телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАОдежда и обувь -30% Товары для животных -30% Всё для дома -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Техника

Фотонные транзисторы в кремниевом исполнении

найти похожие
найти еще

Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Ученые использовали диаметры 10 и 12 микрон и получили свет с длиной волны 1555 нм и 1576 нм соответственно. Свет с такой длиной волны лежит в инфракрасном диапазоне длин волн. Теперь расскажем о механизме о модуляции света электроникой. Кольцо-модулятор расположено на на поверхности из отрицательно допированного кремния, а внутри кольца - область с положительным допированием (см. рис. 1). Поэтому волновод представляет собой зону раздела между p и областями p- диода, образованного структурой волноводов и полупроводников. Как только на микросистему подают напряжение, электроны и дырки поступают в область волновода, изменяя его оптический коэффициент преломления. Соответственно, у волновода изменяется резонансная частота света, который он может пропускать. Таким образом, напряжение "запирает" свет, проходящий через прямой отрезок волновода. Рис. 2. Микрофотография фотонного чипа Ранее ученые использовали похожий принцип диода в фотонике для того, чтобы модулировать свет в прямых участках волновода. И это удавалось только тогда, когда свет проходил сравнительно большое расстояние по волноводу. Соответственно, для работы устройства нужен волновод большей длины и чип будет уже макроскопических размеров. А ученые из Корнелла заставили бежать свет по кругу в резонансном кольце, тем самым удлиннив его путь. В тестах ученые подавали на устройство 0.3 вольта и этого хватало, чтобы прекратить распространение света по волноводу. Затем исследователи протестировали устройство на частоту включений. Результаты оказались довольно оптимистичными: с помощью кольца-резонатора ученые пропустили через фотонный транзистор 1.5 гигабита в секунду информации. Грубо говоря, они пропустили серию логических 0 и 1 (что соответствует битам информации). Модулирование света позволило пропустить серию 0 и 1 за столь короткое время. А процесс передачи одного бита занимал несколько десятых пикосекунды. Список литературы

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Футурология и фантастика

Благодаря созданию интегральных схем, объединяющих на одной пластинке 40 тысяч транзисторов, этих электронных ячеек информации, удается создать карманные Мини-компьютеры. А за ними следует четвертое поколение ЭВМ, их основу составляют кремниевые пластинки, в которые впечатано уже 100 тысяч транзисторов (на площади размером менее 1 квадратного миллиметра). Человеческий- мозг состоит из нейронов, бинарных клеток, число которых достигает более 10 миллиардов. Чтобы иметь аналогичное количество функциональных ячеек, ламповая ЭВМ 50-х годов должна была бы быть равной Парижу. В 60-х годах "мозг" такого компьютера приближался бы по габаритам к зданию Парижской оперы. При интегральных схемах 70-х годов он уменьшается до размеров автобуса, а затем телевизора. В 1978 году его величина не превышала бы величины пишущей машинки, а в 80-х годах (с использованием микропроцессоров) он станет меньше человеческого мозга. Разумеется, никакая машина не способна соревноваться с мозгом, ее "творческие возможности" и "воображение" по неизбежности находятся в рамках заложенной в нее информации

скачать реферат Ремонт и регулировка СМРК-2

Телевизор имеет АРУ, АПЧГ, систему АПЧиФ строчной развертки, автоматическое отключение канала цветности и режекторного фильтра в канале цветности при приеме сигналов черно-белого изображения, стабилизацию размеров растра при изменении тока лучей кинескопа, ограничение тока лучей кинескопа, защиту импульсного источника питания при коротких замыканиях в нагрузке, схему отключения высоковольтного выпрямителя при неисправностях в строчной развертке. Использование импульсного блока питания обеспечивает высокую стабильность питающих напряжений при изменении напряжения сети в пределах от 170 до 240В и, кроме того, значительное снижение потребляемой мощности телевизора. При использовании кинескопов с самосведением она составляет 75 80Вт. К телевизору можно подключать наушники для прослушивания звукового сигнала при отключенном громкоговорителе, магнитофон для записи, предусмотрена возможность подключения видеомагнитофона (через устройство сопряжения).3 Расчетная часть Расчет первого каскада УПЧИ R1, R2, R3,R4 – резисторы типа ОМЛТ – 0,25 С1,С3 – конденсаторы керамические типа КТК V 1 – транзистор кремниевый типа КТ3109А Исходные данные для расчета выбираются следующие: (0 – максимальная.

Пенал большой "Pixie Crew" с силиконовой панелью для картинок (розовый, цветной горох).
Повседневные вещи кажутся скучными и однотонными, а тебе хочется выглядеть стильно и быть не как все? "Pixie Crew" сделает твою
1402 руб
Раздел: Без наполнения
Наклейка зеркальная "Птицы", 30x40 см.
Стильные оригинальные зеркальные наклейки прекрасно дополнят интерьер вашего дома, наполнив его светом и радостью. Декорирование интерьера
351 руб
Раздел: Интерьерные наклейки
Набор посуды керамической "Холодное сердце. Сёстры" (3 предмета).
Набор детской керамической посуды с изображением героев любимых диснеевских мультфильмов в подарочной упаковке. Состав набора: • тарелка:
644 руб
Раздел: Наборы для кормления
 Выживают только параноики

Тогда я многое узнал о том, как справляться со стратегически переломными моментами, поэтому до конца книги я буду обращаться к этим событиям, чтобы проиллюстрировать примерами то, что я узнал. Боюсь, мне придется приводить множество подробностей. Потерпите немного. Хотя эта история уникальна для нашей компании, думаю, ее уроки универсальны. Немного истории: компания Intel была основана в 1968 году. У каждого новичка есть некая центральная идея, наша была проста: развитие полупроводниковых технологий позволило помещать большее количество транзисторов на один кремниевый чип, и мы подумали, что этот факт будет иметь многообещающие последствия. Увеличение числа транзисторов сразу же превращалось в два огромных преимущества для покупателей: снижение цен и повышение качества. Попробую объяснить, хотя это может показаться слишком упрощенным. Грубо говоря, сделать один кремниевый чип с большим количеством транзисторов стоит столько же, сколько сделать чип с меньшим количеством транзисторов, следовательно, если мы поместим на чип больше транзисторов, стоимость одного транзистора будет ниже. Но это не все

скачать реферат Телевизионный приемник с цифровой обработкой

Выберем транзистор КТ3172А. Это транзистор кремниевый эпитаксильно-планарный, структуры -p- усилительный. Предназначенный для применения в бытовой видеотехнике. Справочные данные: - статический коэффициент передачи тока 40; - входное сопротивление транзистора 727 Ом: - граничная частота 300 МГц; - максимальный ток коллектора 20 мА; - максимальное напряжение коллектор-эмиттер 20 В. 2.5 Расчёт стабилизатора в схеме питания. Для нормальной работы схемы телевизионного приёмника, необходимо обеспечить стабилизацию питающих напряжений, т.к. напряжение сети непостоянно. Эту задачу выполняют устройства, называемые стабилизаторами. В настоящее время существуют микросхемы, выполняющие функции стабилизации напряжения питания той или иной схемы. Исходными данными для проектирования схем стабилизации являются: - входное напряжение стабилизатора, В; - выходное напряжение стабилизатора, В; - ток, потребляемый схемой, А; - нестабильность выходного напряжения, %. Для нашего случая исходные данные такие: - входное напряжение стабилизатора, 8В; - выходное напряжение стабилизатора, 5В; - ток, потребляемый схемой, 300мА; - нестабильность выходного напряжения, 2,5%.

 Журнал «Компьютерра» 2007 № 10 (678) 13 марта 2007 года

Вопреки ожиданиям, графен оказался стабилен при комнатной температуре, он прекрасно проводит электрический ток, и ученые в последние годы активно ищут ему применения. Первый графеновый транзистор был изготовлен еще в 2004 году. Однако он толком не закрывался, создавая неприемлемо большие утечки. Новый транзистор уже не страдает таким недостатком. Он работает, используя принцип «кулоновской блокады». Помещенный в узком (меньше 10 нм) проходе, электрон действует как своеобразная пробка, преграждая путь другим электронам. В результате получается очень быстрый переключатель, управляемый небольшим напряжением. Его детальное описание скоро будет опубликовано в журнале Physical Review Letters. Такой графеновый транзистор изготавливают с помощью обычной электронно-лучевой литографии. Он стабилен и может работать при комнатной температуре (полученные ранее кремниевые транзисторы, использующие принцип кулоновской блокады, функционируют лишь при очень низких температурах). Любопытно, что по теории, идеально плоские двухмерные кристаллы стабильными быть не могут

скачать реферат Моделирование процессов ионной имплантации

Значительное преимущество метода то, что после расплавления и кристаллизации аморфных слоев по методу жидкофазной эпитаксии в них отсутствуют линейные дефекты. С использованием технологии лазерного отжига создают биполярные и МОП- транзисторы, кремниевые солнечные батареи. 6. Отжиг в атмосфере кислорода. Процессы отжига, в результате которых все имплантированные ионы занимают электрически активные положения в узлах кристаллической решетки, обычно приводят к возникновению микродефектов. Эти дефекты называют вторичными дефектами. Любые внешние микродефекты развиваются в большие дислокации и дефекты упаковки. Эти дефекты, называемые третичными дефектами, имеют достаточно большие размеры. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СБИС Создание мелких переходовТребование формирования слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов.

скачать реферат Микропроцессоры

КФ МГТУ им. Н.Э.Баумана Реферат на тему: «МИКРОПРОЦЕССОРЫ» Калуга СодержаниеВведение Закон Мура Экспансия закона Мура Следствия закона Мура Заглянем в будущее Транзисторы Взгляд в будущее Отладка кристаллов микросхем I el Silico Debug Анализ структур Электрические испытания Бесконтактная диагностика микросхем Кремниевая нанохирургия Заключение Список используемых источников Введение Компьютерная техника лежит в основе современного прогресса. Она обеспечивает работу современных станков, контроль технологических процессов на производстве, связь на всех уровнях (от межгосударственного до бутового), с помощью нее проводятся сложные и трудоемкие расчеты, что значительно ускоряет процессы конструирования, разработки, фундаментальные исследования, то есть задает темпы прогресса. Основой современной компьютерной техники являются микропроцессоры. Увеличение их быстродействия позволяет ставить перед техникой новые задачи, такие как моделирование сложных процессов, обработка больших объемов информации (наблюдение за космосом), обеспечение автономной работы устройств, машин и целых комплексов.

скачать реферат Анализ структур, характеристик и архитектур 32-разрядных микропроцессоров

Процессор i80486 в своё время являлся незаменимым при работе в такой многопользовательской системе как U IX. Выбор показателей для оценки микропроцессоров. Первый показатель - архитектура самого микропроцессора, какая она RISC или CISC. Основные характеристики архитектур типовых MП приведены на следующей странице: Характеристика CISC RISC Формат команд Переменный Стандартный Структура команд Сложная Простая Выполнение всех команд Аппаратно - програмное Аппаратное Число команд Большое Небольшое Число регистров Небольшое Большое Время обработки прерывания Среднее Очень малое Тактовая частота, МГц 25 ; 33 ; 40 12 ; 16,7 ; 20 Среднее число тактов за инструкцию 4 - 6 1,2 - 2 Среднее число транзисторов, тыс. 300 - 400 до 50 Быстродействие млн. опс. 4 - 6 10 - 12 Отношение тыс транзисторовмлн. опс 70 5 Постепенное усложнение CISC-процессоров происходит в направлении более совершенного управления машинными ресурсами, а также в направлении сближения машинных языков с языками высокого уровня. В то же время сложная система команд и переменный формат команды процессором с CISC архитектурой привели к быстрому росту сложности схем (80386 содержит 270 тыс., а 80486 - 1 млн. транзисторов) и, как следствие, к пределу возможностей CISC- архитектуры в рамках существующей кремниевой технологии.

скачать реферат Электрохимические преобразователи энергии

Батарея размещена в цилиндрическом контейнере диаметром 0,33 м и габаритной длиной 0,94 м. Удельная масса БТЭ без заправки равна 11 кг/кВт. Эксперименты показали, что сборка ТЭ способна работать более 5000 ч без деградации ИОМ при температуре до 455 К. На КЛА многоразового использования "Буран" установлены четыре ЭХГ мощностью по 10 кВт ( суммарная мощность 40 кВт ) серии "Фотон" на водород - кислородном топливе H2 - О2. Напряжение одного генератора, состоящего из 128 топливных элементов, составляет 29,2 В ( схема генератора содержитчетыре параллельные ветви, в каждой из которых включено последовательно по 32 элемента). Масса ЭХГ составляет 145 кг, масса его блока автоматики - 15 кг ( удельная масса 14,5 кг/кВт, а с учетом блока автоматики - 16 кг/кВт ). Ресурс ЭХГ равен 2000 ч, его КПД 62% Для длительной эксплуатации в АЭУ перспективны установки, в которых ЭХГ работает совместно с регенератором компонентов топлива, разлагающим воду на водород и кислород. Электролиз воды требует подведения извне энергии для разрыва валентной химической связи Н - О - Н. При мощностях менее 1 кВт целесообразно интегральное исполнение ЭХГ и электролизера воды (ЭВ).

Ручка шариковая "Excellence", розовая.
Новая подарочная шариковая ручка имеет необычный дизайн, который притягивает взгляд. Металлический миниатюрный корпус полностью усыпан
444 руб
Раздел: Металлические ручки
Машина-каталка "Лидер", цвет: бордовый.
Игрушечный автомобиль снабжен рулем, фарами, зеркалами заднего вида и звуковыми модулями, а его корпус оформлен в приятном бордовом цвете.
2947 руб
Раздел: Каталки
Игрушка-плита со звуком и подсветкой"Miele".
Все как у мамы! Точная игрушечная копия фирменной плиты MIELE. Игрушка функциональная: конфорки и духовка светятся, издает реалистичные
1680 руб
Раздел: Плиты
скачать реферат Технология изготовления микросхем

Размеры слитков, зависят от метода их выращивания и типа полупроводникового материала. В настоящее время большинство полупроводниковых ИМС изготовляют на основе монокристаллического кремния, хотя в отдельных случаях используют германий. Это объясняется тем, что кремний по сравнению с германием обладает рядом физических и технологических преимуществ, важных для создания элементов ИМС. Физические преимущества кремния по сравнению с германием проявляются в следующем: — кремний имеет большую ширину запрещенной зоны и меньшие обратные токи переходов, что уменьшает паразитные связи между элементами ИМС, позволяет создавать микросхемы, работоспособные при повышенных температурах (до 120°С) и микромощные схемы, работающие при малых уровнях рабочих токов (менее 1 мкА); — кремниевые транзисторы имеют более высокое пороговое напряжение, а, следовательно, логические схемы на этих транзисторах характеризуются большой статической помехоустойчивостью; — кремний характеризуется меньшей диэлектрической проницаемостью, что обусловливает меньшие значения барьерных емкостей переходов при той же их площади и позволяет увеличить быстродействие ИМС.

скачать реферат Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц

Кремниевые компиляторы используют в качестве базовых регулярные матричные структуры, хорошо приспособленные к технологии СБИС. Большое распространение получили программируемые логические матрицы (ПЛМ) и их различные модификации. Они ориентированы на матричную реализацию двухуровневых (И, ИЛИ) логических структур, а также для оптимизации их параметров (площади, быстродействия) известны различные методы. Реализация многоуровневых логических структур СБИС часто опирается на матричную топологию: в этом случае компиляторы генерируют топологию по ее матричному описанию. Транзисторные матрицы Особым стилем реализации топологии в заказных КМОП СБИС являются транзисторные матрицы. В лэйауте (англ. layou - детальное геометрическое описание всех слоев кристалла) транзисторных матриц все p-транзисторы располагаются в верхней половине матрицы, а все -транзисторы - в нижней. Транзисторные матрицы имеют регулярную структуру, которую составляют взаимопересекающиеся столбцы и строки. В столбцах матрицы равномерно расположены полосы поликремния, образующие взаимосвязанные затворы транзисторов.

скачать реферат Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

С этой точки зрения для реализации максимальной пороговой чувствительности необходимо выбирать фотодиод с минимальными темновыми токами. Величина темнового тока зависит от свойств материала фотодиода, температуры, площади р- - перехода, конструктивных особенностей и т. д. В фотодиодах с р - i - - переходом довольно широкая область собственной проводимости ( i - область) расположена между двумя областями полупроводника противоположного знака проводимости; в i-области распределено сильное однородное электрическое поле, что способствует увеличению чувствительности фотодиода. Чувствительность германиевых и кремниевых р - i - - фотодиодов составляет 0.5. 0.6 А/Вт, темновой ток при глубоком охлаждении (77 К) может быть доведен до 10-11 А. В последнее время разработаны р-i- - фотодиоды на основе I GaAs/I P, которые совместно с усилителем на полевом транзисторе (FЕТ) образуют интегральную схему; такой р-i- - FEТ- приемник работает в диапазоне длин волн 1,3.1,5 мкм, имеет высокую квантовую эффективность 0.65 . 0.7, малую емкость - 0.15 рF, что определяет высокое быстродействие.

скачать реферат Устройства защиты громкоговорителей

В устройстве применено реле РЭС-22 (паспорт РФ-4.500.130). Неполярные оксидные конденсаторы С1, С2 - К50-6. Транзистор КТ815В можно заменить любым другим с допустимым напряжением коллектор - эмиттер более 50 В и максимальным током коллектора ни менее значения (- сопротивление обмотки реле К1). Вместо стабилитронов КС527А можно использовать КС482А, КС510А, КС512А, КС175Ж, КС182Ж, КС191Ж и т.п., соединив нужное число приборов для получения напряжения стабилизации, выбранного приведённым формулам. Диоды VD1 - VD6, VD8, VD10, VD12 - любые кремниевые маломощные с обратным напряжением более 50 В. Оригинальные устройства защиты громкоговорителей (рис.3) питается напряжением сигнала звуковой частоты, что позволяет встроить его в громкоговоритель. Устройство отключает последний при перегрузке по мощности, а также в случае появления на выходе УМЗЧ постоянного напряжения любой полярности. В схеме использованы громкоговорители мощностью 10 Вт и электрическим сопротивлением 4 Ом. В исходном состоянии реле К1 обесточено и сигнал ЗЧ (звуковой частоты) с выхода усилителя поступает через контакты К1.1 на громкоговоритель. Одновременно он выпрямляет мостом VD1 - VD4, и его постоянная составляющая через нормально замкнутые контакты К1.2 подводится к пороговому устройству, выполненному на транзисторе V 1 и микросхеме DA1.

скачать реферат Методы уменьшения шумов и повышения помехоустойчивости электронных устройств

ВВЕДЕНИЕ Универсальные приборы,эквивалентные по значению транзистору,которые создаются на тонких кремниевых пластинках СБИС,в настоящее время так миниатюрны и дешевы,что чрезвычайно большое число процессоров может быть объединено в единую сеть.В 1978г. 100.000 элементов было успешно интегрировано в ЗУ объемом 64Кбит.В 1981г. фирма Hewle -Packard объявила о создании микропроцессорного кристалла,содержащего 450.000 элементов. Следовательно,многопроцессорные компьютеры "среднего класса" с числом кристаллов от нескольких тысяч и до нескольких миллионов скоро станут рельностью. Т.е. отдельный компьютер может содержать 10 элементов. Такие микропроцессорные системы могут быть очень успешно использованы для решения проблем,примером которых является моделирование в трех измерениях атмосферных масс для прогноза погоды,моделирование трехмерных зон земной коры,моделирование обширных сетей нейронов,составляющих мозг человека,и очень большой набор преобразований,необходимых для восприятия сложного поведения пространственных объектов.

Брошюровщик "Heidi Swapp. The Cinch".
Брошюровщик делает квадратные отверстия и предназначен для создания календарей, блокнотов, альбомом и много другого в домашних условиях.
8099 руб
Раздел: Прочее
Принцессы. 5 часов активной игры. Более 400 наклеек!. Ватт Фиона
Все девчонки очень любят наряжаться! А еще они с удовольствием поют и танцуют. Им нравится путешествовать, узнавать что-то новое и вообще
346 руб
Раздел: Альбомы, коллекции наклеек
Дневник в комплекте с пеналом "Джинс", цвет обложки синий.
Формат: А5+ (210х160 мм). Количество листов: 48. Внутренний блок: белый офсет 70 г/м2, печать в 1 краску. Способ скрепления:
354 руб
Раздел: Для старших классов
скачать реферат Устройство запрета телефонной связи по заданным номерам

Очевидно, что с помощью данной схемы невозможно принять D MF-посылки набора номера, но сам момент снятия трубки на пиратском аппарате регистрируется однозначно, что позволяет использовать данную схему во всех режимах подключения. В дополнение на Рис.6 приведена схема индикатора состояния линии с использованием транзистора. В данной схеме используется обычный резистивный делитель Rl, R2. В качестве ключа применяются кремниевые транзисторы КТ3102 или КТ315. Подбор уровня срабатывания осуществляется изменением R2 при настройке схемы. Обычно он не превышает 30В и позволяет регистрировать те же режимы, что и схема на Рис.4. Рис.6. Датчик состояния линии на транзисторе 3.2. Совмещенный индикатор подключения и обрыва телефонной линии В соответствии с описанным выше способом контроля напряжения в линии разработан совмещенный индикатор подключения и обрыва линии. Питание индикатора встроенное, батарея 9 BJ ("Крона", "Корунд".). Благодаря высоким значениям Rl, R2, индикатор абсолютно не влияет на параметры линии в соответствии с ГОСТом.

скачать реферат Современные микропроцессоры (апрель 2001г.)

Системная шина: 200 или 266 МГц, разработана по технологии Alpha EV6, предложенной компанией DEC. Шина эта масштабируемая и предполагает многопроцессорную обработку данных. Блок операций с плавающей точкой: полностью конвейеризированный и суперскалярный, приближающийся по производительности к RISC-процессорам. Расширенные возможности технологии 3D ow!: ранее использовавшаяся технология 3D ow!, которая включала в себя набор из 21 инструкции, ускоряющий выполнение мультимедийных задач и обработку трехмерной графики; он расширен на 24 новые инструкции. 19 из них улучшают возможности процессора в целочисленных операциях (в том числе в MMX-технологиях и при передаче потоковых данных в I er e -приложениях) и пять являются DSP- расширениями для программных модемов, ADSL, Dolby Digi al и приложений, использующих MP3. Архитектура кэша: 128 Кбайт кэш-памяти первого уровня и полноскоростная 256-Кбайт кэш-память второго уровня, интегрированная в ядро процессора. hu derbird выпускается по 0,18-мкм технологии в исполнении PGA и включает в себя 37 млн. транзисторов, размещенных на пластине площадью 120 мм2.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

Также любой транзистор обладает т.н. предельным характеристиками: предельной температурой переходов (для кремниевых транзисторов до 200 градусов по Цельсию, для германиевых – до 100) и максимальная мощность, рассеиваемая транзистором: где окр – температура окружающей среды, R окр – тепловое сопротивление, max – предельная температура переходов. От температуры зависят и другие характеристики транзисторов, как то, например, при повышении температуры на 10 градусов ток Iкбо возрастает в 2 раза, что нарушает режим работы транзистора в сторону больших токов. Поэтому в промышленности применяются транзисторы из более термостойких материалов (кремниевые) и различные методы охлаждения схемы. Однако, биполярные транзисторы обладают весьма небольшим входным сопротивлением и высокой инерционностью. Поэтому в компьютерах используются в основном полевые транзисторы, которые (к тому же) гораздо легче поддаются миниатюризации. Биполярные транзисторы дают большее быстродействие. Полевые транзисторы Полевые транзисторы бывают двух типов – канальные и с изолированным затвором. Последние и применяются в компьютерах, их мы и рассмотрим. (здесь и далее серым цветом обозначается окисел кремния SiO2).

скачать реферат Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии

Для этого напряжение смещения Vdc, поданное на измеряемый образец должно удовлетворять требованию: Vdc ( (106(Lc(L)/(500((((f) (2.2)Где : Lc – растояние от края области засветки образца до области контакта , мм L – длина образца , мм (f - измеренное время экспоненциального спада, (S. ( - - подвижность неосновных носителей, см2/В(сек Экспоненциальный спад тока фотопроводимости соответствует времени жизни в случае , если уровень инжекции фототока мал в сравнении с уровнем инжекции тока, протекающего под действием потенциала смещения. Это требование удовлетворено в случае выполнения соотношения: (V0/Vdc ( 0.01 (2.3) Если это условие не выполнено, то следует внести поправку в экспоненциальный спад тока фотопроводимости по формуле: (f = (f изм( (2.4)Где: (f изм - экспоненциальный спад тока фотопроводимости (f - экспоненциальный спад тока фотопроводимости после внесения поправки После внесения этой поправки объемное время жизни неосновных носителей вычисляется по формуле : (0 = ((f-1 – Rs)-1 (2.5) Где Rs определяется из таблицы 2.3. Стандартом AS M F28 – 91 при выполнении вышеперечиленых условий устанавливается погрешность (50% для измерений на германиевых образцах и (135% для измерений на кремниевых образцах. Рис. 2.1. Блок схема установки по измерению времени жизни фотоэлектирическим методом. 3. Механизмы рекомбинации По виду передачи энергии рекомбинирующих частиц различают три основных типа рекомбинации.1. Рекомбинация называется излучательной, или фотонной, если энергия рекомбинирующих частиц выделяется в виде энергии фотона. 2. Если энергия частицы передаётся решетке (фононам) , то рекомбинация называется безизлучательной, или фононной. 3. Одним из видов безизлучательной рекомбинации является ударнaя ионизация ( процессы Оже ), когда энергия рекомбинирующих частиц передается третьей частице , которая благодаря этому становиться “горячей”. “Горячая” частица в результате нескольких столкновений передает свою энергию фононам.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.