телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАВидео -5% Все для ремонта, строительства. Инструменты -5% Музыка -5%

все разделыраздел:Промышленность и Производство

Распределение примесей при диффузии и неограниченного и ограниченного источников

найти похожие
найти еще

Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
19 руб
Раздел: Совки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
42 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Космическая технология и производство

Отсюда следует, что в условиях, приближающихся к невесомости (g 0), Ra 0, и, следовательно, ролью конвекции, ведущей к эффективному перемешиванию среды, можно пренебречь. Этот вывод имеет двоякое значение. Во-первых, уменьшается вклад конвекции в процессы теплообмена, и передача тепла осуществляется более медленным процессом теплопроводности. Во-вторых, исключение конвекционных токов в среде приводит к тому, что основную роль в массообмене будут играть не макроскопические перемещения вещества, а процессы диффузии. А это, в свою очередь, открывает возможность получения веществ, распределение примесей в которых будет значительно более однородным, чем на Земле. Кроме свободной конвекции, существует целый ряд Других конвекционных эффектов, одна часть которых зависит от массовых сил, а другая нет. Известна также вынужденная конвекция, которая происходит под действием какого-либо внешнего фактора (например, мешалки, насоса и т.Pп.). В космических условиях этот вид конвекции используют, чтобы обеспечить нужную скорость отвода тепла от работающих агрегатов

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Открытые участки окисла травят в специальных буферных травителях (например, 10 мл НF и 100 мл H4F в воде). На участки окисла, покрытые фоторезистом, травитель не действует. После травления фоторезист растворяют органическим растворителем и горячей серной кислотой. Поверхность пластины тщательно промывают. На поверхности кремния остается слой SiO2, соответствующий рисунку схемы4 - диффузия для создания скрытого -слоя.Локальная диффузия является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых ИМС.Диффузия в полупроводниковых кристаллах представляет собой направленное перемещение примесных атомов в сторону убывания их концентрации. В качестве легирующих примесей в кремнии используются в основном бор и фосфор, причем бор создает примеси акцепторного типа, а фосфор донорного. Для бора и фосфора энергия активации соответственно равна 3,7 и 4,4 эВ. Различают два режима диффузии: диффузия из неограниченного источника и диффузия из ограниченного источника. В производстве ИМС реализуются оба случая диффузии.

Ростомер говорящий "Ферма".
Новинка от Азбукварика – говорящий плакат-ростомер! Повесьте его на стену на нужной высоте – узнайте, как растёт ваш малыш. Кнопки на
528 руб
Раздел: Ростомеры
Набор кружек "Мама Папа Я".
Набор кружек, изображающий небольшую семью - Маму Кружку, Папу Кружку и их крошечную детку, выглядит особенно трогательно, когда кружки
535 руб
Раздел: Кружки
Бумага для офисной техники "Navigator Universal", А4, 80 г/м2, 169% CIE, 500 листов.
Высококачественная бумага премиум-класса. Гарантия от замятий в принтере 99,99%. Чем меньше замятий, тем ниже стоимость печатной страницы.
355 руб
Раздел: Формата А4 и меньше
 Материаловедение. Шпаргалка

Возможно использование магнитного анализа и для решения некоторых более сложных задач физического металловедения. Метод внутреннего трения основан на изучении необратимых потерь энергии механических колебаний внутри твердого тела. Используя этот метод, можно рассчитать коэффициенты диффузии с высокой точностью, в том числе и при низких температурах, где никакой другой метод неприменим; определять изменение концентрации твердых растворов; распределение примесей; получить информацию о фазовых и полиморфных превращениях и изменениях дислокационной структуры. Магнитотвердые стали и сплавы применяют для изготовления постоянных магнитов. Для постоянных магнитов применяют высокоуглеродистые стали с 1P% С, легированные хромом (3P%) ЕХ3, а также одновременно хромом и кобальтом, ЕХ5К5, ЕХ9К15М2. Легирующие элементы повышают коэрцитивную и магнитную энергию. В промышленности широкое применение получили сплавы типа алнико. Сплавы тверды, хрупки и не поддаются деформации, поэтому магниты из них изготовляют литьем, затем проводят шлифование

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Эта величина определяется по формуле (21) где J(0, ) - поток диффузанта в объем через плоскость x=0 (23) Следует обратить внимание на возрастающее со временем значение накопленной в диффузионном слое примеси при диффузии с данными граничными условиями. Рассмотренная модель диффузионного процесса с постоянным источником описывает процесс диффузионного легирования полупроводникового материала из газовой или паровой фазы. Этот процесс используется при создании сильно легированных диффузионных слоев (например, эмиттерных) с поверхностными концентрациями o близкими к значениям предельной твердой растворимости примеси в данном полупроводниковом материале. Твердое тело можно считать полубесконечным ( или бесконечным) в том случае, если его размеры в направлении движения диффузанта много больше длины диффузии. 1.3.3 Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей. Диффундирующая примесь поступает в полубесконечное тело из источника, который представляет собой примыкающий к границе тела слой толщиной h, примесь в котором распределена равномерно. Такой источник называют ограниченным.

 Большой психологический словарь

Уподобление внимания ограниченному источнику ресурсов (напр., электросети, к которой подключаются все новые электроприборы) позволяет понять затруднения в решении двойных задач при возрастании ресурсоемкости одной из них, а также объяснить дифференцированное распределение внимания между задачами разной степени трудности. Лежит в основе теории единых ограниченных ресурсов внимания. (М. В. Фаликман) МЕТЕМПСИХОЗ (от греч. metemрsychosis переселение душ)P религиозно-мистическое учение о посмертном переселении душ из одних существ в другие. Учения о М. придерживались, напр., орфики, пифагорейцы, Платон, неоплатоник Плотин, гностики. Идея М. свойственна буддизму и в той или иной степени ряду др. религий. МЕТОД ВЫНУЖДЕННОГО ВЫБОРА (англ. forced-choice technique). 1.PЛюбые методики, в которых обследуемый (испытуемый) подчиняется правилу обязательного выбора одного из заданного множества альтернативных ответов. Такие методики встречаются в различных областях психологии: в психофизике (при измерении чувствительности сенсорной системы), в экспериментах по восприятию, памяти и мышлению, в психодиагностических методах оценки личности и измерениях интеллекта, в социально-психологических опросных методиках). 2.PОдин из методов (forced-choice method), применяемых исследователями, использующими теорию обнаружения сигнала при изучении чувствительности сенсорных систем. Главное отличие М. в. в. от др. методов (метода «да нет» и метода оценки) заключается в том, что каждая проба состоит не из 1, а из 2 или более интервалов наблюдения, лишь в одном из которых подается сигнал

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ на курсовую работу по дисциплине «Физико-химические основы технологии микроэлектроники» Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). материал кремний примеси - Ga,P и Sb исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых) Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин. 2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости. Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии: ?при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин. ?при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин. ?после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин.

скачать реферат Технологические основы электроники

Гетероэпитаксиальные слои, полученные в таких структурах, имеют небольшую толщину (~1 мкм), что обусловлено относительным несовершенством кристаллической структуры, выращиваемой на сапфире: с увеличением толщины пленки плотность дислокации увеличивается. МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения.

скачать реферат Распределение примесей в кремнии

В соответствии с сокращением это распределение называют erf - распределением. В математике часто используют как самостоятельную и другую функцию erfc z = 1- erf z (16) которая называется дополнением функции ошибок до единицы или дополнительной функцией ошибок - error fu c io compleme . Обе функции табулированы. Таким образом, выражение (14) можно записать Величина имеет размерность длины и носит название диффузионной длины или длины диффузии. Физический смысл этого параметра - среднее расстояние, которое преодолели диффундирующие частицы в направлении выравнивания градиента концентрации за время . Рассмотренное решение можно использовать как простейшую модель, представляющую распределение примеси в автоэпитаксиальной структуре. При этом, в качестве независимых источников примеси выступает как подложка, так и эпитаксиальный слой. Процессы диффузии с каждой стороны рассматриваются в этом случае как независящие друг от друга, а реальное распределение примесей на границе раздела будет представлять собой сумму отдельных решений.         1.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело.

скачать реферат Технологические основы электроники

МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения.

Магнитная азбука. Жукова Н.С.
В новом издании знаменитой «Магнитной азбуки» букв стало еще больше. И еще увеличилось количество строк на магнитном мольберте-доске. А
752 руб
Раздел: Буквы на магнитах
Копилка "Собака" (механическая).
Стоит только положить монетку в мисочку – как собачка моментально включается и на глазах удивленной публики начинает поедать Ваше
555 руб
Раздел: Копилки
Этикетка самоклеящаяся "Lomond", А4, белая.
Размер этикетки - 210х297 мм. 1 этикетка на листе формата А4. Плотность - 70 г/м2. Тип этикетки - матовая. Цвет - белый.
351 руб
Раздел: Бейджи, держатели, этикетки
скачать реферат Механизмы имплантации в металлы и сплавы ионов азота с энергией 1-10 кэВ

Ионы газа вытягиваются и ускоряются под действием приложенного между экстрактором 7 и анодом 6 высокого напряжения (10 – 50 кВ). Ионный поток 10 фокусируется, проходя через фокусирующий электрод 8, и попадает на поверхность образца 9. При прохождении через отверстие в экстракторе ионы обладают энергией, достаточной для внедрения в поверхностные слои образца. 2.2 Механизмы взаимодействия имплантируемых ионов с мишенью Из литературных источников , известно, что механические свойства обрабатываемой поверхности после имплантации ионов зависят, прежде всего, от концентрации внедренных ионов и образующихся в процессе имплантации радиационных дефектов. Для расчета пробегов и концентраций ионов при имплантации применяется теория Линхардта-Шарфа-Шиотта (ЛШШ), изложенная в работах . Существенное влияние на распределение примеси по глубине поверхностного слоя изделия оказывает радиационно-стимулированная диффузия. На диффузионные процессы существенное влияние оказывает температура нагрева поверхностного слоя образца. Однако в случае ионов газов с энергией в диапазоне 1 – 10 кэВ ( Дж) нагрев будет незначительным для расчета окончательного распределения примеси можно пренебречь изменением температуры в зоне воздействия, а значит и её влиянием на диффузионные процессы.

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Требуемый диаметр устанавливается оператором, который наблюдает за процессом через окно в корпусе установки. Точность управления диаметром слитка обычно невысока, поэтому дается допуск на 3.5 мм в большую сторону. 6. Выращивание цилиндрической части ведется в автоматическом режиме со скоростью 1,5.3 мм/мин. Поскольку уровень расплава в тигле при этом непрерывно понижается, меняются тепловые условия в зоне роста. Этот принципиальный недостаток трудно устраним в методе Чохральского, и обеспечение требуемой однородности — по длине слитка — проблема, во многом определяющая технико-экономические показатели. Для этого используются все возможные аппаратурные средства: регулирование температуры, скорости вытягивания, подъем и опускание нагревателя и тигля. 7. Оттяжка на конус и отрыв кристалла от остатков расплава завершают процесс выращивания. Ограничения метода Чохральского состоят в следующем. Растворение в кремнии материала кварцевого тигля происходит с заметной скоростью. Вследствие непрямого и непостоянного по длине слитка фронта кристаллизации и изменения гидродинамических условий наблюдается сложная неоднородность в распределении примеси и удельного сопротивления по площади кристалла. 3. Неравномерное распределение дефектов, а также примесей по длине слитка.

скачать реферат Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

Этот метод позволяет также соразмерять возможности численного моделирования по точности с точностью исходных данных. В условиях резкого увеличения размерности задач, характерного для этапа создания СБИС и УБИС, главной тенденцией развития методов моделирования стало совмстное пpименения моделей различных иерархических уровней. Идея многоуровневого моделирования структур элементов БИС подразумевает комплексное использование при проектировании различных моделей одного и того же объекта -полупроводникового прибора транзисторного типа. На этапе технологического молелирования применяют модели, имитирующие процессы ионного легирования диффузии, эпитаксиального (гомо, гетеpо, молекуляpного) наращивания и оксидиpования. Именно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупроводниковых структурах, глубины и конфигурации р- -переходов. Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных конфигураций (топологии). Такими моделями являются модели литогpафии, исключающие нанесение и тpавление пленок. Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического оборудования (время обработки, температура, наружнос давление, доза и энергия ионной бомбардировки и т. п. ) Общее назначение моделей технологических пpоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигуpации и pазмеpах областей, распределении примесей в полупроводниковой структуре.

скачать реферат Физические основы электроники

Соответственно область (p) называется базовой (или базой). Правая область служит для переход 1 -р называют эмиттерным, а 2-p коллекторным. Средняя снижения сопротивления коллектора. Контакты с областями БТ обозначены на рисунках 3.1 и 3.2 буквами: Э - эмиттер; Б - база; К- коллектор. Основные свойства БТ определяются процессами в базовой области, которая обеспечивает взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов. Поэтому ширина базовой области должна быть малой (обычно меньше 1 мкм). Если распределение примеси в базе от эмиттера к коллектору однородное (равномерное), то в ней отсутствует электрическое поле и носители совершают в базе только диффузионное движение. В случае неравномерного распределения примеси (неоднородная база) в базе существует “внутреннее” электрическое поле, вызывающее появление дрейфового движения носителей: результирующее движение определяется как диффузией, так и дрейфом. БТ с однородной базой называют бездрейфовыми, а с неоднородной базой - дрейфовыми. Биполярный транзистор, являющийся трехполюсным прибором, можно использовать в трех схемах включения: с общей базой (ОБ) (рисунок 3.3,а), общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 3.3,б), и общим коллектором (ОК) (рисунок 3.3,в). Стрелки на условных изображениях БТ указывают (как и на рисунке 3.1) направление прямого тока эмиттерного перехода.

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Таблица 1- Исходные данные Вариант Эмиттер База Коллектор Примесь ТДИФ, ХJe, Примесь S, Толщина, b, 0С мкм см -3 мкм см -3 3 мышьяк 1100 0,4 бор 2?10 0,6 1,5?10 16 18 СодержаниеВведение 5 1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 6 1.1 Распределение примесей в базе 6 1.2 Расчет режимов базовой диффузии 6 1.3 Распределение примесей в эмиттере 8 1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии 8 2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора 13 3 Расчет основных параметров инвертора 15 Заключение 18 Список используемой литературы 19 Реферат Целью данной работы является моделирование технологического процесса изготовления биполярной структуры, затем ТТЛ-инвертора на базе этой структуры. В ходе работы необходимо рассчитать основные параметры схемы. Пояснительная записка содержит: -страниц .20; -рисунков .4; -таблиц .3; -приложений .10.Введение Развитие микроэлектроники и создание новых БИС и СБИС требует новых методов автоматизированного проектирования, основой которого является математическое моделирование всех этапов разработки микросхемы.

Настольная игра "Проныры".
Новая игра — уникальная шестиуровневая ходилка. Игроки собирают припасы и перемещаются с поля на поле через специальные потайные лазы.
1192 руб
Раздел: Игры с фигурками
Мебель для кукол "Спальня Конфетти".
Спальня "Конфетти" - это игровой набор, состоящий из пуфика, кровати и трюмо. Мебель собирается по схеме. При сборке не забудьте
547 руб
Раздел: Спальни, кроватки
Дождевик Bambola, ПВХ.
Прозрачный, прочный дождевик для прогулочной коляски, подходит и для колясок с ручкой сзади (крепление задней стороны - на
452 руб
Раздел: Чехлы и дождевики
скачать реферат Основные источники загрязнений в районе г.Нижневартовска

Основные источники загрязнений в районе г.Нижневартовска Белан Б.Д. В исходной информации об источниках выбросов перед началом эксперимента указывалось, что основным загрязнителем в городе выступает автотранспорт. Анализ пространственного распределения примесей по территории подтверждает этот факт лишь частично. Если рассматривать распределение оксида углерода по территории города (рис.1), то видно, что максимальные концентрации наблюдаются в центральной части и уменьшаются к периферии. Так как максимумы содержания СО соответствуют местам пересечения основных транспортных потоков, то можно с большой степенью уверенности считать, что главным источником СО является транспорт. Распределение других газов в воздухе указывает на наличие дополнительных источников. Так, в поле суммарных углеводородов, приведенном на рис.2, можно выделить два возможных источника: зону аэропорта, что вполне понятно, если учитывать интенсивность работы авиаци, и шлейф от месторождения оз.Самотлор. В городе же происходит увеличение концентрации за счет местных выбросов. Рис.2, таким образом, показывает, что влияние месторождений сказывается и в приземном слое воздуха.

скачать реферат Электромагнитное перемешивание в системе висмут–олово при бестигельной зонной плавке с индукционным нагревом

При этом возможно не только ухудшение очистки от примеси, но и загрязнение ею рафинируемого слитка. Величина коэффициента распределения Кэф при этом может возрастать, что отмечалось в работе для рафинируемой системы висмут–олово. Но количественная оценка такого возрастания в этой работе не проводилась. Целью настоящей работы было выяснение количественного вклада электромагнитного перемешивания в реальное значение эффективного коэффициента распределения примеси и его зависимости от основных параметров, включая скорость процесса и глубину диффузии в жидкой зоне. Достижение цели, обозначенной выше, удобно начать с рассмотрения зависимостей эффективного коэффициента распределения Кэф примеси S в системе Bi–S от скорости перемещения фронта кристаллизации R при разных значениях напряженности электрического поля Е, вызывающего ток через расплав и глубины диффузии . du berullium, Gre oble, 1965. Pres. U iv. de Fra ce, Paris, 1966.

скачать реферат Асимптотические методы исследования нестационарных режимов в сетях случайного доступа

В результате замены производится переход от дискретной переменной . В новых обозначениях (3.2) Получим вид решения системы (3.2), которую будем решать в два этапа. 1 этап. Считая и получим - асимптотическая плотность нормированного числа заявок в источнике повторных вызовов. Обозначим (3.5) Заметим, что из системы (3.3) следуют равенства . Осталось найти вид функции . Для этого перейдем ко второму этапу. 2 этап. В системе (3.2) разложим функции по приращению аргумента , получим систему Просуммируем полученные уравнения, поделим на . (3.8) С учетом того, что . (3.9) Таким образом мы получили, что удовлетворяет уравнению Фоккера- Планка с коэффициентом переноса равным , и нулевым коэффициентом диффузии. Из определения для коэффициента переноса можно сделать вывод, что – имеет смысл асимптотического среднего, в ее окрестности достаточно долго флуктуируют значения нормированного процесса .Второе приближение Зная асимптотическое среднее, найдем распределение вероятностей значений отклонения от его среднего. Для этого в исходной системе уравнений (3.1) сделаем замену переменных . В новых обозначениях производная (3.10) Решение системы (3.10) аналогично решению системы (3.2), но проводится в три этапа. 1 этап. В системе дифференциальных уравнений (3.10) положим (3.11) – асимптотическое распределение нормированного числа заявок в источнике повторных вызовов в окрестности асимптотического среднего.

скачать реферат Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения

Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника -типа между двумя слоями полупроводника р-типа рис. 3. Эту тонкую прослойку называют основанием или базой.В кристалле образуются два р- -перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 3. При данном включении левый р— переход является прямым и отделяет базу от области с проводимостью р-типа, называемую эмитером. Если бы не было правого р – -перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напря- жения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого пе- рехода эмиттер — база. Батарея Б2 включена так, что правый р- -переход в схеме (см. рис. 3) является обратным. Он отделяет базу от правой области с проводимостью р-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого p— - перехода, сила тока и цепи коллектора была бы близка к нулю. Так как сопротивление обратного перехода очень велико.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.