телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАРыбалка -5% Программное обеспечение -5% Музыка -5%

все разделыраздел:Физика

Исследование биполярного транзистора

найти похожие
найти еще

Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
10 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
189 руб
Раздел: Ванная

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (УС)

При необходимости получения K p , большего, чем такой У. э. к. может обеспечить, применяют более сложный У. э. к., содержащий несколько каскадов усиления .   Классификация У. э. к. В зависимости от вида применяемых усилительных элементов различают транзисторные и ламповые У. э. к., диодные регенеративные усилители, параметрические усилители , диэлектрические усилители , магнитные усилители , усилители на клистронах и лампах бегущей волны , квантовые усилители (см. также Мазер ).   В транзисторных У. э. к., собранных на биполярных транзисторах или полевых транзисторах , в зависимости от того, какой из выводов усилительного элемента является общим для входа и выхода усилительного каскада, различают каскады с общим эмиттером или истоком (рис. 2, а и б ), с общей базой или затвором (рис. 2, б и г ) и с общим коллектором или стоком. В У. э. к. на биполярных транзисторах из-за наличия входного тока на управление транзистором приходится затрачивать определённую мощность. Этот недостаток в меньшей мере присущ каскадам с общим эмиттером (обладающим сравнительно большим входным сопротивлением – до нескольких ком ), в большей – каскадам с общей базой (десятки ом )

скачать реферат Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Графическая зависимость Iк=f (Uкэ) представляет собой прямую линию, которая называется нагрузочной прямой. Для исследования свойств транзистора нагрузочную кривую наносят на семейство выходных характеристик (рис.2). Точка пересечения нагрузочной прямой с осью токов совпадает с точкой, для которой удовлетворяется условие Iк·Rн=Ек. рис. 2.17. Т-образная схема биполярного тр-ра.Параметры Z, У и Н наз-ся внешними параметрами, так как кроме свойств самого транзистора они зависят еще и от схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК). Поэтому иногда более удобно при расчетах использовать схемы замещения. Тр-р в этом случае представляется эквивалентной схемой, состоящей из определенного кол-ва электрических элементов (сопротивления, индуктивности, емкости и т.д.). Однако одними пассивными элементами нельзя описать усилительные свойства тр-ра. Поэтому в эквивалентную схему вводится еще генератор ЭДС или тока. Т-образную эквивалентную схему замещения легко получить из уравнений четырехполюсника для Z-параметров на низких частотах. Заменив в уравнениях: Uвх=r11Iвх r12Iвых; Uвых=r21Iвх r22Iвых. Uвх и Iвх через U1 и I1, а Uвых и Iвых соответственно через U2 и I2, будем иметь: U1=r11I1 r12I2; U2=r21I1 r22I2.

Глобус "Двойная карта", рельефный, диаметром 320 мм, с подсветкой.
Диаметр: 320 мм. Масштаб: 1:40000000. Материал подставки: пластик. Цвет подставки: черный. Мощность: 220 V, может использоваться в
1146 руб
Раздел: Глобусы
Фруктовница с крышкой "Webber" ВЕ-0203 (красная), 26 см.
Материал: высококачественная нержавеющая сталь. Диаметр: 26 см.
334 руб
Раздел: Сухарницы, корзины для хлеба и фруктов
Доска магнитно-маркерная в деревянной неокрашенной раме.
Отличный и незаменимый инструмент при проведении обучающих занятий, презентаций – магнитно маркерные доски. Применяются, как для письма,
422 руб
Раздел: Доски магнитно-маркерные
 Лекции по схемотехнике

Нагрузочные, наоборот, имеют более длинный, но узкий канал, поэтому имеют более высокое выходное сопротивление и выполняют роль большого активного сопротивления. Существенным преимуществом логических элементов на МОП-транзисторах перед логическими элементами на биполярных транзисторах является малая мощность, потребляемая входной цепью. Однако по быстродействию они уступают схемам на биполярных транзисторах. Это обусловлено тем, что у них имеются сравнительно большие паразитные ёмкости CЗИ и CСИ, на перезарядку которых затрачивается определённое время. Кроме того, выходное сопротивление у открытого МОП-транзистора больше, чем у биполярного, что увеличивает время заряда конденсаторов нагрузки и ограничивает нагрузочную способность ЛЭ. 3.6.1 Логические элементы на ключах с динамической нагрузкой Логические элементы на ключах с динамической нагрузкой состоят из одного нагрузочного и нескольких управляющих транзисторов. Если управляющие транзисторы включены параллельно, то, как и в НСТЛ (см. рисунок 15,а), элемент осуществляет логическую операцию ИЛИ-НЕ, а при последовательном соединении — операцию И-НЕ (рисунок 18,а,б)

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Для них характерна большая экономичность по питанию при работе в ключевом режиме, способность коммутировать сигналы большой мощности. Таким образом, теоретически они являются многофункциональными приборами, с помощью которых можно осуществлять широкую унификацию радиоэлектронных устройств. Однако практическая область их применения ограничивается в основном устройствами импульсной техники, что объясняется рядом характерных для них недостатков. К ним относятся: низкая температурная стабильность, повышенная неустойчивость коэффициента преобразования устройств к изменению отрицательного сопротивления, низкая экономичность по питанию при работе в линейном режиме, высокие питающие напряжения и малый частотный диапазон. Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на в.а.х. которого имеется участок отрицательного сопротивления . Теоретические исследования таких негатронов и импульсных устройств на их основе, проведенные В.П. Дьяконовым , показали возможность формирования импульсов с временем нарастания 0,1.1 нс и амплитудой до 15 В и более на сопротивлении нагрузки в 750 Ом.

 Схемотехника аналоговых электронных устройств

Так как обычно УУ имеют общий узел между входом и выходом, то, согласно [3], их первичные и вторичные параметры определяются следующим образом: Yij = Δij / Δii,jj, Zij = Δij / Δ, Kij = Δij / Δii. где i, j — номера узлов, между которыми определяются параметры; Δii,jj  — двойное алгебраическое дополнение. По практическим выражениям, получаемым путем упрощения вышеприведенных выражений, вычисляют необходимые параметры усилительного каскада, например: Yвх = Gвх + jωCвх, Yвых = Gвых + jωCвых, K(jω) = K0/(1 + jωτ). где t — постоянная времени цепи, Gвх, Gвых — низкочастотные значения входной и выходной проводимости. Полученные соотношения позволяют с приемлемой точностью проводить эскизный расчет усилительных каскадов. Результаты эскизного расчета могут быть использованы в качестве исходных при проведении машинного моделирования и оптимизации. Методы машинного расчета УУ приведены в [4]. 2.4. Активные элементы УУ 2.4.1. Биполярные транзисторы Биполярными транзисторами (БТ) называют полупроводниковые приборы с двумя (или более) взаимодействующими p-n-переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которых обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей заряда.  Для определения малосигнальных Y-параметров БТ используют их эквивалентные схемы

скачать реферат Усилитель звуковых частот

Усилитель мощности должен отдавать в цепь нагрузки (потребителя) заданную мощность электрических колебаний. Его нагрузкой могут являться излучатели звука: акустические системы (колонки), наушники (головные телефоны); радиотрансляционная сеть или модулятор радиопередатчика. Усилитель низких частот является неотъемлемой частью всей звуковоспроизводящей, звукозаписывающей и радиотранслирующей аппаратуры. Цель исследования темы: изучить работу усилителя звуковых частот. Задачи: Рассмотреть классификацию и основные параметры усилителя Рассмотреть принцип построения каскада усиления Рассмотреть структурные схемы лампового усилителя Рассмотреть структурные схемы усилителя на биполярных транзисторах Рассмотреть структурные схемы интегрального усилителя Описать изготовление УНЧ на своей практике Актуальность темы: В нашем современном мире усилитель звуковой частоты можно встретить во всей современной и даже несовременной технике: в телевизорах, музыкальных центрах, радиоприёмниках, радиопередатчиках, радиотрансляционных сетях, телефонах, мобильных телефонах, автомагнитолах и т. д. Я всегда интересовался техникой и электроникой.

скачать реферат Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ по проектированию и конструированию полупроводниковых приборов и элементов ИМС Тема: Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2. Срок представления проекта к защите: Исходные данные для научного исследования: научно-техническая информация Содержание пояснительной записки курсового проекта: Модель биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа Pspice. Статические и динамические параметры Уравнения, описывающие электрические характеристики транзистора Методы экстракции статических параметров модели биполярного транзистора из результатов измерения характеристик и параметров Методы экстракции динамических параметров модели биполярного транзистора из результатов измерения динамических характеристик и параметров Перечень графического материала: Эквивалентная схема модели биполярного транзистора Руководитель проекта, к.ф.-м.н., зав. кафедрой Задание принял к исполнению СодержаниеВведение 1. Модель биполярного транзистора (БТ) в программе схемотехнического анализа PSpice 2. Модель биполярного транзистора в статическом режиме работы 2.1 Уравнения, описывающие статические характеристики транзистора 2.2 Параметры, описывающие статическую модель БТ 2.3 Методы экстракции статических параметров модели БТ из результатов измерения статических характеристик и параметров 3.

скачать реферат МОП-транзисторы

В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению. Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток.

скачать реферат Логические элементы

Однако основной переход база – коллектор не опирается, ибо конструкция многоэмиттерного транзистора (и режим работы) такова, что ток в цепи база – коллектор может протекать тогда, когда оказываются запертыми все переходы база – эмиттер. Таким образом, только при одновременной подаче на оба входа напряжения логической 1 отпирается переход база – коллектор транзистора V 1, что в свою очередь приводит к отпиранию транзистора V 2 появлению на выходе напряжения логической 1 в полном соответствии с правилом действия логического элемента И.МОП – вариант схемы логического элемента И приведен на рис. 5, г. Здесь, как и в предыдущих схемах, вместо сопротивления нагрузки используется МОП – транзистор с отпирающим напряжением на затворе. Рис.5. Логический элемент И на биполярных транзисторах (а), диаграммы напряжений на его входах А, В я выходе Q (б); элемент И, выполненный на многоэмиттерном (б) и МОП-транзисторах (а) Логический элемент ИЛИ. Логическое утверждение «Если А или В истинно, тогда Q истинно» записывается так А В=Q, где знак « » есть символ, обозначающий операцию ИЛИ. Соответствующая этому определению Функциональная табл. 2. показывает, что выход получается при наличии любого входного сигнала.

Кружка, 450 мл, 10 см, арт. 113415.
Состав: керамика. Мыть тёплой водой с применением нейтральных моющих средств.
393 руб
Раздел: Кружки
Мебель для кукол "Спальня Конфетти".
Спальня "Конфетти" - это игровой набор, состоящий из пуфика, кровати и трюмо. Мебель собирается по схеме. При сборке не забудьте
562 руб
Раздел: Спальни, кроватки
Фломастеры "Color Peps duo", 10 штук, 20 цветов.
Двусторонние фломастеры со смываемыми чернилами для детей всех возрастных групп. Яркий, запоминающийся дизайн «под зебру». Один фломастер
340 руб
Раздел: 13-24 цвета
скачать реферат Электроника

Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п > П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – типа. Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным. В п/п имеется 4 составляющие тока: i=(i )Д (ip)Д (i )Е (ip)E Д-диффузионный Е-дрейфовый Электрические переходы. Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны. Различают: p- , p-p , - , м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах) Электронно-дырочный p- переход. Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p- переходе Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости. р Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> > то p-область эмитерная, - область- база В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей. На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей. Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U.

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Одновременно с эмиттерами формируются области под контакты коллекторов и нижние обкладки МДП-конденсаторов. В качестве легирующей примеси используется фосфор.16 – фотолитография для вскрытия окон для травления окисла под МДП-конденсаторы.Данный этап необходим для создания тонкого окисла между верхней и нижней обкладками конденсатора. Он получается травлением пассивирующего слоя до нужной толщины.17 – формирование тонкого окисла в местах создания МДП-конденсаторов.18 - фотолитография для вскрытия контактных окон;19 - напыление пленки алюминия.Соединения элементов ИМС создаются металлизацией. На поверхность ИМС методом термического испарения в вакууме наносится слой алюминия толщиной около 1 мкм. После фотолитографии на поверхности ИМС остаются металлические соединения, соответствующие рисунку схемы. После фотолитографии металл обжигается в среде азота при температуре около 500?С.20 - фотолитография для создания рисунка разводки и нанесение слоя защитного диэлектрика.21 – фотолитография для вскрытия окон контактных площадок для последующего приваривания проводников.4. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.Исходные данные для расчета.Максимальное напряжение на коллекторном переходе: Uкб = 1,5 ВМаксимальный ток эмиттера: Іэ = 4,5 мАГраничная частота fт = 500 МГц.Дальнейший расчет проводится с помощью программы расчета параметров биполярных транзисторов, результаты расчета, представленные ниже, были получены с помощью данной программы.Расчет выполняется в следующей последовательности.1. По заданному максимально допустимому напряжению Uкб определяют пробивное напряжение Uкб0, которое должно быть хотя бы на 20% больше Uкб и учитывает возможные колебания напряжения питания, т.е. Uкб0=1,2 Uкб, в нашем случае Uкб0=1,8 В.

скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжительности диффузии). Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию.

скачать реферат УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Технологически это отношение сделать большим очень трудно, поэтому в реальных структурах Ки диф обычно не превышает 10. И КООС у таких ДУ тоже меньше, чем у ДУ на биполярных транзисторах. Однако входные сопротивления велики как для дифференциального, так и для синфазного сигналов (более 1010 Ом). В ДУ на МДП-транзисторах обычно Rвх пл определяется утечками структуры. Для получения ДУ с очень большими входными сопротивлениями и с хорошими другими параметрами целесообразно использовать усилитель рис. 14, в котором транзисторы Т1 и Т2 являются МДП-транзисторами. В ИС широкое распространение получили замены резисторов транзисторами, которые, являются наиболее предпочтительными элементами для ИС. Пример такой замены приведен с помощью рис. 15. Однако не только МДП - транзисторы, но и биполярные широко используются в усилительных ИС (в частности, в ДУ) вместо резисторов RK, т. е. выполняют в усилителях функцию динамических нагрузок. На рис. 16 приведена принципиальная схема одного из вариантов ДУ с динамической нагрузкой.

скачать реферат Видеоусилитель

Как следует из вышесказанного, в качестве схемы включения нашего активного прибора будем использовать схему с общим эмиттером. Активными основными приборами современных усилительных устройств являются биполярные и полевые транзисторы. В качестве активного прибора будем использовать биполярный транзистор.Расчет многокаскадного усилителя Как правило, усилительные устройства являются многокаскадными, так как с помощью одного каскада обычно не удается обеспечить необходимое усиление. Основное усиление по напряжению обеспечивается в каскадах предварительного усиления. Из них обычно выделяют входной каскад, схема которого зависит от требований по сопряжению с источником сигнала, допустимому дрейфу нуля и т.п. Спецификой выходного каскада является обеспечение заданной мощности или амплитуды выходного сигнала, ограничения по допустимому уровню искажений, работа на низкоомную нагрузку и т.д. Предоконечный каскад также может иметь специфические особенности, связанные с условием работы выходного каскада, например, с требованием обеспечить на его входе значительную мощность сигнала.

Мягкая игрушка "Груффало".
Ой, мама, это груффало! Оно меня понюфало! Как этот страшный зверь сумел сюда попасть? Какие острые клыки, чудовищная пасть! Ножищи как
914 руб
Раздел: Персонажи мультфильмов, сказок
Чайник алюминиевый матовый, 5 л.
Универсальная, удобная и недорогая алюминиевая посуда обладает внешней привлекательностью и долговечна в использовании. Объем: 5 л.
905 руб
Раздел: Чайники алюминиевые
Форма для выпечки разъемная "Appetite", 20х7 см.
Форма для выпечки с антипригарным покрытием, разъемная. Размер: 20х7 см.
346 руб
Раздел: Формы и формочки для выпечки
скачать реферат Анализ и моделирование биполярных транзисторов

10. Математическая модель биполярного транзистора. Общая эквивалентная схема транзистора, используемая при получении математической модели, показана на рис.10-1. Каждый p- -переход представлен в виде диода, а их взаимодействие отражено генераторами токов. Если эмиттерный p- -переход открыт, то в цепи коллектора будет протекать ток, несколько меньший эмиттерного (из-за процесса рекомбинации в базе). Он обеспечивается генератором тока . Индекс означает нормальное включение. Так как в общем случае возможно и инверсное включение транзистора, при котором коллекторный p- -переход открыт, а эмиттерный смещен в обратном направлении и прямому коллекторному току , в эквивалентную схему введен второй генератор тока - коэффициент передачи коллекторного тока. Таким образом, токи эмиттера и коллектора в общем случае содержат две составляющие: инжектируемую (): (10.1) Эмиттерный и коллекторный p- -переходы транзистора аналогичны p- -переходу диода. При раздельном подключении напряжения к каждому переходу их вольтамперная характеристика определяется так же, как и в случае диода. Однако если к одному из p- -переходов приложить напряжение, а выводы другого p- -перехода замкнуть между собой накоротко, то ток, протекающий через p- -переход, к которому приложено напряжение, увеличится из-за изменения распределения неосновных носителей заряда в базе.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера (Курсовая работа) Выполнил: Гуревич Г.А. (4 курс заочной формы обучения) Проверил: Зайцев Г.О. (Москва, 2000) Введение 3 Двоичная система счисления и логика. 3 Схема действия компьютера. 4 Долговременная память. 4 Накопители на магнитных дисках и лентах. 4 CD и DVD-ROM. 5Полупроводниковые устройства. 6 Биполярные транзисторы. 8 Полевые транзисторы 10 Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах. 11Оперативная память. 12 Статическое ЗУ 14 Динамическое ОЗУ 15 Системная память: взгляд в будущее 16 Шесть технологий памяти будущего. Определения 18Центральный процессор. 20 Новые технологии. 21 Медные соединения 23 SiGe 24 Кремний на изоляторе (silico -o -i sula or, SOI) 24 Перовскиты 25Заключение 25 Список использованной литературы: 26Введение Сейчас, когда человечество входит в третье тысячелетие, для обитателей мегаполисов незаменимой вещью, фактически правой (или левой) рукой стал компьютер.

скачать реферат Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

Стабилитроны, вольтамперная характеристика, параметры, назначение. Варикапы, варакторы, параметрические диоды: назначение, основные параметры. Импульсные диоды: назначение, параметры. Диоды с барьером Шотки, параметры, сравнение с обычными диодами, применения. Туннельные диоды, особенности устройства, вольтамперная характеристика, параметры, применения. Диоды со структурой p-i- типа, принцип работы, параметры, применение. 4 Биполярные транзисторы Устройство и принцип действия транзистора, назначение и способы изготовления. Схемы включения: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Режимы работы: активный, отсечки, насыщения, инверсный. Работа транзистора в активном режиме. Потенциальная диаграмма. Инжекция неосновных носителей в эмиттерном переходе, движения носителей в базовой области, экстракция неосновных носителей в коллекторном переходе. Коэффициенты инжекции и передачи тока эмиттера. Связь между токами электродов. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора при различных включениях переходов. Статические характеристики биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (входные, выходные, прямой передачи, обратной связи).

скачать реферат Проектирование радиоприёмника

Низкое входное сопротивление первого фильтра согласовано с низким выходным сопротивлением первого смесителя. А вот для согласования второго П.Ф. с выхода второго смесителя сигнал промежуточной частоты цоступает на вход эмиттерного повторителя, собранного на транзисторе V 3. Он согласует высокое выходное сопротивление смесителя собранного на биполярном транзисторе с низким входным сопротивлением пьезокерамического фильтра ZQ2. Полосовые фильты определяют селективность по соседнему каналу. Селективность по соседнему каналу составляет 40 дБ. Параметры П.Ф. даны в приложении 4. Усилитель промежуточной частоты обеспечивает автоматическую регулировка частоты и автоматическое усиление промежуточной частоты для последующей дешифрации. Усилитель промежуточной частоты выполнен на ИМС К157ХА2. Коэффициент усиления в тракте 2-й промежуточной частоты должен довести усиление сигнала до нормального уровня, необходимого для детектирования радиосигналов в наилучших условиях, и выбирается по формуле: , где: КЗ=10 — 20 — запас усиления на случай старения элементной базы. . Для АМ величина Uдет детектора составляет 0,01 — 0,02 В. =0,141. Параметры ИМС К157ХА2 даны в приложении 5.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.