телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАТовары для спорта, туризма и активного отдыха -5% Книги -5% Одежда и обувь -5%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Техника

Технологические основы электроники

найти похожие
найти еще

Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
59 руб
Раздел: Небесные фонарики
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
8 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Пасты для межслойной изоляции и защитных покрытий должны обладать удельной емкостью не выше 200 пф/см2. Толщина изоляционных слоев достигает 70 мкм. Такие пасты составляют на основе стекол, которые в этом случае одновременно являются и функциональной, и конструкционной фазами. Например, пасту ПД-2 составляют на основе стекла СУ-273 с добавкой Al2O3 в качестве наполнителя. В состав органической связки входят канифоль, стеариновая кислота, вазелиновое масло, ланолин, вакуумное масло. Паста обеспечивает СO=120 пф/см2 при пробивном напряжении 500 В. Основная технологическая задача при формировании слоев из стекол заключается в том, чтобы избежать растекания слоя в процессе вжигания, а также при повторных нагревах. Растекаемость уменьшает толщину слоя, за счет чего возрастает удельная емкость, а также приводит к затеканию стекла на контактные площадки. Хорошие результаты при создании межслойной изоляции дают пасты на основе ситаллоцементов, в которых при нагревании образуется кристаллическая фаза (по типу ситаллов), предотвращающая размягчение слоя при повторных нагревах. Например, ситаллоцемент марки СЦ-273, синтезированный на основе стекол системы SiO2—PbO—Z O— iO2, вжигается при температуре 750 °С. Для уменьшения его растекания при вжигании вводят наполнители: порошок Al2O3 (15—20 масс. %) и порошок 22ХС (0—5 масс. %). Удельная емкость в этом случае составляет 180 пф/см2 при толщине слоя 60—70 мкм. При той же толщине ситаллоцементы СЦ-215 и СЦ-36 на основе SiO2—BaO— Al2O3 с порошком 22ХС обеспечивают Со=120 пФ/см2. При приготовлении паст их компоненты точно взвешивают в соответствии с рецептурой и тщательно перемешивают. 9. Описать способы подгонки толстопленочных элементов Подгонка толстопленочных резисторов заключается в удалении части их материала, в результате чего сопротивление резисторов возрастает. Подгонка толстопленочных конденсаторов состоит в удалении части верхней обкладки, в результате чего емкость конденсаторов уменьшается. Поэтому, чтобы исключить неисправный брак, требуется настраивать процесс печати элементов путем корректировки состава паст или толщины слоев так, чтобы резисторы имели заведомо заниженные значения сопротивлений, а конденсаторы—завышенные-значения емкости (рис. 9). Рис. 9 Относительное расположение полей рассеяния и допуска до подгонки: а — для толстопленочных резисторов; б — для толстопленочных конденсаторов (и - поля допусков на сопротивление резисторов и емкость конденсаторов соответственно) При подгонке конденсаторов необходимо тщательно подбирать режимы обработки во избежание короткого замыкания обкладок. В процессе подгонки выводы подложки устанавливают в контактное приспособление, связывающее элементы схемы с измерительным устройством. Затем, последовательно «опрашивая» элементы, их измеряют и обрабатывают. Для этого каждый элемент схемы должен иметь индивидуальный выход на выводы подложки. При необходимости вводят либо временные (технологические) перемычки, впоследствии удаляемые (рис. 2.50,а), либо временные армированные выводы, которые отрезают после подгонки (рис. 2.50,6). Рис. 10 Подложки с толстопленочными резисторами (а) и конденсаторами (б) При подгонке элементов на подложках, не имеющих выводов (по аналогии с ситалловыми подложками тонкопленочных микросхем, контактирование осуществляется через контактные площадки элементов с помощью зондов измерительного устройства.

Участок 3 ВАХ соответствует аномальному тлеющему разряду и используется для распыления в производственных условиях. С повышением тока увеличиваются плотность тока и интенсивность распыления. При некотором значении плотности тока, зависящем от условий охлаждения мишени, катод сильно разогревается и начинает заметно проявляться термоэлектронная эмиссия. Ток в разряде возрастает, а напряжение падает, поскольку разряд становится несамостоятельным и имеет характер дугового разряда (участок 4 ВАХ). Для предотвращения перехода тлеющего разряда в дуговой высоковольтный источник питания должен иметь ограничения по мощности, а мишень интенсивно охлаждаться. Основной характеристикой, определяющей эффективность распыления, является коэффициент распыления kp, представляющий собой среднее число атомов мишени, распыленных одним ионом. Коэффициент распыления зависит от энергии иона ЕИ, его массы (рода рабочего газа), материала мишени и в некоторой степени от ее температуры и состояния поверхности, а также от угла падения иона. В табл. 1 приведены значения коэффициентов распыления для некоторых металлов. Таблица 1 Значения коэффициента распыления Распреде-ляемое вещество Коэффициент распыления kP при ЕИ=600 эВ при ЕИ =1 кэВ Аг Кг Аг Кг Си 2,3 2,8 3,2 3,4 Fe 1,3 1,2 1,4 1,4 Мо 0,9 1,1 1,1 1,2 i 1,5 1,5 2,1 1,7 Коэффициент распыления необходимо рассматривать как случайную величину, обладающую определенными статистическими характеристиками. Как следует из таблицы, увеличение коэффициента распыления возможно за счет увеличения как энергии ионов, так и молекулярной массы газа, в среде которого происходит распыление (Аг, Кг). Увеличение давления рабочего газа повышает вероятность столкновения распыленных атомов с молекулами газа, в результате чего часть атомов не приходит на подложку, а рассеивается в объеме камеры или возвращается на мишень. При этом скорости распыления и осаждения падают. Таким же образом влияет на эти параметры увеличение расстояния L от катода до подложки. Минимально допустимое значение L должно несколько превышать ширину темного катодного пространства dК, иначе вероятность ионизирующих столкновений вторичных электронов резко уменьшится и разряд станет нестабильным. В то же время высокая энергия электронов вблизи границы ТКП приводит к тому, что интенсивность бомбардировки поверхности подложки повышается и она разогревается, результатом чего является снижение скорости осаждения, а в ряде случаев - возникновение нежелатель-ных радиационных нарушений поверхностного слоя. На практике расстояние L подбирают экспериментально. Из сказанного следует, что массовая скорость распыления вещества катода, т.е. количество вещества в граммах, распыленного с 1 см2 катода в 1 с, определяется для аномально тлеющего разряда выражением w=k(u-uНК)J/(pL) (5) где и—напряжение «анод—катод»; иНК—нормальное катодное падение напряжения, при котором распыление пренебрежимо мало; J—плотность разрядного тока; р—давление рабочего газа; L— расстояние «катод—подложка»; k—постоянная, зависящая от рода газа и материала катода. Из проведенного анализа ясно, что все технологические параметры распыления (и, иНК, J и р) функционально связаны друг с другом и выбор одного из них однозначно определяет значения других.

МДП-приборы, в которых в качестве канала используется тонкий приповерхностный слой, вполне могут быть реализованы в тонких эпитаксиальных слоях порядка десятых долей микрометра. Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого для защиты при термической диффузии, соизмерима с толщиной такого эпитаксиального слоя. Поэтому обычно слои окиси кремния получают методом осаждения из газовой фазы, что, кстати, позволяет использовать относительно низкие температуры. 5. Указать недостатки методов диффузии Метод термической диффузии примеси имеет ряд недостатков и ограничений. 1. Высокая температура процесса приводит к перераспределению примеси в ранее сформированных слоях и областях и смещению р- -переходов, что затрудняет воспроизводимость активной базы транзисторов толщиной менее 0,6 мкм. 2. Наличие боковой диффузии увеличивает площадь отдельных диффузи-онных областей и элементов в целом. 3. Зависимость коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры исключают возможность использовать многие полупроводниковые материалы и легирующие элементы, перспективные для микроэлектроники. 6. Желательно или нет присутствие второго максимума на профиле распределения примеси Профиль распределения. При облучении монокристаллической мишени ионами в направлениях, отличающихся от основных, профиль распределения внедренных атомов описывается нормальным законом распределения (рис. 5): Рис.5 Профили распределения электрически активных атомов бора при различных энергиях ионного пучка  (1) где Q — доза легирования ; —среднеквадратическое отклонение длин пробегов .  Максимальная концентрация примеси, соответствующая средней длине пробега ,  (2) а концентрация примеси на уровне р- -перехода  (3) Если допустить, что в процессе отжига вся внедренная примесь переходит в активное состояние, а перераспределением примеси можно пренебречь, то глубина залегания р- -перехода из (2) и (3) окажется равной  (4) Знак «±» указывают на возможность получения двух переходов на разной глубине, т. е. образования заглубленного (скрытого) слоя. Так, например, при внедрении бора с энергией ионов 160 кэВ и концентрацией max=1018 см-3 в пластину с концентрацией фосфора исх=1016 см-3 образуются два перехода на глубине 0,248 и 3,952 мкм. Необходимая при этом доза легирования согласно (2) равна 2,9х1013 см-2. Решение обратной задачи, т. е. определение энергии ионов, необходимой для образования переходов на заданной глубине, может быть выполнено лишь на ЭВМ с помощью итерационных алгоритмов. В монокристаллах можно выделить направления, вдоль которых имеются периодически расположенные атомные цепочки и свободные от атомов каналы. При облучении мишени в таких направлениях наблюдаются аномально большие пробеги ионов, так как большая их часть проникает в глубь решетки по каналам, испытывая относительно слабое торможение. В кремнии эффект каналирования ионов наблюдается в направлениях , и . Наименьшая плотность атомов имеет место в плоскостях {110} (рис. 6), наибольшая — в {111}.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Журнал «Компьютерра» 2007 № 34 (702) 18 сентября 2007 года

Но квантовая механика это не мир средневековой демонологии, это вполне объективная научная и технологическая основа современной цивилизации. Да, основа пока лишь электроники и информационных технологий. Но вскоре и всего человечества. Недавний рост цен на хлеб объясняется увеличением спроса на зерно для производства топливного этанола. Запасы углеводородов ограничены. И задача рентабельного использования излучения термоядерного реактора, миллиарды лет устойчиво функционирующего в 150 миллионах километров от нас, наверняка потребует инженерного использования процессов квантовой механики. А для этого необходимо увеличить число людей, имеющих как можно более точное представление о них. Если не максимально близкое к реальности, то хотя бы асимптотически приближающееся к математическим, формализованным описаниям реальности. И к тому же людей, умеющих манипулировать этими представлениями в практических целях, как конструктор-механик манипулирует образами поверхностей и линий, накладывая на них ограничения, обусловленные свойствами материалов, законами кинематики и динамики

скачать реферат Выход в большой сетевой мир

ДЕМОС устанавливали на СМ, ЕС, «Эльбрус», «Электронику-1082». Операционная система ДЕМОС сыграла важную роль в популяризации U ix и в появлении в стране сообщества «юниксоидов», которое и составило в 1990 году основу клиентской базы сети Relcom. В 1989 году работы по поддержке операционной системы ДЕМОС были подкреплены коммерческой деятельностью: кооператив с тем же названием занялся установкой локальных сетей и продажей компьютерной техники. Так появились первые финансовые предпосылки для развертывания сети. А технологической основой стало расширяющееся использование U ix-компьютеров, в которых заложена поддержка сетевого взаимодействия. Так что все условия для создания сети U ix-машин были. Летом 1990 года сеть Relcom связала 15 узлов, в основном академические научные центры в Москве, Новосибирске, Ленинграде. Довольно быстро добрались и до восточных окраин страны, подключив Камчатку. В основном сеть базировалась на обычных телефонных линиях. Пользователи Relcom получили возможность общаться друг с другом по электронной почте и с помощью телеконференций Use e .

Набор мебели Ника "Азбука" (стол+стул мягкий, моющийся).
Комплект складной. Подходит для кормления, игр и обучения. Поверхность столешницы ламинированная с нанесением ярких познавательных
1242 руб
Раздел: Наборы детской мебели
Контейнер универсальный, 4 выдвижные секции, большой.
Может использоваться как бокс для канцелярских или любых иных офисных принадлежностей, а также строительных мелочей и пр. Легко
1129 руб
Раздел: Полки напольные, стеллажи
Табурет "Плетенка" складной (большой).
Табурет, сделанный из пластмассы высокого качества. Ширина: 310 мм. Длина: 270 мм. Высота: 445 мм. Размеры сидения: длина - 230 мм, ширина
432 руб
Раздел: Стульчики
 Война на море (Актуальные проблемы развития военно-морской науки)

Ее эффективность подтвердили события лета 1982 года, когда в ходе англо-аргентинского конфликта эта система полностью отслеживала обстановку на море и позволила определить момент начала высадки десанта. В этот же период в интересах ВМФ широкое развитие получили: радиоэлектронные космические средства связи и навигации; корабельные, авиационные и автономные гидроакустические комплексы, системы и станции; комплексы и средства радиоэлектронного и гидроакустического противодействия; системы сверхдальней передачи информации на погруженные подводные лодки; наземные и корабельные радиоэлектронные системы загоризонтного освещения надводной обстановки; автоматизированные и наземные комплексы обработки информации, позволившие оптимизировать состав сил и виды оружия при ведении наступательных, оборонительных и самостоятельных операций. Это радиоэлектронное вооружение создавалось на высоком научном и технологическом уровне и по отдельным тактико-техническим характеристикам превосходило зарубежные аналоги того времени. В заключение необходимо отметить, что XX век, названный веком радиоэлектроники, передал следующему столетию новые перспективные научные, инженерные и технологические основы, которые могут фантастически расширить возможности человеческой деятельности в различных областях науки и практики

скачать реферат Физические основы измерительных преобразователей

Если спаи находятся при разных температурах, то в цепи термопары возникает электродвижущая сила (термоэлектродвижущая сила), величина которой однозначно связана с разностью температур т, составляющим 0,15-0,2 (1°С). По своему конструктивному оформлению позисторы аналогичны терморезисторам таблеточного типа, диаметром около 5мм.Сопротивление позистора возрастает с возрастанием его температуры, что используется для ограничения тока в цепи нагрузки. Литература Трофимов А.Н. Автоматика, телемеханика, вычислительная техника в химических производствах. Учебник. Энергоатомиздат. 1985. Фарзане Н.Г., Илясов П.В., Азим-заде А.Ю. Технологические измерения и приборы. Учебник. Москва. Высшая школа.1989. Жарковский Б.И. Приборы автоматического контроля и управления. Учебник. Высшая школа. 1989. Попов И.А., Грунтович Н.В. Сборник заданий для самостоятельной работы по основам теории автоматического управления (регулирования). Учебное пособие. ВМФ. 1982. Трофимов В.В. Справочник АСУТП. Справочник. Киев. Техника. 1988. Измерительно-информационные системы. Учебник. ВМФ. Ч.1. 1990 г. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. Киев.Вища шк.1987.

 Геноцид

Страны, лидировавшие в мировой экономике в предшествующий период, сталкиваются с обесценением капитала и снижением квалификации занятых в отраслях устаревающего технологического уклада, в то время как страны, успевшие создать заделы в формировании производственно-технологических систем нового технологического уклада. оказываются центрами притяжения капитала, высвобождающегося из устаревающих производств. Каждый раз смена доминирующих технологических укладов сопровождалась серьезными сдвигами в международном разделении труда, обновлением состава наиболее преуспевающих стран. Доминирующий сегодня технологический уклад начал складываться в целостную воспроизводственную систему в 50-60-е годы и стал технологической основой экономического роста после структурного кризиса 70-х годов. Ядро этого технологического уклада составляют микроэлектроника, программное обеспечение, вычислительная техника и технологии переработки информации, производство средств автоматизации, космической и оптико-волоконной связи. Развитие данного технологического уклада сопровождается соответствующими сдвигами в энергопотреблении (рост потребления природного газа), в транспортных системах (рост авиаперевозок), в производстве конструкционных материалов (рост производства комбинированных материалов с заранее заданными свойствами)

скачать реферат Прокатное и кузнечнопрессовое производство

В результате можно констатировать, что к настоящему времени в России уже практически исчезла не только собственная технологическая база для легкой промышленности, но и общая технологическая основа национального машиностроительного комплекса и современного приборостроения в целом, поскольку станкостроение производит «материнские машины» и определяет технологический уровень всех прочих машиностроительных производств, выпускающих оборудование для других отраслей промышленности, а без технологической базы для современной электроники, трудно рассчитывать на возможность развития современного приборостроения, которое определяет современный уровень не только машин и оборудования, но и современных товаров. В то же время при относительно неплохих стоимостных показателях роста объемов промышленного производства, продолжает оставаться крайне низкой интенсивность качественных сдвигов в состоянии большинства отраслей обрабатывающей промышленности. Объективно многие из них продолжают страдать от хронического недоинвестировання, следствием чего являются слишком медленные темпы модернизации их технологической базы.

скачать реферат Разработка программатора микросхем ПЗУ

1984. Бокуняев А.А., Борисов Н.М., Варламов Р.Г. Справочная книга конструктора - радиолюбителя. Под ред. Чистякова Н.И. - М.: Радио и связь, 1990. Борисенко А.С., Бавыкин Н.Н. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств. Уч. для техникумов - М.: Машиностроение, 1983. Бочаров Л.Н. Расчет электронных устройств на транзисторах. – М.: Энергия, 1978. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – Киев: Высшая школа, 1989. ГОСТ 2.105-95. Общие требования к текстовым документам. ГОСТ 2.109-73. Основные требования к чертежам. ГОСТ 2.702-75. Правила выполнения электрических схем. ГОСТ 3.1127-93. ЕСКД. Общие правила выполнения текстовых технологических документов. ГОСТ 3.118-82. Оформление текстовой документации. Григорьев О.П., Замятин В.Я. и др. Транзисторы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1989. Дъяков В.И. Типовые расчеты по электрооборудованию. Практическое пособие. – М.: Высшая школа, 1991. Ильин В.А. Технология изготовления печатных плат. – Л.: Машиностроение, 1984.

скачать реферат Разделение труда

Эта форма взаимодействия стала ускорителем структурной перестройки промышленности, ее отраслевых и межведомственных комплексов на новой технологической основе, в том числе на основе широкого применения электронных и информационных технологий. Международная специализация и кооперация производства соответствует высокому уровню развития производительных сил и выступает в качестве одной из объективных важнейших предпосылок дальнейшего развития интернационализации хозяйственной жизни, усиления взаимосвязи национальных хозяйств. Сейчас на внешнем рынке циркулируют сотни тысяч полуфабрикатов, аналоги которых еще полтора-два десятилетия назад обращались только на внутрифирменном уровне. Заключение. Именно разделение труда вызвало отделение друг от друга различных профессий и занятий, что способствовало в первую очередь увеличению производительности и чем выше ступень промышленного развития страны, тем дальше идет такое разделение. То, что в диком состоянии общества составляет работу одного человека, то в более развитом - выполняется несколькими. Труд, необходимый для производства какого-нибудь законченного предмета всегда распределяется между большим количеством людей.

скачать реферат Охрана природы в ОВД

Действующее природоохранное законодательство несовершенно, не учитывает больших изменений в данной сфере; в том числе: - повышения общественной опасности этих преступлений, - увеличения их числа с использованием достижений научно- технического прогресса (например, незаконный ввоз в страну для захоронения радиоактивных и химических отходов); - нарушения правил хранения и утилизации особо опасных веществ, порчи земли и др. Противоречия между целями предпринимательства и природоохраны выражаются в росте масштабов грабительского вывоза из страны природного сырья, особенно энергоносителей. Среди причин экологических преступлений, связанных с негативным воздействием на природную среду, надо назвать нарушения производственно-технологической основы, низкую правовую и экологическую культуру населения, о повышении которой проявляется недостаточная забота. Другая группа причин относится к практике извлечения природных ресурсов. Улучшение деятельности правоохранительных органов должно явиться важнейшим фактором, ведущим к сокращению количества преступлений в экологической сфере.

Цветные карандаши, 12 цветов, в пластиковом пенале.
Первый гибкий пенал для карандашей. Изящное решение: с растягивающимся тубусом. Пенал легко превращается в стаканчик для карандашей.
360 руб
Раздел: 7-12 цветов
Подарок человеку, у которого есть все "Кисточка для чистки пупка".
Подарок человеку, у которого все есть "Кисточка для чистки пупка" - оригинальный подарок, который несомненно порадует и того,
1607 руб
Раздел: Подарочные наборы
Средство для мытья посуды Finish "All in 1 Max", в посудомоечных машинах, в таблетках, 25 штук.
Средство для мытья посуды в посудомоечных машинах.
639 руб
Раздел: Для посудомоечных машин
скачать реферат Дизайн

Технологическая основа его при этом не должна была кардинально переделываться. Ведущий худ. Группы (В. Коновалов) поставил перед собой цель – из одних и тех же унифицированных элементов сделать несколько разных по своему назначению и применяемому материалу типов утюга. Автор не только добился своей цели, но и сумел создать удивительно разнообразную серию, причём каждый из утюгов получил свой пластический характер, свой облик. Внешняя форма предмета Предмет утилитарного назначения характеризуется внешней формой и цветом, так же как произведение скульптуры и живописи. Рассмотрим прежде всего характеристики формы предмета как таковой, исключив всякое практическое и эстетическое его содержание. Самые простые - это известные нам основные геометрические формы: параллелепипед, призма, цилиндр, конус. Возможны и соединения этих геометрических тел, врезка и пересечение их в разных комбинациях. Огромное число предметов имеет еще более сложную форму с очертаниями двоякой кривизны, вхождением внешнего пространства в пределы этого предмета форма предмета может быть симметричной и асимметричной Симметрия известный термин Известно два основных вида симметрии - зеркальная и осевая.

скачать реферат Виды и формы обучения

В плане сказанного выше, разработка развивающих технологий обучения требует прежде всего ответа на два вопроса: Какова та система, которая должна быть «построена» в процессе обучения? Как должно вестись само «строительство»? Ответы на первый вопрос составляют структурные основы развивающего обучения и в конечном итоге сводятся к построению некой, будем называть ее рациональной, модели интеллекта. Они определяют цели, конечный образ того, что должно быть создано. Ответы на второй вопрос - технологические основы развивающего обучения, определяющие то, как должен быть организован учебный процесс для наиболее эффективного получения нужного результата. Рассмотрение этих вопросов носит узкоспециализированный характер и выходит за рамки реферата. Заключение Образование - часть процесса формирования личности. При помощи этого процесса общество передаёт знания, навыки от одного человека другим. В процессе обучения ученику навязываются определённые культурные ценности; процесс обучения направлен на социализацию личности, но иногда обучение конфликтует с истинными интересами ученика.

скачать реферат Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

Для заданной полосы частот емкость конденсатора С2 должна быть равна десяткам микрофарад, возьмем 20 мкФ. Теперь рассчитаем стабилизатор напряжения с требуемыми параметрами. Входные цепи блока питания состоят из понижающего сетевого трансформатора и мостового выпрямителя. Схема стабилизатора напряжения показана на рис. 2. Так как потребляемая схемой мощность небольшая, в качестве стабилизатора DA1 возьмем специально предназначенную микросхему К142ЕН8А, обеспечивающую выходное напряжение 9 В и ток в нагрузке до 1 А. Данная микросхема обеспечивает коэффициент пульсаций на выходе примерно 0.03, что удовлетворяет заданию. Для нормальной работы напряжение на входе микросхемы должно быть не менее 12 Вольт, поэтому конденсаторы С1 и С2 выбираем на рабочее напряжение 25 В и емкостью 500 мкФ. Литература.1. Жеребцов И. П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. 2. Транзисторы: Справочник . - М.: Радио и связь, 1990. 3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1990.

скачать реферат Разработка управления тюнером спутникового телевидения

После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения. 5ВVD1 R1 C1 Рисунок 3. 1.2.6. Запоминающие устройства. Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе. Приме-няемые Время Информа-цион Плотность Энергопо- элементы выборки,мс ная ёмкость размещ. требление информац., при бит/см3 хранении информац. БП V 50103 103300 Есть структуры Ферритовые 35020 Нет сердечники Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные. 1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.

скачать реферат Постиндустриальное общество

Даже в самых развитых странах (США, Япония, ФРГ, Швеция) общество еще весьма далеко от того, чтобы в полной мере стать постиндустриальным. До сих пор в них многие миллионы людей заняты простым трудом и подвергаются самой обычной капиталистичекой эксплуатации. И даже в этих странах, в особенности в США, существуют массы неграмотных, которые, естественно, остаются на обочине дороги в будущее. Разумеется, это препятствует постиндустриализации, консервирует старые отношения и старые технологии, а порой и восзодает их на новой технологической основе. Остаются нерешенными и глобальные проблемы - экологическая и проблема отсталости большинства стран Земли. Однако решить эти проблемы можно только на постиндустриальной основе. В свою очередь дальнейшая постиндустриализация немыслима без их решения. Интересным является положение в России. Явные тенденции к постиндустриализму в развитых странах и сравнение их с тем, что происходит в России, свидетельствуют скорее о разнонаправленности процессов, происходящих "там" и "тут", чем о том, что Россия начинает, наконец, развиваться "как все".

Доска магнитно-маркерная, 60x90 см.
Размер: 60х90 см. Для письма маркерами и крепления листов при помощи магнитов. Перед началом работы удалить защитную пленку. В комплекте:
1560 руб
Раздел: Доски магнитно-маркерные
Набор цветных карандашей "Noris Club", 24 цвета.
Детские цветные карандаши в картонной коробке. Серия «Noris Club» предназначена для использования детьми. Специальное защитное белое
348 руб
Раздел: 13-24 цвета
Настольная игра "Каркассон. Королевский подарок".
Размеренная жизнь феодальных владений в окрестностях Каркассона привлекает множество людей со всех уголков Франции. В городах ведётся
1790 руб
Раздел: Классические игры
скачать реферат Методы переоценки основных фондов. Значение переоценки

Учет основных средств по первоначальной стоимости, которая значительно оторвана от восстановительной в каждый конкретный момент, приводит к тому, что начисляемая амортизация не покрывает затраты на их воспроизводство на современной технологической основе. Переоценка основных фондов создает трудности в разработке бизнес - планов предприятий, бюджетов всех уровней. Эти планы и бюджеты составляются до планируемого года, когда еще неизвестны результаты переоценки основных фондов на 1 января этого года. А ведь эти результаты влияют на амортизационные отчисления, на размеры налога на имущество предприятий, на источники финансирования капитальных вложений, прироста оборотных средств предприятий, на цены продукции предприятий. Приведенные выше аргументы определили выбор темы курсовой работы. 1. Основные средства. 1.1. Понятие и классификация основных средств. Основные средства – это часть имущества, используемая в качестве средств труда при производстве продукции, выполнении работ или оказании услуг либо для управления организацией в течение периода, превышающего 12 месяцев.

скачать реферат Управление персоналом

Реформирование организаций Одно из существенных ограничений, которое должен учитывать современный руководитель — невозможность существования организации (длительно и эффективно) без изменений. Реформирование может проводиться двумя способами: медленные эволюционные изменения и динамичные, резкие и за короткое время революционные изменения.Для многих организаций процесс медленных эволюционных изменений невозможен в силу отсутствия ресурсов (финансовых, временных и заинтересованного управления). Поэтому для восстановления работоспособности многих предприятий может быть использован только метод революционных, парадигмальных изменений — реформирование организации в целом (организационной структуры, технологической основы, кадрового состава). Современная ситуация ряда постсоветских предприятий осложняется еще и рядом социально-кадровых аспектов: 1. на многих предприятиях сами работники являются собственниками, и именно от них теперь зависит, будет ли работать предприятие; 2. большая часть крупных предприятий является градообразующими и не может быть ликвидирована в силу социальных причин; 3. для многих регионов весьма низка вероятность привлечения другого персонала (в силу непривлекательности предприятия, региона, финансовых возможностей). 4. достаточно большая часть персонала по своим профессиональным характеристикам не имеет шансов на нахождение другой работы, и поэтому работа на нынешнем предприятии — ее единственная возможность.

скачать реферат Информационные технологии в бизнесе

Информационная технология включает в себя “козырные карты” современного информационного бизнеса: компьютеры, терминалы, компьютерное оборудование, оптическую аппаратуру, микрофильмы, лазерные диски, печатное оборудование и ксерокопирование. Это все базовые элементы инфраструктуры, определяющие основные стратегические цели развития бизнеса, поэтому выбор не является случайным. По мнению американского специалиста в области управления Г. Поппеля, под информационными технологиями (ИТ) следует понимать использование вычислительной техники и систем связи для создания, сбора, передачи, хранения, обработки информации для всех сфер общественной жизни. ИТ рассматривают и как часть (или элемент) информационного бизнеса — его некоторую технологическую основу, и как отдельный сектор инфраструктуры, часто развивающийся автономно. Тенденции развития информационных технологий Признавая как факт поразительные технологические достижения наступившей эры информационных технологий, американские специалисты спрогнозировали дальнейший прогресс в 90-е годы в этой области, движущей силой которого являются пять основных так называемых “информационных тенденций”.

скачать реферат Источники венчурного капитала и стимулирование инновационной активности в процессе антикризисного управления

В основе такого перехода лежат интенсивные формы использования венчурного капитала. Чтобы обеспечить ежегодный ВВП не менее чем на 4-5% в течение 20-25 лет, Россия должна реструктуризировать свою экономику на современной технологической основе. Особенно это относится к локомотиву экономики—промышленности, где износ основных фондов составляет 50%, а Доля производственного оборудования в возрасте свыше 15 лет -46%. Перед Россией стоит дилемма: либо она примет эффективные меры по стимулированию внутренних источников роста экономики и повышению конкурентоспособности предприятий, либо продолжится глобальный экономический спад 90-х годов. Особенно остро стоит вопрос об инвестициях, направляемых в инновационную сферу, в связи с тем, что кризис жестко затронул отрасли, работающие на внутренний рынок и в значительно меньшей степени—ориентированы на экспорт (ресурсодобывающие отрасли). На основе данных Всемирного экономического форума (ВЭФ) по рейтингу конкурентоспособности Россия среди 53 стран мира занимает последнее место.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.