телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для детей -30% Разное -30% Образование, учебная литература -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Травление п/п ИМС

найти похожие
найти еще

Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Вторым важным моментом при рассмотрении проблемы селективности есть оптимальное соотношение скорости травления удаляемого слоя и фоторезиста. Сухие плазменные процессы имеют достаточно высокие скорости травления резистов. Особенно сильно эта проблема проявляется при травлении с высоким разрешением, так как в этом случае толщина резиста не может превышать толщины линии, или при получении структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине. Для выбора оптимальной селективности процесса используют следующие приемы и методы 1. Выбор оптимального реактивного газа. 2. Выбор оптимальной скорости травления 3. Снижение концентрации реактивного газа при завершении процесса травления. 4. Введение в систему различных устройств определения окончания процесса (e dpoi de ec or). Возможность травления структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине. Новые конфигурации транзисторных структур с вертикальным расположением активных областей (полевой транзистор с вертикальным каналом, туннельный резонансный транзистор и т.д.) предъявляют новые требования к технологии травления. В частности она должна обеспечивать травление линий, в которых высота в несколько раз превышает ширину линии (li es wi h high- aspec -ra io fea ures). При этом возникает целый ряд специфичных проблем, главная из которых заключается в неоднородном заряжении микроструктур (aspec ra- io chargi g or elec ro shadowi g). Суть этого явления заключается в следующем: плазма обычно заряжена положительно по отношению к стенкам реактора и обрабатываемой по-верхности. Положительные ионы движутся из поля плазмы перпендикулярно к поверхности. Электроны в общем случае не попадают на поверхность пластин. Рис.8 cхема реактора с магнитной ловушкой для горячих электронов. Однако в системах с высокой плотностью плазмы, при большом положительном смещении полупроводниковой пластины, наблюдается существенный поток горячих электронов (с энергией до 10000-50000 К) к обрабатываемой поверхности. Так как электроны имеют большую энергию, то это движение носит диффузный и, следовательно, изотропный характер. Электроны захватываются верхними диэлектрическими слоями микроструктуры, что приводит к отрицательному заряжению этих слоев по отношению к слоям, формирующим дно линии. Это приводит к появлению большой разности потенциалов, котрая формирует электрическое поле отталкивающее положительные ионы от дна микрорельефа на стенки линии, что проявляется в боковом перетраве и формировании линий с невертикальными стенками.Предлагаются различные приемы снижения отрицательного заряжения поверхности пластин. Один из них заключается в импульсном возбуждении плазмы высокой плотности. В то время, когда обрабатываемая поверхность поляризуется положительно, возбуждающий плазму импульс выключается. Показано, что за время порядка 10 мкс горячие электроны сбрасывают свою энергию приблизительно до единиц эВ, что существенно снижает эффект заряжения. В ряде разработок используются различные ловушки горячих электронов, двигающихся по направлению к обрабатываемой пластине. Одна из таких конструкций приведена на рис. 9. На горячие электроны при их движении к подложке действует сила Лоренца препятствующая их проникновению к обрабатываемой поверхности.

Схема такого реактора представлена на рис.6. Полупроводниковая подложка располагается на плоском ВЧ электроде. Над ней размещается плоский заземленный электрод, который, как правило, снабжен сложной зонтичной системой подачи реактивного газа для увеличения однородности травления. В таких системах достигается предельная на сегодняшний день анизотропность травления, так как ионы движутся практически перпендикулярно к поверхности подложки. Для увеличения анизотропии травления в таких системах используют дополнительное смещение подложки постоянным напряжением. Производительность таких систем определяется плотностью плазмы и, следовательно, рабочим давлением. Стремление к снижению различных загрязнений требует работы при низких давлениях, это в свою очередь увеличивает длину свободного пробега электронов и снижает плотность ионов в плазме. Компромиссные рабочие режимы достигаются при давлениях в десятки миллиТорр.Увеличение производительности планарных реакторов требует применения более сложных плазменных систем, в которых используются различные приемы увеличения плотности плазмы. В первую очередь разрабатывались реакторы, в которых для увеличения длины свободного пробега электронов вводится параллельное подложке магнитное поле. Такой тип разряда известен как разряд Пеннинга, магнетронный разряд или разряд в скрещенных электрических и магнитных полях. Действие силы Лоренца приводит к сложному криволи-нейному движению электронов вблизи рабочей поверхности, что увеличивает число актов ионизации и приводит к формированию плотного плазменного поля вблизи поверхности подложки. Отметим, что применение таких систем для создания субмикронных рисунков выдвигает очень высокие требования к однородности магнитного поля.Разработка новых плазменных систем для травления микроструктур продолжается по самым различным направлениям. Для получения плазмы высокой плотности, но горящей при низком давлении используется системы с СВЧ возбуждением разряда. При этом часто создаются сложные системы электрических и магнитных полей позволяющие реализовать режимы электронного циклотронного резонанса, возбуждения геликоидальных волн и т.д. В настоящее время наиболее перспективным считаются системы, которые получили название реакторы с индуктивно-возбуждаемой плазмой (i duc ively coupled plasma, ICP e cher). Высокую анизотропию травления можно достичь в системах, когда ионы атакуют поверхность травления, двигаясь по перпендикулярным к ней направлениям. Такой режим легко реализуется в плазменных система с конденсаторным расположением электродов (Е-разряд), т.е. в обычных планарных реакторах (рис. 6). Рис. 6 схема типичной конструкции планарного реактора Однако более плотную плазму проще получить в индуктивно возбуждаемом разряде (Н-разряд). Разработчики технологического оборудования попытались совместить в одной системе оба типа разряда, что привело к соз-данию систем, схема которых представлена на рис. 7. Плазменное поле создается индуктивным ВЧ разрядом, возбуждаемым генератором 1. Частота генератора и конструкция катушки оптимизированы для получения плазмы высокой плотности. Реактивные ионы экстрагируются из плазменного поля ВЧ смещением поодложкодержателя с полупроводниковой пластиной, создаваемым генератором 2.

Однако сложность и разнообразие задач заставляет применять практически для каждого литографического процесса при производстве многослойной схемы индивидуальные для каждой операции системы ионного или химического травления. Наиболее широкое применение находят относительно дешевые планарные реакторы с конденсаторно возбуждаемой плазмой. Однако наметилась общая тенденция перехода к более сложным и следовательно более дорогим системам с индуктивно возбуждаемой плазмой. Возможность раздельного управления плотностью плазмы и энергией реактивных ионов позволяет легче приспособить процесс к возникающим технологическим задачам.Однако переход к новому уровню интеграции, связанному с внедрением нового литографического процесса (110 нм), переход к 300 мм полупроводниковым пластинам ставит перед разработчиками задачу создания новых систем, в которых и процессов травления, в которых высокие параметры процесса будут достигаться при приемлемой цене оборудования.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 713 секретов производственных технологий (справочник)

Смесь оставляют стоять в теплом месте в течение недели, часто взбалтывая. Затем жидкость процеживают через сукно и хранят в подходящем сосуде до употребления. В другой склянке растворяют при нагревании в 1,5 литрах воды 30 г квасцов, процеживают и сохраняют. Предназначенный для травления предмет обрабатывается подогретым первым раствором несколько раз до получения желаемой окраски, после чего его покрывают второй, также подогретой жидкостью. Смешивать обе жидкости в одну не следует. После сушки протравленный предмет протирают с помощью тряпочки льняным маслом. 2) В последнее время сандал часто заменяют анилиновыми красками, растворимыми в воде. Преимущество анилиновых красок заключается в их большой покрывающей способности. Для имитации красного дерева очень подходит краска "Понсо". В 3 литрах воды растворяют 100 г анилина "Понсо". Этот раствор наносится на окрашиваемое дерево один или два раза, смотря по цвету, который хотят получить. 51. Протравы для имитации розового дерева. Розовое дерево отличается темно-красными жилками

скачать реферат Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике

Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя или каких-либо загрязнений. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В тоже время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже невозможно. Для удаления загрязнений на поверхности и приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с материалом пластины или подложки, используют химические методы удаления. Они основаны на переводе путем химической реакции загрязнений в новые соединения, которые затем легко удаляются. Одним из таких методов является электрохимическое травление полупроводников. Процесс травления пластин и подложек состоит в растворении их поверхности при взаимодействии с соответствующими химическими реагентами (щелочами, кислотами, их смесями и солями). В соответствии с электрохимической теорией взаимодействие между полупроводником и травителем обусловлено тем, что на поверхности пластины при погружении ее в травитель существуют анодные и катодные микроучастки, между которыми возникают локальные токи.

Тетрадь общая с магнитной закладкой "ONE COLOR. Черный", А4, 120 листов, клетка.
Формат - А4. Внутренний блок - офсет, клетка. Обложка - ламинированный картон. Скрепление - книжный переплет. Отделка -
527 руб
Раздел: Прочие
Трехколесный велосипед Funny Jaguar Lexus Racer Trike (цвет каркаса: графит).
Детский трехколесный велосипед с колясочной крышей на колесах ПВХ – настоящее спасение для мам с маленькими детьми. Главное место для
3600 руб
Раздел: Трехколесные
Сортер-матрешка "Волшебный куб".
Деревянный сортер-матрешка представляет собой развивающий комплекс для детишек возрастом от 3 лет. Игра состоит из 5 кубов различной
568 руб
Раздел: Сортеры, логические игрушки
 Биография Л Н Толстого (том 2, часть 2)

Последний обход был ночью. Л. Н-ч так рассказывает о нем: "Мы приехали в темный трактир, подняли половых и стали разбирать свои папки. Когда нам объявили, что народ узнал об обходе и уходит из квартир, мы попросили хозяина запереть ворота и сами ходили на двор уговаривать уходивших людей, уверяя их, что никто не спросит их билетов. Помню странное и тяжелое впечатление, произведенное на меня этими встревоженными ночлежниками: оборванные, полураздетые, они все мне казались высокими при свете фонаря в темноте двора; испуганные и страшные в своем испуге, они стояли кучкой около вонючего нужника, слушали наши уверения и не верили нам: очевидно, они готовы были на все, как травленый зверь, чтобы только спастись от нас. Господа в разных видах: и как полицейские, городские и деревенские, и как следователи, и как судьи, всю жизнь травят их и по городам, и по деревням, и по дорогам, и по улицам, и по трактирам, и по ночлежным домам, и теперь вдруг эти господа приехали и заперли ворота только затем, чтобы считать их; им этому так же трудно было поверить, как зайцам тому, что собаки пришли не ловить, а считать их

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Открытые участки окисла травят в специальных буферных травителях (например, 10 мл НF и 100 мл H4F в воде). На участки окисла, покрытые фоторезистом, травитель не действует. После травления фоторезист растворяют органическим растворителем и горячей серной кислотой. Поверхность пластины тщательно промывают. На поверхности кремния остается слой SiO2, соответствующий рисунку схемы4 - диффузия для создания скрытого -слоя.Локальная диффузия является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых ИМС.Диффузия в полупроводниковых кристаллах представляет собой направленное перемещение примесных атомов в сторону убывания их концентрации. В качестве легирующих примесей в кремнии используются в основном бор и фосфор, причем бор создает примеси акцепторного типа, а фосфор донорного. Для бора и фосфора энергия активации соответственно равна 3,7 и 4,4 эВ. Различают два режима диффузии: диффузия из неограниченного источника и диффузия из ограниченного источника. В производстве ИМС реализуются оба случая диффузии.

 Энциклопедический словарь

По окончательном исполнении чертежа или рисунка камень подвергают травлению, с целью удаления с него щелочей, заключающихся в литографском карандаше и чернилах, а именно обливают камень смесью азотной кислоты с водой, в которой распущено некоторое количество гумми-арабика, после чего тщательно обмывают чистой водой и, наконец, в предохранение от различных случайностей, покрывают раствором гумми в воде и дают последнему высохнуть. В таком виде камень поступает в руки печатальщика, который помещает его в горизонтальном положении на печатном станке специального устройства. Приступая к изготовлению оттисков с начерченного или нарисованного, печатальщик прежде всего смывает с камня нежной губкой предохранительное гумми, отирает его другой губкой, напитанной скипидаром, и снова проходит по нем едва влажной губкой с водой. Вслед за тем на камень наводится краска, сколь возможно равномерно, через прокатывание по нему деревянного валька, оклеенного фланелью и кожей; он оставляет краску только в тех местах, где ходили карандаш или перо рисовальщика, остальные же места поверхности камня не принимают краски

скачать реферат Общие сведения об интегральных микросхемах

Методы технологического контроля, используемые в производстве ИМС, можно объединить в три группы: пооперационный контроль, визуальный контроль, тестовые ИМС. Методы пооперационного контроля после технологических процессов эпитаксии, диффузии и других те же, что и в производстве дискретных приборов. Сюда входят измерения толщин пленок, глубин p- - переходов, поверхностной концентрации и др., производимые на специальных контрольных образцах, помещаемых вместе с обрабатываемыми пластинами на данную операцию. Метод визуального контроля играет важную роль в производстве ИМС, несмотря на кажущуюся тривиальность. Он включает осмотр схем под оптическим микроскопом и использование различных средств визуализации - наблюдение термографии и др. Наконец, один из основных методов контроля параметров ИМС на различных технологических этапах - это применение тестовых структур. Рассмотрим более подробно два последних метода. Визуальный контроль. Существенные данные о состоянии пластины можно получить визуальной проверкой с помощью микроскопа с большим увеличением - от 80х до 400х. При этом выявляются такие показатели, как состояние поверхности, избыточное или недостаточное травление, изменение толщины окисного слоя, правильность перехода и др.

скачать реферат Технологические основы электроники

1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС.

скачать реферат Печатные платы

Базовая p -диффузия проводится без SiO2-маски, что исключает фотолитографию и упрощает технологический процесс. В КИД-технологии число фотолитографий уменьшается по сравнению с предыдущим процессом. Область коллектора сильно легирована, поэтому нет необходимости для повышения быстродействия ИМС проводить дополнительную диффузию золота или другой понижающей время жизни неосновных носителей тока примеси. Однако в эпитаксиальной базе дрейф носителей от эмиттера к коллектору уменьшен, что понижает быстродействие ИМС. Кроме этого тонкий эпитаксиальный слой ограничивает пробивное напряжение коллектор-база из-за распространения объемного заряда в базовую область. 6.3 Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией Диэлектрическая изоляция обеспечивает лучшие параметры ИМС. а) Изоляция пленкой диэлектрика с использованием поликристаллического кремния реализуется в эпик-процессе. Исходной заготовкой является однослойная -структура (рис 18). После локального травления на глубину около 15 мкм и удаления SiO2-маски термически выращивают или осаждают из паро-газовой фазы пленку диоксида кремния толщиной 1 ( 2 мкм.

скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Электрохимическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки. 4.2.3. Промывание пластин и подложек. На различных этапах изготовления ИМС производят неоднократно промывание пластин и подложек. Для промывания применяют дистиллированную, бидистиллированную и деионизованную воду. Промывание обязательно производится после обезжиривания и травления. Его назначение - удаление остатков загрязнений, продуктов реакции и остатков реагентов. 4.2.4. Интенсификация процессов очистки. Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов используют различные способы их интенсификации, которые достигаются применением физических, химических и комбинированных средств. К физическим средствам относятся нагрев, кипячение, вибрация, обработка струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическая обработка, центрифугирование, ультразвуковая обработка, плазма. К химическим средствам относятся поверхностно-активные вещества, комплексообразователи, катализаторы. Комбинированные средства основаны на использовании физических и химических средств.

Пазл-ваза "Поющие птицы в летнем саду", 160 элементов.
Ваза-пазл – это трехмерный пазл в виде вазы. Оригинальный дизайн; идеальная сцепка деталей; специальная колба для воды;
587 руб
Раздел: Прочие
Набор детской посуды "Ангел".
Набор посуды детский "Ангел". В комплекте 3 предмета: - тарелка суповая диаметром 15 см, - тарелка обеденная диаметром 17,5
397 руб
Раздел: Наборы для кормления
Машинка "Бибикар (Bibicar)" с полиуретановыми колесами, красная.
Детская машинка «Бибикар» станет идеальным источником не только развлечения, но и развития для любого ребёнка, которому уже исполнилось 3
2650 руб
Раздел: Каталки
скачать реферат Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

Как известно, нарушенный приповерхностный слой полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки. Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1). Рис. 1. Изменение толщины нарушенного слоя при механической обработке монокристаллических полупроводниковых пластин: 1) после резки; 2) после шлифования; 3)после полирования; 4) после травления. Однако атомы материала пластины (подложки), расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая активность поверхности пластин. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и стабильности параметров ИМС.

скачать реферат История развития электроники

Хотя очевидно, что и триггер Килби является аналогом монолитной ИМС. Семейство монолитных транзисторно-транзисторных логических элементов с четырьмя и более биполярными транзисторами на одном кристалле кремния было выпущено фирмой Fairchild уже в феврале 1960 года и получило название "микрологика". Планарная технология Хорни и монолитная технология Нойса заложили в 1960 году фундамент развития интегральных микросхем, сначала на биполярных транзисторах, а затем 1965–85 гг. на полевых транзисторах и комбинациях тех и других. Малый разрыв во времени между идеей и серийным производством интегральных микросхем объясняется оперативностью разработчиков. Так в 1959 году Хорни проводя многочисленные опыты, сам отрабатывал технологию окисления и диффузии кремниевых пластин, чтобы найти оптимальную глубину диффузии бора и фосфора, и условия маскирования оксидом. Одновременно Нойс в темной комнате, по вечерам, в выходные дни упорно наносит и экспонирует фоторезист на множестве кремниевых пластин с оксидом и алюминием в поисках оптимальных режимов травления алюминия.

скачать реферат Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Элементом ИМС называют часть ИМС, реализующую функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки. Обычно все элементы ИМС изготавливают одновременно в ходе единого технологического цикла. Полупроводниковые ИМС выполняются на кремниевых пластинках диаметром 30 – 60 мм, при помощи таких технологических процессов как резка, шлифовка, очистка, окисление, травление, фотолитография, диффузия. На одной пластине помещаются до 1000 микросхем и одновременно технологический процесс идет на несколько десятков пластин, поэтому стоимость одной пластины небольшая. Основная структура полупроводниковой ИМС – это транзистор. На структуре транзистора выполняются все остальные элементы схемы. Для диода используются эмиттерный или коллекторный p- -переходы, в таком случае лишний третий вывод присоединяется к выводу базы. Такое подключение называется транзистор в диодном включении. Конденсатор. В качестве него применяется емкость p- -перехода. Резистор. В качестве резистора применяется область эмиттер или база, или коллектор, для чего только от этих областей делается 2 вывода.

скачать реферат Структура твердотельных интегральных микросхем

Важно отметить, что выпускаемые в составе той или иной серии ИМС различного функционального назначения имеют единую структуру и, следовательно, единую базовую технологию. Для базовой технологии характерны не только определенная технологическая последовательность обработки и определенный комплект оборудования, но и постоянная, отработанная настройка оборудования, т. е. жесткие технологические режимы. Последнее является существенным для экономичности и эффективности процесса производства ИМС. Очевидно, что базовая технология не зависит от размеров элементов в плане, их взаимного расположения и рисунка межсоединений. Все эти свойства конкретной ИМС определяются в процессе топологического проектирования, а обеспечиваются фотолитографией — процессом избирательного травления поверхностных слоев с применением защитной фотомаски. Рис. 1. Фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой: — транзистор; R — резистор Топология микросхемы — чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений ИМС в плоскости, параллельной плоскости кристалла.

скачать реферат Технология многослойных печатных плат

Выводы отгибаются на наружную сторону МПП и закрепляются пайкой в специальных колодках. Метод включает следующие операции (рис. 5.21): изготовление заготовок из стеклоткани и медной фольги (нарезка в размер); перфорирование стеклоткани; склеивание заготовок перфорированного диэлектрика с медной фольгой; получение защитного рисунка схемы отдельных слоев; травление меди с пробельных мест; прессование пакета МПП; отгибка выводов на колодки и закрепление их; облуживание поверхности выводов, механическая обработка платы по контуру; контроль, маркировка. При данном методе используется более толстая медная фольга (до 80 мкм), платы допускают установку только ИМС с планарными выводами. Количество слоев не превышает 20. Преимущества метода — высокая жесткость и надежность межслойных соединений, недостатки — сложность механизации процесса разводки выступающих выводов и их закрепления на плате, а также установки навесных элементов. Метод открытых контактных площадок основан на создании электрических межслойных соединений с помощью выводов навесных элементов или перемычек через технологические отверстия, обеспечивающие доступ к контактным площадкам, и включает следующие операции (рис. 5.22): получение заготовок фольгированного материала; нанесение защитного рисунка схемы на каждый слой; травление меди с пробельных мест и удаление резиста; пробивка отверстий в слоях; прессование пакета МПП; облуживание контактных площадок, выполнение электрических соединений.

Пенал-косметичка "Pixie Crew" с силиконовой панелью для картинок (чёрный, синий).
Повседневные вещи кажутся скучными и однотонными, а тебе хочется выглядеть стильно и быть не как все? "Pixie Crew" сделает твою
799 руб
Раздел: Без наполнения
Набор детской посуды "Холодное сердце. Дисней", 3 предмета.
Детский набор посуды сочетает в себе изысканный дизайн с максимальной функциональностью. Предметы набора выполнены из высококачественной
387 руб
Раздел: Наборы для кормления
Фоторамка на 9 фотографий С31-019 Alparaisa "Family", черно-золоченое золото, 61,5x54,5 см.
Размеры рамки: 61,5x54,5 cм. Размеры фото: - 10х15 см (4 штуки), - 15х10 см (5 штук). Фоторамка-коллаж для 9-ти фотографий. Материал:
882 руб
Раздел: Мультирамки
скачать реферат Нодальная анатомия некоторых представителей семейства Campanulaceae Juss

Глава 1. Введение. Постановка проблемы. Проводящая система покрытосеменных имеет сложное строение , особенно в области узла, где от стелы стебля отходят листовые и веточные проводящие пучки. Несмотря на трудности, связанные с изучением структуры узла, многие анатомы (Имс,1961; Эзау,1969; Анели,1962; Тахтаджян,1964 и др.) придавали нодальной анатомии большое значение. Проводящая система растений, связывающая лист и стебель является одним из наглядных и убедительных признаков, содержащих в достаточной степени элементы консервативности и прогресса (Анели,1962) Структура узла остается стабильной в разных экологических условиях (Анели,1962; Завалишина, 1966; Тахтаджян,1964). Еще Д.Синнот (1914) установил, что строение узла является константным признаком и характерным для целых семейств или даже порядков покрытосеменных. Благодаря этим особенностям, данные нодальной анатомии в комплексе с другими анатомо-морфологическими признаками используются в филогении, при установлении исторического развития той или иной группы и всех покрытосеменных в целом и в систематике при установлении родственных связей между видами и таксонами более высокого ранга (Имс,1961; Эзау, 1969; Анели, 1962; Тахтаджян,1964; Завалишина, 1966 и др.). Кроме того, нодальная анатомия находит широкое применение во многих смежных областях ботаники: прикладной систематике, вегетативном размножении растений путем окоренения стеблевых черенков, идентификации и диагностике лекарственного сырья и др. (Анели,1962). Продолжая развиваться и совершенствуя свои методы, нодальная анатомия приобретает все большее значение в анатомии растений и во всем комплексе ботанических наук.

скачать реферат Трагические мотивы в творчестве Гойи

Но особенно — сама техника офорта, в которой испанский мастер, опять-таки впервые, с такой решительностью подчеркивает царапающее медную пластину, ранящее ее движение иглы, разъедающее эти раны травление кислотой. Даже металл едва выдерживает эти форсированные методы воздействия! Что же говорить о глазе и чувстве зрителя Впрочем, страдая вместе с нами, металл этот как бы принимает на себя часть нашего бремени, тогда как обнажившаяся рукотворность линий и пятен, составляющих изображение, позволяет избегнуть любых натуралистических эффектов и сохранить все в пределах искусства. Нагнетание напряжения, форсирование экспрессии, известное обнажение технического приема постоянно достигают взрывоопасных состояний, но не могут разрядиться тем взрывом формы, который впоследствии сотрясет искусство Делакруа. Их напору не дано восторжествовать над художником, им не дано вырваться из-под его власти. Гойя и только Гойя владеет здесь всем этим неистовым миром. Этого ему не хватало в смутные годы раннего периода Пиренейской войны.

скачать реферат Шишкин Иван Иванович

Техника глубокой печати, позволяющая свободно рисовать без каких-либо физических усилий, оказалась ему особенно близка - он мог сохранить свободную и живую манеру линейно-штрихового рисунка. В то время как многие художники использовали офорт для репродуцирования своих картин, для Шишкина искусство офорта стало самостоятельной и важной областью творчества. Стилистически близкие его живописным произведениям, сочные эстампы художника отличаются выразительностью образного строя и удивительной тонкостью исполнения. Шишкин выпускал эстампы то отдельными листами, то целыми сериями, которые он объединял в альбомы, пользовавшиеся большим успехом. Мастер смело экспериментировал. Он не только вычеркивал рисунок иглой, но и рисовал на доске краской, клал новые тени, подчас дополнительно протравливал готовое изображение, усиливал или ослаблял интенсивность всего офорта или отдельных мест. Нередко он дорабатывал печатную форму сухой иглой, нанося рисунок на металлическую доску даже после травления и дополняя изображение новыми деталями. Известно большое количество сделанных художником пробных оттисков.

скачать реферат Программатор ПЗУ

При изготовлении печатных плат производится механическая обработка заготовок (резка, пробивка и сверление отверстий). Важным фактором, ухудшающим условия труда в механических цехах, является шум, производимый работающим оборудованием. Важное значение имеет правильное и достаточное освещение участков и рабочих мест обработки заготовок. Промывка плат проводится в изопропиловом спирте и ацетоне. При использовании спирта и ацетона необходимо учитывать, что эти вещества являются пожароопасными и вредными для здоровья. Химическая очистка плат производится растворами фосфатов (тринатрийфосфат), натриевой соды, натриевой щёлочи и др. при постоянной работе с растворами часты различные хронические поражения кожи. Весьма опасно попадание даже самых малых количеств щелочи в глаза. Для травления меди с пробельных мест плат используется ряд травителей: хлорное железо, персульфат аммония, хлорная медь и ряд других являющихся токсичными веществами. К работе с этими травителями допускаются лица, обученные безопасным приёмам работы и прошедшие инструктаж на рабочих местах по работе с вредными и ядовитыми веществами.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.