксования и полукоксования твердых топлив 5 1.2. Получение фенолов из отходов переработки нефти 10 2. ПРОИЗВОДСТВО СИНТЕТИЧЕСКИХ ФЕНОЛОВ 13 2.1. Важнейшие способы синтеза фенолов 13 2.2 Получение фенолов щелочным плавлением сульфокислот 17 2.2.1. Щелочное плавление сульфокислот 18 2.3. Получение фенолов окислительным декарбоксилированием арилкарбоновых кислот 23 2.3.1. Представление о механизме окислительного декарбоксилирования арилкарбоновых кислот 23 2.4. Получение фенола окислением бензойной кислоты в газовой фазе. 27 2.5. Получение фенола прямым каталитическим гидроксилированием бензола. 28 ЛИТЕРАТУРА 30 ВВЕДЕНИЕ Наибольшие количества фенола используются для получения фенолформальдегидных смол, которые применяются в производстве фенопластов.

скачать реферат Технологические основы электроники

Начальные стадии процесса получения изопланарной структуры следующие (рис. 3). На поверхность пластины, содержащей эпитаксиальные - и -слои, осаждают (из газовой фазы) слой нитрида кремния Si3 4. Методом фотолитографии в этом слое образуют защитную маску с окнами по контуру коллекторных областей. В процессе окисления нитридная маска сохраняется. Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют. Далее проводят диффузию для формирования базы и эмиттера, формируют контактные окна и межсоединения. 4. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры Полная изоляция МДП-транзисторов обеспечивается при формировании их в виде островков на монокристаллической изолирующей пластине. В качестве изолирующей пластины обычно используют синтетический сапфир, имеющий достаточно хорошее кристаллографическое сопряжение с кремнием. Поэтому эти структуры получили название структур «кремний на сапфире» или сокращенно КНС. Эпитаксиально выращенный на сапфире кремний имеет высокую плотность структурных нарушений (дислокации), что заметно снижает подвижность носителей заряда.

скачать реферат Сероводород

Например, один объем спирта поглощает при обычной температуре 7 объемов сероводорода. Растворимость его в расплавленной сере резко возрастает выше 130 °С и достигает максимума около 350 °С. По-видимому, это связано с образованием полисульфидов. В водном растворе сероводород легко окисляется иодом до свободной серы:I2 Н2S = 2 НI S.Напротив, в газовой фазе сера окисляет иодистый водород до свободного иода:S 2 НI = Н2S I2 6 кДж.Ниже -50 °С может существовать молекулярное соединение состава Н2S·I2. Сероводородная кислота характеризуется константами диссоциации К1 = () / = 1·10-14, т. е. она несколько слабее угольной. Децинормальный раствор Н2S имеет рН = 4,1.Получение. С водородом сера в обычных условиях не соединяется. Лишь при нагревании протекает обратимая реакция: Н2 S = Н2S 21 кДж равновесие которой около 350 °С смещено вправо, а при повышении температуры смещается влево. Практически сероводород получают обычно действием разбавленных кислот на сульфид железа: FeS 2 HСl = FeCl2 Н2S Удобный способ получения Н2S состоит в нагревании выше 170 °С сплава порошкообразной серы с парафином и измельченным асбестом (приблизительно 3 : 5 : 2 по массе).

Папка-сумка "Фиксики", с ручками, 35x4x26 см.
Папка-сумка с ручками. Материал: текстиль. Размер: 35x4x26 см.
339 руб
Раздел: Папки-портфели, папки с наполнением
Игольчатый конструктор "Bloko". 50 деталей в тубе.
Европейский производитель конструкторов Bloko представляет инновационную разработку для обучения детей конструированию с раннего возраста.
840 руб
Раздел: Прочие
Лапшерезка РК-4000 "Забава".
Ширина нарезки лапши 2 мм, 6 мм. Ширина раскатки листа теста 140 мм. Регулятор толщины раскатки теста 9 позиций от 0,5 до 3 мм. Лапшерезка
1070 руб
Раздел: Измельчители, приспособления для резки
скачать реферат Доклад по волоконной оптике

Важнейшая проблема оптической связи — создание оптических волокон (ОВ) с малыми потерями. В качестве исходного материала для изготовления ОВ используется кварцевое стекло , которое является хорошей средой для распространения световой энергии. Однако, как правило, стекло содержит большое количество посторонних примесей, таких как металлы (железо, кобальт, никель, медь) и гидроксильные группы (ОН). Эти примеси приводят к существенному увеличению потерь за счет поглощения и рассеяния света. Для получения ОВ с малыми потерями и затуханием необходимо избавиться от примесей, чтобы было химически чистое стекло. В настоящее время наиболее распространен метод создания ОВ с малыми потерями путем химического осаждения из газовой фазы. Получение ОВ путем химического осаждения из газовой фазы выполняется в два этапа: изготовляется двухслойная кварцевая заготовка и из нее вытягивается волокно. Заготовка изготавливается следующим образом (рис. 3). Рис. 3. Изготовление заготовки методом химического осаждения из газовой фазы: 1—опорная трубка (оболочка ); 2—осажденные продукты (сердцевина ); 3—нагревательная спираль; 4 — газообразный поток кварца Во внутрь полой кварцевой трубки с показателем преломления длиной 0,5.2 м и диаметром 16.18 мм подается струя хлорированного кварца и кислорода .

скачать реферат Печатные платы

Базовая p -диффузия проводится без SiO2-маски, что исключает фотолитографию и упрощает технологический процесс. В КИД-технологии число фотолитографий уменьшается по сравнению с предыдущим процессом. Область коллектора сильно легирована, поэтому нет необходимости для повышения быстродействия ИМС проводить дополнительную диффузию золота или другой понижающей время жизни неосновных носителей тока примеси. Однако в эпитаксиальной базе дрейф носителей от эмиттера к коллектору уменьшен, что понижает быстродействие ИМС. Кроме этого тонкий эпитаксиальный слой ограничивает пробивное напряжение коллектор-база из-за распространения объемного заряда в базовую область. 6.3 Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией Диэлектрическая изоляция обеспечивает лучшие параметры ИМС. а) Изоляция пленкой диэлектрика с использованием поликристаллического кремния реализуется в эпик-процессе. Исходной заготовкой является однослойная -структура (рис 18). После локального травления на глубину около 15 мкм и удаления SiO2-маски термически выращивают или осаждают из паро-газовой фазы пленку диоксида кремния толщиной 1 ( 2 мкм.

скачать реферат Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC

Структура и морфология слоев ?-SiC, осажденных из газовой фазы При температурах выше 1400° С и низких скоростях осаждения осадки ?- SiC, как правило, эпитаксиальные; ниже 1400° С в осадках встречаются беспорядочно ориентированные частицы ?-SiC. Эти результаты получаются при использовании как CH3SiCl3, так и смесей SiH4 C3H8. Однако эпитаксиальные осадки, получаемые в различных условиях, сильно различаются по совершенству. На гранях (111) («кремниевых») получены гладкие эпитаксиальные осадки толщиной больше 30 мкм. Характерной особенностью морфологии эпитаксиальных осадков на этих гранях является наличие низких треугольных ступенчатых образований. Главными несовершенствами являются шестиконечные звездообразные холмики; они образуются только на гранях (111) («углеродных»). Эти холмики, по-видимому, обусловлены двойникованием. В случае пленок, осажденных на гранях (111), как правило, при низких температурах получается неровная или матовая поверхность, на которой холмики настолько многочисленны и малы, что не поддаются разрешению в оптическом микроскопе; с увеличением температуры осаждения индивидуальные холмики, образующие матовую поверхность, увеличиваются в размере, а число их уменьшается.

скачать реферат Элементы электроники на углеродных нанотрубках

В результате, на площадях в несколько мм2, перпендикулярно подложке, формировались ориентированные многослойные НТ. Аналогичный метод-использование в качестве подложки анодированного алюминия. Поры анодированного алюминия заполнялняются кобальтом. Подложка помещается в проточную смесь ацетилена и азота при температуре 8000С. Получаемые ориентированные НТ имеют средний диаметр 50.0±0.7 нм с расстоянием между трубками 104.2±2.3 нм. Средняя плотность была определена на уровне 1.1х1010 НТ/см2. ПЭМ нанотрубок выявила хорошо графитизированную структуру с расстоянием между графеновыми слоями 0.34 нм. Сообщается, что, изменяя параметры и время обработки алюминиевой подложки можно менять как диаметр НТ, так и расстояние между ними. Метод, протекающий при более низких температурах (ниже 6660С) также описан в статьях. Низкие температуры в процессе синтеза позволяют использовать в качестве подложки стекло с нанесенной пленкой никеля. Никелевая пленка служила катализатором для роста НТ методом осаждения из газовой фазы в активированной плазме с горячей нитью. В качестве источника углерода использовался ацетилен.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.