телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для животных -30% Электроника, оргтехника -30% Рыбалка -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Численный расчет диода Ганна

найти похожие
найти еще

Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
19 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Использование программы-модели К данному курсовому проекту прилагается специальная программа, предназначенная для расчета диода Ганна, а также ее исходные коды на языке «Objec Pascal» («Delphi 4.0»). Данная программа предназначена только для учебного использования и не должна использоваться для любых серьезных исследований, так как она не имеет должной защиты от ошибок пользователя и системных сбоев. Герантировать нормальную работу производитель может только при условии внимательного прочтения данных рекомендаций. При запуске программы не ее окне может отсутствовать окно графиков. Это не является признаком ее неправильной работы. Окно появляется после первого расчета. Допустимые значения, вводимые в поля программы, таковы: 1. «Длина кристалла» - не рекомендуется вводить значения, меньшие 0,1 мкм. 2. «Число шагов по длине» - не следует вводить числа, меньшие 3 и большие 5.000 (хотя работоспособность программы может сохраниться и при вводе чисел до 3.000.000). 3. «Начало переходной области» - участок, где легирование начинает уменьшаться, поэтому это число не должно быть больше п.2. 4. «Конец переходной области» - участок, где уровень легирования достигает уровня легирования тела кристалла. 5. «Частота внеш. напряжения» - не особенно критичный параметр, может принимать любые разумные значения. 6. «Амплитуда внешнего напряжения» - V? должна быть в перделах нескольких десятков вольт. 7. «Смещение нуля» - напряжение V0, имеет смысл только в пределах нескольких десятков вольт. 8. «Время наблюдения» - время, за которое производится наблюдение. При его увеличении заметно расплывание домена и изменение его свойств. Очень критичный параметр как по устойчивости программы, так и по времени нахождения решения. Не стоит без особой надобности устанавливать этот параметр менее 0,01 пс или более 10 нс. В первом случае задача расходится, а во втором – время работы может быть очень значительным. Работа с графиками. Данная программа отображает графики характеристик только после очередного цикла работы. Предустановленными являются не все характеристики, поэтому может потребоваться включить их вручную – установив птички в соответствующих клеточках. При этом изменения вступят в силу после очередного цикла работы. Все характеристики названы так, как переменные в программе, что призвано облегчить понимание ее исходного кода. Пример расчета диода Ганна. Выберем параметры такими: Длина кристалла – 3 мкм; Число шагов по длине – 200; Начало переходной области – 10; Конец переходной области – 20; Частота внеш. напряжения – 35 ГГц; Амплитуда внеш. напряжения – 2 В; Смещение нуля – 4 В; Время наблюдения – 4 пс. На иллюстрации приведены некоторые графики, расчитанные программой. Тут хорошо заметны процессы разогревания электронов электрическим полем и образование доменов. График салатного цвета – импульс тока, движущийся от катода к аноду. Если наблюдать эти процессы в динамике, станет видно, что сначала скорость электронов и сила тока растут, и домен, уплотняясь, движется к аноду. Достигнув своей максимальной плотности но еще не дойдя до анода, домен начинает распадаться, «втягиваясь» в анод. Потом процесс повторяется циклически. -----------------------

Уравнения сохранения заряда для нижней и верхней долины соответственно: Тут u1,2 – скорость потока электронов в верхней и нижней долинах соответственно; 12 и 21 – время перехода из нижней долины в верхнюю и из верхней в нижнюю соответственно. Уравнение сохранения энергии для нижней долины можно переписать следующим образом: В данной формуле E1 – средняя энергия электронов в нижней долине; а индекс «ст» означает скорость изменения энергии электрона в нижней долине вследствие столкновения с фононами; индекс «1-2» означает скорость изменения энергии вследствие междолинного перехода; 1u 1E – скорость разогрева электронов полем. Скорость изменения энергии электронов вследствие столкновений и междолинных переходов может быть представлена в виде где Е0 – энергия, соответствующая температуре решетки; e1 – время релаксации электронов по энергии. Появление в данной формуле ? связано с тем, что из нижней долины в верхнюю могут попасть только высокоэнергетичные электроны с энергией, большей ?. Если предположить, что распределение электронов в нижней долине характеризуется статистикой Максвелла, когда и обозначить в качестве температуры (в вольтах) величину то окончательно уравнение закона сохранения энергии в нижней долине примет вид: В верхней долине температура электронов принимается равной Т2=Т0. Статическая температурная модель Недостатком температурной модели является тот факт, что величины 12, 21 и e1 не являются такими четко измеряемыми характеристиками, как пороговое поле эффекта Ганна, пороговая скорость, скорость насыщения. Поэтому, для определения параметров модели необходимо определить их соответствие измеряемым характеристикам, прежде всего – характеристики скорость-поле. Для этого надо вычислить статическую характеристику скорость- поле по температурной модели и подобрать параметры модели так, чтоб она соответствовала измеряемой характеристике. Для этого в уравнениях динамической модели необходимо приравнять нулю производные по времени и пространственной координате. Кроме того, требуется учесть еще несколько физических моментов. Рассмотрим скорость перехода электронов из долины в долину. В стационарном режиме скорости этих переходов равновероятны. В нижней долине переход могут совершить только электроны с энергией, большей, чем ширина междолинного зазора. Вероятность иметь эту энергию: где А зависит от общего количества электронов в долине и плотности состояний в верхней долине. В верхней долине вероятность (скорость) перехода пропорциональна количеству электронов в верхней долине и плотности состояний в нижней. В итоге должно выполняться равенство: При этом R=P2/P1 – отношение плотности состояний в верхней долине к плотности состояний в нижней долине определяется соотношением эффективных масс и количеством долин. Для арсенида галлия R составляет около 60. Соответственно: Из принципа детального равновесия, т.е. условия равенства скоростей перехода, должно выполняться: Что и дает соотношение между временами миждолинного перехода. Рассмотрение баланса импульса следует проводить в предположении, что после перехода из долины в долину средний импульс перешедших электронов равен нулю, и они должны будут набирать характерный импульс miVi.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Революция в физике

Поскольку электроны подчиняются принципу Паули, они должны описываться статистикой Ферми Дирака. Простой численный расчет показывает, что условия, в которых находятся электроны внутри металла, весьма отличаются от условий существования атомов обычного газа. Для этих последних результаты, полученные с помощью статистики Ферми Дирака, не сильно отличаются от результатов, которые дает классическая статистика. Что же касается электронов внутри металла, то там, наоборот, статистика Ферми приводит к иным результатам, чем статистика Больцмана. Это различие прямое следствие необычайно малой массы электрона по сравнению с массой атома. Если предположить, что справедлива квантовая статистика, то нужно пересмотреть теории Друде и Лоренца. Это и сделал Зоммерфельд. Он сохранил правильные результаты старой теории, внеся в них поправки, и разрешил большое число возникших в ней трудностей. Например, он легко объяснил, исходя из положений статистики Ферми Дирака, почему свободные электроны не вносят заметного вклада в теплоемкость металлов и, следовательно, почему их теплоемкость почти не отличается от теплоемкости, найденной без учета свободных электронов

скачать реферат Исследование возможности использования эффекта автодинного детектирования в генераторах на диоде Ганна для контроля параметров вибрации

Существование частотных зависимостей объясняется чисто математическими особенностями машинных методов вычисления интегралов ( в частности метода трапеций ), оказывающих свое влияние на вычисления выражений (4.29) и (4.30). Кроме того, на вычисления повлиял тот факт, что в выражении (4.28) L( ) принимает значения L0 dl(1-0.8) в течение большего ~ промежутка времени, чем остальные значения, что приводит к нн суммированию в основном крайних значений Pсвч(L) и Vдет(L). С ростом частоты вибрации эти эффекты становятся менее заметными, чтот приводит к исчезновению частотных зависимостей. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ~~~~~~~~~~~~~ При выполнении дипломной работы были получены следующие результаты: 1. Проведен анализ современного состояния проблемы измерения параметров вибрации. 2. Построена теоретическая модель автодинного генератора на диоде Ганна, описано влияние пространственного положения нагрузки на параметры элементов эквивалентной схемы. 3. На основе построенной модели составлено две программы для расчета параметров автодина на диоде Ганна. 4. Проведено моделирование работы автодина на диоде Ганна при различных напряжениях питания диода Ганна.

Блюдо для блинов "Спелая смородина", 24,5x28x3 см.
Блюдо для блинов. Размер: 24,5x28x3 см. Материал: фарфор.
619 руб
Раздел: Прочее
Игра логическая "IQ-Колечки".
Сможете ли вы найти недостающее звено? Расставьте все детали головоломки на игровом поле. Будь внимателен! Звеньев деталей 36, а свободных
680 руб
Раздел: Игры логические
Кепка "Zabivaka", детская, размер 52.
Этот обаятельный, улыбчивый символ Чемпионата мира по футболу ещё и сувенир в память о событии мирового масштаба на всю жизнь! Размер: 52.
471 руб
Раздел: Брелоки, магниты, сувениры
 Почему мы не слетали на Луну?

Отсутствие из-за ограниченности средств и сжатости сроков некоторых исключительно нужных стендов сыграло свою негативную роль в отработке его надежности. Впервые ЦНИИмашу официально заниматься вопросами надежности лунного комплекса Н1-Л3 было поручено незадолго до начала его летно-конструкторских испытаний. Институту вменялось в обязанность численное определение этого параметра комплекса перед пуском. Мне как члену государственной комиссии по испытаниям Н1-Л3 поручалось докладывать на комиссии результаты расчетов. Тогда за ЦНИИмашем еще не была закреплена обязанность перед каждым пуском космического комплекса либо пилотируемого объекта давать ответственное заключение о достаточности его наземной отработки, безопасности и безаварийности полета. Для решения задачи численного расчета показателей надежности лунного комплекса специалисты института провели статистический анализ материалов по пускам всех ракет, носителей и разгонных блоков, рассмотрели и проанализировали причины аварий каждого изделия и предложения по их устранению

скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

Связь контура диода с контуром нагрузки осуществляется за счет взаимной индуктивности, обеспечиваемой ЖИГ–сферой и ортогонально расположенными витками связи. Диапазон электрической перестройки таких генераторов, широко используемых в автоматических измерительных устройствах, достигает октавы при выходной мощности 10–20 мВт. Следует отметить, что расчет генераторов на диодах Ганна затруднен приблизительным характером данных как о параметрах эквивалентной схемы диода, так и о параметрах эквивалентной схемы колебательной системы, а также узла крепления диода (особенно на высоких частотах). Обобщенную эквивалентную схему диода Ганна обычно задают в виде, показанном на рис.11. Активную область диода представляют в виде параллельного соединения отрицательной проводимости (, значения которой в различных режимах работы могут существенно отличаться от «холодной» емкости диодной структуры зависят как от постоянного напряжения , а также частоты. Поэтому весьма актуальной является проблема непосредственных измерений параметров эквивалентной схемы диодов в реальных режимах работы. Конструкции корпусов диодов Ганна и значения их паразитных параметров не отличаются от конструкций и параметров других диодов. Рис.11. Обобщенная эквивалентная схема диода Ганна.

 Электронные системы охраны

Проработайте эту главу и проверьте все возможные свойства вашего прибора. Не забудьте проверить, как поведет себя датчик, закрепленный на потолке или перекрытии крыши. Какая форма излучателя лучше подойдет для этого расположения? Будет ли маскировка цели представлять трудности? Почему потолочное устройство будет реагировать на проникновение и избегать ложных тревог успешнее, чем первые модели "Deccalarm". ГЛАВА 16 МИКРОВОЛНОВЫЕ РАДАРНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ Как уже говорилось в главе 15, практическая потребность в устройствах, более надежных, чем "системы стоячей волны", вызвала к жизни радарные приборы. Поначалу из-за отсутствия иных пригодных технических принципов был использован ультразвук. Однако несколько позже британский ученый Джон Ганн открыл возможность получения микроволнового излучения при пропускании слабого тока через маленький полупроводниковый диод. Это изобретение вытеснило высоковольтную тяжелую лампу-клистрон как источник МКВ-излучения. Создатели систем сигнализации не замедлили взять на вооружение диод Ганна

скачать реферат Фазоимпульсный модулятор

Такой способ управления называется фазовым регулированием или фазовым управлением, фазовым модулированием поскольку при этом изменяется сдвиг фаз между импульсом и началом протекания прямого тока. 4. Синтез схемы. 4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора. Выбираем транзистор V 1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора С1 за время ?2 и выбираем двухбазовый диод Uc1 и пропускаем ток падение напряжения которого на резисторе R3 открывает тиристор V 4. Выбираем тиристор V 4, напряжение VБ12 которого меньше 30B и время отпертого состояния которого соответствует времени ?1. Численный расчет схемы. Выбираем транзистор МП42Б служащий для устройств переключения и с небольшим сопротивлением RКЭ, которые в основном определяется сопротивлением коллектора rk Выбираем тиристор К4104Б со следующими характеристиками: Постоянный ток в закрытом состояние Iзс = 0,5мВ Отпирающий постоянный ток управления IY от=20мА Отпирающее постоянное напряжение управления UУ от=2В Напряжение в открытом состояние UОС=2В Неотпирающее постоянное напряжение управления UУНОТ=0,1В Время включения вкл=0,29мkс Время выключения выкл=2,5мkс Предельно допустимые параметры: Постоянное напряжение в закрытом состояние UЗ с max=30B Постоянное обратное напряжение UОБР max=6B Постоянный ток в открытом состоянии IОС mi =0,1A Постоянный прямой ток управления IУ mi 0=0,03B Средняя рассеиваемая мощность PСР РАС=0,2В Выбираем двухбазовый или управляемый диод, или однопереходной транзистор ОПТ: К117А со следующими предельно допустимыми параметрами: Ток эмиттера IЭ max=50мА Ток эмиттер-база IЭБО max=1мкА Ток включения IВКЛ max=20мкА Ток выключения IВЫКЛ mi =1мА Напряжение на базах UБ12 max=30B Напряжения насыщения эмиттер-база Umax ЭБ нас=5В при IЭ=50мА Коэффициент К К=0,6 Сопротивление между базами RБ12=6кОм UЭК=0,6·27=16,2 Выводы по работе.

скачать реферат Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

На этом же рисунке приведена зависимость мощности выходного сигнала РCВЧ СВЧ- генератора на диоде Ганна от перемещения короткозамыкающего поршня. Зависимости величины продетектированных в НЧ (1) и СВЧ (2) цепях сигналов и зависимость мощности выходного сигнала (3) от положения короткозамыкающего поршня. Рис 3.2. Заключение. При выполнении дипломной работы были получены следующие результаты: 1. Проведен анализ современного состояния проблемы измерения параметров материалов и структур с помощью эффекта автодинного детектирования. 2. Построена теоретическая модель многоконтурного автодинного генератора на диоде Ганна, разработана и описана эквивалентная схема. 3. На основе построенной модели составлена программа для расчета параметров многоконтурного генератора на диоде Ганна. 4. Проведено компьютерное моделирование работы многоконтурного автодина на диоде Ганна. 5. Теоретически и экспериментально исследованы особенности проявления эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания.

скачать реферат Автоматизация процесса спекания аглошихты

Характеристики пыли могут быть использованы для управления законченностью процесса спекания. НПО «Энергосталь» (г. Харьков) разработали экспоненциально-степенную аналитическую аппроксимацию эмпирически приближенно известного начального распределения локальных температур в слое агломерата, изготовленного на подвижной ленте агломашины , удобна для использования в соответствующих теплотехнических расчетах, в частности, при численном расчете температур в последующей зоне активного воздушного охлаждения агломерата. Для создания совершенной системы управления ходом агломерационного процесса необходим поиск надежных методов количественной оценки связей между основными технологическими параметрами работы агломашины . Целью исследования Магнитогорского горно-металлургического института в 1991 году была разработка методики подготовки технологических данных работы агломашин для последующей их математической обработки. Разработанные на основе полученных тесных связей между технологическими параметрами рекомендации включены в технологическую инструкцию по управлению аглопроцессом на аглофабрике №4 Магнитогорского металлургического комбината.

скачать реферат Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Для их нахождения используют результаты измерений на нескольких частотах. Осуществление многопараметрового контроля упрощается, если удаётся проводить измерения в условиях, когда на результаты измерений определяющим образом влияет только один из искомых параметров. Такая ситуация, в частности реализуется, если для измерения толщины и диэлектрической проницаемости диэлектриков в этом случае применяются измерители, работающие на различных частотных диапазонах, например СВЧ и НЧ. При проведении измерений на СВЧ результат зависит как от толщины, так и от диэлектрической проницаемости диэлектрика. Если измерения на НЧ проводить используя схему, в которой диэлектрик помещается в зазор между излучателем и металлическим основанием, то результат измерений будет определяться только толщиной диэлектрика и не будет зависеть от его диэлектрической проницаемости. Определив таким образом толщину диэлектрика, по её значению и показателям преобразователя на СВЧ можно определить диэлектрическую проницаемость. Было проведено экспериментальное исследование зависимости величины продетектированного сигнала в автодинном генераторе на диоде Ганна, работающем в различных частотных диапазонах от положения СВЧ короткозамыкающего поршня.

Пенал "Автомобиль N 1".
Обтекаемый корпус, яркие цвета, стремительный силуэт - лучшие качества гоночного автомобиля есть и у нашего пенала, повторяющего его
434 руб
Раздел: Без наполнения
Подставка для колец "Собачка", 8 см.
Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Материал: металл (сплав цинка с покрытием золотой краской), стекло. Высота: 8 см. Товар не
365 руб
Раздел: Подставки для украшений
Настольная игра "Соображарий".
Сколько животных начинающихся на букву "К" вы знаете? Сможете ли за минуту назвать самое длинное слово на букву "Б"? А
490 руб
Раздел: Игры со словами
скачать реферат Квантовые компьютеры

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РФ АСТРАХАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ кафедра теоретической физики РЕФЕРАТ на тему: «Квантовые компьютеры» Выполнил: студент 154 группы ФМФ Безниско Евгений. Руководитель: к.ф.-м.н., доцент Джалмухамбетов А.У. Астрахань – 2000 г. Предпосылки создания квантовых компьютеров. Уже сейчас существует множество систем, в работе которых квантовые эффекты играют существенную роль. Одним из наиболее известных примеров может служить лазер: поле его излучения порождается квантово-механическими событиями - спонтанным и индуцированным излучением света. Другим важным примером таких систем являются современные микросхемы - непрерывное ужесточение проектных норм приводит к тому, что квантовые эффекты начинают играть в их поведении существенную роль. В диодах Ганна возникают осцилляции электронных токов, в полупроводниках образуются слоистые структуры: электроны или дырки в различных запертых состояниях могут хранить информацию, а один или несколько электронов могут быть заперты в так называемых квантовых ямах.

скачать реферат Физические основы электроники

Например, если полупроводник электронный и к нему прикладывается отрицательное напряжение, то под действием электрического поля у Рисунок 1.22 Образование обогащенного Рисунок 1.23 График изменения типа слоя на поверхности полупроводника электропроводности на поверхности -типа. полупроводника. поверхности увеличиваются концентрация электронов и электропроводность приповерхностного слоя полупроводника (см. рис. 1.22). При изменении полярности напряжения концентрация электронов в приповерхностном слое уменьшается, а дырок - увеличивается. В связи с этим электропроводность приконтактной области уменьшается, стремясь к собственной. Увеличение напряжения приводит к тому, что концентрация дырок становится выше концентрации электронов и происходит изменение (инверсия) типа электропроводности слоя. При этом электропроводность приповерхностного слоя увеличивается. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника -типа от напряжения показана на рис. 1.23. Это явление принято называть эффектом поля. 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 2.1 Классификация Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам: - методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.; - физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды. диоды Ганна и др.; - назначению: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смесительные, СВЧ-диоды и др.

скачать реферат Численный расчет диода Ганна

При этом, из-за различия эффективных масс в разных долинах, зависимость скорости электронов от величины приложенного поля такова: Это происходит в силу того, что электроны, набирая начальную скорость, находятся в нижней долине, где их эквивалентная масса мала. При некотором значении энергии электроны начинают попадать во вторую долину, теряя при этом 0,36 Эв энергии. Кроме того, в верхней долине их эквивалентная масса велика, поэтому они ускоряются полем значительно медленнее, чем в нижней. Диод Ганна работает в импульсном режиме, когда активизируется его отрицательное дифференциальное сопротивление. Для этого в теле полупроводника возле катода создается область повышенного легирования, излучающая порции (сгустки) электронной плазмы. При этом электроны концентрируются благодаря эффекту Ганна, и сгусток устремляется к аноду, вызывая во внешней цепи импульс тока. Температурная модель диодов Ганна Исследования данной проблемы методом Монте-Карло показали, что основным недостатком применяемых до сих пор методов (например, локально-полевого) является то, что они не учитывают конечность времени разогрева электронов в нижней долине и конечность времени междолинного перехода, что делает их непригодными в диапазоне миллиметровых волн.

скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

Условие слабого нарастания заряда за время приближенно запишем в виде , где ; –среднее значение отрицательной дифференциальной подвижности электронов в области . Рассасывание объемного заряда за время , будет эффективным, если и , где ; и –постоянная времени диэлектрической релаксации и подвижность электронов в слабом поле. Считая , , имеем . Это неравенство определяет интервал значений , в пределах которого реализуется режим ОНОЗ. Электронный к. п. д. генератора на диоде Ганна в режиме ОНОЗ можно рассчитать по форме тока (рис.7). При максимальный к. п. д. составляет 17%. Рис.7. Временная зависимость тока на диоде Ганна в режиме ОНОЗ. В доменных режимах частота генерируемых колебаний примерно равна пролетной частоте. Поэтому длина диодов Ганна, работающих в доменных режимах, связана с рабочим диапазоном частот выражением ,(8) где выражена в ГГц, а –в мкм. В режиме ОНОЗ длина диода не зависит от рабочей частоты и может во много раз превышать длину диодов, работающих на тех же частотах в доменных режимах. Это позволяет значительно увеличивать мощность генераторов в режиме ОНОЗ по сравнению с генераторами, работающими в доменных режимах. Рассмотренные процессы в диоде Ганна в доменных режимах являются, по существу, идеализированными, так как реализуются на сравнительно низких частотах (1–3 ГГц), где период колебаний значительно меньше времени формирования домена, а длина диода много больше длины домена при обычных уровнях легирования .

скачать реферат Современный этап развития теории экспертных оценок

В мышлении человека используются образы, слова, но не числа. Поэтому требовать от эксперта ответа в форме числа - значит насиловать его разум. Даже в экономике предприниматели, принимая решения, лишь частично опираются на численные расчеты. Это видно из условного (т.е.определяемого произвольно принятыми соглашениями) характера балансовой прибыли, амортизационных отчислений и других экономических показателей . Поэтому фраза типа "фирма стремится к максимизации прибыли" не может иметь строго определенного смысла. Достаточно спросить: "Максимизация прибыли - за какой период?" Эксперт может сравнить два объекта, дать им оценки типа "хороший", "приемлемый", "плохой", упорядочить несколько объектов по привлекательности, но обычно не может сказать, во сколько раз или на сколько один объект лучше другого. Другими словами, ответы эксперта обычно измерены в порядковой шкале, являются ранжировками, результатами парных сравнений и другими объектами нечисловой природы, но не числами. Распространенное заблуждение состоит в том, что ответы экспертов стараются рассматривать как числа, занимаются "оцифровкой" их мнений, приписывая этим мнениям численные значения - баллы, которые потом обрабатывают с помощью методов прикладной статистики как результаты обычных физических измерений.

Концентрированный стиральный порошок "Burti Compact Baby" для детского белья, 900 г.
Благодаря специальной формуле исключительная эффективность стирки сочетается с бережным уходом. Благодаря особой рецептуре, отсутствия
465 руб
Раздел: Для стирки детских вещей
Карандаши цветные "Artist", 24 цвета.
Количество цветов: 24. Толщина линии: 3 мм. Мягкое письмо. Высокое качество.
380 руб
Раздел: 13-24 цвета
Кольцедержатель "Дерево с оленем", малый, белый.
Стильный аксессуар в виде фигурки оленя с ветвящимися рогами – держатель для украшений, - выполнен из прочного пластика двух классических
375 руб
Раздел: Подставки для украшений
скачать реферат Графика в системе Maple V

Новая версия Ma LAB 5.0 это шедевр вычислительной математики. Она имеет огромное число поклонников во всем мире, несмотря на то, что ее стоимость (в варианте под Wi dows) приближается к трем тысячам долларов! Было бы неразумно пытаться обойти эту мощную систему в части эффективности выполнения численных расчетов — особенно матричных. Поэтому разработчики ряда других математических систем избрали более тонкий и умный путь — интеграции с Ma LAB.Так и система Maple V R5 автоматически интегрируется с Ma LAB 5.0 при установке обеих систем на ваш ПК. Maple V R5 имеет довольно большое число функций системы Ma LAB 5.0, которые вызываются как библиотечные функции пакета ma lab. После этого они становятся доступными для применения в документах Maple V R5 — совместно с имеющимися в последней системе функциями. 14.11. I er e -страница фирмы Wa erloo Maple I er e — глобальная сеть мирового значения, своей электронной паутиной WWW (World Wide Web) охватившая весь земной шар. По существу это совокупность огромного числа компьютерных сетей, работа в которых происходит по специальным согласованным протоколам, обеспечивающим высокую вероятность передачи информации конечному абоненту при выходе из строя многих ветвей связи.

скачать реферат Проектирование баз и хранилищ данных

И, конечно, обойтись без информационной модели производства, хранимой в базе данных, в этом случае невозможно. Тема 1. Введение. История развития баз данных В истории вычислительной техники можно проследить развитие двух основных областей ее использования. Первая область — применение вычислительной техники для выполнения численных расчетов, которые слишком долго или вообще невозможно производить вручную. Развитие этой области способствовало интенсификации методов численного решения сложных математических задач, появлению языков программирования, ориентированных на удобную запись численных алгоритмов, становлению обратной связи с разработчиками новых архитектур ЭВМ. Характерной особенностью данной области применения вычислительной техники является наличие сложных алгоритмов обработки, которые применяются к простым по структуре данным, объем которых сравнительно невелик. Вторая область — это использование средств вычислительной техники в автоматических или автоматизированных информационных системах. Информационная система представляет собой программно-аппаратный комплекс, обеспечивающий выполнение следующих функций: надежное хранение информации в памяти компьютера; выполнение специфических для данного приложения преобразований информации и вычислений; предоставление пользователям удобного и легко осваиваемого интерфейса.

скачать реферат Эффект автодинного детектирования

Целью дипломной работы являлось исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурных СВЧ-генераторах на диоде Ганна для создания измерителей параметров материалов, вибрации и выявления особенностей их работы. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них, что можно понимать как проявление эффекта детектирования . Если прибор с отрицательным сопротивлением является активным элементом СВЧ-генератора, этот эффект называют эффектом автодинного детектирования. Исследование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах позволило создать устройства, совмещающие несколько радиотехнических функций в одном элементе (например, излучение и приём электромагнитных колебаний). Автодины на полупроводниковых генераторах, получившие к настоящему времени достаточно широкое применение, используются в основном для обнаружения движущихся объектов.

скачать реферат Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией

Вычертить: принципиальную электрическую схему оконечного мощного каскада связного передатчика с частотной модуляцией. Задание на проектирование №14. В данном техническом задании необходимо спроектировать устройство (оконечный каскад связного передатчика с частотной модуляцией), удовлетворяющее следующим требованиям: Диапазон рабочих частот F, МГц.42 - 48 Мощность передатчика Р1, Вт.6 Подавление внеполосных излучений, Дб.40 Девиация частоты, кГц.5 Относительная нестабильность частоты10-5 Питание от сети 220В 50Гц: Сопротивление фидера, Ом.75 2. Выбор, описание и обоснование структурной схемыСуществует несколько способов получения частотной (ЧМ) (фазовой (ФМ)) модуляции . Угловая модуляция может быть получена прямым способом, когда модулируется непосредственно частота автогенератора передатчика, или косвенным, когда в промежуточном каскаде передатчика производится фазовая модуляция. Структурные схемы передатчиков с этими способами модуляции приведены на рис. 2.1 и 2.2. Рис. 2.1 Структурная схема передатчика с прямой ЧМ. Рис. 2.2 Структурная схема передатчика с косвенной ЧМДругими словами, прямую частотную модуляцию осуществляют: в полупроводниковых генраторах путём изменения параметров колебатльного контура с помощью варикапов, варикондов, реактивного транзистора, нелинейной индуктивности, железоитериевого граната (на частотах от нескольких сот мегагерц до десятков гигагерц); в диодных генераторах (на тунельном диоде, ЛПД, диоде Ганна) путём изменения напряжения смещения на диоде; в транзисторных RC–генераторах путём изменения режима работы транзистора (тока коллектра, напряжения смещения на переходе эмиттер-база).

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.