телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАТовары для животных -30% Всё для дома -30% Бытовая техника -30%

все разделыраздел:Физика

Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик

найти похожие
найти еще

Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
19 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (СЛ)

Предложил методы построения приближённых собственных функций и использовал их в теории твёрдых тел. Автор курсов по химической физике, электромагнетизму, квантовой теории атомов и молекул, квантовой химии, теории твёрдых тел.   Соч. в рус. пер.: Передача ультракоротких радиоволн, 2 изд., М. — Л., 1947; Электронная структура молекул, М., 1965; Диэлектрики, полупроводники, металлы, М., 1969. Слюды Слю'ды, группа минералов — алюмосиликатов слоистой структуры с общей формулой R1 R2-3 [AISi3 O10 ](OH, F)2 , где R1 = К, Na; R2 = Al, Mg, Fe, Li (см. Силикаты природные). Основной элемент структуры С. представлен трёхслойным пакетом из двух тетраэдрических слоев [AlSi3 O10 ] с находящимся между ними октаэдрическим слоем, состоящим из катионов R2 . Два из шести атомов кислорода октаэдров замещены гидроксильными группами (ОН) или фтором. Пакеты связываются в непрерывную структуру через ионы К+ (или Na+ ) с координационным числом 12. По числу октаэдрических катионов в химической формуле различаются диоктаэдрические и триоктаэдрические С.: катионы Al+ занимают два из трёх октаэдров, оставляя один пустым, тогда как катионы Mg2+ , Fe2+ и Li+ с Al+ занимают все октаэдры. С. кристаллизуются в моноклинной (псевдотригональной) системе

скачать реферат Расчет и проектирование светодиода

Отражение света отражающим нижним контактом основано на эффекте полного внутреннего отражения света, падающего на границу раздела полупроводник-диэлектрик под углом, большим критического. Отраженный от нижней грани свет повторно падает на верхнюю или боковые грани кристалла и увеличивает долю выводимого из кристалла света. Этот процесс может повторяться несколько раз. В последнее время изготавливают также кристаллы с мезаструктурой на основе высокоэффективных жидкостно-эпитаксиальнйх структур со сплошным р- -переходом. Достоинства таких кристаллов следующие: 1) для структур с сверхлинейной зависимостью квантового выхода излучения от плотности тока (например, GaP : ) применение мезаструктур позволяет увеличить плотность тока и, тем самым, эффективность приборов; 2) уменьшение размеров светящейся области кристалла повышает эффективность оптической системы диода и, тем самым, эффективность прибора в целом; 3) увеличение плотности тока способствует повышению эффективности диодов при малых токах питания, что позволяет применять их в устройствах с батарейным питанием; 4) расширяется диапазон токов, в котором наблюдается линейная зависимость мощности излучения от тока, что позволяет использовать светоизлучающие диоды в аналоговых оптоэлектронных устройствах; 5) наличие травленой поверхности в месте выхода р- -перехода наружу и отсутствие разрушенного резкой слоя повышает стабильность и надежность приборов в эксплуатации; 6) снижается трудоемкость монтажа кристаллов на держатель благодаря применению кристаллов приемлемых размеров.

Коляска-трость Everflo "Simple blue".
Коляска-трость - идеальный вариант для путешествий и поездок в общественном транспорте. Характеристики: - Стальная рама. - Одно положение
1300 руб
Раздел: Коляски-трость
Фляжка сувенирная "На здоровье!", 270 мл.
Фляжка сувенирная. Объём: 270 мл. Материал: металл.
408 руб
Раздел: Фляжки сувенирные
Настольная игра "Баскетбол".
Настольная игра «Баскетбол» развивает моторику и быстроту реакции. Размер игры: 37х19х18 см. Возраст: 3+.
1171 руб
Раздел: Настольный баскетбол, бильярд, боулинг
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

В основе романтических романов и повестей ("Живописец", "Блаженство безумия"; обе - 1833) - конфликт "мечты" и "существенности". Исторический роман "Клятва при гробе Господнем" (1832). "История русского народа" (т. 1-6, 1829-33) полемически направлена против Н. М. Карамзина. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор) - транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению. ПОЛЕВОЙ УСТАВ - официальный документ, определявший в Вооруженных Силах СССР основные положения по подготовке и ведению соединениями и частями общевойскового боя, управлению войсками, их передвижению и др. ПОЛЕВОЙ ШТАБ РВСР (Реввоенсовета Республики) - высший оперативный орган Главного командования Красной Армии в годы Гражданской войны. Образован в сентябре 1918 на базе штаба Высшего военного совета

скачать реферат Лекции по твердотельной электронике

При этом если между заполненными и свободными состояниями запрещенная зона отсутствует, то материал является проводником, если существует небольшая запрещенная зона, то это полупроводник, если запрещенная зона большая и электроны за счет тепловой энергии в нее не попадают, то это изолятор. Рисунок 1.7. иллюстрирует возможные конфигурации зон. Для проводников разрешенная зона частично заполнена электронами, поэтому даже при приложении внешнего напряжения они способны набирать энергию и перемещаться по кристаллу. Такая структура зон характерна для металлов. Уровень F, разделяющий заполненную электронами и незаполненную часть зоны называют уровнем Ферми. Формально его определяют как уровень вероятность заполнения которого электронами равна 1/2. Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах Для полупроводников и диэлектриков структура зон такова, что нижняя разрешенная зона полностью заполнена валентными электронами, поэтому ее называют валентной. Потолок валентной зоны обозначают Ev. В ней электроны перемещаться под действием поля (и соответственно набирать энергию) не могут, поскольку все энергетические уровни заняты, а согласно принципу Паули электрон не может переходить с занятого состояния на занятое.

 Большая Советская Энциклопедия (ДИ)

Электроизоляционные материалы). Исследования тонких диэлектрических плёнок показали, что при контакте с металлом в диэлектрик переходят электроны или дырки, в результате чего у контакта в тонком слое диэлектрика появляются в заметном количестве свободные носители заряда. Если диэлектрик массивный, то весь его остальной объём действует по-прежнему как изолятор, и поэтому в системе металл—диэлектрик—металл ток ничтожно мал. Если же между двумя металлическими электродами поместить тонкую диэлектрическую плёнку (обычно 1—10 мкм), то эмитируемые из металла электроны заполнят всю толщу плёнки и напряжение, приложенное к такой системе, создаст ток через диэлектрик.   Теоретически возможность протекания управляемых эмиссионных токов через диэлектрик была предсказана английскими физиками Н. Моттом и Р. Гёрни в 1940. Д. э. изучает протекание токов, ограниченных пространственным зарядом в диэлектриках, при термоэлектронной эмиссии из металлов и полупроводников, при туннельной эмиссии и т.д.   Простейший прибор Д. э. — диэлектрический диод представляет собой сандвич-структуру металл—диэлектрик—металл (рис. 1)

скачать реферат Исследования микромира и микрокосмоса

Кручение происходит при завёртывании болтов, вращении валов машин, свёрл и т.д. Эти деформации сводятся к неоднородному растяжению или сжатию и неоднородному сдвигу. Все деформации твёрдых тел сводятся к растяжению (сжатию) и сдвигу. При упругих деформациях форма тела восстанавливается, а при пластических не восстанавливается. Тепловое движение вызывает колебания атомов (или ионов), из которых состоит твёрдое тело. Амплитуда колебаний обычно мала по сравнению с межатомными расстояниями, и атомы не покидают своих мест. Поскольку атомы в твёрдом теле связаны между собой, их колебания происходят согласованно, так что по телу с определённой скоростью распространяется волна. Для описания колебаний в твёрдых телах при низких температурах часто используют представления о квазичастицах - фононах. По своим электронным свойствам твёрдые тела разделяются на металлы, диэлектрики и полупроводники. Кроме того, при низких температурах возможно сверхпроводящее состояние, в котором сопротивление электрическому току равно нулю. Рис. 5 Металл ( Движение микрочастиц подчиняется законам квантовой механики.

скачать реферат Твердое тело

Кручение происходит при завёртывании болтов, вращении валов машин, свёрл и т.д. Эти деформации сводятся к неоднородному растяжению или сжатию и неоднородному сдвигу. Все деформации твёрдых тел сводятся к растяжению (сжатию) и сдвигу. При упругих деформациях форма тела восстанавливается, а при пластических не восстанавливается. Тепловое движение вызывает колебания атомов (или ионов), из которых состоит твёрдое тело. Амплитуда колебаний обычно мала по сравнению с межатомными расстояниями, и атомы не покидают своих мест. Поскольку атомы в твёрдом теле связаны между собой, их колебания происходят согласованно, так что по телу с определённой скоростью распространяется волна. Для описания колебаний в твёрдых телах при низких температурах часто используют представления о квазичастицах - фононах. По своим электронным свойствам твёрдые тела разделяются на металлы, диэлектрики и полупроводники. Кроме того, при низких температурах возможно сверхпроводящее состояние, в котором сопротивление электрическому току равно нулю. Рис. 5 Металл ( Движение микрочастиц подчиняется законам квантовой механики.

скачать реферат Зачет

Соотношение неопределенностей для энергии E и времени : (E( (h. (E- неопределенность энергии некоторого состояния системы, ( – промежуток времени, в течение которого оно существует. 24.Свойство волновой функции. Уравнение Шредингера. Уравнение справедливо для любой частицы, движущийся с малой скоростью.25.Квантовая энергия электронов в одномерной потенциальной яме с бесконечно высокими стенкам.26.Боровская теория атомов водорода. Квантовые постулаты Бора. 1)«постулат о стационарных состояниях»: Атомы могут существовать длительное время только в определенных состояниях; в этих состояниях, несмотря на движение электронов в атоме, атомы не излучают и не поглощают энергию. В этих состояниях атомы обладают энергиями, образующими дискретный (прерывистый) ряд. Эти состояния получили название стационарные. me(r= h/2(. 2)«постулат условия частот»: При переходе из одного стационарного состояния в другое атомы поглощают или испускают строго определенное количество энергии. h(=E -Em, где - исходный уровень, m- уровень, на который перешел электрон; когда (m, то энергия излучается, когда (m, то энергия поглощается. 27.Энергетические зоны в кристаллах. Металлы. Диэлектрик. Полупроводники. Полупроводники – в широкий класс веществ, характеризующийся значениями удельной электропроводности (, лежащей в диапазоне между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков, то есть эти вещества не могут быть отнесены как к диэлектрикам (так как не являются хорошими изоляторами), так и к металлам (не являются хорошими проводниками электрического тока).

скачать реферат Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

Создавая электрическое поле в структуре металл - диэлектрик - полупроводник, можно управлять электропроводностью канала и соответственно током, протекающим между истоком и стоком. Так, при отрицательном относительно -канала напряжении на затворе в канале у границы полупроводника с диэлектриком концентрация электронов снижается и проводимость канала уменьшается (режим обеднения) (рис.2, а). В р-канальном МДП-транзисторе в зависимости от величины и полярности напряжения на затворе наблюдается обеднение (u3 4-p -области охранного кольца.Эффективным средством против возникновения сквозных паразитных каналов является формирование кольцевой каналоограничивающей р -области, в которой инверсия проводимости вследствие высокого уровня легирования поверхности практически невозможна. Для полного исключения возможности формирования паразитного канала на р -область охранного кольца можно подать самый низкий потенциал схемы (рис.5). Паразитный р-канал может образоваться между р -областью истока р-канального транзистора и p-областью, в которой расположен -канальный транзистор, при отрицательном потенциале на алюминиевом проводнике.

Бусы-прорезыватели "Фруктовый микс".
Детские бусы-прорезыватели "Фруктовый микс" из серии "Мамины помощники" сделают процесс появления первых молочных
380 руб
Раздел: Пластмассовые
Трикотажная пеленка кокон "Bambola" (цвет: розовый).
Состав: интерлок, хлопок 100%. Возраст: 0-3 месяцев.
381 руб
Раздел: Пелёнки
Универсальный бокс, средний (3 секции).
Универсальные боксы прекрасно подходят для хранения любых мелочей: шурупов, гаек в мастерской, лекарств в домашней аптечке, маленьких
526 руб
Раздел: Более 10 литров
скачать реферат Расчет и проектирование МДП-транзистора

На свободной границе полупроводника имеется большое количество оборванных связей стремящихся захватить заряд из объема полупроводника, а так же связей вступивших в реакцию с сооседней средой и пассивированных этой средой, кроме того, на поверхности могут находиться посторонние примесные атомы и ионы. Таким образом, на свободной поверхности и гетеропереходе металл-диэлектрик уже в начальном состоянии может находиться некоторый заряд, который индуцирует равный ему по величине и противоположный по знаку заряд в объеме полупроводника . Если зарядить одну из обкладок МДП конденсатора - затвор, то на второй - полупроводниковой обкладке должен появиться заряд равный по величине и противоположный по знаку, который будет связан с поверхностными состояниями, ионизованными атомами примеси и свободными носителями заряда. Рисунок 1.2 - Изменение поверхностной проводимости полупроводнка в МДП структуре: 1 - полупроводник типа, 2 - собственный полупроводник, 3 - полупроводник p типа. Если индуцированный внешним полем заряд на полупроводниковой обкладке превышает изменение заряда на поверхностных состояниях, то в приповерхностной области полупроводника происходит изменение концентрации свободных носителей заряда, что сопровождается изменением поверхностной проводимости (см. рис. 1.2) и соответственно протекающего вдоль поверхности тока, в случае если имеется направленное вдоль поверхности поле, как это показано на вставке рис. 1.2 . В той приповерхностной полупроводниковой области, где существует электрическое поле, имеется обедненная носителями область пространственного заряда, аналогичная по свойствам области ОПЗ p перехода, работающая как диэлектрик.

скачать реферат Фотоэффект и его примененеие в медицине

Внешний фотоэффект в металле можно представить состоя-щим из трех процессов: поглощение фотона электроном прово-димости, в результате чего увеличивается кинетическая энергия электрона; движение электрона к поверхности тела; выход элек-трона из металла. Этот процесс энергетически описывают уравнением Эйнштейна (см. ниже). Если, освещая металл монохроматическим светом, уменьшать частоту излучения (увеличивать длину волны), то, начиная с некоторого ее значения, называемого красной границей; фотоэффект прекратится. Экспериментальные исследования показали, что термин «красная граница» не означает, что грани-ца фотоэффекта обязательно попадает в область красного цвета. Внутренний фотоэффект наблюдается при освещении полу-проводников и диэлектриков, если энергия фотона достаточна для, переброса электрона из валентной зоны в зону проводимости, В примесных полупроводниках фотоэффект обнаруживается так-же в том случае, если энергия электрона достаточна для пере-броса электронов в зону проводимости с донорных примесных уровней или из валентной зоны на акцепторные примесные уров-ни.

скачать реферат Отечественные физики – лауреаты Нобелевской премии

Другие работы были посвящены теории не сверхтекучего He и вещества при высоких давлениях, полуметаллам и переходам металл-диэлектрик, эффекту Кондо при низких температурах (при этом он предсказал резонанс Абрикосова-Сула) и построению полупроводников без полосы запирания. Прочие исследования касались одномерных или квазиодномерных проводников и спиновых стёкол. В Аргонской национальной лаборатории он смог объяснить большинство свойств высокотемпературных сверхпроводников на основе купрата и установил в 1998 году новый эффект (эффект линейного квантового магнитного сопротивления), который был впервые измерен ещё в 1928 году П. Капицей, но никогда не рассматривался в качестве самостоятельного эффекта. В 2003 году, совместно с В.Л.Гинзбургом и Э. Леггетом, получил Нобелевскую премию по физике за «основополагающие работы по теории сверхпроводников и сверхтекучих жидкостей». Член редационных коллегий журналов «Теоретическая и математическая физика», «Обзоры по высокотемпературной сверхпроводимости», членом редакционной коллегии библиотечки «Квант» (издательство «Наука»).

скачать реферат Проводники, полупроводники и диэлектрики

Квантовая теория проводимости твердых тел основывается на зонной теории. В твердых телах электроны принимают только определенные значения энергии. Каждое такое значение представлено энергетическим уровнем. Уровни группируются в зоны, отделенные друг от друга энергетическими промежутками, принадлежащими зоне. У металлов зоны либо перекрываются между собой, либо не целиком заполнены электронами. И в металле под действием электрического поля электрон свободно переходит с уровня на уровень. Легкая возможность перехода с уровня на уровень и означает свободное движение электрона. В полупроводниках и изоляторах заполненная зона отделяется от свободной энергетической щелью. Через эту запрещенную зону электроны могут переходить за счет тепловой энергии. Вероятность таких переходов увеличивается с ростом температуры. Поэтому с повышением температуры проводимость полупроводников и диэлектриков возрастает – это важнейшее их отличие от металлов. Список литературы Синдеев Ю.Г., Грановский В.Г. Электротехника. Учебник для студентов педагогических и технических вузов. Ростов-на-Дону: «Феникс», 1999. Лихачев В.Л. Электротехника. Справочник. Том 1./В.Л. Лихачев. – М.: СОЛОН-Пресс, 2003. Жданов Л.С., Жданов Г.Л. Физика для средних специальных учебных заведений: Учебник. – 4-е изд., испр. – М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1984. Ремизов А.Н. Курс физики: Учебник для ВУЗов / А.Н. Ремизов, А.Я. Потапенко. – М.: Дрофа, 2002. Дмитриева В.Ф. Физика: Учебное пособие для техникумов./Под ред. В.Л. Прокофьева, – 4-е изд., стер. – М.: Высш. шк., 2001. Грибов Л.А., Прокофьева Н.И. Основы физики: Учебник. – 2-е изд. – М.: Наука. Физматлит, 1995. Яворский Б.М., Пинский А.А. Основы физики: Учебное пособие. В двух томах: Т.1. – 3-е изд. перераб. – М.: Наука. Физматлит, 1981.

скачать реферат Внутренний фотоэффект в полупроводниках

Теория фотоэффекта на основе квантовых представлений создана Эйнштейном. Явление фотоэффекта получило широкое практическое применение. Приборы, в основе принципа действия которых лежит фотоэффект, называются фотоэлементами. Фотоэлементы, использующие внешний фотоэффект, преобразуют энергию излучения в электрическую лишь частично. Так как эффективность преобразования небольшая, то в качестве источников электроэнергии фотоэлементы не используют, но зато применяют их в различных схемах автоматики для управления электрическими цепями с помощью световых пучков. Внутренний фотоэффект используют в фоторезисторах. Вентильный фотоэффект, возникающий в полупроводниковых фотоэлементах с p- переходом, используется для прямого преобразования энергии излучения в электрическую энергию (солнечные батареи). Необходимые условия для возникновения внутреннего фотоэффекта- частица должна быть связанной, и энергия фотона должна превышать ее энергию связи. Внутренний фотоэффект может происходить в полупроводниках и диэлектриках (и в металлах тоже). С помощью законов сохранения энергии и импульса можно показать, что фотон не может быть поглощен свободной частицей.

Музыкальный мобиль Жирафики "Рыбки" (арт. 939489).
Этот музыкальный мобиль станет одной из первых игрушек вашего малыша. Сначала кроха будет фокусировать взгляд на ярких забавных рыбках. Со
1250 руб
Раздел: Мобили
Стиральный порошок Ушастый нянь, 4500 г.
Стиральный порошок "Ушастый нянь" создан специально для новорожденных детей. Активные добавки, которые входят в состав порошка,
533 руб
Раздел: Для стирки детских вещей
Подушка Нордтекс "Магия сна", 50х70 см.
Наполнитель: полиэстер. Ткань чехла: микрофибра. Размер: 50х70 см.
470 руб
Раздел: Размер 50х70 см, 40х60 см
скачать реферат Туннелирование в микроэлектронике

СОДЕРЖАНИЕ 1. Туннельный эффект 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл 2.2 Структура металл-диэлектрик-металл 2.3 Токоперенос в тонких плёнках 2.4 Туннельный пробой в p- -переходе 2.5 Эффекты Джозефсона 2.6 Эффект Франца-Келдышева 3 Туннельный диод Литература 1. Туннельный эффект Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким: U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0), то частица беспрепятственно проходит над барьером; U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера E (E сквозь барьер частица проникнуть не может. I II III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой механики. Во-первых, даже при E>U0 имеется отличная от ну- 0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно.

скачать реферат Фуллерены

Исследования в этих направлениях — дело ближайшего будущего. 9. Заключение. Тот факт, что фуллерены обнаружены в естественных минералах, имеет большое значение для науки о Земле. Не исключено, что ряд неидентифицированных полос в спектрах оптического поглощения и рассеяния межзвездной пыли обусловлен фуллеренами. Еще в 60-х годах на основании теоретического анализа частот этих полос было высказано предположение о том, что они обусловлены углеродными частицами. Возможно, фуллерены помогут нам получить дополнительные сведения о возникновении и эволюции Вселенной. Что касается практической деятельности человека, то здесь полезны способности фуллерена изменять свои свойства при легировании от диэлектрических до сверхпроводящих и от диамагнетизма до ферромагнетизма. Относительно простая технология получения фуллеритов с различными свойствами позволяет надеяться на создание в скором времени квантоворазмерных структур с чередующимися слоями сверхпроводник - полупроводник (или диэлектрик), металл — ферромагнетик, сверхпроводник - магнетик и т.д. Возможно, такие структуры станут основой создания новых электронных приборов.

скачать реферат Полупроводниковые диоды

Обычно наиболее прочные связи возникают в веществе, имеющем кристаллическую структуру. Вращающиеся в атоме электроны, которые расположены на внешних орбитах, связаны с ядром слабее, чем электроны, находящиеся на внутренних, близких к ядру орбитах. Поэтому под действием соседних атомов или вследствие других причин внешние электроны могут покинуть свою орбиту, что повлечет за собой изменение электрического состояния атома. Электроны, освободившиеся от внутриатомных связей, получили название свободных электронов. Они перемещаются внутри вещества между атомами в различных направлениях и с различными скоростями. При наличии внешнего электрического поля беспорядочное движение свободных электронов становится упорядоченным, направленным. В результате возникает электрический ток. Чем больше свободных электронов имеет вещество, тем выше его электропроводность. Этим и объясняется хорошая проводимость металлов, а также деление твердых тел по способности их проводить электрический ток на проводники, полупроводники и диэлектрики.

скачать реферат Вакуумные люминесцентные индикаторы

Более 40 лет назад был обнаружен ряд веществ, у которых потенциал начала катодолюминесценции составляет единицы вольт (для Z S = 6—7 B, для Z , CdS = 4—5 B). Однако отсутствие практической потребности в таких материалах долгие годы не стимулировало детального изучения низковольтной катодолюминесценции. Люминофор для ВЛИ должен удовлетворять ряду требований: 1. Ширина запрещенной зоны dW — не более 3—4 эВ. В противном случае условный квантовый выход становится слишком малым. 2. Высокая электропроводность. Согласно оценкам сопротивление слоя не должно превышать единиц килоом. Именно по этой причине большинство люминофоров применяемых в ЭЛП не годится для ВЛИ, поскольку они являются или изоляторами, или полностью компенсированными полупроводниками. Необходимое значение электропроводности можно обеспечить использованием люминофоров на проводящей основе (Z O:Z ; S O2:Eu; (Z 1-x, Cdx)S : Ag, Al); смешанных люминофоров (Z S : Ag I 2O3 ; Z S:Cu Z O; Y2O2S.Eu S O2) и легированных люминофоров Z S : Ag, Z , Al. 3. Низкий потенциал начала катодолюминесценции.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.