телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАСувениры -30% Всё для дома -30% Товары для животных -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

найти похожие
найти еще

Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Включение резистора в цепь базы необходимо ввиду большой погрешности параметров, в частности, сопротивления базы при изготовлении интегральной структуры транзистора, что является неприемлемым, так как не обеспечивает требуемой стабильности и воспроизводимости параметров схемы.2) Конденсатор – применяется для увеличения быстродействия каскада. Это достигается благодаря свойству конденсатора проводить сигналы высших гармоник. При подаче на вход схемы уровня логической единицы в момент перехода из ноля в единицу входной сигнал содержит много гармоник высших порядков, которые безпрепятственно проходят через конденсатор, открывая транзистор. При установлении на входе стабильного напряжения гармоники высших порядков пропадают и транзистор стабильно работает в режиме насыщения.Ввиду наличия в схеме транзисторов, резисторов и конденсаторов, данный тип логики получил название резисторно-емкостной транзисторной логики (РЕТЛ).Ввиду того, что все четыре каскада рассматриваемой схемы являются абсолютно идентичными, работа остальных каскадов не рассматривается.2. Определение электрических параметров элементов схемы.Значения токов и напряжений на элементах схемы определяется с помощью программы Elec ro ics Workbe ch (версия 5.12, разработчик – I erac ive Image ech ologies L D).Для последующего расчета топологических параметров разрабатываемой интегральной схемы необходимо определить следующие параметры:максимальный ток через резисторы IR. Данный параметр необходим для расчета мощности, выделяющейся на резисторах, необходимой для последующих расчетов;для транзисторов – максимальный ток на коллекторном переходе, максимальный ток эмиттера,максимальное напряжение на переходе коллектор-база UКБ.Электрические параметры конденсаторов, необходимые для расчета их топологических параметров, приведены в задании к данной работе и не подлежат определению.Значения параметров, указанных выше, приведены в табл. 2.1.Табл. 2.1. Электрические параметры элементов интегральной схемы.ПараметрIR1-4, мАIR5, мАUКБ, ВIЭ, мАЗначение0,264,941,54,5Примечание. Данные значения токов и напряжений были измеряны при подаче на логические входы схемы минимально допустимого напряжения логической единицы (1,9 В), и/или максимально допустимого напряжения логического нуля (0,7 В).3. Технологические этапы изготовления ИМС.При производстве различных ИМС в текущий момент используется планарная технология, обеспечивающая воспроизводимые параметры интегральных элементов и групповые методы их производства Локальные технологические обработки участков монокристалла кремния обеспечиваются благодаря применению свободных и контактных масок. В планарной технологии многократно повторяются однотипные операции для создания различных по структуре ИМС. Основными технологическими операциями при изготовлении ИМС являются: подготовка полупроводниковой подложки; окисление; фотолитография; диффузия; эпитаксия; ионное легирование, металлизацияЭлементы биполярных интегральных структур создаются в едином технологическом цикле на общей полупроводниковой подложке. Каждый элемент схемы формируется в отдельной изолированной области, а соединения между элементами выполняются путем металлизации на поверхности пассивированной схемы.

В нашем случае ? = 1200 см2/(В с).2. Определяют характеристическую длину распределения акцепторов Lа и доноров Lд:( 4.1)где хjк – глубина коллекторного перехода. В нашем случае La = 0,374 мкм; Lд = 0,0748 мкм.3. Для расчета ширины ОПЗ (области пространственного заряда) на коллекторном и эмиттерном переходах предварительно вычисляют контактную разность потенциалов на коллекторном переходе:( 4.2 )где ?т – тепловой потенциал, равный 0,0258 В при Т=300 К.; i – концентрация собственных носителей заряда в кремнии ( i ? 1010 см-3). В нашем случае ?к = 0,6771 В.Контактная разность потенциалов на эмиттерном переходе ?э рассчитывается аналогично ?к. В нашем случае ?э = 0,1809 В.4. Рассчитывают ширину ОПЗ, распространяющуюся в сторону базы (?хкб) и в сторону коллектора (?хкк) при максимальном смещении коллекторного перехода Uкб :( 4.3 )( 4.4 )где , ?0, ?н – соответственно диэлектрическая постоянная и относительная диэлектрическая проницаемость полупроводниковой подложки.В нашем случае ?хкб = 0,387 мкм, ?хкк = 0,6656 мкм.5. Выбираем ширину технологической базы равной 1 мкм.6. Определяем концентрацию акцепторов на эмиттерном переходе: a(xjэ) = дкexp(Wб0/La)( 4.5 )В нашем случае a(xjэ) = 1,338 1017 см-3.7. В результате высокой степени легирования эмиттера область объемного заряда на эмиттерном переходе в основном будет сосредоточена в базе. Приближенно можно считать, что ?хэб ? ?хэ, где( 4.6 )В нашем случае ?хэ = 0,08858 мкм.8. Расчитываем ширину активной базы:Wба = Wб0 - ?хэ - ?хкб( 4.7 )В нашем случае Wба = 0,4944 мкм.Дальнейший расчет транзистора включает вычисление площади эмиттерного перехода,9. Расчет минимальной площади эмиттерного перехода осуществляется на основе критической плотности тока через эмиттерный переход.( 4.8 )где =co s для Si (107 cм/с)В нашем случае jкр = 2811 А/см2. ( 4.9 ) В нашем случае Sе = 160,1 мкм2.10. Определим емкость коллекторного перехода на основе граничной частоты транзистора.Из заданной частоты f , найдем емкость коллекторного перехода Ск ( 4.10 ) В нашем случае Ск = 0,5 пФ11. Найдем площадь коллекторного перехода как сумму площадей его донной и боковой частей. Причем донная часть площади составляет приблизительно 80% от общей его площади.Рассчитаем площадь донной части коллекторного перехода: ( 4.11 ) где Vk=VkpВ нашем случае Sб дон = 2734 мкм2.Исходя из полученного значения площади найдем площадь боковой частиколлекторного перехода: ( 4.12 ) в нашем случае Sб.бок = 719 мкм25. Последовательность расчета параметров интегральных резисторов.Параметры, которые определяют сопротивление интегрального резистора, можно разделить на две группы:1) параметры полупроводникового слоя:толщина W;характер распределения примеси по глубине (x);зависимость подвижности носителей заряда от концентрации ?( );2)топологические параметры :длина резистора l;ширина резистора b.Первая группа параметров оптимизируется для получения наилучших результатов интегральных транзисторов. Именно для этого расчет транзисторов производится в первую очередь. Таким образом, задача расчета резистора сводится к выбору полупроводникового слоя, в котором будет создаваться резистор, и формы контактов и вычисления длины и ширины.Воспроизводимость номинальных значений сопротивления обычно равна 15-20% и зависит от ширины резистора.

Таким образом, в локальных участках кремния происходит диффузия легирующей примеси и создаются области полупроводника с определенным типом проводимости.После первой фотолитографии проводится локальная диффузия донорной примеси с малым коэффициентом диффузии (Аs, Sb) и формируется скрытый высоколегированный слой глубиной около 2 мкм.Примесь с малым коэффициентом диффузии необходимо использовать, чтобы свести к минимуму изменение границ скрытого слоя при последующих высокотемпературных технологических операциях. После этого с поверхности полностью удаляется слой окисла и пластина очищается. На очищенной поверхности кремния выращивается эпитаксиальный слой -типа толщиной 10-15 мкм с удельным сопротивлением 0,1 - 10 Ом см.5 - снятие окисла и подготовка поверхности перед процессом эпитакси-ального наращивания;6 - формирование эпитаксиальной структуры;Эпитаксия представляет собой процесс роста монокристалла на ориентирующей подложке. Эпитаксиальный слой продолжает кристаллическую решетку подложки. Толщина его может быть от монослоя до нескольких десятков микрон. Эпитаксиальный слой кремния можно вырастить на самом кремнии. Этот процесс называется авто - или гомоэпитаксией. В отличие от авто-эпитаксии процесс выращивания монокристаллических слоев на подложках, отличающихся по химическому составу, называется гетероэпитаксией.Эпитаксиальный процесс позволяет получать слои полупроводника однородные по концентрации примесей и с различным типом проводимости (как электронным, так и дырочным). Концентрация примесей в слое может быть выше и ниже, чем в подложке, что обеспечивает возможность получения высокоомных слоев на низкоомной подложке.В производстве эпитаксиальные слои получают за счет реакции на поверхности подложки паров кремниевых соединений с использованием реакции восстановления SiCl4, SiВг4.В реакционной камере на поверхности подложки в температурном диапазоне 1150 - 1270 °С протекает реакцияSiCl4 2Н2 Si 4 HС1,(3.1)в результате которой чистый кремний в виде твердого осадка достраивает решетку подложки, а летучее соединение удаляется из камеры.Процесс эпитаксиального наращивания проводится в специальных установках, рабочим объемом в которых является кварцевая труба, а в качестве газа-носителя используются водород и азот. Водород перед поступлением в рабочий объем многократно очищается от кислорода, паров воды и других примесей. При установившейся рабочей температуре в поток газа носителя добавляется хлористый водород и производится предварительное травление подложки. После этого вводятся в поток газа SiCl4 и соответствующие легирующие примеси.7 - окисление поверхности эпитаксиального слоя для создания защитной маски при разделительной диффузии;8 - фотолитография для вскрытия окон под разделительную диффузию;9 - проведение разделительной диффузии и создание изолированных карманов;Разделительная диффузия проводится в две стадии: первая (загонка) -при температуре 1100-1150 °С, вторая (разгонка) - при температуре 1200-1250 °С. В качестве диффузанта используется бор. Разделительная диффузия осуществляется на всю глубину эпитаксиального слоя; при этом в подложке кремния формируются отдельные области полупроводника разделенные р- переходами.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Применяется в маломощных устройствах автоматики, бытовых электроприборах, в стоматологии, кино-, фото и радиоаппаратуре и др. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (интегральная электроника) - область электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в нач. 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС - кремниевых - эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2). МИКРОЭЛЕМЕНТЫ - в биологии - химические элементы (Al, Fe, Cu, Mn, Zn, Mo, Co, I и др.), содержащиеся в организмах в низких концентрациях (обычно тысячные доли процента и ниже) и необходимые для их нормальной жизнедеятельности

скачать реферат Тонкопленочные элементы интегральных схем

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Для современного этапа развития интегральной электроники характерны тенденции дальнейшего повышения рабочих частот и уменьшения времени переключения, увеличения надежности, снижения затрат на материалы и процесс изготовления ИС. Снижение стоимости ИС требует разработки качественно новых принципов их изготовления с использованием процессов, в основе которых лежат близкие по характеру физико-химические явления, что, с одной стороны, является предпосылкой для последующей интеграции однородных технологических операций производственного цикла и, с другой стороны, открывает принципиальные возможности управления всеми операциями от ЭВМ. Необходимость качественных изменений в технологии и технического перевооружения отрасли диктуется также переходом к следующему этапу развития микроэлектроники — функциональной электронике, в основе которой лежат оптические, магнитные, поверхностные и плазменные явления, фазовые переходы, электронно-фононные взаимодействия, эффекты накопления и переноса заряда и др. Критерием «прогрессивности» технологического процесса наряду с улучшением параметров и характеристик самого изделия является высокая экономическая эффективность, определяемая рядом частных, взаимосвязанных критериев, обеспечивающих возможность построения комплектов полностью автоматизированного высокопроизводительного оборудования с длительным сроком эксплуатации.

Точилка Berlingo механическая "Яблоко".
Оригинальная механическая точилка в форме яблока. С одним отверстием для заточки карандашей. Лезвие из высококачественной стали. Механизм
352 руб
Раздел: Точилки
Гидромассажная ванночка для ног (арт. ATH-6411 blue).
Характеристики: - Расслабляющий и оздоровительный массаж. - Мощный компрессор для водно-пузырькового массажа. - 3 сменные насадки. -
1368 руб
Раздел: Прочее
Корзина для белья "Виолетта" (30 литров).
Корзина для белья решит проблему хранения большого количества грязного белья. Благодаря своей прямоугольной форме она может быть легко
396 руб
Раздел: Корзины для белья
 "Круг моих научных интересов" как практика реальной рефлексии

Впоследствии эти критерии легли в основу чисто технических разработок в области твердотельной электро-ники (Пиганов М.И. Исследование и разработка технологии получения прецизионных RC – элементов микросхем с повышенными удельными характеристиками . –Дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук. –М.: МАИ. –1981). Но эти работы уже выходили за пределы круга моих научных интересов. IV. Метод КРЭП, химическая связь, оптические исследования свойств неорганических материалов, физико-химические элементы надежности систем функциональной электроники Полученные для нитридов переходных металлов, полу-прово-дников, некоторых окислов карты распределения электронных полос (КРЭП) позволяли расчитать донорно-акцепторные свойства катионов-анионов, энергию Ферми, положение и локализацию электронных состояний в полосе квазиатома, проиллюстрировать виды гибридизации электронных состояний, сравнить полученные результаты переходов между полосами с расчетами по более сложным и строгим моделям, например, ОПВ, ППВ и т.п. Альтернативным методом расчета через эффективные квантовые числа, включающие в качестве таковых и значение эффективного заряда на атоме, мной с Р.Н. Самойловой (Ж. оптики и спек-троскопии.-1970.-т. 34.-в. I. –с.124-127) был разработан метод расчета энергии оптических переходов для материалов как в аморфном, так и кристаллическом состоянии

скачать реферат Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Задание на курсовое проектированиеТема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя Срок представления проекта к защите – Исходные данные для проектирования Схема электрическая принципиальная, таблица электрических параметров элементов усилителяСодержание пояснительной записки курсового проекта: Выбор физической структуры полупроводниковой ИМС на БП-транзисторах Расчёт геометрических размеров элементов ИМС Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя Перечень графического материала: Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя Руководитель проекта Задание принял к исполнению РефератПояснительная записка содержит 30 страниц, 3 рисунка, 4 использованных источников, 1 приложение. Перчень ключевых слов: принципиальная схема, широкополосный усилитель, расчет геометрических размеров, эскиз топологии. Объект разработки: топология ИМС широкополосного усилителя. Цель работы: расчет геометрических размеров элементов схемы усилителя, конструирование эскиза топологии. Методы разработки: конструирование эскиза топологии с помощью пакета программ Au oCAD.

 Война на море (Актуальные проблемы развития военно-морской науки)

Военная практика значительно обогнала военную теорию, застывшую на уровне войн прошлого поколения, о чем свидетельствует принятая в 1999 году военная доктрина России. В результате экономических достижений в ряде стран уже идет очередная военно-технологическая революция, позволяющая формировать новую материально-техническую базу ведения войны в XXI веке, основу которой составляют высокие наукоемкие технологии и информационные системы. При этом важнейшую роль играют микроэлектроника, опто-электроника, сенсорная техника, а также новые технологии производства и применения высококачественных материалов. Создаются не имеющие аналогов виды оружия, способные не только заменить старые, но и полностью изменить характер вооруженной борьбы и войны в целом. Передовые технологии позволяют создать новые возможности для эффективного ведения вооруженной борьбы. В войнах в зоне Персидского залива и в Югославии впервые изменился характер войны в целом, что и свидетельствует о произошедшей настоящей революции в военном деле. Высокоточные ракетные удары авиации и кораблей флота США по различным береговым объектам в ходе военных конфликтов в Ираке, Югославии, Афганистане, Ливии продемонстрировали возможности высокоточного оружия; дали мощный толчок его развитию, что ведет к существенным изменениям форм и способов вооруженной борьбы и к появлению войны нового поколения

скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Перечислите основные проблемы, возникающие при повышении степени интеграции ИМС. 1. Перечислите основные виды универсальных БИС. 1. Дайте определение понятия "микропроцессор", поясните, из каких основных узлов он состоит. 1. Поясните назначение БИС цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей. 1. Дайте определение понятию "функциональная микроэлектроника". 1. Какие физические явления используются в функциональной микроэлектронике? 1. Перечислите типы оптоэлектронных ИМС, поясните устройство и принцип действия. 1. Дайте определение понятию "акустоэлектроника"; поясните, какие приборы реализуются средствами акустоэлектроники. 1. Что такое "хемотроника", каковы основные направления ее развития? 1. Что такое "биоэлектроника", каковы перспективы ее развития?Контрольное задание Общие указания по выполнению контрольных заданий 1. Перед выполнением контрольной работы необходимо проработать соответствующий теоретический материал и ознакомиться с методическими указаниями к соответствующей контрольной работы. 2. В случае затруднения, возникшего при решении задач, студент может обратиться на кафедру за устной или письменной консультацией. 3. Письменные ответы на контрольные вопросы должны быть четкими и ясными, по возможности краткими. 4. Контрольные работы должны быть аккуратно оформлены: пронумерованы страницы, указаны номера рисунков и таблиц, оставлены поля, для заметок преподавателя.

скачать реферат Машинная память

Для преобразования световых сигналов в электрические используют фотодиоды, фоторезисторы, фототранзисторы и другие приборы. Их можно использовать и для изготовления интегральных матриц, которые могут иметь координатную организацию, позволяющую выбирать любой, но только один, фотоприемник в определенный момент времени, могут быть организованы построчно (по словам), в несколько регистров или с самосканированием. Матрицы фотоприемника кроме светочувствительных элементов содержат коммутирующие элементы, а в некоторых случаях и элементы памяти. Простейшая ячейка содержит фотодиод и последовательно включенную емкость. Запоминание информации в матрице фотодиодов реализуется в виде накопления зарядов на емкостях фотодиодов. ПАМЯТЬ НА УСТРОЙСТВАХ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Функциональная электроника - новое направление в микроэлектронике Современная электроника твердого тела в значительной степени является интегральной электроникой; в основе ее лежит принцип элементной (технологической) интеграции—изготовление на одном кристалле большого количества электронных приборов, соединенных между собой в электрическую схему.

скачать реферат Десятично-двоичный сумматор

Введение. В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Цифровые методы и цифровые устройства, реализованные на интегральных микросхемах разной степени интеграции, в том числе на микропроцессорных средствах, имеют широкие перспективы использования в цифровых системах передачи и распределения информации, в телевизионной, радиовещательной и другой аппаратуре связи. Современный этап развития научно – технического процесса характеризуется широкими применением электроники и микроэлектроники во всех сферах жизнедеятельности человека. Важную при этом сыграло появление и быстрое совершенствование ИМС – основной элементной базы современной электроники. С внедрением ИМС значительно снизилась себестоимость радиоэлектронных приборов, они стали более доступными и более компактными и расширилось внедрение радиоэлектроники в развитие науки и техники. В отличии от цифровых устройств некоторые импульсные устройства, например формирователи и генераторы импульсов различной формы производить серийно в виде интегральных схем (ИС) экономически невыгодно.

скачать реферат Микропроцессорное устройство управления электронными весами

Федеральное Агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра промышленной электроники (ПрЭ) МИКРОПРОЦЕССОРНОЕ УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМИ ВЕСАМИ Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине «Микропроцессорные устройства и системы» ЗФ КП. ХХХХХХ.008 ПЗ Студент группы Руководитель проекта профессор кафедры ПрЭ А.В.Шарапов 2008 Федеральное Агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра промышленной электроники (ПрЭ) ЗАДАНИЕ на курсовое проектирование по дисциплине «Микропроцессорные устройства и системы» студенту группа факультет ЗФ Тема проекта: Микропроцессорное устройство управления электронными весами Исходные данные к проекту: Фиксируются вес и стоимость расфасованной порции продукта Содержание пояснительной записки (перечень подлежащих разработке вопросов): выбор микроконтроллера, обоснование функциональной схемы, разработка полной принципиальной схемы устройства с перечнем элементов и листинга управляющей программы Перечень графического материала (с точным указанием обязательных чертежей и схем): схема электрическая принципиальная – 1 лист Дата выдачи задания: Руководитель профессор кафедры ПрЭ А.В.Шарапов Задание принял к исполнению СОДЕРЖАНИЕ 1 Введение 2 Конкретизация технического задания 3 Разработка функциональной схемы 4 Разработка схемы алгоритма прикладной программы .5 5 Разработка принципиальной схемы 6 Разработка управляющей программы 7 Заключение Список использованных источников Приложение А.

Головоломка Кубик Рубика "3х3".
Головоломка Кубик Рубика "3х3" - это: - Улучшенный механизм на базе шара, кубик крутится плавнее, мягче и при этом точнее.
1048 руб
Раздел: Головоломки
Развивающая игра "Магнитные истории. В гостях у сказки".
Четыре сказки, четыре смены декораций, четыре комплекта сказочных героев! Настоящий игровой сборник "Русские народные сказки"
453 руб
Раздел: Магнитный театр
Пазл "Лесные животные".
Пазлы Ларсен - это прежде всего обучающие пазлы. На красочной картинке пазла изображены животные на лесной полянке. Собирая пазл, малыш
548 руб
Раздел: Пазлы (5-53 элементов)
скачать реферат Принципы построения и действия ПЗС

В некоторый момент времени на выходной затвор подают импульс положительной полярности, разрешающий вывод зарядового пакета. Если в последнем элементе Ф3 к этому моменту времени был накоплен зарядовый пакет, то он переместиться в потенциальную яму, расположенную под выходным затвором ( рис.8,б) , а затем в более глубокую потенциальную яму области - типа и, наконец, в выходную цепь - резистор, присоединенный к - области. К выходному выводу подключают чувствительный усилитель на МДП - транзисторах, которые создаются на этой же подложке. В ряде случаев необходимо осуществлять неразрушение считывание зарядового пакета. Для этого в качестве датчика поверхностного потенциала и связанной с ним величины зарядового пакета используют МПД - транзистор. ЛИТЕРАТУРА Рычина Т.А. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы., Мн: Радио, 2005г. Ефимов А.В, Микроэлектроника, Мн: ВШ, 2004г. Свитенко В.И. Электрорадиоэлементы, Мн: Радио, 2006г.

скачать реферат Резисторы

Расшифровка рисунка приведена в таблице 1. Рис. 2 Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах. Таблица 1 Конструктивно-технологические данные и ограничения. Минимально допустимые размеры Мкм Ширина линии скрайбирования слоя 60 Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации или до края диффузионной области 50 - 100 Ширина проводника d 3 при длине выбирают технологию производства ИМС, параметры материала подложки и эпитаксиального слоя, приближенно оценивают основные размеры конструкции транзисторов в плане и в сечении, проводят расчет электрических параметров транзисторов и, если они существенно отличаются от заданных, путем ступенчатого изменения конструктивных размеров и последующих расчетов подбирают геометрию всех областей транзисторной структуры, не выходя за рамки технологических ограничений. За­тем осуществляют экспериментальную проверку проведенной работы: разрабатывают комплект фотошаблонов, выпускают опытные партии транзисторных структур и измеряют их характеристики.

скачать реферат Расчет топологии толстопленочной микросхемы

Пасты для создания проводящих слоев вжигают при 750-800 градусах Цельсия, пасты диэллектрика конденсаторов и изоляционный слой - при 700-750 градусах Цельсия, верхние обкладки конденсаторов - при 700-720 градусах Цельсия, диэллектрик защитного слоя - при 620-650 градусах Цельсия. Для исключенияпоявления сквозных пор в диэллектрике конденсаторов его наносят в два слоя, причем каждый слой сушат и вжигают отдельно. Топологические расчеты При разработке топологии учитывают особенности толстопленочной технологии, конструктивные и технологические ограничения. В толстопленочной технологии пленочные элементы могут располагаться на обеих сторонах платы.Соединения между элементами, расположенными на разных сторонах платы, осуществляется через отверстия или через внешние контактные площадки. Суммарная площадь элементов в одном уровне не должна превышать 70% площади рабочей стороны платы. Навесные компоненты платы нельзя устанавливать на стороне платы, заливаемой компаундом. Пленочные конденсаторы такдже не следует располагать на стороне платы, заливаемой компаундом. Если пленочные конденсаторы соединены между собой, то они могут иметь общую нижнюю или верхнюю обкладку.

скачать реферат Усилитель промежуточной частоты

Разработка топологии Резисторы. В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы. Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резистора, выбирают подходящий материал. При этом руководствуются следующими соображениями: необходимо, чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь, а развиваемая в нем температура не должна нарушать стабильность параметров, ускорять процессы старения, выводить величину сопротивления за рамки допуска. По возможности стараются применить более толстые пленки, т.к. у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления. Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС-3710, у которого имеются следующие характеристики: диапазон сопротивлений 10 20000 Ом, Удельное сопротивление 100 2000 Ом/(, Удельная мощность 20 мВт/мм2, ТКС M(( = 3.5 10- 4, ((( = 1.5 10-4, коэффициент старения MКСТ = 2 10-6 ч-1, (КСТ = 0.1 10- 6. Так же имеются конструкционные и технологические ограничения: минимальная длинна резистора l0 = 0.1 мм, минимальная ширина резистора b0 = 0.05 мм, минимальная длинна контактного перехода lк = 0.1 мм, минимальное расстояние между краями перекрывающих друг друга пленочных элементов h = 0.05 мм. Для дальнейшего расчета резисторов необходимо знать их рассеиваемую мощность.

скачать реферат Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники

Ну а сейчас, ученые занимаются изучением оксидных плёнок и их возможным применением в микроэлектронике и электронике в целом. Основной проблемой полупроводников является их нагревание во время работы. Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования, связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано соображение, что предотвращение процесса структурных превращений, приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент термического расширения.

Шкатулка для ювелирных украшений "Чайная роза" 17,5x17,5x9,5 см.
Шкатулка настольная. Размеры: 17,5x17,5x9,5 см. Материал: картон.
777 руб
Раздел: Шкатулки для украшений
Таблетки для мытья посуды в посудомоечной машине "Все в одной таблетке", без фосфатов, 30 таблеток.
Таблетки Frau Schmidt Все в 1 являются универсальным решением для Вашей посудомоечной машины и позволяют придать посуде бриллиантовый
338 руб
Раздел: Для посудомоечных машин
Муфты-варежки для коляски Bambola (шерстяной мех + плащевка лайт), темно-синие.
Муфты-варежки на ручку коляски представляют собой 2 варежки, которые подходят для всех типов колясок и очень легко одеваются, защищая Ваши
530 руб
Раздел: Муфты на ручку
скачать реферат Создание гостиничного комплекса

Юридические аспекты организации и функционирования возведенного объекта определяются действующим законодательством Российской Федерации. 2 Структура управления Цель данного раздела – разработка системы управления компанией, направленной на максимально эффективное достижение поставленных задач. Сформулируем требования к системе управления: . адекватность назначения и функций управляющих структур целям и стратегии фирмы; . восприимчивость к изменениям внешних условий и способность к быстрой трансформации управляющих структур для решения возникающих проблем; . способность к переработке и точному распространению интенсивных потоков информации; . жесткий контроль над исполнением управленческих решений и организации системы отслеживания результатов данных решений; . соблюдение принципа делегирования полномочий, при которой каждый сотрудник в своей четко определенной сфере компетенции имеет право принимать самостоятельные решения и нести за них полную ответственность; . соответствие квалификации руководителей и сотрудников кругу их функциональных обязанностей; . разработка и реализация на постоянной основе программы обучения и повышения квалификации работников с целями и задачами фирмы. На рисунке 5.1 приведена предварительная схема построения организационной структуры, основанная на реализации необходимых функций.

скачать реферат Об исключительном праве на использование изобретения, полезной модели, промышленного образца

Топологии ИМС защищаются на основе их регистрации в Российском агентстве по правовой охране программ ЭВМ, баз данных и топологий ИМС. Основным требованием, предъявляемым к охраняемой топологии, является ее оригинальность. Оригинальной признается топология, удовлетворяющая двум условиям. Во-первых, она должна представлять собой результат самостоятельной творческой деятельности автора, во - вторых, совокупность входящих в нее элементов и связей между ними не должна быть общеизвестной. Критерием общеизвестности служат знания специалистов-разработчиков и изготовителей ИМС. Причем сами элементы могут быть известны. Установлено также требование к форме воплощения топологии: она должна быть закреплена на материальном носителе. Для регистрации топологии установлен срок - 3 года с момента ее первого использования (или использования ИМС с такой топологией). Заявки, поданные позднее этого срока, к регистрации не принимаются. Исходя из этого, можно говорить об определенном требовании новизны к охраняемым топологиям. В то же время опубликование сведений о топологии в печати и иные формы разглашения сведений о топологии не препятствуют ее защите. Полезная модель (ст. 5 Закона) Охрана полезных моделей не столь распространена в мире, как охрана изобретений.

скачать реферат Топологии интегральных микросхем

Регистрация и уведомление Автор топологии или иной правообладатель может по своему желанию непосредственно или через своего представителя зарегистрировать топологию в Российском агентстве по правовой охране программ для ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем (далее - Агентство) путем подачи заявки на официальную регистрацию топологии ИМС (далее - заявка на регистрацию). Подача заявки на регистрацию может быть осуществлена в срок, не превышающий двух лет с даты первого использования топологии, если оно имело место. Заявка на регистрацию должна относиться к одной топологии и содержать: - заявление на официальную регистрацию топологии ИМС с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства) даты первого использования топологии, если оно имело место; - депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат; - документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основания для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также для уменьшения его размера.

скачать реферат Интеллектуальная собственность

Конвенция об учреждении Всемирной организации интеллектуальной собственности (ВОИС), принятая в Стокгольме 14 июля 1967 г., и членом которой является Россия как правопреемница СССР, предусматривается, что объектами права интеллектуальной собственности являются: 1 литературные, художественные произведения и научные труды; 2 исполнительская деятельность артистов, фонограммы и радиопередачи; 3 изобретения во всех областях человеческой деятельности; 4 научные открытия; 5 промышленные образцы; 6 товарные знаки, знаки обслуживания, коммерческие наименования и обозначения; 7 пресечение недобросовестной конкуренции. К объектам интеллектуальной собственности относят также программы для ЭВМ и базы данных, а также топологии ИМС. Парижская конвенция, членом которой также является Россия правопреемница СССР, предусматривает, что объектом охраны промышленной собственности являются: изобретения; полезные модели; промышленные образцы; товарные знаки; знаки обслуживания; фирменные наименования; указания на источник; наименования места нахождения: пресечение недобросовестной конкуренции.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.