телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАЭлектроника, оргтехника -30% Разное -30% Всё для хобби -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Лавинно-пролетный диод

найти похожие
найти еще

Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Эффект Зинера проявляется лишь в достаточно узких р-п переходах с напряжением пробоя меньше 5 В для германия. В нашем случае это напряжение превышало 20 В, так что возрастание тока можно было целиком отнести за счет ударной ионизации. Исследования подтвердили это предположение, и диоды, в которых наблюдался эффект генерации СВЧ колебаний, были названы лавинно-пролетными. 2 ДИОДЫ С ПОЛЕВОЙ ЭМИССИЕЙДиоды с динамическим отрицательным сопротивлением известны в вакуумной электронике уже 60 лет. Л. Левеллин экспериментально показал возможность создания на основе такого диода генератора СВЧ. Схема подобного генератора включает диодный промежуток, ограниченный двумя электродами — катодом и анодом, к которым приложена постоянная U0 и переменная U~ разности потенциалов, и внешний колебательный контур. С термоэмиссионного катода в диодный промежуток поступает немодулированный поток электронов. Под действием переменного поля скорость электронов изменяется, и первоначально однородный электронный поток группируется. При этом средняя (за период) энергия взаимодействия электронов с переменным полем оказывается отличной от нуля и зависящей от угла пролета электронов в диоде ( = (( ((—время пролета электронов). В определенных интервалах значений угла пролета 2( < ( < (2 1) ( = 1, 2, .). Эта энергия отрицательна, т. е. происходит трансформация кинетической энергии электронов в энергию высокочастотного поля. В соответствующих диапазонах частот активное сопротивление диода отрицательно. Однако поскольку группировка электронов и отбор высокочастотной мощности происходят в одном и том же пролетном пространстве при отсутствии в этом пространстве замедленных электромагнитных волн, эффективность такого взаимодействия невелика и абсолютная величина активного сопротивления диода много меньше величины его реактивного (емкостного) сопротивления. Поэтому для создания автогенератора в СВЧ диапазоне приходится подключать к диоду внешний контур с высокой добротностью и снимать с катода очень большие плотности тока. В связи с этим реализация подобных генераторов встретила значительные трудности и они не нашли практического применения. Между тем существует принципиально простой способ резкого повышения эффективности диодных генераторов. Он заключается в замене модуляции электронов по скорости модуляцией по току на входе в диодный промежуток. Допустим, что вместо термоэмиссионного катода в диоде используется какой- либо тип автоэмиссионного катода с достаточно резкой зависимостью тока эмиссии от напряженности электрического поля. В этом случае выходящий из катода поток электронов будет модулирован по плотности с частотой приложенного напряжения. Активное сопротивление такого диода может принимать отрицательные значения и при отсутствии дополнительной группировки электронов в диодном промежутке. Это хорошо видно на пространственно-временной диаграмме движения электронов в диоде с полевой эмиссией, изображенной на рис. 4а. Сгустки электронов, вырванные из катода в моменты максимума высокочастотного поля, движутся сначала в ускоряющем, а затем в тормозящем поле, и, если угол пролета между катодом и анодом превышает (, активное сопротивление диода отрицательно и достигает максимальной величины при ( ( 3/2 ( (рис. 1.2,а). Дополнительная группировка электронов за счет модуляции по скорости в диодном промежутке играет при этом второстепенную роль.

Содержание . 1 Основные особенности лавинно-пролетных 4 диодов. 2 Диоды с полевой 9 . 3 Принцип работы 15 . . 19 писок использованной 20 ВВЕДЕНИЕНастоятельная необходимость миниатюризации аппаратуры СВЧ, повышение ее экономичности и надежности вызвала быстрый рост рабочих частот полупроводниковых приборов. Наряду с большими успехами в технологии транзисторов этому способствовало открытие новых физических явлений в полупроводниках, сделавшее возможным разработку приборов, адекватных СВЧ диапазону. Одним из первых явлений такого рода было обнаруженное СВЧ излучение при ударной ионизации в р-п переходах, послужившее основой для создания в 1959 г. новых СВЧ приборов—лавинно пролетных диодов (ЛПД). На базе ЛПД создаются и быстро совершенствуются разнообразные приборы и устройства, в первую очередь генераторы когерентных и шумовых колебаний сантиметрового и миллиметрового диапазонов. Малые габариты и вес, экономичность, виброустойчивость и т. п. позволяют отнести генераторы на ЛПД к числу наиболее перспективных источников электромагнитных колебаний СВЧ, открывающих широкие возможности развития СВЧ микросхемотехники. 1 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВХарактерной особенностью развития современной радиотехники является быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут в результате значительного усовершенствования технологии изготовления высокочастотных транзисторов, разработки туннельных диодов и диодов с переменной емкостью (варакторов). Хотя все эти приборы появились совсем недавно, они уже широко применяются в диапазоне СВЧ в качестве элементов высокочувствительных приемных устройств и умножительных цепочек. Однако до последнего времени не удавалось создать эффективного автогенератора сантиметровых волн, который мог бы служить твердотельным эквивалентом одного из основных электровакуумных приборов СВЧ — отражательного клистрона. Этот пробел в значительной мере восполняет новый полупроводниковый СВЧ прибор — лавинно-пролетный диод (ЛПД), являющийся основой целого класса СВЧ устройств; генераторов, усилителей и преобразователей частоты. В процессе исследования зависимости коэффициента преобразования частоты в диапазоне СВЧ на параметрических полупроводниковых диодах от величины приложенного к диоду постоянного смещения и мощности накачки было установлено, что при больших значениях обратного напряжения, превышающих пробивное, некоторые из диодов генерировали СВЧ колебания и в отсутствие сигнала накачки. Диффузионные диоды с меза-структурой и одним р-п переходом, сформированным путем диффузии мышьяка в германий р-типа, легированный галлием (рис. 1). Рис. 2. Схема включения ЛПД в цепь постоянного тока.Диод помещали в высокочастотный резонатор и включали в цепь постоянного тока, как показано на рис. 2. Генерация СВЧ колебаний наблюдалась при отрицательных напряжениях, на 0,5—1,5 В, превышающих пробивное напряжение, когда через диод проходил постоянный ток от 0,5 до 10—15 мА. Мощность колебаний в непрерывном режиме составляла для различных диодов величину от десятков микроватт до нескольких милливатт. Спектр колебаний в зависимости от тока, текущего через диод, и настройки резонатора изменялся от близкого к шумовому до почти монохроматического.

Так как напряженность электрического поля в большей части р- п перехода очень велика, то скорость дрейфа носителей практически постоянна и не завялит от поля. Рис. 7. Схема плавного р-п перехода ЛПД: а) запирающий слой; б) распределение ионов примеси; в) измение электрического поля.Таким образом, обратно смещенный р-п переход при напряжении, близком к пробивному, представляет собой диодный промежуток, в котором роль катода играет слой умножения, а роль пролетного пространства — остальная часть запорного слоя. Эмиссия такого катода носит ярко выраженный «полевой» характер — ток, выходящий из слоя умножения, возрастает или убывает в зависимости от напряженности электрического поля в этом слое. Лавинная природа тока эмиссии обусловливает его инерционность — для развития лавины требуется определенное время, так что мгновенное значение электрического поля определяет не саму величину лавинного тока, а лишь скорость его изменения во времени. Поэтому изменение тока не следует мгновенно за изменением электрического поля, а отстает от него по фазе на величину, близкую к (/2. Такой р-п переход близок по свойствам к оптимальному варианту полевого диода, в котором ток эмиссии отстает от поля на четверть периода. Под действием приложенного к р-п переходу переменного напряжения из слоя умножения выходят «пакеты» носителей заряда, которые сразу попадают в тормозящее высокочастотное поле, так что энергия взаимодействия этих носителей с полем отрицательна почти при любой ширине р-п перехода. Отсутствие модуляции скорости носителей в этом случае лишь улучшает высокочастотные свойства диода. Поэтому основные выводы о свойствах полевого диода с запаздывающей эмиссией, сделанные выше, применимы и к лавинно-пролетному диоду. Это касается, в частности, соображений о влиянии объемного заряда подвижных носителей на колебательные свойства генератора на лавинно-пролетном диоде. Попадая в пролетное пространство, основные носители частично нейтрализуют пространственный заряд ионов примеси и снижают поле в слое умножения. Этот эффект облегчает условия самовозбуждения генератора на частотах выше характеристической и препятствует возникновению паразитных колебаний на более низких частотах, где активное сопротивление диода положительно. Вместе с тем, ЛПД имеет специфические особенности, связанные с лавинной природой тока, из которых принципиальной является одна: сдвиг по фазе между полем и током в слое умножения, вследствие конечной ширины последнего, как правило, превышает (/2, и слой умножения сам по себе уже обладает отрицательным сопротивлением. В большинстве практически реализуемых р-п структур этот эффект является второстепенным, однако для одного класса диодов он играет решающую роль, определяя основные особенности их высокочастотных характеристик. Сдвиг фаз между током и напряжением на диоде определяется в этом случае инерционностью процесса ударной ионизации и пролетными эффектами во всем запорном слог. Вместе эти эффекты обеспечивают достаточно высокую эффективность взаимодействия носителей тока с высокочастотным электрическим полем, сравнимую с эффективностью взаимодействия в ЛПД других типов.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ЛА)

Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f0/fn, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).   Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p+-n-i-n+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р+-n и р-n+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).   Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ, М., 1968.   В. М. Вальд-Перлов. Лавинный транзистор Лави'нный транзи'стор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Приведенный выше исторический экскурс далеко не всеобъемлемо охватывает пути развития негатроники и роль ученых разных стран в ее развитии. В заключении нельзя не обратить внимание читателя на ряд фундаментальных обобщающих работ в области негатроники. Прежде всего это монография С.А. Гаряинова и И.Д. Абергауза «Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением» (М.: Энергия, 1974) в которой сформулирован ряд основополагающих положений, касающийся статических R-негатронов. Основы теории вакуумных негатронов обобщены И.В. Лебедевым в книге «Техника и приборы СВЧ» (т.2., М.: Высшая школа, 1972). Теория и применение лавинных транзисторов детально рассмотрены в монографии В.П. Дьяконова «Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах» (М.: Советское радио, 1975). В работе «Отрицательные сопротивления в электронных схемах» (М.: Сов. радио, 1973) Ф. Бенингом анализируются обобщенные свойства не только R-, но и L-, C-негатронов и их схемотехническая реализация. Физика работы и вопросы применения полупроводниковых статических и динамических R-негатронов рассматриваются в монографии «Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ», (М.: Мир, 1979) под редакцией М. Хауэса и Д. Моргана. В монографии А.С. Тагера и В.М. Вальд-Перлова «Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ» (М.: Советское радио, 1968), дается детальный анализ физики работы ЛПД и СВЧ устройств на их основе.

Фоторамка "Poster gold" (70х100 см).
Рамка настенная может располагаться как вертикально, так и горизонтально. Для фотографий размером: 70х100 см. Размер рамки: 71х101
485 руб
Раздел: Размер 50x60 и более
Пластины для стирки белого и цветного белья FeedBack, 30 штук.
Пластины для стирки белого и цветного белья это настоящая революция среди средств для стирки. Не содержит фосфатов! Пластины необходимо
640 руб
Раздел: Стиральные порошки
Стиральный порошок-концентрат для цветного белья BioMio "Bio-color" с экстрактом хлопка, без запаха, 1,5.
Эффективно удаляет пятна и загрязнения, сохраняя структуру ткани и первозданный цвет. Концентрированная формула обеспечивает экономичный
447 руб
Раздел: Стиральные порошки
 Большая Советская Энциклопедия (ПА)

Кроме того, в диапазоне СВЧ применяют П. у., работающие на электроннолучевых лампах, а в области низких (звуковых) частот —П. у. с ферромагнитным (ферритовым) элементом.   Наибольшее распространение получили двухчастотные (или двухконтурные) П. у.: в сантиметровом диапазоне — регенеративные «отражательные усилители с сохранением частоты» (рис. , а), на дециметровых волнах — усилители — преобразователи частоты (рис. , б) (см. Параметрическое возбуждение и усиление электрических колебаний ). В качестве приёмного колебательного контура и колебательного контура, настраиваемого на вспомогательную, или «холостую», частоту (равную чаще всего разности или сумме частот сигнала и генератора накачки), в П. у. обычно используют объёмные резонаторы , внутри которых располагают ППД. В генераторах накачки применяют лавинно-пролётный полупроводниковый диод , Ганна диод , варактор ный умножитель частоты и реже отражательный клистрон . Частота накачки и «холостая» частота выбираются в большинстве случаев близкими к критической частоте f kp ППД (т. е. к частоте, на которой П. у. перестаёт усиливать); при этом частота сигнала должна быть значительно меньшей f kp

скачать реферат Сверхвысокочастотные диоды

Так, смеси-тельные СВЧ диоды характеризуют потерями преобразования (от-ношение мощности СВЧ на входе к мощности промежуточной час-тоты на выходе диода), шумовым отношением (отношение мощно-сти шумов на выходе диода в рабочем режиме к мощности тепловых шумов активного сопротивлению диода), нормированным коэффи-циентом шума, характеризующим обобщенную чувствительность приемного устройства, и дифференциальным выходным сопротив-лением. В ряде случаев электрический параметр определяет не толь-ко свойства самого СВЧ диода, но и свойства конкретного СВЧ уст-ройства, в котором установлен данный диод. Следует иметь в виду, что мощность, при которой происходит "выгорание" диода, сопровождающееся необратимыми ухудшения-ми вольтамперной характеристики или пробоем, весьма мала. По-этому необходимо исключить всякие непредусмотренные воздейст-вия и принять нужные меры защиты как при работе, так и при хра-нении СВЧ диода (например, недопустим разряд через диод стати-ческого электричества, накопленного на теле оператора; хранение диода в металлическом патроне и др.). В устройствах миллиметрового диапазона волн (особенно инте-гральных) для построения мощных СВЧ усилителей широко приме-няют лавинно-пролетные диоды, а для построения СВЧ генераторов диоды Ганна.

 Большая Советская Энциклопедия (ПО)

Для достижения высокого энергетического разрешения П. с. и предусилители охлаждают, помещая их в криостат . Полупроводниковый стабилитрон Полупроводнико'вый стабилитро'н , полупроводниковый диод , на выводах которого напряжение остаётся почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нём электрического тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики П. с. находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р—n -перехода. При напряжениях пробоя Unp < 5 в механизм резкого возрастания тока (пробой) связан с туннельным эффектом , а при Unp > 6,5 в — с лавинным умножением носителей заряда; при промежуточных напряжениях генерируемые первоначально (вследствие туннельного эффекта) носители заряда создают условия для управляемого лавинного пробоя. В СССР выпускаются (1975) кремниевые П. с. на различные номинальные напряжения стабилизации в диапазоне от 3 до 180 в. П. с. применяют главным образом для стабилизации напряжения и ограничения амплитуды импульсов, в качестве источника опорного напряжения, в потенциометрических устройствах.   Лит.: Михин Д. В., Кремниевые стабилитроны, М. — Л., 1965.   И. Г. Васильев

скачать реферат Основные требования к полупроводниковым материалам

С появлением полупроводниковых приборов возникла сразу же необходимость в улучшении их частотных свойств, в повышении допустимой мощности рассеяния. Рабочие частоты современных кремниевых биполярных транзисторов СВЧ приближаются уже к теоретическому пределу. Поэтому, чтобы еще улучшить частотные свойства, нужно использовать другой материал (о чем уже было сказано ранее), а также разрабатывать полупроводниковые приборы с другим принципом действия. Так, для генерации СВЧ электромагнитных колебаний разрабатываются и выпускаются лавинно-пролетные диоды и генераторы Ганна, (генераторы Ганна, хотя в структуре этих приборов нет выпрямляющего электрического перехода). Принцип действия лавинно-пролетных диодов основан на инерционности лавинного умножения носителей зарядов в электронном переходе при лавинном пробое и на существование некоторого времени пролета возникающих в переходе носителей через этот переход. Поэтому к однородности и качеству исходного полупроводникового материала лавинно-пролетных диодов предъявляются жесткие требования. Выпускаемые промышленностью лавинно-пролетные диоды и генераторы Ганна рассчитаны на выходную СВЧ мощность в непрерывном режиме в несколько десятков милливатт.

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Негатроника. Исторический обзор Николай Филинюк В настоящее время в области электроники развивается ряд научных направлений: квантовая электроника, оптоэлектроника, акустоэлектроника, хемотроника, магнитоэлектроника, криоэлектроника и др. В последнее десятилетие сформировалось еще одно направление – «Негатроника» . Это направление электроники связанно с теорией и практикой создания и применения негатронов – электронных приборов, имеющих в определенном режиме отрицательное значение основного дифференциального параметра (отрицательных активного сопротивления, емкости и индуктивности) . В настоящее время разработаны различные виды негатронов, обобщенная классификация которых представлена на рис.1. Только полупроводниковых негатронов создано более двух десятков разновидностей (рис.2). Среди них самые мощные сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы – лавинно-пролетные диоды, самые быстродействующие ключи на лавинных транзисторах, самые мощные токовые полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Однако развитие этого направления проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело систематизированной методологической и теоретической базы.

скачать реферат Физические основы электроники

Например, если полупроводник электронный и к нему прикладывается отрицательное напряжение, то под действием электрического поля у Рисунок 1.22 Образование обогащенного Рисунок 1.23 График изменения типа слоя на поверхности полупроводника электропроводности на поверхности -типа. полупроводника. поверхности увеличиваются концентрация электронов и электропроводность приповерхностного слоя полупроводника (см. рис. 1.22). При изменении полярности напряжения концентрация электронов в приповерхностном слое уменьшается, а дырок - увеличивается. В связи с этим электропроводность приконтактной области уменьшается, стремясь к собственной. Увеличение напряжения приводит к тому, что концентрация дырок становится выше концентрации электронов и происходит изменение (инверсия) типа электропроводности слоя. При этом электропроводность приповерхностного слоя увеличивается. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника -типа от напряжения показана на рис. 1.23. Это явление принято называть эффектом поля. 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 2.1 Классификация Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам: - методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.; - физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды. диоды Ганна и др.; - назначению: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смесительные, СВЧ-диоды и др.

скачать реферат Волоконно-оптические системы

Статистика распределения протяженности С.Л городской телефонной сети в крупнейших городах Украины свидетельствует, что С.Л протяженностью до 6 км составляют 65% от всего числа СЛ. Значительные расстояния между регенерационными пунктами ВОСП дают возможность отказаться от оборудования регенераторов в колодцах телефонной канализации, а также от организации дистанционного питания (рис1.1). В наиболее общем виде принцип передачи информации в волоконно- оптических системах связи можно пояснить с помощью рис.1.2. На передающей стороне на излучатель света, в качестве которого в ВОСП используется светодиод или полупроводниковый лазер, поступает электрический сигнал, предназначенный для передачи по линии связи. Этот сигнал модулирует оптическое излучение источника света, в результате чего электрический сигнал преобразуется в оптический. На приемной стороне оптический сигнал из О.В. вводится в фотодетектор (Ф.Д). В современных ВОСП в качестве Ф.Д. используют p-i- или лавинный фото диод (ЛФД). Фотодетектор преобразует падающее на него оптическое излучение в исходный электрический сигнал. Затем электрический сигнал поступает на усилитель (регенератор) и отправляется получателю сообщения. Рисунок 1.3 – Принцип передачи информации в волоконно-оптических системах связи.

Спрей детский солнцезащитный с календулой "Кря-Кря", SPF 25, 200 мл.
Солнцезащитный спрей "Кря-Кря" для защиты нежной кожи ребёнка. Спрей содержит комбинированный фильтр и защищающие компоненты.
425 руб
Раздел: Солнцезащитная косметика
Тетрадь на резинке "Study Up", В5, 120 листов, клетка, салатовая.
Тетрадь общая на резинке. Формат: В5. Количество листов: 120 в клетку. Бумага: офсет. Цвет обложки: салатовый.
442 руб
Раздел: Прочие
Набор "Дизайнер улиц".
Набор включает жидкий мел в удобных баллончиках трех цветов и трафареты для рисования. Жидким мелом легче, чем обычным, реализовать
382 руб
Раздел: Мел
скачать реферат Оптоволоконные линии связи

Обзор существующих методов передачи на волоконно-оптических системах передачи городских телефонных сетей.1.1.Принципы построения и основные особенности ВОСП на ГТС Особенностью соединительных линий (С.Л) является относительно небольшая их длина за счет глубокого районирования сетей. Статистика распределения протяженности С.Л городской телефонной сети в крупнейших городах России свидетельствует, что С.Л протяженностью до 6 км составляют 65% от всего числа СЛ. Значительные расстояния между регенерационными пунктами ВОСП дают возможность отказаться от оборудования регенераторов в колодцах телефонной канализации, а также от организации дистанционного питания (рис1.1). РАТС РАТС РАТС РАТС РАТС РАТС В наиболее общем виде принцип передачи информации в волоконно-оптических системах связи можно пояснить с помощью рис.1.2. На передающей стороне на излучатель, в качестве которого в ВОСП используется светодиод или полупроводниковый лазер, поступает электрический сигнал, предназначенный для передачи по линии связи. Этот сигнал модулирует оптическое излучение, в результате чего электрический сигнал преобразуется в оптический. На приемной стороне оптический сигнал из О.В. вводится в фотодетектор (Ф.Д). В современных ВОСП в качестве Ф.Д. используют p-i- или лавинный фото диод (ЛФД).

скачать реферат Волоконно-оптические линии связи

Таким образом, и в промежуточном усилителе остается задача преобразования и регенерации электрического сигнала (усиление или восстановление нужной формы импульса при двойных бинарных сигналах). Этот восстановленный электрический сигнал вторично используют для управления лазером или светоизлучающим диодом, который теперь излучает усиленный световой сигнал.7.2 ФОТОДИОДЫ ИСПОЛЬЗУЮТ ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ В оптических системах связи, в которых на выходе каждого отдельного световода должен быть установлен чувствительный фотоприемник, вводятся два прибора которые могут, быть выполнены методом микроэлектронной технологии. Речь идет о p-i- фотодиоде и лавинном фотодиоде. Оба используют внутренний фотоэффект, который проявляется в этом специальном случае непосредственно в окрестностях р- перехода.7.3 ШУМ — СИЛЬНЕЙШИЙ ВРАГ ТЕХНИКИ СВЯЗИ Понятие, которое имеет решающее значение для функционирования каждой системы связи, — помехи. Насколько не одинаковы неисправности системы из-за потерь в сети питания или отказов каких-либо элементов, встречающиеся в каждом приборе или устройстве, настолько же не одинаковы помехи, вызванные электромагнитными полями.

скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

У тонкопленочных структур (рис.6, б) эпитаксиальный активный слой GaAs 1 длиной может быть расположен между высокоомной подложкой 3 и изолирующей диэлектрической пленкой 2, выполненной, например, из SiO2. Омические анодный и катодный контакты изготовляют методами фотолитографии. Поперечный размер диода может быть сравним с его длиной . В этом случае образующиеся при формировании домена объемные заряды создают внутренние электрические поля, имеющие не только продольную компоненту , но и поперечную компоненту (рис.6, в). Это приводит к уменьшению поля по сравнению с одномерной задачей. При малой толщине активной пленки, когда , критерий отсутствия доменной неустойчивости заменяется на условие . Для таких структур при устойчивом распределении электрического поля может быть больше . Время формирования домена не должно превышать полупериода СВЧ-колебаний. Поэтому имеется и второе условие существования движущегося домена , из которого с учетом (1) получаем . В зависимости от соотношения времени пролета и периода СВЧ-колебаний, а также от значений постоянного напряжения и амплитуды высокочастотного напряжения могут быть реализованы следующие доменные режимы: пролетный, режим с задержкой домена, режим с подавлением (гашением) домена.

скачать реферат Защита салона автомобиля от съема информации

В качестве возможных решений можно предложить следующие приборы: 1. Генератор акустического шума W G-023. Предназначен для защиты переговоров от прослушивания в замкнутых пространствах (тамбур, салон автомобиля, небольшие кабинеты и пр.) за счет генерации «белого» шума в акустическом диапазоне частот, что обеспечивает снижение разборчивости после записи или передачи по каналу связи. Технические характеристики приведены в таблице 3.5 Таблица 3.5 – Технические характеристики W G-023. Диапазон частот 100-12000Гц Максимальная выходная мощность 1 Вт Габариты 111x70x22 мм Питание 220/9 В Самым простым методом получения белого шума является использование шумящих электронных элементов (ламп, транзисторов, различных диодов) с усилением напряжения шума . Принципиальная схема несложного генератора шума приведена на рис 3.5. рис 3.5 Генератор шума Источником шума является полупроводниковый диод - стабилитрон VD1 типа КС168, работающий в режиме лавинного пробоя при очень малом токе. Сила тока через стабилитрон VD1 составляет всего лишь около 100 мкА. Шум, как полезный сигнал, снимается с катода стабилитрона VD1 и через конденсатор С1 поступает на инвертирующий вход операционного усилителя DA1 типа КР140УД1208.

скачать реферат Искусственные сооружения на автомобильных дорогах

Для пропуска по реке судов в наплавных мостах применяют выводные секции, а на период ледохода и ледостава такие мосты разбирают (рис. 1.2, д). Водопропускные трубы (рис. 1.3) — сравнительно простые по конструкции и постройке искусственные сооружения. При насыпи небольшой высоты (до 1 —1,5 м) и незначительном количестве протекающей воды иногда устраивают лоток. Рис. 1.1. Железнодорожный мост:1 — пролетное строение; 2 — опора Рис. 1.2. Виды мостов: а — путепровод; б — разводной; в — виадук; Рис. 1.2. г — эстакада; д — наплавной Рис. 1.3. Двухочковая водопропускная труба Рис. 1.4. Подпорные стены Подпорные стены служат для поддержания откосов на сыпей на крутых косогорах, при устройстве дорог в пределах населенных пунктов, дляограждения построек и предохранения от подмыва конусов насыпей и откосов дамб (возле мостов (рис. 1.4). В горных районах, кроме того, для ограждения полотна дорог от возможных обвалов крупных камней, каменных осыпей, снежных лавин устраивают особые защитные искусственные сооружения — галереи, подпорные и улавливающие стены, а для отвода грязи и каменных потоков (селей), стекающих со склонов гор во время сильных ливней, применяют специальные сооружения — селеспуски (рис. 1.5). По общим размерам, сложности проектирования и способам организации строительства искусственные сооружения принято классифицировать на четыре группы: малые, к которым относятся мосты общей длиной до 25 м, а также водопропускные трубы под насыпями и лотки, средние, полная длина которых до 100 м, а отдельные пролеты не превышают 42 м, большие — длиной свыше 100 м с пролетами более 60 м, очень большие, часто называемые внеклассными или уникальными мостами, возводимыми через большие водные пространства.

Бумага для офисной техники, А4, 80 г/м2, 138% CIE, 500 листов в пачке.
Бумага для ксерокопий предназначена для размножения печатных материалов на копировальных аппаратах и лазерных принтерах, не рекомендуется
307 руб
Раздел: Формата А4 и меньше
Игрушка пластмассовая "Умный телефон".
Интерактивная развивающая игрушка выполнена в форме телефона. Умный телефон имеет несколько функций: 1. Обучение: называет буквы, цифры,
379 руб
Раздел: Мобильные
Металлофон, 12 тонов.
Не рекомендуется детям до 2 лет. Размер: 27,5х10х3 см.
399 руб
Раздел: Ксилофоны, металлофоны
скачать реферат Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

Принцип работы полупроводникового диода основан на фотовольтаическом эффекте, который состоит в том, что при облучении неоднородного полупроводника светом возникает фототок (или фото-ЭДС). Высокочувствительные фотодиоды и лавинные фотодиоды с внутренним усилением тока конструируются на основе р- -переходов, р-i- -структур или переходов металл-полупроводник. Во всех структурах фотовозбужденные электроны н дырки, образующиеся внутри области перехода и в объеме полупроводника, диффундируют к переходу, образуя фототок. Для образования свободной электронно-дырочной пары с обеих сторон от p- -перехода необходимо, чтобы энергия поглощенного фотона была больше ширины запрещенной зоны. Образование и диффузия пар электрон-дырка сопровождается появлением потенциала в сечении перехода. Под действием электрического поля перехода электрон движется в направлении -области, а дырка - в направлении p-области. Таким образом происходит расщепление пар. Избыток электронов в -области и дырок в p-области приводит к тому, что -область заряжается отрицательно, а p-область - положительно.

скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

У тонкопленочных структур (рис.6, б) эпитаксиальный активный слой GaAs 1 длиной может быть расположен между высокоомной подложкой 3 и изолирующей диэлектрической пленкой 2, выполненной, например, из SiO2. Омические анодный и катодный контакты изготовляют методами фотолитографии. Поперечный размер диода . В этом случае образующиеся при формировании домена объемные заряды создают внутренние электрические поля, имеющие не только продольную компоненту (рис.6, в). Это приводит к уменьшению поля по сравнению с одномерной задачей. При малой толщине активной пленки, когда , критерий отсутствия доменной неустойчивости . Для таких структур при устойчивом распределении электрического поля может быть больше . Время формирования домена не должно превышать полупериода СВЧ- колебаний. Поэтому имеется и второе условие существования движущегося домена . В зависимости от соотношения времени пролета и периода СВЧ-колебаний, а также от значений постоянного напряжения могут быть реализованы следующие доменные режимы: пролетный, режим с задержкой домена, режим с подавлением (гашением) домена.

скачать реферат Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Существуют 3 основных вида пробоя: туннельный, лавинный и тепловой. рис. 2.7. Полупроводниковый диод.Полупроводниковый диод (ПД) представляет собой 2х-электродный прибор, действие кот. основано на использовании эл-ских свойств p- перехода или контакта металл-полупроводник. К этим св-вам относятся: односторонняя проводимость, нелинейность ВАХ, наличие участка ВАХ, обладающего отрицательным сопротивлением, резкое возрастание обратного тока при эл-ком пробое, существование емкости p- перехода. В завис. от того, какое из свойств p- перехода используется, ПД могут быть применены для целей выпрямления, детектирования, преобразования, усиления и генерирования эл. колебаний, а также для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока и в качестве переменных реактивных элементов. В большинстве случаев ПД отличается от симметричного p- перехода тем, что p- область диода имеет значительно большее количество примесей, чем - область (несимметричный p- переход), т.е. в этом случае - область носит название базы диода. При подаче на такой переход обратного напряжения ток насыщения будет состоять почти только из потока дырок из базы в p- область и будет иметь меньшую величину, чем для симметричного перехода.

скачать реферат Защита салона автомобиля от съема информации

Предназначен для защиты переговоров от прослушивания в замкнутых пространствах (тамбур, салон автомобиля, небольшие кабинеты и пр.) за счет генерации «белого» шума в акустическом диапазоне частот, что обеспечивает снижение разборчивости после записи или передачи по каналу связи. Технические характеристики приведены в таблице 3.5Таблица 3.5 – Технические характеристики W G-023. Диапазон частот100-12000Гц Максимальная выходная мощность1 Вт Габариты111x70x22 мм Питание220/9 В Самым простым методом получения белого шума является использование шумящих электронных элементов (ламп, транзисторов, различных диодов) с усилением напряжения шума. Принципиальная схема несложного генератора шума приведена на рис 3.5.рис 3.5 Генератор шумаИсточником шума является полупроводниковый диод - стабилитрон VD1 типа КС168, работающий в режиме лавинного пробоя при очень малом токе. Сила тока через стабилитрон VD1 составляет всего лишь около 100 мкА. Шум, как полезный сигнал, снимается с катода стабилитрона VD1 и через конденсатор С1 поступает на инвертирующий вход операционного усилителя DA1 типа КР140УД1208.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.