Травление п/п ИМС

 713 секретов производственных технологий (справочник)

Смесь оставляют стоять в теплом месте в течение недели, часто взбалтывая. Затем жидкость процеживают через сукно и хранят в подходящем сосуде до употребления. В другой склянке растворяют при нагревании в 1,5 литрах воды 30 г квасцов, процеживают и сохраняют. Предназначенный для травления предмет обрабатывается подогретым первым раствором несколько раз до получения желаемой окраски, после чего его покрывают второй, также подогретой жидкостью. Смешивать обе жидкости в одну не следует. После сушки протравленный предмет протирают с помощью тряпочки льняным маслом. 2) В последнее время сандал часто заменяют анилиновыми красками, растворимыми в воде. Преимущество анилиновых красок заключается в их большой покрывающей способности. Для имитации красного дерева очень подходит краска "Понсо". В 3 литрах воды растворяют 100 г анилина "Понсо". Этот раствор наносится на окрашиваемое дерево один или два раза, смотря по цвету, который хотят получить. 51. Протравы для имитации розового дерева. Розовое дерево отличается темно-красными жилками

 Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике

Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя или каких-либо загрязнений. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В тоже время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже невозможно. Для удаления загрязнений на поверхности и приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с материалом пластины или подложки, используют химические методы удаления. Они основаны на переводе путем химической реакции загрязнений в новые соединения, которые затем легко удаляются. Одним из таких методов является электрохимическое травление полупроводников. Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами (щелочами, кислотами, их смесями и солями). В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи.

 Биография Л Н Толстого (том 2, часть 2)

Последний обход был ночью. Л. Н-ч так рассказывает о нем: "Мы приехали в темный трактир, подняли половых и стали разбирать свои папки. Когда нам объявили, что народ узнал об обходе и уходит из квартир, мы попросили хозяина запереть ворота и сами ходили на двор уговаривать уходивших людей, уверяя их, что никто не спросит их билетов. Помню странное и тяжелое впечатление, произведенное на меня этими встревоженными ночлежниками: оборванные, полураздетые, они все мне казались высокими при свете фонаря в темноте двора; испуганные и страшные в своем испуге, они стояли кучкой около вонючего нужника, слушали наши уверения и не верили нам: очевидно, они готовы были на все, как травленый зверь, чтобы только спастись от нас. Господа в разных видах: и как полицейские, городские и деревенские, и как следователи, и как судьи, всю жизнь травят их и по городам, и по деревням, и по дорогам, и по улицам, и по трактирам, и по ночлежным домам, и теперь вдруг эти господа приехали и заперли ворота только затем, чтобы считать их; им этому так же трудно было поверить, как зайцам тому, что собаки пришли не ловить, а считать их

 Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Открытые участки окисла травят в специальных буферных травителях (например, 10 мл НF и 100 мл H4F в воде). На участки окисла, покрытые фоторезистом, травитель не действует. После травления фоторезист растворяют органическим растворителем и горячей серной кислотой. Поверхность пластины тщательно промывают. На поверхности кремния остается слой SiO2, соответствующий рисунку схемы4 - диффузия для создания скрытого -слоя.Локальная диффузия является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых ИМС.Диффузия в полупроводниковых кристаллах представляет собой направленное перемещение примесных атомов в сторону убывания их концентрации. В качестве легирующих примесей в кремнии используются в основном бор и фосфор, причем бор создает примеси акцепторного типа, а фосфор донорного. Для бора и фосфора энергия активации соответственно равна 3,7 и 4,4 эВ. Различают два режима диффузии: диффузия из неограниченного источника и диффузия из ограниченного источника. В производстве ИМС реализуются оба случая диффузии.

 Энциклопедический словарь

По окончательном исполнении чертежа или рисунка камень подвергают травлению, с целью удаления с него щелочей, заключающихся в литографском карандаше и чернилах, а именно обливают камень смесью азотной кислоты с водой, в которой распущено некоторое количество гумми-арабика, после чего тщательно обмывают чистой водой и, наконец, в предохранение от различных случайностей, покрывают раствором гумми в воде и дают последнему высохнуть. В таком виде камень поступает в руки печатальщика, который помещает его в горизонтальном положении на печатном станке специального устройства. Приступая к изготовлению оттисков с начерченного или нарисованного, печатальщик прежде всего смывает с камня нежной губкой предохранительное гумми, отирает его другой губкой, напитанной скипидаром, и снова проходит по нем едва влажной губкой с водой. Вслед за тем на камень наводится краска, сколь возможно равномерно, через прокатывание по нему деревянного валька, оклеенного фланелью и кожей; он оставляет краску только в тех местах, где ходили карандаш или перо рисовальщика, остальные же места поверхности камня не принимают краски

 Общие сведения об интегральных микросхемах

Методы технологического контроля, используемые в производстве ИМС, можно объединить в три группы: пооперационный контроль, визуальный контроль, тестовые ИМС. Методы пооперационного контроля после технологических процессов эпитаксии, диффузии и других те же, что и в производстве дискретных приборов. Сюда входят измерения толщин пленок, глубин p- - переходов, поверхностной концентрации и др., производимые на специальных контрольных образцах, помещаемых вместе с обрабатываемыми пластинами на данную операцию. Метод визуального контроля играет важную роль в производстве ИМС, несмотря на кажущуюся тривиальность. Он включает осмотр схем под оптическим микроскопом и использование различных средств визуализации - наблюдение термографии и др. Наконец, один из основных методов контроля параметров ИМС на различных технологических этапах - это применение тестовых структур. Рассмотрим более подробно два последних метода. Визуальный контроль. Существенные данные о состоянии пластины можно получить визуальной проверкой с помощью микроскопа с большим увеличением - от 80х до 400х. При этом выявляются такие показатели, как состояние поверхности, избыточное или недостаточное травление, изменение толщины окисного слоя, правильность перехода и др.

 Технологические основы электроники

1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС.

 Печатные платы

Базовая p -диффузия проводится без SiO2-маски, что исключает фотолитографию и упрощает технологический процесс. В КИД-технологии число фотолитографий уменьшается по сравнению с предыдущим процессом. Область коллектора сильно легирована, поэтому нет необходимости для повышения быстродействия ИМС проводить дополнительную диффузию золота или другой понижающей время жизни неосновных носителей тока примеси. Однако в эпитаксиальной базе дрейф носителей от эмиттера к коллектору уменьшен, что понижает быстродействие ИМС. Кроме этого тонкий эпитаксиальный слой ограничивает пробивное напряжение коллектор-база из-за распространения объемного заряда в базовую область. 6.3 Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией Диэлектрическая изоляция обеспечивает лучшие параметры ИМС. а) Изоляция пленкой диэлектрика с использованием поликристаллического кремния реализуется в эпик-процессе. Исходной заготовкой является однослойная -структура (рис 18). После локального травления на глубину около 15 мкм и удаления SiO2-маски термически выращивают или осаждают из паро-газовой фазы пленку диоксида кремния толщиной 1 ( 2 мкм.

 Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки. 4.2.3. Промывание пластин и подложек. На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду. Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов. 4.2.4. Интенсификация процессов очистки. Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств. К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма. К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.

 Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1). Рис. 1. Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин: 1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления. Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС.

 История развития электроники

Хотя очевидно, что и триггер Килби является аналогом монолитной ИМС. Семейство монолитных транзисторно-транзисторных логических элементов с четырьмя и более биполярными транзисторами на одном кристалле кремния было выпущено фирмой Fairchild уже в феврале 1960 года и получило название "микрологика". Планарная технология Хорни и монолитная технология Нойса заложили в 1960 году фундамент развития интегральных микросхем, сначала на биполярных транзисторах, а затем 1965–85 гг. на полевых транзисторах и комбинациях тех и других. Малый разрыв во времени между идеей и серийным производством интегральных микросхем объясняется оперативностью разработчиков. Так в 1959 году Хорни проводя многочисленные опыты, сам отрабатывал технологию окисления и диффузии кремниевых пластин, чтобы найти оптимальную глубину диффузии бора и фосфора, и условия маскирования оксидом. Одновременно Нойс в темной комнате, по вечерам, в выходные дни упорно наносит и экспонирует фоторезист на множестве кремниевых пластин с оксидом и алюминием в поисках оптимальных режимов травления алюминия.

 Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Элементом ИМС называют часть ИМС, реализующую функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки. Обычно все элементы ИМС изготавливают одновременно в ходе единого технологического цикла. Полупроводниковые ИМС выполняются на кремниевых пластинках диаметром 30 – 60 мм, при помощи таких технологических процессов как резка, шлифовка, очистка, окисление, травление, фотолитография, диффузия. На одной пластине помещаются до 1000 микросхем и одновременно технологический процесс идет на несколько десятков пластин, поэтому стоимость одной пластины небольшая. Основная структура полупроводниковой ИМС – это транзистор. На структуре транзистора выполняются все остальные элементы схемы. Для диода используются эмиттерный или коллекторный p- -переходы, в таком случае лишний третий вывод присоединяется к выводу базы. Такое подключение называется транзистор в диодном включении. Конденсатор. В качестве него применяется емкость p- -перехода. Резистор. В качестве резистора применяется область эмиттер или база, или коллектор, для чего только от этих областей делается 2 вывода.

 Структура твердотельных интегральных микросхем

Важно отметить, что выпускаемые в составе той или иной серии ИМС различного функционального назначения имеют единую структуру и, следовательно, единую базовую технологию. Для базовой технологии характерны не только определенная технологическая последовательность обработки и определенный комплект оборудования, но и постоянная, отработанная настройка оборудования, т. е. жесткие технологические режимы. Последнее является существенным для экономичности и эффективности процесса производства ИМС. Очевидно, что базовая технология не зависит от размеров элементов в плане, их взаимного расположения и рисунка межсоединений. Все эти свойства конкретной ИМС определяются в процессе топологического проектирования, а обеспечиваются фотолитографией — процессом избирательного травления поверхностных слоев с применением защитной фотомаски. Рис. 1. Фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой: — транзистор; R — резистор Топология микросхемы — чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений ИМС в плоскости, параллельной плоскости кристалла.

 Технология многослойных печатных плат

Выводы отгибаются на наружную сторону МПП и закрепляются пайкой в специальных колодках. Метод включает следующие операции (рис. 5.21): изготовление заготовок из стеклоткани и медной фольги (нарезка в размер); перфорирование стеклоткани; склеивание заготовок перфорированного диэлектрика с медной фольгой; получение защитного рисунка схемы отдельных слоев; травление меди с пробельных мест; прессование пакета МПП; отгибка выводов на колодки и закрепление их; облуживание поверхности выводов, механическая обработка платы по контуру; контроль, маркировка. При данном методе используется более толстая медная фольга (до 80 мкм), платы допускают установку только ИМС с планарными выводами. Количество слоев не превышает 20. Преимущества метода — высокая жесткость и надежность межслойных соединений, недостатки — сложность механизации процесса разводки выступающих выводов и их закрепления на плате, а также установки навесных элементов. Метод открытых контактных площадок основан на создании электрических межслойных соединений с помощью выводов навесных элементов или перемычек через технологические отверстия, обеспечивающие доступ к контактным площадкам, и включает следующие операции (рис. 5.22): получение заготовок фольгированного материала; нанесение защитного рисунка схемы на каждый слой; травление меди с пробельных мест и удаление резиста; пробивка отверстий в слоях; прессование пакета МПП; облуживание контактных площадок, выполнение электрических соединений.

 Нодальная анатомия некоторых представителей семейства Campanulaceae Juss

Глава 1. Введение. Постановка проблемы. Проводящая система покрытосеменных имеет сложное строение , особенно в области узла, где от стелы стебля отходят листовые и веточные проводящие пучки. Несмотря на трудности, связанные с изучением структуры узла, многие анатомы (Имс,1961; Эзау,1969; Анели,1962; Тахтаджян,1964 и др.) придавали нодальной анатомии большое значение. Проводящая система растений, связывающая лист и стебель является одним из наглядных и убедительных признаков, содержащих в достаточной степени элементы консервативности и прогресса (Анели,1962) Структура узла остается стабильной в разных экологических условиях (Анели,1962; Завалишина, 1966; Тахтаджян,1964). Еще Д.Синнот (1914) установил, что строение узла является константным признаком и характерным для целых семейств или даже порядков покрытосеменных. Благодаря этим особенностям, данные нодальной анатомии в комплексе с другими анатомо-морфологическими признаками используются в филогении, при установлении исторического развития той или иной группы и всех покрытосеменных в целом и в систематике при установлении родственных связей между видами и таксонами более высокого ранга (Имс,1961; Эзау, 1969; Анели, 1962; Тахтаджян,1964; Завалишина, 1966 и др.). Кроме того, нодальная анатомия находит широкое применение во многих смежных областях ботаники: прикладной систематике, вегетативном размножении растений путем окоренения стеблевых черенков, идентификации и диагностике лекарственного сырья и др. (Анели,1962). Продолжая развиваться и совершенствуя свои методы, нодальная анатомия приобретает все большее значение в анатомии растений и во всем комплексе ботанических наук.

 Трагические мотивы в творчестве Гойи

Но особенно — сама техника офорта, в которой испанский мастер, опять-таки впервые, с такой решительностью подчеркивает царапающее медную пластину, ранящее ее движение иглы, разъедающее эти раны травление кислотой. Даже металл едва выдерживает эти форсированные методы воздействия! Что же говорить о глазе и чувстве зрителя Впрочем, страдая вместе с нами, металл этот как бы принимает на себя часть нашего бремени, тогда как обнажившаяся рукотворность линий и пятен, составляющих изображение, позволяет избегнуть любых натуралистических эффектов и сохранить все в пределах искусства. Нагнетание напряжения, форсирование экспрессии, известное обнажение технического приема постоянно достигают взрывоопасных состояний, но не могут разрядиться тем взрывом формы, который впоследствии сотрясет искусство Делакруа. Их напору не дано восторжествовать над художником, им не дано вырваться из-под его власти. Гойя и только Гойя владеет здесь всем этим неистовым миром. Этого ему не хватало в смутные годы раннего периода Пиренейской войны.

 Шишкин Иван Иванович

Техника глубокой печати, позволяющая свободно рисовать без каких-либо физических усилий, оказалась ему особенно близка - он мог сохранить свободную и живую манеру линейно-штрихового рисунка. В то время как многие художники использовали офорт для репродуцирования своих картин, для Шишкина искусство офорта стало самостоятельной и важной областью творчества. Стилистически близкие его живописным произведениям, сочные эстампы художника отличаются выразительностью образного строя и удивительной тонкостью исполнения. Шишкин выпускал эстампы то отдельными листами, то целыми сериями, которые он объединял в альбомы, пользовавшиеся большим успехом. Мастер смело экспериментировал. Он не только вычеркивал рисунок иглой, но и рисовал на доске краской, клал новые тени, подчас дополнительно протравливал готовое изображение, усиливал или ослаблял интенсивность всего офорта или отдельных мест. Нередко он дорабатывал печатную форму сухой иглой, нанося рисунок на металлическую доску даже после травления и дополняя изображение новыми деталями. Известно большое количество сделанных художником пробных оттисков.

 Программатор ПЗУ

При изготовлении печатных плат производится механическая обработка заготовок (резка, пробивка и сверление отверстий). Важным фактором, ухудшающим условия труда в механических цехах, является шум, производимый работающим оборудованием. Важное значение имеет правильное и достаточное освещение участков и рабочих мест обработки заготовок. Промывка плат проводится в изопропиловом спирте и ацетоне. При использовании спирта и ацетона необходимо учитывать, что эти вещества являются пожароопасными и вредными для здоровья. Химическая очистка плат производится растворами фосфатов (тринатрийфосфат), натриевой соды, натриевой щёлочи и др. при постоянной работе с растворами часты различные хронические поражения кожи. Весьма опасно попадание даже самых малых количеств щелочи в глаза. Для травления меди с пробельных мест плат используется ряд травителей: хлорное железо, персульфат аммония, хлорная медь и ряд других являющихся токсичными веществами. К работе с этими травителями допускаются лица, обученные безопасным приёмам работы и прошедшие инструктаж на рабочих местах по работе с вредными и ядовитыми веществами.