телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАТовары для дачи, сада и огорода -30% Товары для животных -30% Образование, учебная литература -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

найти похожие
найти еще

Браслет светоотражающий, самофиксирующийся, желтый.
Изготовлены из влагостойкого и грязестойкого материала, сохраняющего свои свойства в любых погодных условиях. Легкость крепления позволяет
66 руб
Раздел: Прочее
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый.
Оригинальный светильник - ночник - проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фонариков) 2) Три
330 руб
Раздел: Ночники
Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки
При математическом моделировании главными проблемами являются: - отсутствие математических зависимостей, точно описывающих реальные биполярные транзисторы. -из-за увеличения параметров, описывающих математическую модель, усложняются и формулы, по которым производится моделирование. Это, в свою очередь, приводит к потребности от компьютера всё больше его ресурсов и всё больше времени на решение конкретных задач. Полученные требования реально ограничивают возможность использования сложных формул. На практике, в зависимости оп поставленной задачи, применяются математические модели разной сложности. Так в программах обучающего типа используются модели, описывающие только основные параметры. Такие как: - зависимости токов от напряжений; - зависимость токов от температуры; - зависимость барьерных ёмкостей от напряжений, приложенных к переходам; - зависимость диффузионных ёмкостей от токов, проходящих через переходы. В программах, предназначенных для моделирования сложных реальных схем, используются более сложные математические зависимости. Реальные транзисторы имеют определённый разброс своих характеристик. Это приходится учитывать при моделировании для получения требуемого результата. Каждый вид транзистора, выпускаемый на заводах, имеет набор параметров и характеристик, описанных в паспортных данных. На данный момент времени количество таких параметров достигает сотни. При математическом моделировании не всегда возможно все их учесть, а принимаются по умолчанию некоторые средние значения, которые относительно точно отражают физические характеристики. Эти допущения не всегда точно моделируют реальные биполярные транзисторы. Описание изучаемого алгоритма Биполярный транзистор состоит из двух взаимодействующих p- перехода, созданных в объёме монокристалла кремния или германия. В зависимости от характера примесей в этих областях принято различать транзисторы типа p- -p и -p- . Модель Эберса - Молла применима при моделировании по постоянному току. Э коллектор Рис. 2. Модель Эберса – Молла. 1) расчёт температурного потенциала. Кл - элементарный заряд. - текущая температура в Кельвинах. 2) расчёт тока насыщения, зависящего от температуры и напряжения между эмиттером и коллектором. iso - ток насыщения при OM; VA – напряжение Эрли; EG – ширина запрещённой зоны; OM – номинальная температура в Кельвинах. 3) определения величины IС и UС - ток и напряжение на диоде при переходе на линейный участок. ; RJ – минимальное дифференциальное сопротивление перехода; 4) перевод температурного коэффициента в систему С. CB (в системе С) = CB 10-6 (в PPM) . 5) поправка коэффициентов передачи по току в схеме с ОЭ на температуру. BF (исправленное) = BF (1 ( - OM) CB; BR (исправленное) = BR (1 ( - OM) CB. BF – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для нормального включения. BR – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для инверсного включения. 6) Математическое описание зависимости тока диода DBE от напряжения на нем. ; д) Математическое описание зависимости тока диода DBC от напряжения на нем. ; e) математическое описание управляемого источника тока. . ж) расчёт токов коллектора и эмиттера; ik = iу - iкб ; iэ = iу iэб ; и) расчёт барьерной емкости перехода ЭБ;. ; CJEO – барьерная емкость перехода ЭБ при нулевом смещении; VJE – контактная разность потенциалов для переходов ЭБ; MJE – показатель степени в выражении для барьерной емкости. к) расчёт диффузионной емкости перехода ЭБ. >0; AUF – среднее время пролета носителей через базу в нормальном режиме. л) расчёт емкости CBE.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Выходной файл для выходных характеристик биполярного транзистора Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого резистора оказался наверху. Значения будут такими же, как на рис. 10.7: R1=40 кОм, R2=3,3 кОм, Rc=4,7 кОм, RE=220 кОм и VCC=12 В. Транзистор 2N2222 обозначен в библиотеке eval как Q2N2222. Пронумеруйте узлы, как на рис. 10.7, затем сохраните полученный рисунок (рис. 15.11). Чтобы получить анализ цепей смещения, используйте моделирование на PSpice под именем Bjtcase. Выберите тип анализа Bias Point и для Output File Option установите опцию "Include detailed bias point information (.OP)". Выполните моделирование, проверьте ошибки, исследуйте выходной файл, затем отредактируйте его в Word и распечатайте. Сравните ваши результаты с показанными на рис. 15.12. Значения параметров смещения должны совпадать с приведенными в главе 10. Рис. 15.11

скачать реферат Анализ и моделирование биполярных транзисторов

10. Математическая модель биполярного транзистора. Общая эквивалентная схема транзистора, используемая при получении математической модели, показана на рис.10-1. Каждый p- -переход представлен в виде диода, а их взаимодействие отражено генераторами токов. Если эмиттерный p- -переход открыт, то в цепи коллектора будет протекать ток, несколько меньший эмиттерного (из-за процесса рекомбинации в базе). Он обеспечивается генератором тока . Индекс означает нормальное включение. Так как в общем случае возможно и инверсное включение транзистора, при котором коллекторный p- -переход открыт, а эмиттерный смещен в обратном направлении и прямому коллекторному току , в эквивалентную схему введен второй генератор тока - коэффициент передачи коллекторного тока. Таким образом, токи эмиттера и коллектора в общем случае содержат две составляющие: инжектируемую (): (10.1) Эмиттерный и коллекторный p- -переходы транзистора аналогичны p- -переходу диода. При раздельном подключении напряжения к каждому переходу их вольтамперная характеристика определяется так же, как и в случае диода. Однако если к одному из p- -переходов приложить напряжение, а выводы другого p- -перехода замкнуть между собой накоротко, то ток, протекающий через p- -переход, к которому приложено напряжение, увеличится из-за изменения распределения неосновных носителей заряда в базе.

Набор детской посуды "Тачки. Дисней", 3 предмета.
Детский набор посуды "Тачки" сочетает в себе изысканный дизайн с максимальной функциональностью. Предметы набора выполнены из
447 руб
Раздел: Наборы для кормления
Доска магнитно-маркерная, А3, 342x484 мм.
Размер: 342x484 мм. Белое лаковое покрытие. Материал рамки: МДФ. Размер внутри рамки: 302х444 мм. Для формата А3. В комплекте: магниты и
405 руб
Раздел: Доски магнитно-маркерные
Средство дезинфицирующее "Аламинол 1", 1 литр, концентрат.
Средство дезинфицирующее. Объем: 1 литр. Концентрат.
481 руб
Раздел: Для сантехники
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Труды по математическому моделированию, математическим методам обработки информации. Государственная премия СССР (1989). САДОВОДСТВА ИНСТИТУТ им. И. В. Мичурина Всероссийский научно-исследовательский (ВНИС) Госагропрома СССР - организован в 1931 в Мичуринске. Селекция сортов плодовых и ягодных культур, разработка технологии производства и переработки плодов и ягод. САДОВОДСТВО - отрасль растениеводства; выращивание плодовых культур (см. Плодоводство), декоративных (декоративное садоводство), в т. ч. комнатных (комнатное садоводство) растений. САДОВО-ПАРКОВОЕ ИСКУССТВО - искусство создания садов, парков и др. озеленяемых территорий. Включает планировку и разбивку садов и парков, подбор растений для различных климатов и почв, размещение и группировку растений в сочетании с архитектурой, дорогами, водоемами, скульптурой и т. д. Основные типы парков: террасные (с расположением участков на разных уровнях, с лестницами и каскадами), регулярные "французские" (с боскетами, партерами и водоемами геометрически правильных форм, лучами аллей), пейзажные "английские" (живописная композиция наподобие естественного ландшафта - с лужайками, вьющимися тропинками, речками, озерами), миниатюрные сады (в древнеримских перистилях, испанско-мавританских двориках; японские сады - символические композиции из воды, растений и камней). В 20 в. задачи Садово-паркового искусства - сближение жилой застройки с природой, улучшение микроклимата

скачать реферат Генераторы стабильного тока и напряжения

Согласование характеристик обеспечивают диодным включением Т. Требуемое напряжение на базу Т ГСТ можно подавать также с помощью стабилитрона (вместо сопротивления ) или нескольких диодов. Иногда ГСТ, в которых ток вытекает из нагрузки, называют ГСН, например, серии a io al LM399, которые имеют = 2Ч10–5 % /град. Такие ГСН производятся в стандартных транзисторных корпусах типа ТО-46, имеют нагреватели с мощностью потребления 0,25 Вт и временем выхода на режим не более 3 с. Они построены на стабилитронах с захороненным слоем. Отметим также, что на основе последних путем качественного схемотехнического решения фирмой Li ear ech ology (США) созданы ГСН без подогрева, имеющие = 0,05Ч10–6 % /град и на порядок лучшие характеристики по долговременной стабильности и шуму. ЛИТЕРАТУРА Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 2003. – 608 с. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем / Е.А. Чахмахсазян, Г.П. Мозговой, В.Д.Силин. – М.: Радио и связь, 1999. – 144 с. Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 2002. – 304 с.

 Психология труда: конспект лекций

В каждом из этих типов способности человека проявляются достаточно ярко это либо умение управлять людьми и организовывать работу, либо исполнять указания лидера, либо быть лидером в какой-то узкой области, например, узкоспециальном математическом моделировании производственного цикла. По мере адаптации человека в трудовом коллективе работник адаптирует среду с учетом собственных интересов, склонностей. Задача управленческого персонала не ограничивать работника, а способствовать его личностному росту, творческому подходу к работе, что имеет влияние на заинтересованность трудом, финансовую и психологическую отдачу, формирование новых идей и совершенствование способов производства. Развитие потребностей субъекта труда напрямую зависит от его статусных характеристик на производстве и от нужд производственного процесса в целом. Формирование корпоративности, включение работника в производственную среду дают возможность каждому работнику вносить коррективы в условия труда, производственный процесс, совершенствуя производство в целом и поднимая статус бренда организации

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Таблица 1- Исходные данные Вариант Эмиттер База Коллектор Примесь ТДИФ, ХJe, Примесь S, Толщина, b, 0С мкм см -3 мкм см -3 3 мышьяк 1100 0,4 бор 2?10 0,6 1,5?10 16 18 СодержаниеВведение 5 1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 6 1.1 Распределение примесей в базе 6 1.2 Расчет режимов базовой диффузии 6 1.3 Распределение примесей в эмиттере 8 1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии 8 2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора 13 3 Расчет основных параметров инвертора 15 Заключение 18 Список используемой литературы 19 Реферат Целью данной работы является моделирование технологического процесса изготовления биполярной структуры, затем ТТЛ-инвертора на базе этой структуры. В ходе работы необходимо рассчитать основные параметры схемы. Пояснительная записка содержит: -страниц .20; -рисунков .4; -таблиц .3; -приложений .10.Введение Развитие микроэлектроники и создание новых БИС и СБИС требует новых методов автоматизированного проектирования, основой которого является математическое моделирование всех этапов разработки микросхемы.

скачать реферат Экономическая Информатика

Основой классификации являются существенные признаки объектов. Поскольку признаков может быть очень много то и выполненные классификации могут значительно отличаться друг от друга. Любая классификация должна преследовать достижение поставленных целей. Выбор цели классификации определяет набор тех признаков, по которым будут классифицироваться объекты, подлежащие систематизации. Цель нашей классификации - показать, что задачи оптимизации, совершенно различные по своему содержанию, можно решить на ЭВМ с помощью нескольких типов существующего программного обеспечения. Приведем несколько примеров классификационных признаков: 1. Область применения 2. Содержание задачи 3. Класс математической модели Наиболее распространенными задачами оптимизации возникающими в экономике являются задачи линейного программирования. Такая их распространенность объясняется следующим: 1) С их помощью решают задачи распределения ресурсов, к которым сводится очень большое число самых различных задач 2) Разработаны надежные методы их решения, которые реализованы в поставляемом программном обеспечении 3) Ряд более сложных задач сводится к задачам линейного программирования Математическое моделирование в управлении и планировании Один из мощных инструментов которым располагают люди, ответственные за управление сложными системами - моделирование.

скачать реферат Анализ и синтез систем автоматического регулирования

Необходимо отметить, что реализация сложных законов регулирования возможна лишь при включении цифровой вычислительной машины в контур системы. Создание экстремальных и самонастраивающихся систем также связано с применением аналоговых или цифровых вычислительных машин. Формирование систем автоматического регулирования, как правило, выполняют на основе аналитических методов анализа или синтеза. На этом этапе проектирования систем регулирования на основе принятые допущений составляют математическую модель системы и выбирают предварительную ее структуру. В зависимости от типа модели (линейная или нелинейная) выбирают метод расчета для определения параметров, обеспечивающих заданные показатели устойчивости, точности и качества. После этого уточняют математическую модель и с использованием средств математического моделирования определяют динамические процессы в системе. При действии различных входных сигналов снимают частотные характеристики и сравнивают с расчетными. Затем окончательно устанавливают запасы устойчивости системы по фазе и модулю и находят основные показатели качества.

скачать реферат Математическое моделирование

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ кафедра инновационного проектирования В . М . КЛЕМПЕРТ Методические указания по выполнению курсовой работы в курсе "Математическое моделирование" Москва 1998 СОДЕРЖАНИЕ 1. Тематика курсовой работы 3 2. Задание на выполнение курсовой работы 17 3. Состав, объем и содержание курсовой работы 18 4. Оформление курсовой работы 18 5. Защита курсовой работы 19 1. ТЕМАТИКА КУРСОВОЙ РАБОТЫ ВВЕДЕНИЕ Различают четыре типа зависимостей между переменными: 1)Зависимость между неслучайными переменными, не требующую для своего изучения применения статистических методов; 2) 1)Зависимость случайной переменной y от неслучайных переменных, исследуемую методами регрессионного анализа; 3) 1)Зависимость между случайными переменными y и xi, изучаемую методами корреляционного анализа; 4) 1)Зависимость между неслучайными переменными, когда все они содержат ошибки измерения, требующую для своего изучения применения конфлюэнтного анализа. Применение регрессионного анализа для обработки результатов наблюдений позволяет получить оценку влияния переменных, рассматриваемых в качестве аргументов (независимых переменных) на переменную, которая считается зависимой от первых.

Магическая кружка-мешалка, зеленая.
Оригинальная кружка с двойными металлическими стенками (нержавеющая сталь). Сохраняет напиток горячим в течение дольшего времени (в
554 руб
Раздел: Кружки
Глобус Земли, политический, 250 мм.
Глобус Земли политический. Диаметр: 250 мм. На пластиковой подставке.
504 руб
Раздел: Глобусы
Сковорода-гриль чугунная, со складной деревянной ручкой, 25x25 см (квадратная).
Размеры: 25х25х2 см. Чугунная литая сковорода-гриль со складной ненагревающейся деревянной ручкой, с кольцом для подвешивания. Обладает
720 руб
Раздел: Сковороды гриль
скачать реферат Двухосный индикаторный стабилизатор телекамер на ВОГ

В качестве ключей применена комплементарная пара полевых и р-канальных СИТ - транзисторов типа КП954А, КП964А, которые имеют следующие характеристики: Iс.мах.20 А; Uс.и.мах.150 В; Uс.и.обр.80 В; Uс.и.нас.(Iс.=20А)0.7 В; сп. = вкл.50 нс; расс.0.5 мкс; Рс.max.40 Вт. Применение полевых транзисторов вместо биполярных позволяет: 1) иметь малые расс., т.е. уменьшить нелинейность выходной характеристики в области малых сигналов (вблизи нуля); 2) иметь малые сп. и вкл., т.е. уменьшить динамические потери при переключении, следовательно, уменьшить температуру транзисторов и, следовательно, вероятность их отказа; 3) повысить надежность УМ, т.к. у полевых транзисторов отсутствует вторичный пробой, что особенно важно при индуктивной нагрузке. Диоды VD6.VD9 служат для замыкания цепи тока нагрузки при закрытых ключах. Они выбираются по максимальному току и по времени восстановления обратного сопротивления. В схеме использованы импульсные диоды типа КД212А имеющие следующие электрические параметры: Uобр.200 В; Iпр.пост.1 А; восст.0.3 мкс. Диоды VD1.VD4 служат для защиты от пробоя перехода затвор - исток транзисторов V 4.V 4. Здесь могут быть использованы любые маломощные импульсные диоды, в схеме применен КД522.

скачать реферат МОП-транзисторы

В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению. Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток.

скачать реферат Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

Использование таких устройств позволит в будущем снизить их себестоимость засчёт совершенствования элементной базы, а при массовом производстве засчёт постепенного вытеснения более дорогостоящих приборов этого типа. 5. Безопасность жизнедеятельности и охрана труда Дипломная работа посвящена анализу погрешностей волоконно-оптического гироскопа. В ходе ее выполнения были проведены необходимые расчеты и сделаны выводы, которые могут послужить материалом для дальнейших исследований в этой области. При разработке алгоритмов анализа и математическом моделировании описываемых процессов использовался персональный компьютер IBM с процессором Pe ium, а также ряд дополнительного оборудования (принтер, модем и т.д.) Вся пояснительная записка также оформлялась в электронном виде. В связи с этим раздел безопасности жизнедеятельности целесообразно рассмотреть с учетом ГОСТ 12.4.113-82, а также "СНиП для работников ВЦ". Так как работа на персональных ЭВМ предполагалась в учебной лаборатории, то основные требования к условиям работы соответствуют «Гигиеническим требованиям к видедисплейным терминалам, персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы в ВЦ» Используемые программные продукты: Microsof Word 7.0 Мa hCad 6.0 Нормальная работа человека-оператора во многом зависит от того, в какой мере условия его работы соответствуют оптимальным.

скачать реферат Электроника

Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п > П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – типа. Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным. В п/п имеется 4 составляющие тока: i=(i )Д (ip)Д (i )Е (ip)E Д-диффузионный Е-дрейфовый Электрические переходы. Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны. Различают: p- , p-p , - , м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах) Электронно-дырочный p- переход. Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p- переходе Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости. р Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> > то p-область эмитерная, - область- база В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей. На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей. Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера (Курсовая работа) Выполнил: Гуревич Г.А. (4 курс заочной формы обучения) Проверил: Зайцев Г.О. (Москва, 2000) Введение 3 Двоичная система счисления и логика. 3 Схема действия компьютера. 4 Долговременная память. 4 Накопители на магнитных дисках и лентах. 4 CD и DVD-ROM. 5Полупроводниковые устройства. 6 Биполярные транзисторы. 8 Полевые транзисторы 10 Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах. 11Оперативная память. 12 Статическое ЗУ 14 Динамическое ОЗУ 15 Системная память: взгляд в будущее 16 Шесть технологий памяти будущего. Определения 18Центральный процессор. 20 Новые технологии. 21 Медные соединения 23 SiGe 24 Кремний на изоляторе (silico -o -i sula or, SOI) 24 Перовскиты 25Заключение 25 Список использованной литературы: 26Введение Сейчас, когда человечество входит в третье тысячелетие, для обитателей мегаполисов незаменимой вещью, фактически правой (или левой) рукой стал компьютер.

Карандаши цветные "Bic Aquacouleur", 12 цветов.
Яркие цвета, легкая затачиваемость и высокая устойчивость к поломке делают эти карандаши отличным вариантом для детей. Можно использовать
441 руб
Раздел: 7-12 цветов
Шкатулка декоративная "Стиль", 15,5x12,5x11,5 см (серый).
Шкатулка декоративная для ювелирных украшений, с выдвижными ящичками. Размер: 15,5x12,5x11,5 см. Материал: комбинированный.
1638 руб
Раздел: Шкатулки для украшений
Настольная игра "День вождей".
Детская активная игра для компании от 2 до 6 человек. Каждый ход игроки получают карточки с заданиями, которые надо выполнить. Если
1490 руб
Раздел: Игры-ходилки с фишками
скачать реферат Методология и методы принятия решения

Этап подгонки модели многократный. Таблица 5 Формальная классификация моделей. Признак классификации Модель 1. Целевое назначение Прикладные, теоретико-аналитические 2. По типу связей Детерминированные, стохастические 3. По фактору времени Статические, динамические 4. По форме показателей Линейные, нелинейные 5. По соотношению экзогенных и Открытые, закрытые эндогенных переменных 6. По типу переменных Дискретные, непрерывные, смешанные 7. По степени детализации Агрегированные (макромодели), детализированные (микромодели) 8. По количеству связей Одноэтапные, многоэтапные 9. По форме представления Матричные, сетевые информации 10. По форме процесса Аналитические, графические, логические 11. По типу математического Балансовые, статистические, аппарата оптимизационные, имитационные, смешанные 3.3. Классификация экономико-математических методов и моделей Суть экономико-математического моделирования заключается в описании социально-экономических систем и процессов в виде экономико-математических моделей. Выше кратко рассмотрен смысл понятий «метод моделирования» и «модель». Исходя из этого экономико-математические методы следует понимать как инструмент, а экономико-математические модели — как продукт процесса экономико-математического моделирования.

скачать реферат Создание термоядерного оружия в СССР: второй этап ядерной гонки

Именно так родился основополагающий принцип действия современного ТЯО – радиационная имплозия. Однако это предложение значительно опередило время. Тогда расчетно-теоретические методы исследования сложнейших процессов, происходящих в устройстве такого рода (в первую очередь, математическое моделирование), отсутствовали, а без них было невозможно и его практическое воплощение. Речь идет именно о методах, а не об аппаратурных средствах, какими являлись первые компьютеры (типа ЭНИАК Д. фон Неймана). Хорошо известно, что отставание от США в области ЭВМ советские ученые компенсировали разработками изощренных вычислительных методов, позволявших проводить сложнейшие расчеты на весьма примитивной аппаратуре (например, на электромеханических арифмометрах «Мерседес» ). Вот где и как сказались огромные возможности русской и советской математической школы! Остается назвать лишь авторов этой великолепной догадки, оформленной совместной приоритетной заявкой от 28.05.46 . Это известный математик, физик и кибернетик Д. фон Нейман и Клаус Фукс! Да-да, именно тот К.Фукс, самый значимый источник важнейшей разведывательной информации! Он был привлечен к работам по «классическому суперу», вероятно, в конце 1944 г. и знал о нем очень многое.

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Стабилитроны, вольтамперная характеристика, параметры, назначение. Варикапы, варакторы, параметрические диоды: назначение, основные параметры. Импульсные диоды: назначение, параметры. Диоды с барьером Шотки, параметры, сравнение с обычными диодами, применения. Туннельные диоды, особенности устройства, вольтамперная характеристика, параметры, применения. Диоды со структурой p-i- типа, принцип работы, параметры, применение. 4 Биполярные транзисторы Устройство и принцип действия транзистора, назначение и способы изготовления. Схемы включения: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Режимы работы: активный, отсечки, насыщения, инверсный. Работа транзистора в активном режиме. Потенциальная диаграмма. Инжекция неосновных носителей в эмиттерном переходе, движения носителей в базовой области, экстракция неосновных носителей в коллекторном переходе. Коэффициенты инжекции и передачи тока эмиттера. Связь между токами электродов. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора при различных включениях переходов. Статические характеристики биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (входные, выходные, прямой передачи, обратной связи).

скачать реферат Экзаменационные билеты с вопросами за весенний семестр 2001 года по: математическое моделирование экономических систем

Дать обоснование и экономическое значение. 17. Паутинообразная модель. 18. Фирма решает задачу обеспечения производства сырьем. Поставка сырья происходит со скоростью 200 ед/день, спрос на сырье непрерывен, с постоянной интенсивностью 100 ед/день. Перебои не допускаются (Io = 0). Затраты на доставку партии сырья равны 1000 у.е. На хранение единицы сырья в единицу времени 0,5 у.е. Найти оптимальный уровень заказа. 19. Для приобретения двух товаров потребитель выделил 1800 у.е. Цены на товары равны р1 = 90 у.е., р2 = 75 у.е. Рассчитать затраты потребителя на покупку х = (5, 4). Уложится ли потребитель в бюджет при этой покупке? (ответ обосновать) Зав. кафедрой Экзаменационный билет по предмету МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭКОНОМИЧЕСКИХ СИСТЕМ Билет № 4 3. Задача составления плана производства: экономический смысл строгого неравенства в ограничении на оптимальном плане. 20. Определение точки заказа. 21. Изокванта. Понятие, экономический смысл. 22. Решение задачи потребителя. Свойство, экономический смысл. 23. Анализ структуры отраслей с помощью МОБ. 24. Производственный процесс описывается с помощью производственной функции типа Кобба-Дугласа: f(x, y) = 125 ( x0,8 ( y0,4, где х – капитал, y – труд.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.