телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для детей -5% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -5% Игры. Игрушки -5%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Диффузионные процессы в тонких слоях пленок при изготовление БИС методом толстопленочной технологии

найти похожие
найти еще

Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
204 руб
Раздел: Ванная
Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (РЕ)

Находят применение многогранные неперетачиваемые твердосплавные пластинки с износостойким покрытием — карбидом титана, который наносится тонким слоем (до 5 мкм) методом осаждения из газовой фазы. Всесоюзным научно-исследовательским инструментальным институтом (ВНИИ) разработан ряд конструкций Р. с многогранными режущими вставками и стружколомающими канавками. Широко применяются Р. с механическим закреплением пластин, Р. со вставками из композиционных материалов, поликристаллических алмазов и т. п. См. также Металлорежущий инструмент, Дереворежущий инструмент.   Лит.: Грановский Г. И., Металлорежущий инструмент. Конструкция и эксплуатация, 2 изд., М., 1954; Семенченко И. И., Матюшин В. М., Сахаров Г. Н., Проектирование металлорежущих инструментов, М., 1963; Режущий инструмент. Резцы, М., 1965; Резание конструкционных материалов, режущие инструменты и станки, под ред. В. А. Кривоухова, М., 1967; Аршинов В. А., Алексеев Г. А., Резание металлов и режущий инструмент, 2 изд., М., 1967; Пути совершенствования металлорежущего инструмента. Обзор, М., 1972; Бобров В. Ф., Иерусалимский Д. Е., Резание металлов самовращающимися резцами, М., 1972; Гладилин А. Н., Малевский Н. П., Справочник молодого инструментальщика по режущему инструменту, 3 изд., М., 1973; Резание конструкционных материалов, режущие инструменты и станки, 2 изд., М., 1974.   Д. Л. Юдин

скачать реферат Применение имплантантов с биологически активным пористо-порошковым покрытием

На поверхности такого имплантата формируется тонкий биологически активный слой с определенной пористой структурой, морфологией поверхности, адгезионно-когезионными свойствами. При введении в костную ткань таких имплантатов происходит эффективное прорастание кости в поры покрытия , или , точнее , в процессе заживления происходит интеграция пористого порошкового тонкого слоя ,например ,гидроксиапатитовой керамики или другой композиции на компактной основе с живой тканью .Это обеспечивает прочное и длительное закрепление имплантата и нормальное функционирование его в организме . На титановую основу имплантата с помощью технологии плазменного напыления наносится переходный слой из порошка титана , а затем слой биологически активной керамики .Благодоря распределению керамики по пористой структуре металла достигается прочное сращивание с костной тканью реципиента , а также химикофизеологическая стабильность , что позволяет рассматривать данную систему как идеальную для внутрикостной имплантации . Отметим основные преимущества имплантации над традиционными методами протезирования : - возможность непрепарирования здоровых зубов под опору протезов ; - возможность изготовления несъемных зубных протезов большой протяженности; - отсутствие необходимости в сохранении больных зубов и др.

Тачка "Садовод".
Играя с тачкой «Садовод» ваш малыш сможет почувствовать себя более самостоятельным и взрослым, помогая своим родителям на даче или в
868 руб
Раздел: Садовый инвентарь
Вафельница "Delta. Классика" DL-032, 700 Вт.
Максимальная мощность: 700 Вт. Количество вафель: 1. Форма вафель - круглые. Толщина вафель - тонкие. Диаметр жарочной поверхности: 20,5
1092 руб
Раздел: Вафельницы
Глобус детский зоогеографический, с подсветкой, 210 мм.
Глобус Земли зоогеографический для детей, с подсветкой. Диаметр: 210 мм. Материал: пластик.
821 руб
Раздел: Глобусы
 Целостный инженеринг

Разработка исходного варианта компонента системной философии для построения и реализации процесса системного производства. Б. Выбор одной модели системы или некоторой совокупности моделей систем для описания рабочего варианта компонента системной философии применительно к данному виду системного производства. При осуществлении этих этапов инженеринга используется ключевая процедура «от исходной формулы через нахождение общей модели системы к рабочей формуле»: 1. разработка исходной формулы Принципа или правила метода системной технологии для моделирования производственного процесса, 2. постановка и решение задачи нахождения общей модели системы для данного производственного процесса и, далее, 3. разработка и применение рабочей формулы Принципа или правила метода системной технологии с использованием найденной общей модели для моделирования данного процесса, как процесса системного производства. Применение для инженеринга метода системной технологии позволяет построить прикладные методики преобразования в системный процесс практически любого вида производственного процесса

скачать реферат Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике

После достижения заданного напряжения режим изменяют на электростатический – ток снижается во времени, диэлектрические свойства оксидной пленки повышаются. Одна из наиболее важных областей применения барьерных оксидных пленок – получение диэлектрического слоя электролитических конденсаторов. Пористые анодные оксидные пленки выращивают в агрессивных по отношению к оксиду электролитах, например, в 15%-ной H2SO4, при постоянном напряжении. Такие пленки состоят из двух слоев: тонкого барьерного и значительно более толстого пористого. Они широко применяются в качестве декоративно-защитных покрытий. Нанесение на поверхность изделий металлических покрытий. Нанесение на поверхность изделий тонких (до десятков мкм) металлических покрытий (гальваностегия) применяют для повышения коррозионной стойкости и износостойкости изделий, улучшения отражательной способности его поверхности, повышения электрической проводимости и магнитных характеристик, облегчения пайки, а также для декоративной отделки. Наиболее распространенные процессы – цинкование, никелирование, меднение, хромирование, кадмирование, золочение, серебрение. Меднение Медные покрытия применяются в качестве подслоя при нанесении многослойных защитно-декоративных и многофунк-циональных покрытий на изделия из стали, цинковых и алюминиевых сплавов во многих отраслях промышленности; для улучшения пайки; для создания электропроводных слоев; для местной защиты стальных деталей при цементации, азотировании, борировании и других диффузионных процессах; в гальванопластике для наращивания толстых слоев при снятии металлических копий с художественных изделий.

 Целостный инженеринг

До окончательного формирования каждого из этих проектов либо по его результатам могут вноситься коррективы в предшествующие проекты. Каждая из этих частей входит в соответствующие разделы «производство», «разрешение», «контроль», «архив» и других общего «конструкторского проекта» системной технологии производственной деятельности, создаваемого в процессе целостного инженеринга производственной системы. Применение метода системной технологии с использованием описанных здесь процедур позволяет построить прикладные методики применения правила соблюдения правила разумного эгоизма системой триады производственной деятельности для системы-субъекта, для системы-объекта и для системы-результата, необходимые для преобразования в целостное опережающее производство практически любого вида производственной деятельности. 11.8. Применение правила трех триад – условия системности и моделирования правила трех триад системы – этапы и ключевая процедура – моделирование правила трех триад системы – общая модель и описание процесса моделирования • Условия системности и моделирования правила трех триад системы

скачать реферат Технологические основы электроники

Гетероэпитаксиальные слои, полученные в таких структурах, имеют небольшую толщину (~1 мкм), что обусловлено относительным несовершенством кристаллической структуры, выращиваемой на сапфире: с увеличением толщины пленки плотность дислокации увеличивается. МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения.

скачать реферат Полупроводниковые датчики температуры

Уменьшение разброса значений Rн до (1 2)% достигается лишь разбраковкой чувствительных элементов; - разброс значений ТКС, обусловленный разбросом степени легирования кремния. Уменьшение разброса значений ТКС ограничено возможностями современной технологии; - достаточно большое значение показателя термической инерции из-за необходимости размещения полупроводниковых чувствительных элементов в корпусах для их защиты от окружающей среды и обеспечения электрической изоляции от объекта. Кроме того, процесс сборки термодатчиков такого типа трудно поддается автоматизации и, как правило, осуществляется с использованием большой доли ручного труда. 3. Пленочные полупроводниковые датчики температуры. Улучшение характеристик полупроводниковых датчиков температуры и упрощение их конструкции может быть достигнуто при использовании чувствительных элементов, изготовленных из тонких пленок полупроводника, нанесенного на полупроводниковую или диэлектрическую подложку. Изготовление таких датчиков осуществляется массовыми методами планарной технологии, которые обеспечивают получение значений номинальных сопротивлений с достаточно высокой точностью и, кроме того, позволяют использовать при изготовлении лазерные методы подгонки номинальных сопротивлений.

скачать реферат Рентгеноструктурный и рентгеноспектральный анализ

Существуют как вакуумные (для мягкой области спектра), так и не вакуумные варианты таких приборов. Абсолютная чувствительность метода 10-13 –10-15 грамм. С его помощью с успехом анализируют фазовый состав легированных сплавов и исследуют степень их однородности, изучают распределения легирующих добавок в сплавах и их перераспределение в процессе старения, деформации или термообработки, исследуют процесс диффузии и структуры диффузионных и других промежуточных слоёв, изучают процессы, сопровождающие обработку и пайку жаропрочных сплавов, а также исследуют неметаллические объекты в химии, минералогии и геохимии. В последнем случае на поверхности шлифов предварительно напыляют тонкий слой (50-100?) алюминия, бериллия или углерода. Рис. 3. Схема рентгеновского микроанализатора Кастена и Гинье: 1 – электронная пушка; 2 – диафрагма; 3 – первая собирающая электростатическая линза; 4 – апертурная диафрагма; 5 – вторая собирающая электростатическая линза; 6 – исследуемый образец; 7 – рентгеновский спектрометр; 8 – зеркало; 9 – объектив металлографического оптического микроскопа; ВН – высокое напряжение.

скачать реферат Жидкостное химическое травление

" " Содержание. 1. Введение. 3 1.1. Термодинамика травления. 5 1.2. Общие принципы кинетики травления. 8 1.3. Феноменологический механизм травления. 9 2. Жидкостное травление. 11 2.1. Травление SiO2. 11 2.2. Травление кремния. 14 2.3. Травление многослойных структур. 19 2.4. Травление алюминия. 20 2.5. Травители для алюминия. 21 2.6. Электрохимическое травление. 23 3. Практические аспекты жидкостного химического травления. 23 3.1. Другие характеристики травления. 24 4. Заключение. 25 5. Список литературы. 26 Введение. Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок.

Декоративная наклейка-ростомер "Жираф", арт. EZG-1005.
Размер: 40x75 см.
366 руб
Раздел: Ростомеры
Гель для купания "Natura Siberica Little", 250 мл.
Нежный гель для купания мягко очищает кожу малыша, предупреждает ее высушивание. Органический экстракт липы оказывает смягчающее,
332 руб
Раздел: Гели, мыло
Комплект детской складной мебели "Азбука" КУ2П/9.
В комплекте: - стол 580х600х450 мм, - стул мягкий 310х270х570 мм, - пенал большой 1 штука. При складывании стола, содержимое пенала
1637 руб
Раздел: Наборы детской мебели
скачать реферат Совершенствование технологического процесса изготовления фрез

Описание термообработки Азотирование Азотированием называют процесс насыщения поверхностного слоя стали азотом при нагреве её до 500-650 С в аммиаке. Азотирование повышает твердость поверхностного слоя детали, его износостойкость, предел выносливости, и сопротивление коррозии в атмосфере воде и паре и т.д. Заготовка под азотирование предварительно проходит термическую обработку. Эта операция состоит из закалки и высокого отпуска сталь для получения повышенной прочности и вязкости в сердцевине изделия. Отпуск проводят при высокой температуре 600-675 С, повышающей максимальную температуру последующего азотирования и обеспечивающей получение твердости, при которой сталь можно обработать резанием. Структура стали после отпуска – сорбит. После термообработки заготовку подвергают механической обработке, а также шлифованию, которое придает окончательные размеры детали. Защита участков, не подлежащих азотированию, нанесением тонкого слоя (10 15) мкм олова электролитическим методом или жидкого текла. Олово при температуре азотирования олово расплавляется, на поверхности стали в виде тонкой не проницаемой для азота пленкой.

скачать реферат Ускорение диффузионных процессов в целях оптимизации операций химико-термической обработки

Ускорение диффузионных процессов в целях оптимизации операций ХТО Введение Металлизация – метод повышения механических свойств и увеличения коррозионной стойкости, путем насыщения приповерхностных слоев металлическими легирующими элементами. Являясь разновидностью Химико-Термической Обработки (ХТО), металлизация приводит к изменению химического состава и образованию новых фаз в приповерхностных слоях материала обрабатываемого изделия. Не следует путать операции ХТО с методами нанесения пленок, защитных слоев и поверхностных покрытий (таких как плакирование), так как они представляют собой создание добавочного слоя поверх заготовки. При этом фактически не изменяется или изменяется на незначительную глубину исходный состав приповерхностного слоя. Более того, в ряде случаев возможно отслоение нанесенного покрытия, то есть значительную роль играет адгезия наносимого материала к поверхности. Операции ХТО осуществляются за счет активизации диффузионных процессов при повышенных температурах и некоторых дополнительных видах воздействия.

скачать реферат Усилитель для воспроизведения монофонических музыкальных программ

При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками. Применение гибридных интегральных микросхем и микросборок также дало возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки конденсаторов, такой же принцип используются и в устройствах, изготовленных методом молекулярной электроники, при этом для создании пассивных (резисторы и конденсаторы) и активных (диоды, транзисторы) элементов схем используются слои полупроводниковых материалов. Следующий этап развития технологии производства радиоэлектронной аппаратуры - технология поверхостного монтажа кристалла (ТПМК). ТМПК обеспечивает миниатюризацию радиоэлектронной аппаратуры при росте ее функциональной сложности.

скачать реферат Электронные и микроэлектронные приборы

Не углубляясь в рассмотрение самих моделей, укажем лишь, что большинство из этих данных возможно описать в рамках единой модели, ограниченное число предельных случаев которой объясняло бы появление всех отмеченных выше кинетических закономерностей. Одной из таких моделей можно считать модель Фромхолда, основанную на рассмотрении процессов одновременной макроскопической диффузии заряженных частиц (ионов и электронов) сквозь гомогенную окисную пленку в присутствии электрического поля, созданного этими частицами (Fromhold A. .-"J. Phys. Chem. Solids", 1963, v.24, p. 1081-1089). Зависимость экспериментально наблюдаемых кинетических закономерностей от температуры процесса приведена в таблице 1. 2. Полупроводниковые резисторы Полупроводниковые резисторы – это резисторы, изготовленные на основе полупроводникового материала методами полупроводниковой технологии. Различают объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Объемные резисторы получают путем создания омических (невыпрямляющих) контактов металла с полупроводником.

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или диффузионного слоя и покрытую слоем двуокиси кремния SiO2 или нитрида кремния Si3 4. Границу пластины и пленки можно с большой долей правдоподобия принять отражающей, т.к. коэффициенты диффузии большинства примесей в кремнии на несколько порядков больше, чем в двуокиси кремния и нитриде. Однако, равномерность распределения примеси в источнике, особенно при его создании методом диффузии или имплантации - весьма грубое и вынужденное приближение. 1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей Решение диффузионного уравнения при этих условиях находится из предыдущего при h?и условии, что количество диффузанта в источнике Q= oh. (26) Приведенное выражение представляет собой Гауссово распределение. Тонкий слой на поверхности полупроводниковой пластины является источником, который очень быстро истощается. Непрерывная диффузия в этом случае приводит к постоянному понижению поверхностной концентрации примеси в полупроводнике.

Настольная игра "Гномы-вредители. Делюкс".
На первый взгляд, все гномы похожи: маленькие, бородатые, золото любят, упорно стучат своими кирками в подземных туннелях в поисках
1250 руб
Раздел: Карточные игры
Ящик универсальный, 400x335x85 мм.
Ящик позволяет удобно и компактно хранить постельное белье, одежду, обувь, игрушки, повседневные мелочи. Его можно штабелировать, удобно
352 руб
Раздел: 5-10 литров
Подставка под ноги двухступенчатая "Дори", артикул 1627.
Симпатичная подставка-табурет из прочной пластмассы очень крепко и устойчиво располагается на полу и не скользит благодаря удобным ножкам.
651 руб
Раздел: Подставки под ноги
скачать реферат Свойства гидроксиаппатита

На поверхности такого имплантата формируется тонкий биологически активный слой с определенной пористой структурой, морфологией поверхности, адгезионно-когезионными свойствами. При введении в костную ткань таких имплантатов происходит эффективное прорастание кости в поры покрытия , или  , точнее , в процессе заживления происходит интеграция пористого порошкового тонкого слоя ,например ,гидроксиапатитовой керамики или другой композиции на компактной основе с живой тканью .Это обеспечивает прочное и длительное закрепление имплантата  и нормальное функционирование его в организме На титановую основу имплантата  с помощью технологии плазменного напыления наносится переходный слой из порошка титана , а затем слой биологически активной керамики .Благодоря распределению керамики по пористой структуре металла достигается прочное сращивание с костной тканью реципиента , а также химикофизеологическая стабильность , что позволяет рассматривать данную систему как идеальную для внутрикостной имплантации .                    Отметим основные преимущества имплантации над традиционными методами протезирования :                                    - возможность непрепарирования здоровых зубов под опору протезов ; - возможность изготовления несъемных зубных протезов большой протяженности; - отсутствие необходимости в сохранении больных зубов и др.

скачать реферат Усилители: конструкция и эксплуатация

Чтобы удовлетворить эти требования, необходимо миниатюризировать аппаратуру. Это достигается несколькими методами конструирования радиоэлектронной аппаратуры. При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками. Применение гибридных интегральных микросхем и микросборок также дало возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки конденсаторов, такой же принцип используются и в устройствах, изготовленных методом молекулярной электроники, при этом для создании пассивных (резисторы и конденсаторы) и активных (диоды, транзисторы) элементов схем используются слои полупроводниковых материалов. Следующий этап развития технологии производства радиоэлектронной аппаратуры - технология поверхостного монтажа кристалла (ТПМК). ТМПК обеспечивает миниатюризацию радиоэлектронной аппаратуры при росте ее функциональной сложности.

скачать реферат Повышение качества стали

В зависимости от элемента, насыщающего поверхность заготовки, различают следующие виды обработки: цементацию, азотирование, цианирование, диффузионную металлизацию. Цементацией называется процесс насыщения углеродом поверхностного слоя заготовок из низкоуглеродистой ( до 0.3% С) стали для создания в них после термической обработки твердой поверхности при достаточной вязкости сердцевины. Различают цементацию в твердом карбюризаторе ( древесном угле с добавками различных углекислых солей), жидкую и газовую. Поверхности заготовок, не подлежащие цементации, защищают омеднением, т. е. нанесением тонкого слоя меди и другими способами. Азотирование- процесс диффузионного насыщения азотом поверхностного слоя заготовок, изготовленных из легированных сталей. Такие легирующие элементы, как алюминий, хром, молибден и др., при азотировании образуют с азотом твердые и стойкие химические соединения- нитриды. Азотирование протекает при более низкой температуре, нежели цементация, что является его преимуществом. Азотированная поверхность имеет более высокую твердость, износостойкость и коррозионную стойкость, которые сохраняются неизменными при повторных нагревах вплоть до 500-600 градусов С.

скачать реферат Солнечная энергетика

Типичный СЭ на основе GaAs состоит из очень тонкого слоя AlGaAs в качестве окна. Основной недостаток арсенида галлия – высокая стоимость. Для удешевления производства предлагается формировать СЭ на более дешевых подложках; выращивать слои GaAs на удаляемых подложках или подложках многократного использования. Поликристаллические тонкие пленки также весьма перспективны для солнечной энергетики. Рис.10. Структура солнечного элемента на основе Cd e чрезвычайно высока способность к поглощению солнечного излучения у диселенида меди и индия (CuI Se2) – 99 % света поглощается в первом микроне этого материала (ширина запрещенной зоны – 1,0 эВ) . Наиболее распространенным материалом для изготовления окна солнечной батареи на основе CuI Se2 является CdS. Иногда для улучшения прозрачности окна в сульфид кадмия добавляют цинк. Немного галлия в слое CuI Se2 увеличивает ширину запрещенной зоны, что приводит к росту напряжения холостого хода и, следовательно, повышению эффективности устройства. Один из основных способов получения CuI Se2 — электрохимическое осаждение из растворов CuSO4, I 2(SO4)3 и SeO2 в деионизованной воде при соотношении компонентов Cu:I :Se как 1:5:3 и pH »1,2–2,0.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.