телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВидео, аудио и программное обеспечение -30% Электроника, оргтехника -30% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Туннелирование в микроэлектронике

найти похожие
найти еще

Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
19 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения
Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
87 руб
Раздел: Небесные фонарики
Практически во всех системах наблюдалось качественное совпадение экспериментальных вольт-амперных характеристик с расчётными. В начале имеет место линейное возрастание тока с ростом напряжения, затем оно переходит в экспоненциальное с последующим замедлением роста тока. Последнее обстоятельство, как и предполагалось при теоретическом расчёте, вызвано ловушками в диэлектрических слоях. При соответствующем подборе высоты контактного барьера, эффективной площади структуры, эффективной массы электрона в диэлектрике и других параметров наблюдается количественное совпадение. На рис. 2.2.2 приведена вольт- амперная характеристика туннельного тока сквозь слой А12О3 толщиной d=2,3 нм. Точками показаны экспериментальные результаты, сплошной линией – расчётные. Наблюдаемые в отдельных случаях количественные расхождения в теоритических и экспериментальных результах вызваны, по-видимому, несовершенством структуры и геометрии плёнок. j, а/см2 107 1 2 103 3 10-1 10-5 10-9 1 10 100 1000 u, B Рис. 2.2.1 Расчётные вольт-амперные характеристики туннельного тока: 1 – без учёта пространственного заряда; 2 – с учётом пространственного заряда подвижных носителей; 3 – с учётом пространственного заряда на ловушках при большой их плотности. j, а/см2 1 10-1 10-2 10-3 10-4 0,5 1 1,5 2 u, B Рис. 2.2.2 Вольт-амперная характеристика туннельного тока сквозь плёнку Al2O3. Точки – экспериментальные данные, сплошная линия – расчёт. 2.3 ТОКОПЕРЕНОС В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ Механизм токопереноса в тонких плёнках объясняется либо надбарьерной эмиссией, либо туннелированием через вакуумный зазор, либо туннелированием через ловушки в диэлектрической подложке. Токоперенос за счёт надбарьерной эмиссии происходит благодаря переходу электрона через уменьшенный потенциальный барьер. Уменьшение потенциального барьера происходит как результат действия сил зеркального изображения и электрического поля. Более подробно это явление я рассматривать не буду, так как оно выходит за рамки курсового проекта. Если расстояние между зёрнами плёнки лежит в пределах 1 5 нм (зерно – это область в плёнке, где структура кристаллографической решётки симметрична), то для типичного значения работы выхода от 2 до 6 эВ при температурах, не превышающих 300 К, преобладающим механизмом токопереноса будет туннелирование. При туннелировании полная энергия электрона не меняется. Поэтому, когда электрон переходит из одного зерна в другое, энергия его остаётся прежней (электрон переходит с энергетического уровня первого зерна на энергетический уровень второго, расположенный на такой же высоте). Такой переход возможен, если в зёрнах есть свободные энергетические уровни с соответствующей энергией и, кроме того, в одном из зёрен на этих уровнях имеются электроны (рис. 2.3.1). Рис. 2.3.1 Туннелирование при отсутствии внешнего поля В отсутствие электрического поля количество электронов, переходящих из одного зерна в другое, одинаковы и направленного потока электронов нет. При воздействии на систему электрического поля энергетические уровни зерен сдвигаются (рис. 2.3.2). Рис. 2.3.2 Туннелирование при наличии внешнего поля Уровень Ферми первого зерна смещается относительно уровня Ферми второго на величину , где u – приложенное напряжение.

При этом напряжении туннельный переход невозможен, так как уровням, занятым электронами в данной области, соответствуют в другой области энергетические уровни, находящиеся в запрещённой зоне. Туннельный ток равен нулю. Он отсутствует также и при большем прямом напряжении. Следует помнить, что при возрастании прямого напряжения увеличивается прямой диффузионный ток диода. При рассмотрен- ных значениях Uпр=0,2 В диффузионный ток гораздо меньше туннельного тока, а при Uпр>0,2 В диффузионный ток возрастает и достигает значений, характерных для прямо го тока обычного диода. Uпр=0,2 B p ЗП 0,6 эВ 0,6 эВ ЗЗ ВЗ Рис. 3.3 Энергетическая диаграмма туннельного диода при Uпр=0,2 В На рис. 3.4 рассмотрен случай, когда обратное напряжение Uобр=0,2 В. Высота потенциального барьера стала 1 эВ, и значительно увеличилось число уровней, занятых электронами в валентной зоне р-области и соответствуют их свободным уровням в зоне проводимости -области. Поэтому резко возрастает обратный туннельный ток, который получается такого же порядка, как и ток при прямом напряжении. Вольт-амперная характеристика туннельного диода (рис. 3.5) поясняет рас- смотренные диаграммы. Как видно, при U=0 ток равен нулю. Увеличение прямого напряжения до 0,1 В дает возрастание прямого туннельного тока до максимума (точка А). Дальнейшее увеличение прямого напряжения до 0,2 В сопровождается уменьшением туннельного тока. Поэтому в точке Б получается минимум тока и характеристика имеет падающий участок АБ, для которого характерно отрицательное сопротивление переменному току: (3.1) Uобр=0,2 B p ЗП 1 эВ iобр ВЗ 0,6 эВ ЗЗ Рис. 3.4 Энергетическая диаграмма туннельного диода при Uобр=0,2 В. iпр, мА 4 А 3 2 1 Б Uобр -0,1 0,1 0,2 0,3 0,4 Uпр iпр, мА Рис. 3.5 Вольт-амперная характеристика туннельного диода. После этого участка ток снова возрастает за счет прямого диффузионного тока. Обратный ток получается такой же, как прямой, т. е. вo много раз больше, нежели у обычных диодов. Туннельны диоды могут примкнятся в технике СВЧ, а также во многих импульсных радиоэлектронных устройствах, рассчитанных на высокое быстродействие. Помимо весьма малой инерционности достоинством туннельных диодов является их стойкость к ионизирующему излучению. Малое потребление энерги от источника питания также во многих случаях следует считать достоинством туннельных диодов. К сожелению, эксплутация этих диодов выявила существенный их недостаток. Он заключается в том, что эти иоды подвержены значительному старению, то есть с течением времени их характеристики и параметры заметно изменяются, что может привести к нарушению нормальной работы того или иного устройства. Все туннельные диоды имеют весьма малые размеры. Например, они могут быть оформлены в целиндрических герметичных малостеклянных корпусах диаметром 3 – 4 мм и высотой около 2 мм. Выводы у них гибкие ленточные. Масса не превышает 0,15 г. ЛИТЕРАТУРА 1. И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий «Методическое пособие к лабораторным работам по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС». Мн.; БГУИР, 1997 г. 2. И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий «Методическое пособие для самостоятельной работы студентов по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛАРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ Кафедра химии Факультет компьютерного проектирования КУРСОВАЯ РАБОТА по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС» на тему: «ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ »Выполнил: Приняла: студент гр. 910204 Забелина И. А. Шпаковский В.А. Минск 2001 г. СОДЕРЖАНИЕ стр. 1. Туннельный эффект 3 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл . .5 2.2 Структура металл-диэлектрик-металл . 8 2.3 Токоперенос в тонких плёнках 10 2.4 Туннельный пробой в p- -переходе 12 2.5 Эффекты Джозефсона .13 2.6 Эффект Франца-Келдышева .15 3 Туннельный диод . 17 Литература .20 1. Туннельный эффект Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким: U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0), то частица беспрепятственно проходит над барьером; U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера E (EU0 имеется отличная от ну- 0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. Во-вторых, при EE, волновой вектор k2 является мнимым. Положим его равным ik, где является действительным числом. Тогда волновые функции (1.9) , то это значит, что имеется вероятность проникновения микрочастицы на некоторую глубину во вторую область. Эта вероятность пропорциональна квадрату модуля волновой функции . (1.11) Наличие этой вероятности делает возможным прохождение микрочастиц сквозь потенциальный барьер конечной толщины l (рис. 1.1). Такое просачивание получило название туннельного эффекта. По формуле (1.11) коэффициент прозрачности такого барьера будет равен: , (1.12) где D0 – коэффициент пропорциональности, зависящий от формы барьера. Особенностью туннельного эффекта является то, что при туннельном просачивании сквозь потенциальный барьер энергия микрочастиц не меняется: они покидают барьер с той же энергией, с какой в него входят. Туннельный эффект играет большую роль в электронных приборах. Он обуславливает протекание таких явлений, как эмиссия электронов под действием сильного поля, прохождение тока через диэлектрические плёнки, пробой p- перехода; на его основе созданы туннельные диоды, разрабатываются активные плёночные элементы. 2.1 КОНТАКТ МЕТАЛЛ-МЕТАЛЛ Рассмотрим плотный контакт двух металлов М1 и М2 с разными работами выхода А1 и А2 (рис. 2.1.1). A1 A2 EF1 21 12 EF2 d M1 M2 Рис. 2.1.1 Энергетическая диаграмма контакта двух металлов в начальный момент времени Вследствие того, что уровень Ферми EF1 в М1 (уровень Ферми это то значение энергии уровня, выше которого значения энергии электрон принимать не может при Т=0 К) находится выше, чем EF2 в М2, соответствующие работы выхода А1 21 и соответствующие термоэлектронные токи I1>I2. Для этих токов мы можем записать уравнения термоэлектронной эмиссии: , (2.1.3) где А - постоянная Ричардсона; S –площадь контакта. После выравнивания уровней Ферми поток I2 останется неизменным, а поток I1 уменьшиться, так как для того, чтобы перейти электрону из М1 в М2 кроме преодоления работы выхода А1 ему необходимо преодолеть разность потенциалов в зазоре Vk.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Применяется в маломощных устройствах автоматики, бытовых электроприборах, в стоматологии, кино-, фото и радиоаппаратуре и др. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (интегральная электроника) - область электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в нач. 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС - кремниевых - эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2). МИКРОЭЛЕМЕНТЫ - в биологии - химические элементы (Al, Fe, Cu, Mn, Zn, Mo, Co, I и др.), содержащиеся в организмах в низких концентрациях (обычно тысячные доли процента и ниже) и необходимые для их нормальной жизнедеятельности

скачать реферат Свойства силиката магния с примесью хрома в пористом кремнии

Известно, что для кристаллического силиката магния (форстерита) с примесью четырехвалентного хрома Mg2SiO4 :Cr удалось практически реализовать рекордно высокую квантовую эффективность (38%) фотолюминесценции (ФЛ) в районе наиболее высокой прозрачности систем кварцевой волоконной оптики около 1:3 m . В настоящей работе предпринята попытка систеза и исследования такой фазы в тонких слоях пористого кремния (ПК). Это представляется интересным в плане разработки совместимых с кремниевой микроэлектроникой технологий создания высокоэффективных электронолюминесцетных источников света. Своеобразие такой многофазной структуры состоит в фотонном и электронном взаимодействии нанокристаллов кремния и включений диэлектрической фазы, активированной переходными элементами. Подобные структуры интересны также и для изучения дискретного туннелирования сквозь атомы переходных элеменов . Для синтеза оксидов с замещающим кремний четырехвалентным хромом ПК привлекателен простой технологией пропитки пор водными растворами солей с последующим окислительным отжигом.

Детский шезлонг качалка "Счастливый лягушонок".
Характеристики: - дуга со съемными игрушками; - электронный блок, два режима: музыка и вибрация; - работает в совместном режиме
2224 руб
Раздел: Качели, кресла-качалки, шезлонги
Щипцы кулинарные "Paterra", силиконовые.
Силиконовые щипцы предназначены для комфортных манипуляций с приготавливаемым продуктом. Щипцами удобно переворачивать мясо, тефтели,
323 руб
Раздел: Щипцы
Мультиплеер с проектором "Спокойной ночи, малыши!".
"Спокойной ночи, малыши!" от компании "Азбукварик" - это музыкальная игрушка из серии "Мультиплеер с
330 руб
Раздел: Смартфоны, мультиплееры
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ОСИКО Вячеслав Васильевич (р. 1932) - российский физикохимик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1987). Труды в области технологии и физики материалов для квантовой электроники, микроэлектроники, оптики. Руководитель работ по созданию фианитов. Ленинская премия (1980). ОСИНА - дерево рода тополь. Растет на севере Евразии в хвойных и широколиственных лесах; в степях образует осиновые колки. Используют в защитных насаждениях, древесину - при производстве спичек, целлюлозы, тары, различных поделок. ОСИННИКИ - город (с 1938) в Российской Федерации, Кемеровская обл., у впадения р. Кандалеп в Кондому. Железнодорожная станция. 63,4 тыс. жителей (1993). Добыча каменного угля. Швейная фабрика. Краеведческий музей. ОСИНСКИЙ Валериан Андреевич (1852-79) - народник. Один из основателей "Земли и воли", возглавил Южный исполнительный комитет. Организатор ряда террористических актов и побегов. В 1879 при аресте оказал вооруженное сопротивление. Приговорен к смертной казни. Повешен в Киеве. ОСИНСКИЙ Н. (наст. фам. и имя Оболенский Валериан Валерианович) (1887-1938) - российский государственный деятель, экономист, академик АН СССР (1932)

скачать реферат Тайвань

Начавшаяся здесь перестройка хозяйственного механизма, проявившаяся в переходе от импорт замещения к экспортной ориентации, убедительно доказала преимущества избранной модели, выдвинув Тайвань в число внешнеторговых лидеров не только в Азиатско-Тихоокеанского регионе (АТР), но и во всем мире. Последние 15 лет экономика острова развивалась исключительно динамично, практически все основные показатели выросли в 10-15 раз. Общая стратегия развития Тайваня базируется на западной модели открытой рыночной экономики, основанной на частной собственности и законах свободного предпринимательства с государственным регулированием. Важную роль в ускорении индустриального развития Тайваня сыграл иностранный капитал . В отличие от других развивающихся государств Тайваню удалось эффективно использовать инвестиции и те преимущества, которыми обладают транснациональные корпорации для ускорения хозяйственного развития.  На Тайване используется “отбирающая” стратегия развития научно-технического потенциала, при которой практические результаты достигаются за счет концентрации всех научно-технических ресурсов на важнейших направлениях, таких, как микроэлектроника, биотехнология, тонкая химия, волоконная оптика и др.

 Физические эффекты и явления

Это открытие находит, кроме обычных областей применения гидравлических ударов, очень широкое применение микроэлектронике, для условий особо чистых поверхностей, для обработки таких материалов и изделий, которые исключают пр электродов и т.д. Используя светогидравлический эффект, можно издалека, дистанционно, возбуждать в жидкости гидравлические импульсы с помощью луча света (см. также 17.7). 4.8. K а в и т а ц и я. Кавитацией называется образование разрывов сплошности жидкости в результате местного понижения давления. Если понижение давления происходит вследствии возникновения больших местных скоростей в потоке движущейся капельной жидкости, то кавитация называется гидродинамической, а если вследствие прохождения в жидкости акустических волн, то акустической. 4.8.1. Гидродинамическая кавитация Возникает в тех участках потока, где давление понижается до некоторого критического значения. Присутствующие в жидкости пузырьки газа или пара, двигаясь с потоком жидкости и попадая в облать давления меньше критического, приобретает способность к неограниченному росту

скачать реферат 30 экзаменационных билетов по географии

На демографиче­ских показателях сказываются последствия второй мировой войны. Из-за этого возникают проблемы в сфере трудовых ресурсов, в области социального обеспечения пожилых людей. Западная Европа — один из самых урбанизиро­ванных регионов мира. Лондонская и Парижская агломерации принадлежат к числу самых крупных в мире. Западная Европа — один из экономических цен­тров мира; является важным финансовым центром (Лондон и Цюрих — финансовые столицы). По тем­пам экономического развития регион в последние го­ды стал отставать от США и Японии. Отставание об­наружилось прежде всего в наукоемких отраслях — микроэлектронике, биотехнологии и др. Энергетика. Базируется как на собственных ре­сурсах (нефть и газ шельфа Северного моря, газ Ни-дерландов, уголь ФРГ и Великобритании), так и на привозных. В странах Северной и Южной Европы большое значение имеют гидроресурсы. Исландия использует в качестве источников энергии выходы термальных вод. Регион лидирует в мире по разви­тию атомной энергетики. Черная металлургия. Старые металлургические районы: Рур в ФРГ, Лотарингия во Франции. Ори­ентация на импорт железной руды привела к сдви­гу предприятий черной металлургии к морю — Таранто в Италии, Дюнкерк во Франции, Бремен в ФРГ. . Цветная металлургия использует концентраты руд из Африки и Азии.

скачать реферат Социально - экономические, политические изменения в СССР в 1953 - 1980 гг.

ЦК КПСС и Совмин СССР приняли постановление, определившее, что отныне показателем эффективности работы предприятия становится «чистая продукция» – та, на изготовление которой конкретный завод или фабрика затрачивали собственные материалы, энергию и труд. До реализации этого постановления дело фактически так и не дошло, так как оно увязло в бесконечных бюрократических согласованиях и уточнениях. Создавались научно-производственные объединения; возникали новые отрасли промышленности: роботостроение, микроэлектроника и др.; предпринимались попытки более гибкого планирования (вводились перспективные и комплексные планы). Однако эти тенденции не стали определяющими для развития экономики. Основу экономики составляли военно-промышленный и топливно-энергетический комплексы. В условиях высоких цен на нефть и газ на мировом рынке страна сделала ставку на расширение продажи сырья, так как цены на них возросли там только за 70-е гг. почти в двадцать раз. За 1960 – 1985 гг. доля топливно-сырьевого экспорта в СССР поднялась с 16,2 до 54,4%, а доля машин и сложной техники упала с 20,7 до 12,5%.

скачать реферат Новые технологии и искусство

Постепенно механические генераторы колебаний были заменены сначала мультивибраторами, а затем интегральными микросхемами. Также с дальнейшим развитием микроэлектроники стало возможным получать практически любой тембр. В современной популярной музыке синтезатор сегодня — король и бог. Из-за простоты использования сейчас его используют все, кто хоть чуть-чуть умеет играть на фортепиано. Достаточно трёх классов обычной музыкальной школы, чтобы на нём более-менее сносно играть. В последнее десятилетие у синтезатора появился мощный союзник — компьютер. Современные компьютеры, как известно, позволяют делать всё, что только душе угодно. С изобретением звуковых карт для компьютера появилась возможность вставлять на них микросхемы с банком инструментов от любого современного синтезатора. С помощью специальных программ-секвенсоров в компьютер можно загнать любую мелодию и проигрывать её. Получается как на синтезаторе. А совсем недавно появились так называемые программные сэмплеры. Сэмплер — такое устройство, позволяющее записать образец звука (па английскому sample, откуда и произошло название), указать, какой ноте он соответствует и, подключив к синтезатору, играть этим тембром.

скачать реферат Защита информации в глобальной сети

DHCP «сдает» узлу адрес в аренду на время, определяемое администратором сети, тогда как A транслирует внутренний IP-адрес в официальный динамически, на время сеанса связи с I er e . Другим способом сделать частную сеть совместимой с I er e является установка IP–шлюза. Шлюз транслирует не IP–протоколы в IP-протоколы и наоборот. Большинство сетевых операционных систем, использующих нативные протоколы, имеют программное обеспечение для IP–шлюза. Сущность виртуальной IP–маршрутизации заключается в расширении частных маршрутных таблиц и адресного пространства на инфраструктуру (маршрутизаторы и коммутаторы) I er e –провайдера. Виртуальный IP–маршрутизатор является логической частью физического IP–маршрутизатора, принадлежащего и функционирующего у сервис-провайдера. Каждый виртуальный маршрутизатор обслуживает определенную группу пользователей. Однако, пожалуй, самым лучшим способом обеспечить совместимость можно с помощью методов туннелирования. Эти методы наряду с различной техникой инкапсуляции уже давно используются для передачи по общей магистрали мультипротокольного потока пакетов.

Грамота "С гербом и флагом", вертикальная, 200 штук (количество томов: 200).
Размер: 210x297 мм. Материал: бумага мелованная, плотностью 140 г/м2. В упаковке: 200 штук.
1024 руб
Раздел: Грамоты без текста
Подгузники "Солнце и Луна. Нежное прикосновение", размер: 5/XL (11-25 кг), 48 штук.
Подгузники "Солнце и Луна. Нежное прикосновение" сделаны по японской технологии в сотрудничестве с японской корпорацией WATASHI
801 руб
Раздел: Более 11 кг
Увлекательная настольная игра "Зверобуквы", новая версия.
В игровом наборе маленькие карточки-буквы и большие карты-звери. Иллюстраторы поработали здесь на славу! У каждой буквы свой яркий и
632 руб
Раздел: Карточные игры
скачать реферат Электронные книги

Министерство образования и науки украиныЧеркасский государственный технологический университетКафедра компьютерных системДокладна тему: Электронные книгиПодготовил: Студент 2-го курса ФИТИС Группа ЕК-08 Кондратенко В. В.Черкассы 2001Электронные книги. Уже более 10 лет нет-нет, да и услышишь об исчезновении бумаги как средства представления информации. Крупные компании заявляют о снижении расходов на миллионы долларов за счет введения систем электронного документооборота. Действительно, компьютерные технологии пытаются потеснить не только корпоративный лазерный принтер, но и печатную машину, привлекая СМИ и книжных издателей своими достижениями в области микроэлектроники. В последнее время компании одна за другой, активно представляли новинки, как аппаратные, так и программные, ориентированные на рынок еРарег (хотя чаще всего мы слышим термин eBook, думаю, что он будет не совсем точным, т.к. электронные книги лишь часть рынка электронных изданий). По всей видимости, это служит подтверждением того, что потребитель уже давно ждал подобные устройства. И прошедший год стал годом, когда компании начали делать первые шаги для удовлетворения, а точнее формирования, потребительского спроса на подобную экзотику.

скачать реферат Проектирование автоматизированных информационных систем

Обработанная информация – функция информационной системы); - Принцип первого руководителя (всей системой должен руководить один человек, который отвечает за ее функционирование в будущем); - Задачу разработки базы данных, предназначенной для хранения информации; - Задачу разработки графического интерфейса пользователя клиентских приложений. 2. Содержание и тенденции развития АЭИС. Развитие не идет по сочетанию централизованной и децентрализованной информации. Первое развитие децентрализованных систем обработки данных создаваемых в виде АРМ на базе персональной вычислительной техники. Второе - объединение и развитие интегральных систем на базе локальны вычислительных систем (небольшое расстояние). Третье - развитие автоматизированных банков данных. Четвертое – интеграция микроэлектроники с оборудованием. Пятое – интеграция экономических и технических автоматизированных систем (замер температуры). Цели проектирования – показатели системы, которые характеризуют состояние системы: Функциональная полнота – характеризует уровень автоматизации F=Па/По , Где Па – число показателей, которые получаем с помощью созданной системы (автоматизируется), По – общее число показателей, которое используется при функционировании производственной системы. F=1 – превосходно. Своевременность – характеризует возможность получения лицом принимающего решение необходимую информацию к определенному сроку.

скачать реферат «Биокомпьютеры»

Наиболее популярны в настоящее время биочипы на основе кДНК, ставшие по- настоящему революционной технологией в биомедицине. Остановимся подробнее на их приготовлении, а также на получении и обработке данных с их помощью. Определяющей технологической идеей стало применение стеклянной подложки для нанесения генетического материала, что сделало возможным помещать на нее ничтожно малые его количества и очень точно определять местоположение конкретного вида тестируемой ДНК. Для приготовления биочипов стали использоваться роботы, применяемые прежде в микроэлектронике для создания микросхем (рис. 1). Молекулы ДНК каждого типа создаются в достаточном количестве копий с помощью процесса, называемого амплификацией; этот процесс также может быть автоматизирован, для чего используется специальный робот - умножитель. После этого полученный генетический материал наносится в заданную точку на стекле (на жаргоне такой процесс называется «печать») и химически к стеклу пришивается (иммобилизация). Для иммобилизации генетического материала необходима первичная обработка стекла, а также обработка напечатанного биочипа ультрафиолетом, стимулирующим образование химических связей между стеклом и молекулами ДНК (рис. 2). Грубо говоря, из клетки выделяется смесь продуктов работы генов, т. е. РНК различных типов, производимых в определенных условиях.

скачать реферат Теория информации

Энтропия каждого из них достаточна, чтобы иметь возможность полностью определить исход А с помощью ещё одного, третьёго, взвешивания. Значит, действительно трёх взвешиваний достаточно, чтобы ответить на поставленный в задаче вопрос. Я думаю, излишне говорить о том, что теория информации имеет огромное значение для развития современной науки и техники. Она получила широкое применение в физике, микроэлектронике, а также во всех отраслях техники, где необходимо решать проблемы хранения, получения и передачи информации. Список использованной литературы. 1) А. Реньи. «Записки студента теории информации». 2) А.М. Яглом, И.М. Яглом. «Вероятность и информация».

скачать реферат Информатизация учебного процесса

Современная стадия научно-технической революции отличается тем, что, во- первых, технология переработки естественных материалов дополнилась технологиями создания принципиально новых материалов на атомно-молекулярном уровне, когда осуществляется опора на практическое использование законов атомной и ядерной физики, квантовой механики и релятивистской механики, законов молекулярной генетики, оптоэлектроники, нанотехнологий, информологии и др., т. е. опора на представления, концепции, теории и законы, составляющие преимущественно квантово-полевую картину мира. Во- вторых, если главной отраслью в начальной стадии научно-технической революции определялось машиностроение, автоматизированное на базе микроэлектроники и вычислительной техники, то теперь это сама микроэлектроника и вычислительная техника во всех ее разновидностях: компьютеры, компьютерные сети и системы, глобальные международные сети и другие средства информатики, телематики и теленетики. В-третьих, резко возросла информатизация общества, появились индустрия информатики, новые информационные технологии. В-четвертых, произошла интеграция науки и производства, наука стала непосредственной производительной силой, а в информационной парадигме она ныне рассматривается как система накопления, хранения и переработки информации, ее анализа с выработкой норм и правил отбора; как система создания методик и методологий моделирования.

Игра магнитная "Модная девчонка".
Любая девочка, независимо от возраста, обожает заниматься украшательством, придумывать и экспериментировать. Магнитная игра "Модная
318 руб
Раздел: Бумажные куклы
Настольная игра "Мягкий знак".
«Мягкий знак» – это игра для детей и их родителей. Ее правила предельно просты. Для игры нужен только комплект карт. На каждой из них
357 руб
Раздел: Внимание, память, логика
Автомобильная термокружка Tramp TRC-004 (450 мл).
Термокружка - долго сохраняет тепло. Крышка-поилка из термостойкого пластика предохраняет от проливания жидкости и не дает напитку остыть.
360 руб
Раздел: Прочее
скачать реферат Датчики скорости

Аннотация В работе рассказывается как о датчиках скорости, их области применения и принципах действия, так и об общих свойствах датчиков, их месте в воспринимающих системах и величинах, которые используют для их описания. I his work i is bei g old as abou de ec ors of speed, area of heir applica io a d pri ciples of work as abou ge eral proper ies, heir place i grasp sys ems a d values, which are used for heir descrip io . Содержание Введение Стр. 4 Общие свойства датчиков Стр. 5 Датчики скорости Стр. 7 Заключение Стр. 10 Список использованных источников Стр. 11 Приложение 1: внешний вид некоторых Стр. 12 моделей датчиков скорости. Введение За последние годы в технике измерения и регулирования параметров различных процессов всё более и более возрастает роль отрасли изготовления и применения датчиков. Эта отрасль, постоянно развиваясь, служит основой создания разнообразных вариантов систем автоматического регулирования. Такое развитие обусловлено прежде всего гигантским прогрессом микроэлектроники. Широкий спектр применений микро-ЭВМ в бытовой технике, автомобилестроении и других областях промышленности всё в большей мере требует недорогих датчиков, выпускаемых крупными сериями.

скачать реферат Лазеры. Основы устройства и применение их в военной технике

Новые фундаментальные знания привели и к новым техническим достижениям - началось то, что мы сегодня называем научно-технической революцией. Развитие вакуумной, а позднее - с начала 50-х годов -полупроводниковой электроники позволило создать весьма совершенные системы радиосвязи, радиоуправления, радиолокации. В 1948 году был изобретен транзистор, в начале 60-х годов на смену ему пришли интегральные схемы - родилась микроэлектроника. Развитие атомной и ядерной физики привело к созданию атомной электростанции (с1954г) и судов с атомными двигателями( с 1959г). Телевидение, быстродействующие вычислительные машины, разнообразные компьютеры, промышленные роботы - такова наша сегодняшняя действительность. Первый лазер был создан в 1960 году - и сразу началось бурное развитие лазерной техники. В сравнительно короткое время появились различные типы лазеров и лазерных устройств предназначенных для решения конкретных научных и технических задач. Человек никогда не хотел жить в темноте, он изобрел много разнообразных источников света - от канувших в прошлое стеариновых свечей, газовых рожков, и керосиновых ламп до ламп накаливания и ламп дневного света, которые сегодня освещают наши улицы и дома.

скачать реферат Разработка "высоковольтного драйвера" газоразрядного экрана на полиимидном носителе

При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные, типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальную трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований. Важным этапом технологического проектирования, направленного на обеспечение качества и надежности ИМС, является разработка операций контроля на всех этапах производства ИМС: входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующих изделий, контроля в процессе обработки, межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий. Рост степени интеграции и функциональной насыщенности единицы объема изделий микроэлектроники, объективно приводит к микроминитюаризации их исполнения. Практика показывает, что проблемы, связанные с микроминитюаризацией, комплексно могут быть решены на базе разработки и внедрения новых конструктивно-технологических принципов сборки ИМС и аппаратуры на их основе.

скачать реферат Полупроводниковые пластины. Методы их получения

Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях народного хозяйства. Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, неукоснительного соблюдения технологической дисциплины и обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов и вакуумной гигиены в производственных помещениях. Фотолитографические процессы - важнейшая составная часть технологии изготовления микроэлектронных приборов. Именно они обеспечивают формирование элементов структур с субмикронными размерами и хорошую их воспроизводимость.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.