телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАОдежда и обувь -30% Сувениры -30% Товары для детей -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Физические основы электроники

найти похожие
найти еще

Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Ручка "Помада".
Шариковая ручка в виде тюбика помады. Расцветка корпуса в ассортименте, без возможности выбора!
25 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10
Из-за процессов генерации и рекомбинации носителей зарядов при данной температуре устанавливается определенная концентрация электронов в зоне проводимости i, и равная ей концентрация дырок pi, в валентной зоне. Из курса физики известно, что (1.1) где Wф - уровень Ферми, соответствующий уровню энергии, формальная вероятность заполнения которого равна 0,5 (формальная потому, что уровень Ферми находится в запрещенной зоне и фактически не может быть занят электронами; кривая распределения Ферми-Дирака, характеризующая вероятность нахождения электрона на том или ином энергетическом уровне, всегда симметрична относительно уровня Ферми); WДН - энергия, соответствующая "дну" зоны проводимости; WВ - энергия, соответствующая "потолку" валентной зоны; А , Ар - коэффициенты пропорциональности; k - постоянная Больцмана, равная 1,37(10-23 Дж/град; Т- абсолютная температура, К. В химически чистых полупроводниках уровень Ферми совпадает с серединой запрещенной зоны Wi, а также А = Ар = А. Поэтому можно записать: . (1.2) Из выражения (1.2) следует, что в чистом полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной зоны и при увеличении температуры возрастают приблизи -тельно по экспоненциальному закону (температурные изменения А играют незначительную роль). (Рисунок 1.3) Равенство концентраций i и pi показывает, что такой полупроводник обладает одинаковыми электронной и дырочной электропроводностями и называется полупроводником с Рисунок 1.3 Зависимость концентрации собственной электропроводностью. носителей от температуры. 1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностьюПри введении в 4-валентный полупроводник примесных 5-валентных атомов (фосфора Р, сурьмы Sb) атомы примесей замещают основные атомы в узлах кристаллической решетки (рис. 1.4, а). Четыре электрона атома примеси вступают в связь с четырьмя валентными электронами соседних атомов основного полупроводника. Пятый валентный электрон слабо связан со своим атомом и при сообщении ему незначительной энергии, называемой энергией активации, отрывается от атома и становится свободным. Примеси, увеличивающие число свободных электронов, называют донорными или просто донорами. Доноры подбирают таким образом, чтобы их энергетические уровни Wд располагались в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости основного полупроводника (рис. 1.4, б). Поскольку концентрация доноров в большинстве случаев не превышает 1015.1017 атомов в 1 см3, что составляет 10-4 % атомов основного вещества, то взаимодействие между атомами доноров отсутствует и их энергетические уровни не разбиваются на зоны. Малая энергия активизации примесей, равная 0,04-0,05 эВ для кремния и 0,01- 0,13 эВ для германия, уже при комнатной температуре приводит к полной ионизации 5-валентных атомов примесей и появлению в зоне проводимости свободных электронов. Поскольку в этом случае появление свободных электронов в зоне проводимости не сопровождается одновременным Рисунок 1.4 Условное обозначение кристаллической решетки (а) и энергетическая диаграмма (б) полупроводника с электронной электропроводностью.увеличением дырок в валентной зоне, в таком полупроводнике концентрация электронов оказывается значительно больше концентрации дырок.

Выведение носителей заряда из области полупроводника, где они являются неосновными, через электронно-дырочный переход ускоряющим электрическим полем называют экстракцией носителей заряда. Используя выражение (1.12) и учитывая, что Е = -dU/dx, определяем плотность полного дрейфового тока через границу раздела p- и -областей: . Так как через изолированный полупроводник ток проходить не должен, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие: . (1.15) Приконтактную область, где имеется собственное электрическое поле, называют p- переходом. Поскольку потенциальная энергия электрона и потенциал связаны соотношением W = -qU, образование нескомпенсированных объемных зарядов вызывает понижение энергетических уровней -области и повышение энергетических уровней р-области. Смещение энергетических диаграмм прекратится, когда уровни Ферми W ф и W фp совпадут (рис. 1.7, д). При этом на границе раздела (x = 0) уровень Ферми проходит через середину запрещенной зоны. Это означает, что в плоскости сечения x = 0 полупроводник характеризуется собственной электропроводностью и обладает по сравнению с остальным объемом повышенным сопротивлением. В связи с этим его называют запирающим слоем или областью объемного заряда. Совпадение уровней Ферми - и p-областей соответствует установлению динамического равновесия между областями и возникновению между ними потенциального барьера Uk для диффузионного перемещения через p- переход электронов -области и дырок p-области. Из рис. 1.7, д следует, что потенциальный барьер . Подстановка в это выражение результатов логарифмирования соотношений (1.4), (1.7) позволяет получить следующее равенство: . Если обозначить (т = k /q и учесть уравнение (1.10), то можно записать: . (1.17) Из уравнений (1.16) и (1.17) следует: . (1.18) При комнатной температуре (Т = 300 К) (т ( 0,026 В. Таким образом, контактная разность потенциалов зависит от отношения концентраций носителей зарядов одного знака в р- и -областях полупроводника. Другим важным параметром p- перехода является его ширина, обозначаемая ( = (p ( . Ширину запирающего слоя ( можно найти, решив уравнения Пуассона для - области и p-области: . (1.20) Решения уравнений (1.19) и (1.20) при граничных условиях для -(p < x < 0; . При комнатной температуре ; (1.42) (в соотношении (1.42) значение тока подставляется в амперах). Сопротивление утечки rУТ учитывает возможность прохождения тока по поверхности кристалла из-за несовершенства его структуры. При прямом включении p- перехода СБАР > r1, СБАР >> СДИФ и эквивалентная схема имеет вид, показанный на рис. 1.15, б. 1.4 РАЗНОВИДНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ 1.4.1 Гетеропереходы Гетеропереход образуется двумя полупроводниками, различающимися шириной запрещенной зоны. Параметры кристаллических решеток полупроводников, составляющих гетеропереход, должны быть близки, что ограничивает выбор материалов. В настоящее время наиболее исследованными являются пары: германий-арсенид галлия, арсенид галлия-мышьяковидный индий, германий-кремний. Различают -p и p- гетеропереходы (на первое место ставится буква, обозначающая тип электропроводности полупроводника с более узкой запрещенной зоной).

Этот диод характеризуется высоким быстродействием и малым падением напряжения (Uпp < 0,6 В). К недостаткам диода следует отнести малое пробивное напряжение и большие обратные токи. 2.3 Стабилитроны и стабисторы Стабилитроном называется полупроводниковый диод, на обратной ветви ВАХ которого имеется участок с сильной зависимостью тока от напряжения (рисунок 2.2), т.е. с большим значением крутизны (I/(U ((I= Icт max - Iст mi ). Если такой участок соответствует прямой ветви ВАХ, то прибор называется стабистором. Стабилитроны используются для создания стабилизаторов напряжения. Напряжение стабилизации Uст равно напряжению электрического (лавинного) пробоя p- перехода при некотором заданном токе стабилизации Iст (рисунок ). Стабилизирующие свойства характеризуются дифференциальным сопротивлением стабилитрона rд = (U/(I, которое должно быть возможно меньше. К параметрам стабилитрона относятся: напряжение стабилизации Ucт, минимальный и максимальный токи стабилизации Iст mi Iст max. Промышленностью выпускаются стабилитроны с параметрами: Ucт от 1,5 до 180 В, токи стабилизации от 0,5 мА до 1,4 А. Выпускаются также двуханодные стабилитроны, служащие для стабилизации разнополярных напряжений и представляющие собой встречно включенные p- переходы. Рисунок 2.2 К определению параметров стабилитронов. 2.4 Универсальные и импульсные диоды Они применяются для преобразования высокочастотных и импульсных сигналов. В данных диодах необходимо обеспечить минимальные значения реактивных параметров, что достигается благодаря специальным конструктивно- технологическим мерам. Одна из основных причин инерционности полупроводниковых диодов связана с диффузионной емкостью. Для уменьшения времени жизни ( используется легирование материала (например, золотом), что создает много ловушечных уровней в запрещенной зоне, увеличивающих скорость рекомбинации и следовательно уменьшается Сдиф. Разновидностью универсальных диодов является диод с короткой базой. В таком диоде протяженность базы меньше диффузионной длины неосновных носителей. Следовательно, диффузионная емкость будет определяться не временем жизни неосновных носителей в базе, а фактическим меньшим временем нахождения (временем пролета). Однако осуществить уменьшение толщины базы при большой площади p- перехода технологически очень сложно. Поэтому изготовляемые диоды с короткой базой при малой площади являются маломощными. В настоящее время широко применяются диоды с p-i- -структурой, в которой две сильнолегированные области p- и -типа разделены достаточно широкой областью с проводимостью, близкой к собственной (i-область). Заряды донорных и акцепторных ионов расположены вблизи границ i-области. Распределение электрического поля в ней в идеальном случае можно считать однородным (в отличие от обычного p- перехода). Таким образом, i-область с низкой концентрацией носителей заряда, но обладающей диэлектрической проницаемостью можно принять за конденсатор, «обкладками» которого являются узкие (из-за большой концентрации носителей в p- и -областях) слои зарядов доноров и акцепторов. Барьерная емкость p-i- диода определяется размерами i-слоя и при достаточно широкой области от приложенного постоянного напряжения практически не зависит.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ГЕ)

Маркса (основана в 1543; свыше 2 млн. тт.) в Лейпциге.   Музеи: Государственный музей (основан в 1830), Музей немецкой истории в Берлине, Берлинские художественные музеи (ГДР), Дрезденская картинная галерея (основана в 1560), Национальный музей нем. классической литературы в Веймаре, Музей истории рабочего движения в Германии и Музей книги в Лейпциге, Мемориальный музей памяти жертв фашизма в Бухенвальде и др.   П. А. Шувариков. XI.  Наука и научные учреждения   1. ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ   Учёные ГДР вносят большой вклад в развитие важнейших отраслей естественных и технических наук.   Математика. Основные направления исследований — математическая логика, анализ, топология, алгебра, теория чисел, теория вероятностей, математическая статистика, вычислительная математика. С конца 50-х гг. развернулись исследования по кибернетике, моделированию. В области математических исследований известны имена Л. Будаха, О. Бунке, Г. Грелля, Д. Клауа, К. Шредера, К. Шрётера, Х. Ю. Тредера и др.   Физика. К её основным направлениям в ГДР относятся: физика твёрдого тела и полупроводников, физические основы электроники, квантовая электроника, электронная микроскопия, оптика и спектроскопия всех длин волн, приборостроение и современные материалы, физика плазмы и статистическая физика. В начале 50-х гг. в Германской АН в Берлине и в университетах созданы центры физических исследований

скачать реферат Дифракция света

Для любой среды, кроме вакуума, величина зависит от частоты света и состояния среды (ее температуры, плотности и т.д.). Для разряженных сред (например, газов при нормальных условиях) »1. В анизатропных средах абсолютный показатель преломления зависит также от направления распростанения света и характера его поляризации для характеристики поглащающих сред вводится комплексный показатель преломления. Относительным показателем преломления 21 второй среды относительно первой называется отношение фазовых скоростей света 1 и 2 соответственно в первой и второй средах: 21 = 2= 2/ 1, 4 где 1 и 2 – абсолютные показатели преломления первой и второй сред. Если 21 8. Рис.6. Распределение интенсивности при дифракции Фраунгофера на длинном прямоугольном экране Рис.7. Распределение интенсивности при дифракции Фраунгофера на узкой длинной щелиРис.8. Распределение интенсивности при дифракции Фраунгофера на узкой длинной и широкой щелях ЛИТЕРАТУРА Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов: учебное пособие для приборостроительных вузов. -- 2-е издание, перераб. и доп.—Спб.: Машиностроение,2003 -- 696 с. Порфирьев Л.Ф. Теория оптико-электронных приборов и систем: учебное пособие.— Спб.: Машиностроение,2003 -- 272 с. Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, т. 1. Физические основы электроники. Вакуумная техника.—М.: Энергия, 2001.

Глобус физический, 210 мм.
На карту глобуса нанесены страны, границы, города, континенты, моря, океаны, глубины и другая полезная информация. Подставка глобуса
346 руб
Раздел: Глобусы
Подушка "Green Line. Бамбук", 50х70 см.
Удобные и практичные постельные принадлежности, изготовленные с применением ткани нового поколения из микрофиламентных нитей Ultratex и
656 руб
Раздел: Размер 50х70 см, 40х60 см
Пелёнка-кокон для мальчика "Карапуз" на липучке.
Пеленка-кокон для пеленания с удлиненными краями, оснащенными липучками. Дарит чувство комфорта и безопасности новорожденному малышу,
419 руб
Раздел: Пелёнки
 Большая Советская Энциклопедия (КЛ)

Многие отражательные К., кроме основного ОР, имеют второй ОР, находящийся вне вакуума (). Механическая перестройка частоты таких К. производится при перемещении штыря, изменяющего зазор второго ОР. Такие конструкции обеспечивают неограниченное число перестроек частоты. Присоединение высокодобротного резонатора повышает стабильность частоты, но снижает выходную мощность К.   Отражательный К. был разработан в 1940 группой советских инженеров — Н. Д. Девятковым, Е. Н. Данильцевым, И. В. Пискуновым, и независимо от них советским инженером В. Ф. Коваленко. Первые работы по теории отражательного К. были опубликованы советскими физиками Я. П. Терлецким в 1943 и С. Д. Гвоздовером в 1944.   Отражательные К. являются самым массовым типом приборов СВЧ. Они выпускаются для работы в дециметровом, сантиметровом и миллиметровом диапазонах волн, имеют выходную мощность от 5 мвт до 5 вт, диапазон механической перестройки частоты до 10% (у К. со съёмной частью ОР — несколько  десятков процентов), диапазон электронной настройки обычно менее 1%, кпд около 1%. Отражательные К. применяются в качестве гетеродина супергетеродинного радиоприёмника, как задающий генератор радиопередатчиков, как генератор малой мощности в радиолокации, радионавигации, измерительной технике и т.д.   Лит.: Коваленко В. Ф., Введение в электронику сверхвысоких частот, 2 изд., М., 1955; Лебедев И. В., Техника и приборы СВЧ, 2 изд., т. 2, М., 1972; Гайдук В. И., Палатов К. И., Петров Д. М., Физические основы электроники сверхвысоких частот, М., 1971; Microwave Tube DATA Book, 28 ed., [N. J.], 1972.   В. Ф. Коваленко. Рис. 1

скачать реферат Фотодиод в оптоэлектронике

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО Кафедра физики Полупроводников ФОТОДИОД В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Курсовая работа Студента 1 курса физического факультета Машкова Дмитрия Александровича Научный руководитель профессор Роках А.Г. /подпись/ Зав. кафедрой профессор, доктор Б.Н.Климов /подпись/ Саратов – 1999г. План работы1. Введение и постановка задачи 2. Физические основы внутреннего фотоэффекта 3. Принцип действия фотодиода 4. Практическая часть (исследование характеристик фотодиода) 5. Применение фотодиода в оптоэлектронике 6. Заключение 7. Литература1.ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ В наши дни прогресс в различных областях науки и техники немыслим без приборов оптической электроники. Оптическая электроника уже давно играет ведущую роль в жизни человека. А с каждым годом ее внедрение во все сферы человеческой деятельности становится все интенсивнее. И этому есть свои причины. Устройства оптоэлектроники имеют ряд отличий от других устройств. Можно выделить следующие их достоинства. а) Высокая информационная емкость оптического канала, связанная с тем, что частота световых колебаний (около 1015 Гц) в 103-104 раз выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне.

 Большая Советская Энциклопедия (КВ)

Меньший успех теории при рассмотрении др. процессов обусловлен тем, что в этих процессах, кроме электромагнитных взаимодействий, играют определяющую роль и взаимодействия иных типов (сильные взаимодействия, слабые взаимодействия).   Последовательное построение К. э. привело к пересмотру классических представлений о законах движения материи.   Лит. см. при ст. Квантовая теория поля.   В. И. Григорьев. Квантовая электроника Ква'нтовая электро'ника, область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитных колебаний, основанные на использовании эффекта вынужденного излучения, а также свойства квантовых усилителей и генераторов и их применения. Практический интерес к квантовым генераторам света (лазерам) обусловлен прежде всего тем, что они, в отличие от др. источников света, излучают световые волны с очень высокой направленностью и высокой монохроматичностью. Квантовые генераторы радиоволн отличаются от др. радиоустройств высокой стабильностью частоты генерируемых колебаний, а квантовые усилители радиоволн — предельно низким уровнем шумов.   Физические основы квантовой электроники

скачать реферат Диффузионный СО2 лазер с ВЧЕ-разрядом

Существенное преимущество ВЧЕР - это возможность избавиться от катодных слоёв, свойственных разрядам и постоянного и переменного тока. В катодных слоях бесполезно теряется часть энергии, кроме того, в них обычно рождаются возмущения, от которых развивается неустойчивости. Эти преимущества обеспечивает только слаботочная форма ВЧЕ-разряда. Поэтому для СО2-лазера необходим именно слаботочный режим, в котором получены рекордные мощности излучения: (0,83 Вт/см. Недостаток этого режима – ограничение на плотность тока, длину промежутка и давление. Над улучшением данных характеристик ведётся работа. Также большим преимуществом является удобство работы с длинными трубками, низкие рабочие напряжения, высокая устойчивость и однородность. Дальнейший прогресс в области диффузионных СО2-лазеров с ВЧ-накачкой связан с исследованием условий протекания тока на границах плазмы ВЧ-разряда с электродами, а также решением проблем, связанных с волноводным режимом работы резонатора, увеличение скорости теплоотвода на стенки разрядной трубки. 7. Список литературы 1) В.С. Голубев, Ф.В. Лебедев “Физические основы создания технологических лазеров”2) В.С. Голубев, Ф.В. Лебедев “Инженерные основы создания технологических лазеров”3) Ю.П. Райзер “Физика газового разряда”4) А.А. Веденов “Физика электроразрядных СО2-лазеров”5) Н.А. Яценко “Газовые лазеры с высокочастотным возбуждением”6) Н.А. Яценко “Влияние частоты накачки на параметры газовых лазеров с высокочастотным возбуждением”7) Ю.С. Протасов, С.Н. Чувашев “Физическая электроника газоразрядных устройств”8) В.

скачать реферат Музыкально-информационное поле в эволюционных процессах искусства

Сборник докладов. Председатель оргкомитета симпозиума Н.Д.Девятков. 21-24 апреля 1997 г. Москва. М., 1997. С. 159-162. С. 160. 6 Калмыков И.Ф. Физические основы явлений, относимых к экстрасенсорным // Вестник психологии. 1994 J4» 1(6). С. 72-79. С. 72. 7 Мурсалимов Р.В. Терменвокс и биополе // Электроника, музыка, свет (к 100-летию со дня рождения Л.С.Термена). Материалы международной научно-практической конференции. Казань. 10-14 декабря 1996 года. Казань: "ФЭН", 1996. 299 с. С. 43-45. 8 Казначеев В.П., Спирин Е.А. Космопланетарный феномен человека.

скачать реферат Дистанционные взаимодействия в системе отношений человек-человек

Изложенные основы энергоинформационной теории, безусловно, имеют ещё несовершенный и незавершённый характер, их конкретный вид ещё не является очевидным, кроме того, он может быть показан и обоснован лишь логическим путём на основе углублённого анализа следствий энергоинформационной теории. Поэтому говорить о них ещё преждевременно. Тем не менее, можно надеяться, что энергоинформационная теория послужит существенным стимулом для переосмысления природы как психологических, так и многих физических феноменов и в более совершенном виде станет мощным инструментом познания для человечества как новая научная парадигма. То, что психофизические явления реальны, но реализуются на принципиально иной, ещё неизвестной нам физической основе, обуславливает колоссальный кризис наших представлений о физической реальности нашего Мироздания. Между тем, сейчас уже есть все основания считать, что паранормальные явления можно объяснить исходя из законов квантовой физики, поскольку эти явления основаны на микро и макроквантовых явлениях и процессах и соответствуют им.1.5 Сознание человека и психофизическая реальностьНеобходимо отметить, что вопрос о биополе тесным образом связан с пониманием сущности фундаментальных уровней структурной организации материи.

скачать реферат Юридическая психология (лекции-шпора)

В деят-сти юриста, где ведущим явл-ся коммуникативный процесс, получение информации и ее запоминание - основа, на которой строятся все практические действия. Тренировка умений и навыков запоминания является одной из основных в системе психол-й подготовки к юр-кой деят-сти. Эта тренировка должна организовываться и проводиться с учетом главных закономерностей памяти. Память- сложный психический процесс, включающий в себя: 1) запоминание предметов, явлений, лиц, действий, мыслей, информации и т. д.; 2) сохранение в памяти того, что было запомнено; 3) узнавание при повторном восприятии и воспроизведение запомненного. Физическая основа памяти -следы нервных процессов, сохраняющихся в коре больших полушарий головного мозга. Воздействие среды на мозг человека осуществляется или путем воздействия предметов и явлений на органы его чувств, или же опосредованно через слово: рассказ, описание и т. д. Эти воздействия оставляют в коре головного мозга соответствующие следы, которые потом м.б. оживлены повторным восприятием (узнавание) или же путем припоминания.

Занимательная пирамидка большая.
Эта пирамидка станет для ребенка хорошей игрушкой для игр в песочнице и для игр в воде. Предназначение пирамидки состоит в том, чтобы
329 руб
Раздел: Пластиковые
Набор ковриков "Kamalak Tekstil" для ванной, 50х50 см и 50x80 см (коричневый).
Ковры-паласы выполнены из полипропилена. Ковры обладают хорошими показателями теплостойкости и шумоизоляции. Являются гипоаллергенными. За
607 руб
Раздел: Коврики
Пеленка Золотой Гусь непромокаемая (трехслойная, на резинке, 120х60 см).
Удобные, дышащие, непромокаемые наматрасники избавят Вас от волнений и беспокойства, обеспечат сохранность матрасу. Надёжно фиксируются
370 руб
Раздел: Наматрасники
скачать реферат Применение гетеропереходов в оптоэлектронике

Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны. Гетеропереход. Физические основы. Если - и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют

скачать реферат Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

Для заданной полосы частот емкость конденсатора С2 должна быть равна десяткам микрофарад, возьмем 20 мкФ. Теперь рассчитаем стабилизатор напряжения с требуемыми параметрами. Входные цепи блока питания состоят из понижающего сетевого трансформатора и мостового выпрямителя. Схема стабилизатора напряжения показана на рис. 2. Так как потребляемая схемой мощность небольшая, в качестве стабилизатора DA1 возьмем специально предназначенную микросхему К142ЕН8А, обеспечивающую выходное напряжение 9 В и ток в нагрузке до 1 А. Данная микросхема обеспечивает коэффициент пульсаций на выходе примерно 0.03, что удовлетворяет заданию. Для нормальной работы напряжение на входе микросхемы должно быть не менее 12 Вольт, поэтому конденсаторы С1 и С2 выбираем на рабочее напряжение 25 В и емкостью 500 мкФ. Литература.1. Жеребцов И. П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. 2. Транзисторы: Справочник . - М.: Радио и связь, 1990. 3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1990.

скачать реферат Физические основы действия современных компьютеров

Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера (Курсовая работа) Выполнил: Гуревич Г.А. (4 курс заочной формы обучения) Проверил: Зайцев Г.О. (Москва, 2000) Введение 3 Двоичная система счисления и логика. 3 Схема действия компьютера. 4 Долговременная память. 4 Накопители на магнитных дисках и лентах. 4 CD и DVD-ROM. 5Полупроводниковые устройства. 6 Биполярные транзисторы. 8 Полевые транзисторы 10 Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах. 11Оперативная память. 12 Статическое ЗУ 14 Динамическое ОЗУ 15 Системная память: взгляд в будущее 16 Шесть технологий памяти будущего. Определения 18Центральный процессор. 20 Новые технологии. 21 Медные соединения 23 SiGe 24 Кремний на изоляторе (silico -o -i sula or, SOI) 24 Перовскиты 25Заключение 25 Список использованной литературы: 26Введение Сейчас, когда человечество входит в третье тысячелетие, для обитателей мегаполисов незаменимой вещью, фактически правой (или левой) рукой стал компьютер.

скачать реферат Лазеры

В схемах геометрической оптики мы, конечно, пользуемся понятием точечного источника света, который, будучи помещен в главном фокусе вогнутого зеркала (притом параболического, а не гиперболического, как ошибочно полагал инженер Гарин ) или в главном фокусе линзы, дает на чертеже пучок параллельных лучей. Но это только на чертеже, в действительности точечный источник и пучок параллельных лучей немыслимы. Приводимый расчет доказывает математически, что если бы параллельные лучи и были возможны, то они не несли бы с собой никакой энергии. Доказательство основывается на законах оптики, все фантастические проекты сжигания на расстоянии не учитывают этого закона, не говоря уж о законах рассеяния, дифракции и интерференции света. Посмотрим теперь, как же решается задача генерации когерентного света при помощи лазеров. Эти новые источники света действительно излучают почти, (но не полностью!) параллельные лучи. Но физическая основа их совершенно иная, чем основа оптических систем, о которых мечтали фантасты. Посмотрим на какой-нибудь из обычных источниках света- пламя свечи, раскаленный волосок электрической лампочки или люминесцентную трубку.

скачать реферат Механицизм в науке и философии

Такая интерпретация (получившая название копенгагенской) поставила волновую механику на прочную физическую основу и выбила почву из-под многих спекуляций, в том числе из-под наивных реалистических рассуждений Шрединдерга. Долгое время одни выдающиеся физики (Бор, Борн, Паули) придерживались концепции, что все явления природы подлежат лишь вероятностной интерпретации, в то время как для многих не менее выдающихся физиков нашего столетия, в том числе многих создателей квантовой механики (Шредингер, Эйнштейн, Луи де Бройль, Макс Планк) подобное статистическое истолкование квантовой теории оказалось крайне неприемлемым. Они придерживались концепции причинности и детерминизма восходящих своими корнями к классической механике. Суть спора сводилась к следующему: является ли статистический характер законов квантовой физики результатом неполного знания, и не уступят ли эти законы свое место новым, не менее детерминистским, как законы Ньютона, или вероятность лежит в основе законов самой природы. Так во время пребывания в Копенгагене Шредингер заявил Бору: Если мы собираемся сохранить эти проклятые квантовые скачки, то приходиться пожалеть, что я вообще занялся квантовой теорией ( c.48). Для него было страшно представить, что электрон “мог прыгать, как блоха” (, стр. 51). Широко известно выражение Эйнштейна, что “Бог не играет в кости”.

Пенал школьный "Леопард", цвет желтый.
Пенал школьный. Материал: силиконовый полимер. Размер: 18х6х6 см. В раскрытом виде выполняет роль подставки, возможность увеличения
372 руб
Раздел: Без наполнения
Угольник для класса, деревянный.
314 руб
Раздел: Угольники
Набор зубных щеток (от 18 месяцев, 2 штуки).
Сочетание щетинок разной степени жесткости обеспечивает особо тщательную чистку зубов, не повреждая нежную зубную эмаль и не травмируя
347 руб
Раздел: Зубные щётки
скачать реферат Теория детерминизма Лапласа и её критика

смотреть на рефераты похожие на "Теория детерминизма Лапласа и её критика " МГТУ им. Баумана Доклад по философии: Студента группы XX-XX Рулина Преподаватель: Седов Анатолий Борисович Москва 2003 Содержание I. Введение .3 II. Лаплас и его терория полного детерминизма 3 1. Краткая биография П.С. Лапласа .3 2. Физическая основа идей лапласовского детерминизма .6 3. Астрономическая основа идей лапласовского детерминизма .7 4. Философская основа идей лапласовского детерминизма . 8 5. Содержание теории лапласовского детерминизма .9 6. Следствия из теории полного детерминизма Лапласа 10 7. Критика теории полного детерминизма Лапласа 12 III. Заключение .14 IV. Литература .16 Введение Лаплас был физиком и практически не занимался философией и тем не менее его вклад в философию очень существенен, может быть даже более существенен, чем некоторых философов и вот почему. В философии существует такая категория вопросов, которые, будучи один раз поставленными, в дальнейшем, не смотря на то, что на них не был дан ясный и окончательный ответ, который притом бы признавался всеми философскими течениями, служат краеугольными камнями всего последующего развития философской мысли.

скачать реферат Особенности химической формы развития материи

Однако и эта ссылка не дает окончательного решения вопроса о специфическом химическом качестве. Существенным свидетельством в пользу своеобразной химической реальности является тот факт, что химические связи между качественно различными атомами в физическом отношении различаются только количественно. Так, связь Н-С отличается от связи H-F с физической стороны лишь различной полярностью или разностью электроотрицательности атомов (0,4 и 1,9). С химической же стороны — это связи водорода с качественно различными химическими элементами. Наиболее крупным аргументом в пользу признания несводимого химического качества, своеобразной химической формы объективной реальности является то, что химический мир — это над-массэнергетический мир, в котором слабые масс-энергетические процессы хотя и имеют место, образуя физическую основу химизма, но не определяют его природы. Как отмечает Э.Штрекер, «вещество и качество, как таковые, нигде не выступают в уравнениях физики. Вещество выступает в них только в виде массы, а качество имеет значение лишь постольку, поскольку встречающиеся иногда в функциональных уравнениях константы имеют для каждого вещества свои числовые значения.

скачать реферат Бухгалтерский учет на предприятиях оптовой торговли

Рекомендации по ведению бухгалтерского учета и отчетности в сельскохозяйственных потребительских кооперативах. 1.3. ОБЕКТЫ БУХГАЛТЕРСКОГО УЧЕТА В ОПТОВОЙ ТОРГОВЛЕ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ Предметом бухгалтерского учета в оптовой торговле является хозяйственная деятельность торговой организации. Составными частями предмета бухгалтерского учета являются объекты бухгал- терского учета. К ним относятся: 1) имущество (активы организации); 2)обязательства организации (источники формированияимущества); 3) хозяйственные операции, вызывающие изменение имущества и источников их формирования. Представим состав имущества организации в виде следующей таблицы: Активы организации Внеоборотные активы (основной капитал) Оборотные активы (оборотный капитал) - основные средства - материальные оборотные средства - нематериальные активы - денежные средства - вложения во внеоборотные активы - финансовые вложения - средства в расчетах К основным средствам относятся средства труда, срок службы которых превышает 12 месяцев. Это может быть холодильное оборудование, контрольно-кассовые машины, торговые прилавки, весы. Нематериальные активы не имеют физической основы, но имеют стоимостную оценку и приносят доход организации.

скачать реферат Типы государства: формационный и цивилизационный подходы

Юридический порядок определённого государства действует не вечно и не во всех государствах. Его применимость сужена до данной территории в течение данного периода. Итак, государство - это сложное социальное явление, отличительной чертой которого является принудительная регуляция поведения людей посредством нормативных норм. 1.2. Элементы государства. Государство - это политическая общность, составляющими элементами которой являются территория, население и власть. Территория - это пространственная основа государства. Физическая основа представляет собой одно из условий, делающих возможным существование государства. В конечном счете, без территории государства не существует, хотя она может изменяться во времени. Территория есть пространство государства, занятое его населением, где в полной мере действует власть политической элиты, реализуемая через юридические нормы. Одна из главных целей элит, не состоящих на службе иностранных держав, заключается в гарантировании территориальной целостности государства. Таким образом, относительно стабильная и обладающая гарантированной целостностью территория является существенным условием сохранения государства.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.