телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВидео, аудио и программное обеспечение -30% Разное -30% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Тонкопленочные элементы интегральных схем

найти похожие
найти еще

Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Для получения столь больших скоростей осаждения пленок чаще всего используются электронно-лучевые испарители. При этом степень совершенства кристаллической структуры пленок может неконтролируемо изменяться вследствие дополнительного радиационного нагрева подложек, величина которого зависит как от мощности испарителя, так и от материала подложки и толщины осаждаемой пленки. Неконтролируемые изменения в структуре пленки возникают также из-за наличия заряженных частиц в молекулярном пучке испаряемых паров Аl. Концентрация заряженных частиц тем выше, чем больше ток эмиссии катода и больше скорость испарения. Одним из существенных недостатков пленок чистого Аl является перенос вещества в результате электродиффузии (дрейфа ионов материала вдоль проводника, ее ли на концах последнего имеется разность потенциалов). Скорость перемещения ионов является функцией температуры и увеличивается с ростом последней. По мимо электродиффузии, возможна диффузия атомов металла в результате разности температур на концах проводника. Если Аl осаждается на окисел кремния, то это вызывает плохой отвод тепла, появление «горячих» центров на проводящих дорожках и как следствие значительные градиенты температуры. Электромиграция А1 при плотностях тока, меньших, чем для других металлов, приводит к появлению пустот в пленке (эффект Киркендалла). Поскольку электродиффузия является активационным процессом, то она существенно зависит от состояния поверхности границы зерен. Уменьшение протяженности границ за счет увеличения размеров зерна и подбор материала защитного покрытия могут существенно увеличить энергию активации и как следствие время наработки на отказ. Значительного увеличения времени наработки на отказ можно достичь за счет добавки к алюминию примесей меди, магния, хрома, а также окиси алюминия. После нанесения пленки А1 и получения требуемой конфигурации токоведущих дорожек производят вплавление А1 в кремний при температуре 500—550°С для получения низкоомного контакта. Миграция избыточного кремния на токоведущих дорожках, прилегающих к контактным подложкам, вызывает шелушение А1 и отказы ИС. Для предотвращения этого необходимо при испарении А1 вводить в него около 2 масс. % кремния. Добавка кремния в контактные площадки из А1 уменьшает миграцию кремния из неглубоко залегающего эмиттерного слоя (около 1 мкм), что существенно увеличивает быстродействие ИС на биполярных транзисторах и предотвращает закорачивание в ИС неглубоко залегающих эмиттерных переходов. Для предотвращения миграции кремния в пленку А1 в качестве промежуточного слоя может быть использована пленка титана. Применение метода создания омических контактов с подслоем титана в быстро действовавших ИС позволило в 20 раз увеличить время наработки на отказ. Помимо титана, может использоваться подслой платины или палладия с образованием силицида платины или силицида палладия. Наряду с ранее перечисленными достоинствами металлизация алюминием обладает рядом существенных недостатков, важнейшими из которых являются следующие: малая величина энергии активации атомов А1, вызывающая электромиграцию при плотностях тока примерно 106 А/см2 и повышенных температурах, в результате чего появляются пустоты в пленках; возможность короткого замыкания через диэлектрик в многоуровневых системах металлизации вследствие образования острых выступов на плевке в результате электромиграции и рекристаллизации А1; опасность гальванической коррозии Аl при одновременном использовании других металлов; большая скорость диффузии А1 по границам зерен, не допускающая использования приборов с металлизацией А1 при температурах более 500°С; интенсивное химическое взаимодействие А1 с двуокисью кремния при температуре около 500°С; низкая точка плавления в эвтектике систем алюминий — кремний около 577°С; большое различие (в 6 раз) коэффициентов термического расширения А1 и 51; мягкость А1 и, следовательно, невысокая механическая прочность пленок; невозможность присоединения выводов с помощью пайки; высокое пороговое напряжение в МОП структурах в связи с большой работой выхода.

Замена диффузионных резисторов на тонкопленочные дает целый ряд преимуществ: низкий температурный коэффициент 'сопротивления, низкую паразитную емкость, более высокую радиационную стойкость, более высокую точность номинала и др. Материалы, используемые при изготовлении резистивных пленок, должны обеспечивать возможность получения широкого диапазона стабильных во времени резисторов с низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), обладать хорошей адгезией, высокой коррозионной стойкостью и устойчивостью к длительному воздействию повышенных температур. При осаждении материала на подложке должны образовываться тонкие, четкие линии сложной конфигурации с хорошей повторяемостью рисунка от образца к образцу. Резистивные пленки чаще всего имеют мелкозернистую дисперсную .структуру. Наличие дисперсности г, структуре пленок позволяет в первом приближении рассматривать их электросопротивление как суммарное сопротивление отдельных гранул и барьеров между ними, при котором характер общего сопротивления определяет величину и знак ТК.С. Так, например, если преобладающим является сопротивление самих зерен, то проводимость пленки имеет металлический характер и ТКС будет положительным. С другой стороны, если сопротивление обусловлено прохождением электронов через промежутки между зернами (что обычно имеет место при малых толщинах пленки), то проводимость будет иметь полупроводниковый характер и ТКС соответственно будет отрицательным. В производстве монолитных ИС используются главным образом .высокоомные резисторы., Для того чтобы резисторы имели минимально возможные габариты, они должны изготовляться с тем же разрешением и допуском, что и другие элементы ИС. Это исключает применение для получения требуемой конфигурации резисторов свободных металлических масок и позволяет осуществлять ее только с помощью фотолитографии. При изготовлении микро мощных монолитных ИС по совмещенной технологии возникает необходимость разместить на сравнительно небольшой площади .кристалла высокоомные резисторы, имеющие сопротивление до нескольких мегаом, что может быть достигнуто только в том случае, если материал резистора будет обладать Rs (10—20) кОм/(. Процесс изготовления резисторов должен быть совмещен с основным технологическим процессом изготовления всей кремниевой ИС по планарной или эпитаксиально-планарной технологии. Так, например резистивные пленки не должны быть чувствительны к присутствию на кремниевой пластинке нитрида кремния, фосфора, боросиликатного стекла и других материалов, используемых в производстве монолитных ИС. Они должны выдерживать сравнительно высокую температуру (500-550°С), которая имеет место в процессе герметизации ИС, и в некоторых случаях не должны изменять свои свойства под воздействием окислительной среды. В монолитных ИС для изготовления резисторов используются в основном нихром и танта. При изготовлении гибридных ИС используется значительно более широкая номенклатура материалов для тонкопленочных резисторов. В качестве низкоомных пленок с Rs от 10 до 300 Ом. используются пленки хрома, нихрома и т тала. Получение пленок хрома с воспроизводимы электрофизическими свойствами несколько затруднено его способностью образовывать соединения (особен окисные) при взаимодействии с остаточными газа в процессе испарения и осаждения.

Сравнительно недавно полупроводниковые (твердые) и тонкопленочные гибридные ИС рассматривались как конкурирующие направления в развитии интегральной электроники. В последние годы стало очевидно, что эти два направления отнюдь не исключают, а скорее, наоборот, взаимно дополняют и обогащают друг друга. Более того, до сегодняшнего дня не созданы (да, видимо, в этом и нет необходимости) интегральные схемы, использующие какой-либо один вид технологии. Даже монолитные кремниевые схемы, изготавливаемые в основном по полупроводниковой технологии, одновременно применяют такие методы, как вакуумное осаждение пленок алюминия и других металлов для получения внутрисхемных соединений, т. е. методы, на которых основана тонкопленочная технология. Большим достоинством тонкопленочной технологии является ее гибкость, выражающаяся в возможности выбора материалов с оптимальными параметрами и характеристиками и в получении по сути дела любой требуемой конфигурации и параметров пассивных элементов. При этом допуски, с которыми выдерживаются отдельные параметры элементов, могут быть доведены до 1—2%. Это достоинство особенно эффективно проявляется в тех случаях, когда точное значение номиналов и стабильность параметров пассивных компонентов имеют решающее значение (например, при изготовлении линейных схем, резистивных и резистивно-емкостных схем, некоторых видов фильтров, фазочувствительных и избирательных схем, генераторов и т. п.). В связи с непрерывным развитием и совершенствованием как полупроводниковой, так и тонкопленочной технологии, а также ввиду все большего усложнения ИС, что выражается в увеличении числа компонентов и усложнении выполняемых ими функций, следует ожидать, что в ближайшем будущем будет происходить процесс интеграции технологических методов и приемов и большинство сложных ИС будут изготовляться на основе совмещенной технологии. При этом можно получить такие параметры и такую надежность ИС, которых нельзя достигнуть при использовании каждого вида технологии в отдельности. Например, при изготовлении полупроводниковой ИС все элементы (пассивные и активные) выполняются в одном технологическом процессе, поэтому параметры элементов оказываются взаимосвязанными. Определяющими являются активные элементы, так как обычно в качестве конденсатора используется переход база — коллектор транзистора, а в качестве резистора—диффузионная область, получающаяся при создании базы транзистора. Нельзя оптимизировать параметры одного элемента, не изменив одновременно характеристики других. При заданных характеристиках активных элементов изменять номиналы пассивных элементов можно лишь изменением их размеров. При использовании совмещенной технологии активные элементы изготовляются чаще всего методами планарной технологии в пластине кремния, а пассивные годами тонкопленочной технологии на окисленной поэлементны (резисторы, а иногда и конденсаторы) — поверхности той же самой кремниевой пластины. Однако процессы изготовления активной и пассивной частей ИС разнесены по времени. Поэтому характеристики пассивных элементов в значительной мере независимы и определяются выбором материала, толщиной пленок и их геометрией.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ЭЛ)

В ряде случаев допустимая запылённость — не свыше трёх пылинок размером менее 1 мкм в 1 м 3 . О жёсткости требований к геометрической точности изготовления электронных приборов свидетельствуют, например, следующие цифры: в ряде случаев относительная погрешность размеров не должна превышать 0,001%; абсолютная точность размеров и взаимного расположения элементов интегральных схем достигает сотых долей мкм. Это требует создания новых, более совершенных методов обработки материалов, новых средств и методов контроля. Характерным для технологии в Э. является необходимость широкого использования новейших методов и средств: электроннолучевой, ультразвуковой и лазерной обработки и сварки, фотолитографии, электронной и рентгеновской литографии, электроискровой обработки, ионной имплантации, плазмохимии, молекулярной эпитаксии, электронной микроскопии, вакуумных установок, обеспечивающих давление остаточных газов до 10-13 мм рт. ст. Сложность многих технологических процессов требует исключения субъективного влияния человека на процесс, что обусловливает актуальность проблемы автоматизации производства электронных приборов с применением ЭВМ наряду с общими задачами повышения производительности труда

скачать реферат Современные проблемы охраны окружающей среды

Технология изготовления такого материала основана на внедрении тонкого волокна, состоящего, например, из графитовых углеродных цепей, минеральных или углеводородных полимерных нитей, в обычный высокомолекулярный полимер, например эпоксидную смолу. Полученный таким образом композиционный материал по прочности не уступает лучшим маркам конструкционной стали. Благодаря сравнительно большому отношению прочность/масса такие материалы находят широкое применение для изготовления деталей и узлов авиационной и космической техники, автомобилей, судов и т. п. В последние десятилетия уделяется большое внимание разработке новых тонкопленочных материалов. Тонкопленочные защитные, упрочняющие, полупрозрачные, диэлектрические, магнитные и т. п. покрытия, тонкопленочные элементы интегральных схем современной микро- и наноэлектроники – все это примеры применения тонкопленочных материалов. В зависимости от выполняемой функции толщина слоя осаждаемого материала может колебаться в широких пределах – от нескольких ангстрем до нескольких десятков микрометров.

Глобус Земли физический, 250 мм.
Глобус Земли физический. На пластиковой подставке. Диаметр: 250 мм.
504 руб
Раздел: Глобусы
Подставка для ванны "Мишка", антискользящая, цвет: бежевый.
Подставка для ног предназначена для того, чтобы помочь малышу самостоятельно садиться на унитаз или пользоваться умывальником. Небольшой
353 руб
Раздел: Подставки под ноги
Магнитная доска для фото, с маркером, 30x48 см.
Классический вариант магнитной доски найдет свое место в любом доме. Подойдет для игр и обучения, для крепления заметок и для надписей.
447 руб
Раздел: Прочие
 Встраиваемые системы. Проектирование приложений на микроконтроллерах семейства 68HC12/HCS12 с применением языка С

Каждая цифра должна светиться 100 мс. Функциональная схема подключения семисегментного индикатора к МК семейства 68HC12 приведена на рис. 3.12. Семисегментный индикатор выполнен по схеме с общим катодом. Схема соединения светодиодов внутри корпуса индикатора и обозначения сегментов индикатора представлены на рис. 3.13. Аноды диодов подключаются к выходам логических буферных элементов (интегральная схема 74ALS244) через резисторы, которые служат ограничителями тока каждого сегмента (светодиода) индикатора. Входы интегральной схемы 74ALS244 подключены к выходам порта МК. Для формирования на индикаторе образов цифр и букв необходимо вывести под управлением программы на выводы порта МК кодовые комбинации, которые перечислены в табл. 3.9. Цифра шестнадцатеричной системы счисления Кодовая комбинация Цифра шестнадцатеричной системы счисления Кодовая комбинация 0 0x3F 1 0x06 2 0x5B 3 0x4F 4 0x66 5 0x6D 6 0x7D 7 0x07 8 0x7F 9 0x6F A 0x77 B 0x7F C 0x39 D 0x3F E 0x79 F 0x71 Табл. 3.9.P Кодовые комбинации для высвечивания цифр шестнадцатеричной системы счисления Рис. 3.13

скачать реферат Естественно-научные концепции развития микроэлектронных и лазерных технологий

Таким образом, наряду с дискретной твердотельной электроникой появилась интегральная электроника основанная на тонкопленочной групповой технологии. Повышение степени интеграции и новые технологии. Основная продукция микроэлектроники  за последние десятилетия - разнообразные интегральные схемы. Возможно 3 пути роста интеграции. Первый связан с уменьшением топологического размера и соостветственно повышением плотности упаковки элементов на кристалле. Второй - увеличение площади кристалла. Третий - оптимизация конструктивных приемов компоновки элементов. Характерные размеры элементов интегральных схем становятся близкими к микрометру. Переход к еще меньшим размерам элементов требует нового подхода. Пришлось отказаться от ряда технологических операций. Фотографию заменили электронной, ионной и рентгеновской литографией.; диффузионные процессы заменили ионной имплантацией и т.д. Появилась молекулярно-инженерная технология, позволяющая строить приборы атом за атомом. Использование лучевых методов совместно с вакуумной технологией позволяет получить приборы с размерами до 10-25 нм. Сфокусированные ионные потоки - инструмент, позволяющий создавать принципиально новые конструкции приборов.

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Применяется в маломощных устройствах автоматики, бытовых электроприборах, в стоматологии, кино-, фото и радиоаппаратуре и др. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (интегральная электроника) - область электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в нач. 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС - кремниевых - эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2). МИКРОЭЛЕМЕНТЫ - в биологии - химические элементы (Al, Fe, Cu, Mn, Zn, Mo, Co, I и др.), содержащиеся в организмах в низких концентрациях (обычно тысячные доли процента и ниже) и необходимые для их нормальной жизнедеятельности

скачать реферат Разработка методики программного тестирования цифровых устройств с помощью программного пакета Design Center

Рассмотрим модели используемых в работе вентилей. Модель с двумя состояниями имеет следующий вид: U . Форма описания модели динамики: .model uga e. В системе Desig Ce er вентили представлены в двух видах: одиночные вентили и сборки(массивы) вентилей.Одиночный вентиль имеет один или несколько входов и один выход.Сборки вентилей состоят из одного или более одинаковых вентилей.Использование сборок позволяет работать непосредственно со стандартными элементами интегральных схем, имеющими часто в одном корпусе несколько вентилей. В соответствии с рисунком Б.1 приложения Б в данной работе используются следующие модели вентилей: I V- инвертор; I VA - сборка инверторов; A D - вентиль “И”; A DA - сборка вентилей “И”; A D - вентиль “И-НЕ”; A DA- сборка вентилей “И-НЕ”; OR- вентиль “ИЛИ”; OR - вентиль “ИЛИ-НЕ”; ORA - сборка вентилей “ИЛИ-НЕ ”; .model source uio(drvh=50 drvl=50) .probe . ra 10 s 400 s .e d Результат тестирования регистра приведен в приложении В. Электрическая структурная схема регистра RG1 приведена в комплекте чертежей. Регистр является регистром с паралельным приемом и выдачей информации.

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Данный параметр необходим для расчета мощности, выделяющейся на резисторах, необходимой для последующих расчетов;для транзисторов – максимальный ток на коллекторном переходе, максимальный ток эмиттера,максимальное напряжение на переходе коллектор-база UКБ.Электрические параметры конденсаторов, необходимые для расчета их топологических параметров, приведены в задании к данной работе и не подлежат определению.Значения параметров, указанных выше, приведены в табл. 2.1.Табл. 2.1. Электрические параметры элементов интегральной схемы.ПараметрIR1-4, мАIR5, мАUКБ, ВIЭ, мАЗначение0,264,941,54,5Примечание. Данные значения токов и напряжений были измеряны при подаче на логические входы схемы минимально допустимого напряжения логической единицы (1,9 В), и/или максимально допустимого напряжения логического нуля (0,7 В).3. Технологические этапы изготовления ИМС.При производстве различных ИМС в текущий момент используется планарная технология, обеспечивающая воспроизводимые параметры интегральных элементов и групповые методы их производства Локальные технологические обработки участков монокристалла кремния обеспечиваются благодаря применению свободных и контактных масок.

скачать реферат Разработка печатной платы устройства управления питания компьютерной системы

В качестве элементной базы используют сверхбольшие интегральные микросхемы, для разработки которых требуются мощные системы автоматического проектирования. Основной особенностью производства ЭВМ является использование большого количества стандартных и нормализованных элементов, интегральных схем, радиодеталей и др. Выпуск этих элементов в больших количествах и высокого качества — одно из основных требований вычислительного машиностроения. Важным вопросом, решаемым в настоящее время, является массовое производство стандартных блоков с использованием новых элементов. Унификация отдельных элементов создает условия для автоматизации их производства. Другой особенностью является высокая трудоемкость сборочных и монтажных работ, что объясняется наличием большого числа соединений и сложностью их выполнения вследствие малых размеров контактных соединений и высокой плотности монтажа. Повышение качества и экономичности производства во многом зависит от уровня автоматизации технологического процесса. Предпосылки для широкой автоматизации производства элементов и блоков ЭВМ обеспечиваются высоким уровнем технологичности конструкции, широким внедрением типовых и групповых технологических процессов, а также средств автоматизации.

скачать реферат Программатор ПЗУ /программный интерфейс/

Призером выставки «Итоги 11-го всесоюзного смотра-конкурса на лучшую экспериментально-конструктивную работу учащихся ССУЗ», проводимой в феврале-марте 1987 года на ВДНХ СССР, стал специализированный микрокомпьютер «Спектр», созданный в ЭКБ для управления технологическим оборудованием. Медалями ВДНХ отмечены пакеты программ «Расчет элементов интегральных схем» и «Определение профессиональной надежности личности». Три преподавателя техникума являются членами методической комиссии минвуза СССР по вычислительной технике и научно-техническому творчеству. Опытом работы техникум делится на всесоюзных, республиканских и областных совещаниях, семинарах, проводимых минвузом СССР. Масштабность задач, связанных с внедрением вычислительной техники, выдвигает на повестку дня вопрос о целесообразности создания на базе ведущих техникумов ряда лабораторий, занимающихся разработкой информационно-методического и программного обеспечения по каждому из направлений с последующим внедрением во все учебные заведения отрасли и системы среднего специального образования.

Мультиплеер "Антошка".
Супермодный плеер для малышей "Антошка" в оригинальном дизайне! В нем собрано 15 популярных песенок и 5 любимых сказок. Бонус!
344 руб
Раздел: Смартфоны, мультиплееры
Ниблер силиконовый "Зайчик", голубой.
Каждая мама знает, насколько важный этап в жизни младенца представляет собой прикорм. Но как же проблематично скормить хотя бы ложечку
373 руб
Раздел: Ниблеры
Мягкий пол универсальный, зеленый, 33x33 см (9 деталей).
Данный вид напольного покрытия прекрасно совмещается с ковриками-пазлами "Морские животные", "Листья" и
729 руб
Раздел: Прочие
скачать реферат Разработка технологического процесса изготовления печатной платы для широкодиапазонного генератора импульсов

В качестве элементной базы используют сверхбольшие интегральные микросхемы, для разработки которых требуются мощные системы автоматического проектирования. Особенности производства ЭВМ на современном этапе. Основной особенностью производства ЭВМ является использование большого количества стандартных и нормализованных элементов, интегральных схем, радиодеталей и др. Выпуск этих элементов в больших количествах и высокого качества — одно из основных требований вычислительного машиностроения. Важным вопросом, решаемым в настоящее время, является массовое производство стандартных блоков с использованием новых элементов. Унификация отдельных элементов создает условия для автоматизации их производства. Другой особенностью является высокая трудоемкость сборочных и монтажных работ, что объясняется наличием большого числа соединений и сложностью их выполнения вследствие малых размеров контактных соединений и высокой плотности монтажа. Повышение качества и экономичности производства во многом зависит от уровня автоматизации технологического процесса. Предпосылки для широкой автоматизации производства элементов и блоков ЭВМ обеспечиваются высоким уровнем технологичности конструкции, широким внедрением типовых и групповых технологических процессов, а также средств автоматизации.

скачать реферат Усилитель мощности

Площадь радиатора рассчитывается по следующей формуле: S=1000 / (R -c ? ) см2 где ? - коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду, R -c=( - c)/Pк - тепловое сопротивление переход-среда. c- температура окружающей среды (30?С), Т - температура p- -перехода. Для дюралюминия ? =1.5 мВт/см2?С. 1. Транзисторы V 12, V 13: КТ-817Б Необходимо рассеять мощность 8.5 Вт. =150°С 2. Транзисторы V 10: КТ-815, V 11: КТ-814Б Необходимо рассеять мощность 2.1 Вт. =125°С 9. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ Печатная плата представляет собой изоляционное основание с нанесёнными на него элементами печатного монтажа. К элементам печатного монтажа относятся: проводники, контактные площадки, зазоры, отверстия и т.д. Печатная плата является несущим элементом. На ней размещаются навесные элементы (интегральные схемы и дискретные радиокомпоненты), разъёмы и другие детали. В качестве оснований печатных плат используют обычно листовые фольгированные материалы, которые представляют собой слоистый прессованный пластик (гетинакс или стеклотекстолит), облицованный с одной или двух сторон медной фольгой толщиной 0.035 или 0.05 мм. В радиоэлектронной аппаратуре и приборах в основном применяют фольгированный стеклотекстолит по ГОСТ 10316-62.

скачать реферат ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

В стоимость СВЧ аппаратуры входит стоимость активных элементов, интегральных схем, сборки и, если необходимо, корпусирования и испытаний. Стоимость активных приборов СВЧ непрерывно уменьшается по мере улучшения технологии их производства и объема выпуска. Стоимость пассивной микросхемы слабо зависит от ее сложности и приблизительно пропорциональна площади занимаемой подложки. Чтобы уменьшить стоимость микросхемы, необходимо ее упрощать и, как следствие, уменьшать число этапов обработки и циклов откачки; уменьшать размеры схемы, используя подложки с большой диэлектрической проницаемостью и улучшая ее топологию; использовать, где это возможно, безвакуумную технологию толстых пленок; применять технологические процессы, для которых существует оборудование массового производства. Стоимость сборки микросхемы существенно зависит от степени ее автоматизации. Возможности автоматизации, в свою очередь, зависят от конструкции навесных элементов. В стоимость корпусирования входит стоимость корпуса, герметичных разъемов и процесса герметизации. На стоимость корпусирования существенно влияет функциональная насыщенность устройства, заключенного в корпус.

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Главный тип ИС в настоящее время — полупроводниковые ИС. Классификация ИС. Классификация ИС может производиться по различным признакам, ограничимся одним. По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные. Полупроводниковая ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Пленочная ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим их толщиной различают тонкопленочные ИС (толщина пленок до 1-2 мкм) и толстопленочные ИС (толщина пленок от 10-20 мкм и выше). Поскольку до сих пор никакая комбинация напыленных пленок не позволяет получить активные элементы типа транзисторов, пленочные ИС содержат только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и т. п.). Поэтому функции, выполняемые чисто пленочными ИС, крайне ограничены.

скачать реферат Микроэлектроника

Эти вопросы находят решение путем использования двух основных классов   микросхем -- полупроводниковых и гибридных. Оба эти класса могут иметь различные варианты структур, каждый из которых с точки зрения проектирования и изготовления обладает определенными преимуществами и недостатками. По своим конструктивным и электрическим характеристикам полупроводниковые и гибридные интегральные схемы дополняют друг друга   и  могут одновременно применяться в одних и тех же  радиоэлектронных комплексах. При массовом выпуске различных ИМС малой мощности, особенно предназначенных    для ЭВМ, используются, в основном, полупроводниковые ИМС. Гибридные микросхемы заняли доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах  СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную технологию, не требующую жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок, так и тонкопленочную технологию для обеспечения нанесения пленочных элементов очень малых   размеров.             Изделия микроэлектроники: интегральные микросхемы различной степеней интеграции, микросборки, микропроцессоры, мини- и микро-ЭВМ – позволили осуществить проектирование и промышленное производство функционально сложной радио- и вычислительной аппаратуры, отличающейся от аппаратуры предыдущих поколений лучшими параметрами, более высокими надежностью и сроком службы, меньшими потребляемой энергией и стоимостью.

Набор из 2 тарелок "Avent", от 6 месяцев.
Набор тарелок "Avent" состоит из большой и маленькой глубоких тарелок. Тарелки "Avent" украшены веселыми и красочными
873 руб
Раздел: Тарелки
Настольная игра "Соображарий. Два".
«Соображарий. Два» — продолжение настольного суперхита, который стал неотъемлемой частью вечеринок и семейных посиделок. Игроков
490 руб
Раздел: Игры со словами
Набор шкатулок для рукоделия, 3 штуки, 34x24x18 см, арт. 80832.
Набор включает в себя три шкатулки для рукоделия. Такие шкатулки послужат оригинальным, а главное, практичным подарком, в котором
2715 руб
Раздел: Шкатулки для рукоделия
скачать реферат Состав и принципы построения ЭВМ

Классическая структура ЭВМ с переходом на БИС (большие интегральные схемы) перешла в понятие архитектура ЭВМ. процессор УУ СОЗУ АЛУ ОЗУ КВв КВв УВв УВыв ВЗУ ВЗУ МК СК Устройства сопряженияОбобщенная архитектура третьего и четвертого поколенийВ ЭВМ третьего поколения усложнение структуры произошло за счет разделения процессов ввода/вывода информации, и ее обработки. Появляется понятие процессор, где неразрывно связаны СОЗУ (сверх оперативное устройство), АЛУ и УУ. Появляется понятие каналы ввода/вывода, которые делят на мультиплексные (МК) и селекторные (СК) каналы. МК – предназначены обслуживать большое количество медленно-скоростных устройств. СК – обслуживают высокоскоростные, отдельные устройства. Применительно к ПЭВМ архитектура приняла упрощенный вид архитектуры малых машин (принцип открытой архитектуры, где главным элементом является системная магистраль). Ядро ПЭВМ образует процессор и основная память. Подключение всех остальных устройств осуществляется через адаптеры (устройства сопряжения). ВУ ВУ ОП процессор ОП контроллер контроллер КПД таймер СИСТЕМНАЯ ШИНА Обобщенная архитектура ПЭВМ Автор Паша Ш Математический процессор Интегральная схема Микропроцессор Арифметико-логическое устройство Микропроцессорная память Устройство управления СИСТЕМНАЯ ШИНА Основная память ДЗУ ОЗУ Внешняя память НЖМД НГМД Адаптер НЖМД Адаптер НГМД Видео-адаптер Адаптер принтера Источник питания Дисплей Принтер Сетевой адаптер Канал связи Генератор тактовых импульсов Интерфейс клавиатуры Клавиатура Структурная схема ПКФУНКЦИОНАЛЬНАЯ И СТРУКТУРНАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ ЭВМ.Общие принципы функциональной и структурной организации ЭВМ ЭВМ кроме аппаратурной части и ПО (Hard Ware и Sof Ware) имеет большое количество функциональных средств.

скачать реферат Анализ работы подстанции Южная с исследованием надежности

Кроме того, применяется ряд специальных реле, например, реле частоты, действующее при недопустимом снижении или повышении частоты; тепловые реле, реагирующие на увеличение тепла, выделяемое током при перегрузках. К числу вспомогательных реле относятся: - реле времени, служащие для замедления действия защиты; - реле указательные, служащие для сигнализации и фиксации действия защиты; - реле промежуточные, передающие действие основных реле на отключение выключателей и служащие для осуществления взаимной связи между элементами защиты. В настоящее время в различных устройствах релейной защиты получили распространение интегральные транзисторно-транзисторные логические схемы . Для устройств релейной защиты и автоматики широко применяются элементы интегральной высокопороговой транзисторно- транзисторной логики серии К155 и К511, предназначенных для работы в условиях повышенных электромагнитных помех. Практика применения логических элементов показывает, что наиболее рациональным является применение в устройствах релейной защиты унифицированных логических элементов, реализующих последовательно две логические операции «ИЛИ – НЕ» и «И – НЕ».

скачать реферат Лазеры. Основы устройства и применение их в военной технике

Если же частота модуляции лазерного излучения составляет 10 Мгц, то тогда погрешность измерения расстояния составит около 5 см. Первый лазерный дальномер ХМ-23 прошел испытания , и был принят на вооружение армий. Он рассчитан на использование в передовых наблюдательных пунктах сухопутных войск. Источником излучения в нем является лазер на рубине с выходной мощностью 2.5 Вт и длительностью импульса 30нс. В конструкции дальномера широко используются интегральные схемы. Излучатель, приемник и оптические элементы смонтированы в моноблоке, который имеет шкалы точного отчета азимута и угла места цели. Питание дальномера производится то батареи никелево-кадмиевых аккумуляторов напряжением 24в, обеспечивающей 100 измерений дальности без подзарядки. В другом артиллерийской дальномере, также принятом на вооружение армий, имеется устройство для одновременного определения дальности до четырех целей., лежащих на одной прямой, путем последовательного стробирования дистанций 200,600,1000, 2000 и 3000м. Интересен шведский лазерный дальномер. Он предназначен для использования в системах управления огнем бортовой корабельной и береговой артиллерии.

скачать реферат Технологичность изделия, ее показатели и пути обеспечения

Коэффициент применяемости интегральных схем (ИС в изделии)где Нэлис - сумма элементов, входящих в интегральные схемы изделия (определяются по ТУ на каждую ИС); Нэл - количество радиоэлементов в изделии. Коэффициент применяемости полупроводниковых приборов в изделиигде Hпп- количество ПП в изделии; Нрл - количество радиоламп в изделии. Коэффициент регулируемости схемы изделия на элементной базегде Ннрэл , Нрэл - количество нерегулируемых и регулируемых радиоэлементов. Показатели технологичности РЭА, характеризующие технологию изготовления изделий. Трудоемкость изготовления изделиягде Тi, - трудоемкость изготовления, сборки, монтажа, настройки, контроля и испытаний i-й составной части изделия, нормо-ч. Технологическая себестоимость изделиягде Cм - расходы на сырье и материалы (без стоимости отходов), руб.; Сз - основная заработная плата производственных рабочих с начислениями, руб.; Син - расходы на износ инструмента и приспособлений целевого назначения, руб., Со - расходы на содержание и эксплуатацию оборудования, руб.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.