телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАОбразование, учебная литература -30% Электроника, оргтехника -30% Товары для дачи, сада и огорода -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Лекции по твердотельной электронике

найти похожие
найти еще

Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
87 руб
Раздел: Небесные фонарики
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
К группе проводников относят материалы с проводимостью ? > 106 Ом-1см-1, к ним относятся металлы, в которых высокая проводимость обеспечивается высокой концентрацией электронов проводимости. Напротив в диэлектриках, как правило при комнатной температуре электронов очень мало и их проводимость, в основном носит ионный характер, поэтому она мала ? < 10-10 Ом-1см-1. В промежуточную группу попадают полупроводники, которые в зависимости от их состава и концентрации примесей могут иметь концентрацию электронов близкую к нулю (тогда они являются изоляторами) и близкую к концентрации электронов в металле (тогда они являются проводниками). Возможность изменять в широких пределах электропроводность не только технологическими методами, но и используя внешние воздействия, позволила создать на основе полупроводников твердотельные электронные приборы. Именно изучение этих приборов и используемых в них методов управления электронными потоками и составляет основное содержание данного курса. Металлы и полупроводники помимо величины электропроводности отличаются так же и зависимостью электропроводности от температуры. В металлах электропроводность с температурой, как правило, падает почти по линейному закону . , (1.1) где и 0 – температуры измерения ( > 0), ? – температурный коэффициент. В полупроводниках, в которых отсутствуют дефекты и примеси (их принято называть собственными) с ростом температуры проводимость растет примерно по экспоненциальному закону: (1.2) где ?0 – некоторая слабо изменяющаяся величина (часто ее температурной зависимостью пренебрегают), ?E – энергия температурной активации проводимости (ее принято измерять в эВ), k – постоянная Больцмана (8.614210-5 эВ.К-1), - абсолютная температура (в градусах К). Если прологарифмировать (1.2), то получим: Рис. 1.1. Зависимость электропроводности не легированных материалов от температуры Из (1.3) видно - логарифм проводимости линейно зависит от 1/ , причем наклон прямой линии определяется величиной ?E, поэтому для полупроводников графики электропроводности очень удобно строить откладывая по вертикальной оси проводимость в логарифмическом масштабе, а по горизонтальной оси величину пропорциональную обратной температуре (для удобства используют масштабный множитель 1000), см. рис. 1.1. На следующем рисунке показана зависимость электропроводности собственного кремния от температуры при освещении его солнечным светом, подтверждающая сильное влияние внешних воздействий на свойства полупроводников. Рис. 1.2. Влияние освещения на температурную зависимость электропроводности: 1 – зависимость измеренная в темное, 2 – на свету. Изменение электропроводности может быть связано изменением концентрации носителей заряда и их скорости. Как показали эксперименты в большинстве случаев в полупроводниках основным фактором является изменение концентрации носителей заряда. Особенно сильно концентрация носителей заряда зависит от концентрации введенной примеси (обычно говорят от степени легирования). На рис. 1.3 показана измеренная на образцах кремния, легированных примесью фосфора или бора, зависимость удельного сопротивления кремния ? = 1/? от концентрации примеси.

Схема образования гибридной sp3 орбитали показана на рис. 1.8. Тетраэдрическая структура свойственна кристаллам алмаза. Такие известные полупроводники как Si и Ge имеют структуру типа алмаза, это и понятно, поскольку у них внешние электроны находятся на sp3 орбиталях. Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).На рис. 1.9 показана схема образования энергетических зон и sp3 орбиталей для кристаллов других элементов четвертой группы периодической системы элементов Д.И. Менделеева. Как видно из рисунка все зоны формируются на основе s и p состояний, но принадлежащих к разным оболочкам (различно значение главного квантового числа ). Так для углерода валентная оболочка формируется из 2s и 2p состояний соответственно структура алмаза определяется гибридными 2sp3 состояниями. Для Si валентная оболочка формируется из 3s и 3p состояний атома Si, соответственно структура кристаллической решетки создается 3sp3 орбиталями, является тетраэдрической и аналогична структуре алмаза. В Ge в образовании химических связей участвую 4s и 4p электроны, S 5s и 5p электроны и т.д. При этом для образовавшаяся sp3 оказывается полностью заполненной, верхняя полностью свободной, т.е. имеет место энергетическая структура соответствующая полупроводникам и диэлектрикам с валентной зоной и зоной проводимости. Следует обратить внимание на тот факт, что по мере роста числа , движении по группе таблицы Менделеева сверху вниз, ширина запрещенной зоны уменьшается и для свинца обе зоны перекрываются, т.е. для этого материала реализуется зонная структура, характерная для проводника. Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов. Следует отметить, что sp3 гибридизация может происходить не только для кристаллов элементарных полупроводников, но и для полупроводниковых соединения. Необходимым для этого условием является то, чтобы электроны внешней оболочки исходных компонентов принадлежали к s и p оболочкам и чтобы суммарное число на внешней оболочки соединения равнялось 8 (тогда нижняя зона оказывается полностью заполненной). Последнее условие будет выполняться для соединений элементов первой и седьмой групп, второй и шестой, третьей и пятой, т.е. для соединений A1B7, A2B6 , A3B5. Действительно большинство из этих соединений является полупроводниками, причем для них так же выполняется правило, что с увеличением номера электронной оболочки атомов из которых образуется соединение ширина запрещенной зоны уменьшается. В качестве примера рассмотрим такое несколько полупроводниковых соединений. Примеры из группы A3B5: GaAs: Eg = 1.43эВ (при Т=300К), атомы компонентов имеют электронную конфигурацию внешних оболочек – 3s24p1 (Ga), 4p3 (As); I Sb: Eg=0.18 эВ (при Т=300К), электронная конфигурация валентной оболочки – 4s24p1 (I ), 5p3 (Sb). При уходе электрона в зону проводимости он делокализуется и может перемещаться по зоне от одного атома к другому. Он становится электроном проводимости и может создавать электрический ток. Обычно говорят: появился свободный носитель заряда, хотя на самом деле электрон не покидал кристалл, у него только появилась возможность перемещаться из одного места кристалла в другое.

В качестве примера на рис. 1.12 показано как используя функцию распределения f(E) и функцию плотности состояния ( (E)~E1/2) определить распределение электронов по энергиям в металле. Рис. 1.12. Схема расчета распределения электронов по энергиям в металле (или вырожденном полупроводнике) при использовании зависимостей (E), f(E)? (E)= (E)f(E) На рис. 1.12 (нижний график) показано распределение электронов характерное для металлов или вырожденных полупроводников, т.е полупроводников имеющих настолько высокую концентрацию примесей, что в них уровень Ферми попадает в разрешенную зону и их проводимость становится близкой к металлической. Из распределения рис. 1.12 можно сделать один важный вывод, то в проводимости металлов могут участвовать не все электроны, а только те энергия которых лежат вблизи уровня Ферми (в объемном случае вблизи поверхности Ферми). Действительно в электрическом поле электрон приобретает энергию, следовательно он должен перемещаться на уровень расположенный выше его начального состояния, а сделать это возможно только в том случае, если лежащий над ним уровень не занят (запрет Паули), такая ситуация имеет место только для электронов расположенных в энергетической области непосредственно примыкающей к уровню Ферми. В собственных полупроводниках и не вырожденных легированных полупроводниках вероятность нахождения электронов в зоне проводимости мала (много меньше 0,5), вероятность нахождения электрона в валентной зоне велика (много больше 0,5), следовательно уровень вероятность нахождения электрона на котором равна 0,5 (уровень Ферми) должен находиться между зоной проводимости и валентной зоной, т.е. лежать в запрещенной зоне. Действительно для невырожденных полупроводников уровень Ферми всегда находится в запрещенной зоне и для расчета концентрации электронов находящихся в зоне проводимости и дырок находящихся в валентной зоне можно вместо уровня Ферми воспользоваться распределением Больцмана. Рассчитаем концентрацию электронов проводимости: (1.13) где c – эффективная плотность состояний в зоне проводимости, она зависит от форма зоны - Е(p) и температуры (слабо). , (1.14) где m - эффективная масса электронов в зоне проводимости, m – масса о электрона, k- постоянная Больцмана, h- постоянная Планка . Для того, чтобы рассчитать количество дырок в зоне проводимости учтем, что вероятность заполнения энергетического уровня дыркой равна: (1.14) Рассчитаем концентрацию дырок в валентной зоне: (1.15) где v – эффективная плотность состояний в валентной зоне. (1.16) Рассчитаем концентрацию электронов и дырок в собственном полупроводнике. Для этого мы должны определить для него положение уровня Ферми. Положение уровня Ферми в полупроводниках определяется из условия электронейтральности. (1.18) Поскольку (Ec Ev)/2 >>(k /2)l ( v/ c), то мы получили, что в собственном полупроводнике уровень Ферми лежит примерно посередине запрещенной зоны и его положение слабо зависит от температуры. Обозначим концентрацию носителей в собственном полупроводнике через i2 и рассчитаем чему равно произведение концентрации электронов и дырок, а так же значение i2: (1.19) Т.е. концентрация электронов и дырок растет с температурой по экспоненциальному закону с показателем равным половине ширины запрещенной зоны.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Философия для аспирантов

Его суть в том, что исходный объект изучения заменяется его математической моделью, экспериментирование с которой возможно при помощи программ, разработанных для ЭВМ. В математическом моделировании видятся большие эвристические возможности, так как "математика, точнее математическое моделирование нелинейных систем, начинает нащупывать извне тот класс объектов, для которых существуют мостики между мертвой и живой природой, между самодостраиванием нелинейно эволюционирующих структур и высшими проявлениями творческой интуиции человека" [1]. 1 Князева Е. Н., Курдюмов С. П. Синергетика как новое мировидение: диалог с И. Пригожиным // Вопросы философии. 1992. № 12. С. 19. На базе фундаментальных знаний быстро развиваются сформированные в недрах физики микроэлектроника и наноэлектроника. Электроника - наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых для пере 142 дачи информации. И если в начале XX в. на ее основе было возможно создание электронных ламп, то с 50-х гг. развивается твердотельная электроника (прежде всего полупроводниковая), а с 60-х гг. микроэлектроника на основе интегральных схем

скачать реферат Технология получения монокристаллического Si

К недостаткам метода БЗП относится значительная радиальная неоднородность распределения удельного сопротивления (20—30 %) получаемых кристаллов, которую можно уменьшить использованием трансмутационного легирования. Монокристаллы кремния, получаемые методом БЗП, составляют около 10 % общего объема производимого монокристаллического кремния и идут в основном на изготовление дискретных приборов, особенно тиристоров большой мощности. Дефекты монокристаллического Si Кристаллы кремния, получаемые методами Чохральского и БЗП для целей твердотельной электроники, в подавляющем большинстве являются бездислокационными. Основными видами структурных дефектов в них являются микродефекты (МД) размером от долей нанометров до нескольких микрометров с концентрацией 107 см-3 и более. Различают в основном три вида МД: дислокационные петли, стабилизированные примесью, и их скопления (А- дефекты); сферические, удлиненные или плоские примесные преципитаты и частицы плотной кремниевой фазы (В-дефекты) и скопления вакансий (Д- дефекты).

Шкатулка музыкальная "Два сердца", 22x15x8 см, арт. 24808.
Состав: пластик, элементы металла, стекло. Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Музыкальный механизм с ручным заводом. Товар не
1028 руб
Раздел: Шкатулки музыкальные
Настольная игра "Спящие королевы" (делюкс).
Проснитесь и играйте! Королева Роз, Королева Тортов и десять их ближайших подруг заснули, поддавшись сонным чарам и именно вам предстоит
961 руб
Раздел: Карточные игры
Карандаши цветные "Colorino Kids", трехгранные, 18 цветов + точилка.
Трехгранный профиль. Яркие, насыщенные цвета. Отстирываются с большинства обычных тканей. Специальная SV технология вклеивания
333 руб
Раздел: 13-24 цвета
 Журнал «Компьютерра» 2008 № 21 (737) 03.06.2008

Сначала заменили ракеты Tartar и Terrier. На смену "Тартару" пришла ракета RIM-66 Standard, она же SM-1MR. "Терьер" был замещен изделием RIM-67 Standard, или SM-1ER. "Стандартные" ракеты первого семейства — "тетушки" современной ИТ-отрасли. Дело в том, что их родовой чертой была твердотельная электроника, на интегральных схемах, сменившая электронику дискретную (в том числе на электронновакуумных приборах). Это резко сократило массогабаритные характеристики систем управления и повысило их надежность, а также способствовало развитию полупроводниковой отрасли — массового гражданского спроса на ее продукцию тогда еще не было. Кроме того, все внутренние источники энергии для семейства Standard стали электрическими — ракеты избавились от гидравлики и пневматики, остались только стандартные электрические разъемы. Это резко упростило обслуживание и предпусковую подготовку, а также удлинило сроки хранения. После ряда модернизаций семейство Standard породило поколение SM-2. Его главное отличие в том, что ракеты RIM-156 Standard Extended Range Block IV (SM-2ER VLS capable) получили возможность стартовать с вертикальной пусковой установки VLS комплекса, став основой ракетной ПВО кораблей флота США практически всех классов

скачать реферат Естественно-научные концепции развития микроэлектронных и лазерных технологий

Естественно-научные концепции развития микроэлектронных и лазерных технологий Электроника - наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств (вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых), используемых для передачи, обработки и хранения информации. Возникла она в начале ХХ века. На ее основе были созданы электровакуумные приборы. С начала 50-х годов интенсивно развивается твердотельная электроника, прежде всего полупроводниковая. В начале 60-х годов возникла микроэлектроника - наиболее перспективное направление электроники, связанное с созданием приборов и устройств в микроминиатюрном исполнении и с использованием групповой технологии их изготовления. Возникновение микроэлектроники вызвано непрерывным усложнением функций и расширением областей применения электронной аппаратуры, что требовало уменьшения ее габаритов и массы, повышения быстродействия и надежности. Основу электронной базы микроэлектроники составляют интегральные схемы, выполняющие заданные функции блоков и узлов электронной аппаратуры, в которых объединено большое число микроминиатюрных элементов и электрических соединений, изготовляемых в едином технологическом процессе.

 Современный Энциклопедический словарь

К электромузыкальным инструментам принадлежат терменвокс, электрогитары, электроорганы и др. Применяются главным образом в эстрадной и рок-музыке, а также в киномузыке. ЭЛЕКТРОНИКА, наука о взаимодействии заряженных частиц (электронов, ионов) с электромагнитными полями и методах создания электронных приборов и устройств (вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых), используемых в основном для передачи, хранения и обработки информации. Возникла в начале 20 в. Первоначально развивалась вакуумная электроника; на ее основе были созданы электровакуумные приборы. С начала 50-х гг. интенсивно развивается твердотельная электроника (главным образом полупроводниковая); с начала 60-х гг. — одно из перспективных ее направлений — микроэлектроника. После создания молекулярного генератора (1955) началось развитие квантовой электроники. Приборы и устройства электроники широко используются в системах связи, в автоматике, вычислительной технике, медицине, быту и т. д. ЭЛЕКТРОННАЯ ВЁРСТКА, автоматизированный процесс формирования полос печатных изданий с использованием средств вычислительной техники

скачать реферат Основные материалы микроэлектроники, применяемые в процессе ее развития

Эти материалы относят к бесщелевым полупроводникам. Запрещённая зона в них отсутствует при любых воздействиях, не меняющих симметрию кристаллической решётки: нагрев и охлаждение в определенном температурном интервале, всестороннее сжатие, введение примесей. Сплавы висмута с сурьмой, наоборот, приобретают новые свойства при различных внешних воздействиях. Так, например, под действием всестороннего давления, магнитного поля, при изменении химического состава этот материал может перейти в состояние, не имеющее запрещённой зоны. В некоторых сплавах системы висмут-сурьма под действием мощного магнитного поля образуются экситонные фазы, которые представляют собой электроны и дырки, объединенные в устойчивые комплексы, напоминающие атомы водорода и обладающие исключительно интересными свойствами. Эти свойства сейчас интенсивно изучаются с целью практического использования. Выводы Бурное развитие твердотельной электроники началось с изобретения транзистора в 1948 г. Микроэлектроника – это способ организации электронных процессов, который позволяет обрабатывать информацию в малых объёмах твёрдого тела. Основная тенденция микроэлектроники, устойчиво сохраняющаяся уже более 40 лет – повышение степени интеграции .

скачать реферат История развития твердотельной электроники

Содержание Первые опыты О.В. Лосев Военный трамплин Открытие Европейский аналог Заключение Литература Ровно 54 года назад американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли (рис. 1) была присуждена Нобелевская премия по физике «За исследования в области полупроводников и открытие транзистора». Тем не менее, анализ истории науки однозначно свидетельствует, что открытие транзистора — это не только заслуженный успех Бардина, Браттейна и Шокли. Джон Бардин Уолтер Браттеин Уильям Шокли Рисунок 1 - Лауреаты нобелевской премии по физике за 1956 год. 1. Первые опыты Рождение твердотельной электроники можно отнести к 1833 году. Именно тогда Майкл Фарадей, экспериментируя с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость данного вещества (а это был, как мы теперь называем, полупроводник) растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в данном случае уменьшается. Почему так происходит? С чем это связано? На эти вопросы Фарадей ответить не смог. Следующей вехой в развитии твердотельной электроники стал 1874 год.

скачать реферат Молекулярная электроника- электроника 21 века

Однако, только с появлением работ Картера и Авирама стали говорить о молекулярной электронике, как о новой междисциплинарной области, включающей физику, химию, микроэлектронику и компьютерную науку, и ставившую своей целью перевод микроэлектроники на новую элементную базу -молекулярные электронные устройства. Здесь определенно напрашивается аналогия с историей развития устройств точного времени, которые прошли путь от механических хронометров, использующих различного типа маятники, через кварцевые часы, основанные на твердотельных резонансах, и, наконец, сегодня наиболее точные часы используют внутримолекулярные эффекты в молекулах аммиака и т.д. Подобным образом развивается и электроника, прошедшая путь от механических электромагнитных реле и электровакуумных ламп к твердотельным транзисторам и микросхемам, а сегодня она подошла к порогу, за которым лежит область молекулярной технологии. Не случайно, что основное внимание было сосредоточено на молекулярных системах. Во-первых, молекула представляет собой идеальную квантовую структуру, состоящую из отдельных атомов, движение электронов по которой задается квантово-химическими законами и является естественным пределом миниатюризации.

скачать реферат Решение творческих задач методом блочных альтернативных сетей: объектно-ориентированные представления

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Факультет Кибернетики Кафедра Интеллектуальных технологий и систем (ИТС) Курсовая работаТема: Решение творческих задач методом блочных альтернативных сетей: объектно-ориентированные представления. Студенты: Группа: АИ-1-91 Руководитель: Нечаев В. В. Москва 1996 г. Задание на курсовое проектирование по дисциплине «Основы теории творческой деятельности» студентам группы АИ-1-91. 1. Тема исследования : решение творческих задач методом блочных альтернативных сетей для объектно-ориентированных систем. 2. Исходные данные: 1. Теория концептуального метамоделирования. 2. Методы решения системных задач. 3. Список литературы. 4. Методические указания к курсовому проектированию. 5. Конспект лекций. 6. Тема дипломного проекта. 3. Перечень вопросов, подлежащих разработке: 1. Описание проблемной области задач, выносимой на дипломный проект. 2. Проведение анализа конкретной задачи, выносимой на курсовую работу. 3. Выбор и обоснование метода решения задачи. 4. Анализ и описание метода решения задачи. 5. Описание решения задачи на основе выбранного метода. 4. Календарный план-график работы: 1. Получение задания 21.04.96. 2. Анализ задания, подбор и изучение литературы 25.04.96. 3. Разработка концептуальной метамодели объекта моделирования 09.05.96. 4. Оформление пояснительной записки и сдача проекта на проверку 21.05.96. 5. Защита курсового проекта 24.05.96. Руководитель .(Нечаев В. В.) (подп.) Исполнители (подп.)

Игрушка "Музыкальная сова".
Музыкальная сова танцует и машет крылышками с мигающими огоньками! А ещё она рассказывает сказки: "Курочка Ряба",
653 руб
Раздел: Животные
Копилка "Яблоко".
Принцип работы: копилка "заглатывает" монетку положенную на "язычок". Присутствуют звуковые эффекты.
368 руб
Раздел: Копилки
Мешок для обуви "Синий", 33х40 см.
Мешок для обуви. Размер: 33х40 см.
315 руб
Раздел: Сумки для обуви
скачать реферат Лауреаты нобелевской премий по физике

КАПИЦА Петр Леонидович КАПИЦА Петр Леонидович (1894-1984), российский физик, один из основателей физики низких температур и физики сильных магнитных полей, академик АН СССР (1939), дважды Герой Социалистического Труда (1945, 1974). В 1921-34 в научной командировке в Великобритании. Организатор и первый директор (1935-46 и с 1955) Института физических проблем АН СССР. Открыл сверхтекучесть жидкого гелия (1938). Разработал способ сжижения воздуха с помощью турбодетандера, новый тип мощного сверхвысокочастотного генератора. Обнаружил, что при высокочастотном разряде в плотных газах образуется стабильный плазменный шнур с температурой электронов 105—106 К. Государственная премия СССР (1941, 1943), Нобелевская премия (1978). Золотая медаль имени Ломоносова АН СССР (1959). БАСОВ Николай Геннадиевич БАСОВ Николай Геннадиевич (р. 1922), российский физик, один из основоположников квантовой электроники, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1966), дважды Герой Социалистического Труда (1969, 1982). Окончил Московский инженерно-физический институт (1950). Труды по полупроводниковым лазерам, теории мощных импульсов твердотельных лазеров, квантовым стандартам частоты, взаимодействию мощного лазерного излучения с веществом.

скачать реферат Фуллерены

Другой, менее интенсивный пик, соответствующий массе 840 у.е.м., связывался с молекулой С70. Захватывающая история этого открытия подробно изложения в нобелевских лекциях Крото, Смолли и Керла. Новая аллотропная модификация углерода получила название «фуллерены». Открытие в 1990 году Крэчмером метода получения фуллеренов в макроскопических количествах дало начало интенсивным исследованиям и привело к появлению фактически новых разделов физики твердого тела, химии ароматичеких соединений, молекулярной электроники. Фуллерены представляют собой устойчивые многоатомные кластеры углерода с числом атомов от нескольких десятков и выше. Число атомов углерода в таком кластере не произвольно, а подчиняется определенной закономерности. Форма фуллеренов – сфероид, грани которого образуют пяти- и шестиугольники. Согласно геометрическому расчету, проведенному еще Эйлером, для построения такого многогранника необходимо, чтобы число пятиугольных граней было равно двенадцати, число же шестиугольных граней может быть произвольно.

скачать реферат Никола Тесла - чернокнижник ХХ века

Он продемонстрировал свои опыты, проводимые им с электричеством, к которому относится как к живому существу, с которым разговаривает и которому отдает приказания. Речь идет о высшей степени спиритуальной личности. Вне сомнения, что он обладает духовностью высшего уровня и в состоянии признать всех наших богов. В его электрических многокрасочных огнях появились все наши Боги: Вишну, Шива, и я почувствовал присутствие самого Брамы". И правда, похоже, это не просто электротехнические фокусы – а маленькие проповеди Теслы, старающегося объяснить секрет той силы, к которой он сам подошел вплотную. "В определенные моменты я замечал, что весь воздух вокруг меня наполнен языками настоящего пламени. Их интенсивность вместо того, чтобы убывать, нарастала и достигла максимума в возрасте двадцати пяти лет. Однажды у меня было чувство, что пламенем охвачен и мой мозг, и маленькое сердце сияет у меня в голове" – пишет Никола Тесла в своих дневниках. Он чувствует то, что позднее сформулирует как свою «теорию эфира». По его мнению, все пространство и здесь, на земле, и в глубоком космосе, наполнено энергией. Она – повсюду. И ее можно было бы передавать на расстоянии, или получать прямо из воздуха, если понять, как правильно это сделать И, кажется, Тесла открывает этот секрет.   Он начинает опыты с токами высокой частоты, получаемых с помощью специального трансформатора (он так и называется ныне в электронике – «трансформатор Теслы») и читает лекции о своих открытиях – сперва в Америке, а затем в Европе.

скачать реферат Методы дозиметрии

В клинической дозиметрии распространены ионизационные методы, в которых детектором служат ионизационная камера, твердотельные люминесцентные кристаллы, полупроводники. Последние привлекают малыми размерами детектора. Литература Профессор И. Н. Бекман «курс лекций по ядерной медицине» В. И. Иванов «Курс дозиметрии» Ярмоненко С.П., Вайнсон А.А. «Радиобиология человека и животных» Журнал «Український медичний часопис» - №1 (39), I/II 2004 Машкович В. П. Защита от ионизирующих излучений Матвеев А.В., Козаченко В.И., Котов В.П. Практикум по дозиметрии и радиационной безопасности Интернет ресурсы:

скачать реферат Особенности государственно-политического развития русских княжеств в период федеральной раздробленности

Она обладала огромным государственнообразующим потенциалом и высокоразвитой сферой феодальных институтов. И только ордынское разорение, вызвавшее крайне тяжёлые последствия, предопределило деформацию естественного хода исторического развития. Киевская Русь сыграла выдающуюся роль в истории славянских народов. Становление феодальных отношений и завершение процессов формирования единого Древнерусского государства положительно сказались на этническом развитии восточнославянских племен, которые постепенно складывались в единую древнерусскую народность. В ее основе лежали общая территория, единый язык, общая культура, тесные экономические связи. Библиографический список литературы Данилевский И.Н. Древняя Русь глазами современников и потомков (IX - XII вв.): Курс лекций / И.Н. Данилевский. - М., 2001. Земцов Б.Н. Общественный строй Киевской Руси ХI-ХII вв. // История государства и права. – 2004. - № 5. – С. 44-47. Исаев И.А. История государства и права России / И.А. Исаев. - М.: Юристъ, 2002. – 786 с. История государства и права России / Под ред. С.А. Чибиряева. - М., 2000. – 715 с. История Отечества. Учебник / под ред. акад. Рыбакова Б. А. — М. Аст, 1993. История отечественного государства и права / Под ред. О.И. Чистякова. - М., 2003. Карамзин Н.М. История государства Российского. — Л. Худ. л-ра. 1989 Киевская Русь. Методические указания по теоретическому изучению курса / Сост.: Попова Т.Г., Оганесян М.Н. - М.: Моск. гос. институт электроники и математики, 1998.

Кондиционер для белья Cj Lion "Porinse Aroma Capsule", с ароматом розы, 2,1 л.
Кондиционер для белья Cj Lion "Porinse Aroma Capsule" наполнит ваши вещи нежным цветочным ароматом и надолго сохранит его на
346 руб
Раздел: Ополаскиватели, кондиционеры
Мозаика с прозрачным полем, 40 мм, 100 деталей.
Прозрачное поле + 5 картинок-шаблонов.
490 руб
Раздел: Пластмассовая
Трехколесный велосипед Funny Jaguar Lexus Trike Original Volt (цвет: серебро).
Трехколесный велосипед подходит для детей от 1 года. Велосипед Volt заряжает своей энергией, зовет в дорогу. Характеристики: - удобное
2400 руб
Раздел: Трехколесные
скачать реферат История изобретения транзистора

Бардин мгновенно оценил ошибку. А 16 декабря 1947 г. у них заработал твердотельный усилитель, который и считают первым в мире транзистором. Устроен онбыл очень просто – на металлической подложке-электроде лежала пластинка германия, в которую упирались два близко расположенных (10-15 мкм) контакта. Оригинально были сделаны эти контакты. Треугольный пластмассовый нож, обернутый золотой фольгой, разрезанной надвое бритвой по вершине треугольника. Треугольник прижимался к германиевой пластинке специальной пружиной, изготовленной из изогнутой канцелярской скрепки. Через неделю, 23 декабря 1947 г. прибор был продемонстрирован руководству фирмы, этот день и считается датой рождения транзистора. Все были рады результатом, кроме Шокли: получилось, что он, раньше всех задумавший полупроводниковый усилитель, руководивший группой специалистов, читавший им лекции по квантовой теории полупроводников – не участвовал в его создании. Да и транзистор получился не такой, как Шокли задумывал: биполярный, а не полевой. Следовательно на соавторство в «звездном» патенте он претендовать не мог.

скачать реферат Методы анализа транзисторных усилительных каскадов

Для схемы с ОЭ выбор величины СБ осуществляется исходя из заданной величины частотных искажений МН: (6.67)Кроме того необходимо отметить, что если приводимая в справочниках информация не является для практических расчетов достаточной, то используют рассмотрение свойств усилительных приборов, основанное на использовании их физических эквивалентных схем. Одной их наиболее используемых моделей в данном случае является модель Эберса-Молла, определяющая взаимосвязь выходного тока транзистора и разности потенциалов на его эмиттерном переходе. Применение данной модели предлагается изучить самостоятельно по пособию: Богданов Н.Г., Лисичкин В.Г. Основы радиотехники и электроники. Часть 6.: - Орел: ВИПС, 1999. - С.74-80. Библиографический список Стеблянко В.Д. Усилители электрических сигналов. Курс лекций. Орел- С.18-40. Павлов В.Н., Ногин Б.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. - М.: Радио и связь, 1997. - С.23-70

скачать реферат Усилители на биполярных транзисторах

В первую очередь к ним относятся: коэффициент усиления, амплитудно-частотная характеристика, входное сопротивление и т.п. Различают положительную (ПОС) и отрицательную (ООС) обратные связи. Возникающие помимо желания разработчика обратные связи принято называть паразитными. Для реализации обратных связей могут использоваться самые разнообразные схемотехнические решения. В общем случае в транзисторных усилительных каскадах имеет смысл различать обратную связь по току и обратную связь по напряжению. Вообще, изучение видов, способов реализации и характера влияния различных ОС на усилительные каскады не относится к задаче этой книги. Для подробного изучения теории обратной связи следует обратиться к специальной литературе (см. список литературы в конце книги). Однако в дальнейшем при описании конкретных схем будут приводиться и варианты включения в них различных цепей ОС, оказывающих положительное влияние на характеристики и параметры. Список литературы Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. — М.: Радио и связь, 2005 Булычев А.Л. и др. Электронные приборы: Учебник. — М.: Лайт Лтд., 2008 Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. — М.: Горячая Линия — Телеком, 2009 Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. — СПб.: Корона-принт, 2008 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.— М.: 2007 Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. — М.: Мир, 2003.

скачать реферат Развитие в России работ в области нанотехнологий

В электронике и оптоэлектронике - расширение возможностей радиолокационных систем за счет применения фазированных антенных решеток с малошумящими СВЧ-транзисторами на основе наноструктур и волоконно-оптических линий связи с повышенной пропускной способностью с использованием фотоприемников и инжекционных лазеров на структурах с квантовыми точками; совершенствование тепловизионных обзорно-прицельных систем на основе использования матричных фотоприемных устройств, изготовленных на базе нанотехнологий и отличающихся высоким температурным разрешением; создание мощных экономичных инжекционных лазеров на основе наноструктур для накачки твердотельных лазеров, используемых в фемтосекундных системах. В информатике - многократное повышение производительности систем передачи, обработки и хранения информации, а также создание новых архитектур высокопроизводительных устройств с приближением возможностей вычислительных систем к свойствам объектов живой природы с элементами интеллекта; адаптивное распределение управления функциональными системами, специализированные компоненты которых способны к самообучению и координированным действиям для достижения цели.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.