телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВсе для ремонта, строительства. Инструменты -30% Образование, учебная литература -30% Электроника, оргтехника -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Фоторезисторы

найти похожие
найти еще

Забавная пачка "5000 дублей".
Юмор – настоящее богатство! Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь
60 руб
Раздел: Прочее
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
При длинах волн, больших граничной, фотопроводимость резко падает. Так, для германия граничная длина волны составляет примерно 1.8 мкм. Однако спад фотопроводимости наблюдается и в области малых длин волн. Это объясняется быстрым увеличением поглощения энергии с частотой и уменьшением глубины проникновения падющей на полупроводник электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого количества избыточных носителей только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, так как скорость поверхностной рекомбинации больше объемной и проникающие вглубь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. Фотопроводимость полупроводников может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях электромагнитного спектра в зависимости от ширины запрещенной зоны, которая, в свою очередь, зависит от типа полупроводника, температуры, концентрации примесей и напряженности электрического поля. Рассмотренный механизм поглощения света, приводящий к появлению свободных носителей заряда в полупроводнике, называют фотоактивным. Поскольку при этом изменяется проводимость, а следовательно, внутреннее сопротивление полупроводника, указанное явление было названо фоторезистивным эффектом. Основное применение фоторезистивный эффект находит в светочувствительных полупроводниковых приборах – фоторезисторах, которые широко используются в современной оптоэлектронике и фотоэлектронной автоматике. Фоторезисторы Конструкция и схема включения фоторезистора. Темновой и световой ток Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, проводимость которых меняется под действием света. Конструкция монокристаллического и пленочного фоторезисторов показана на рис. 1, 2 приложения. Основным элементом фоторезистора является в первом случае монокристалл, а во втором – тонкая пленка полупроводникового материала. Если фоторезистор включен последовательно с источником напряжения (рис. 3 приложения) и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток Iт = E / (Rт Rн), (4) где Е – э. д. с. источника питания; Rт – величина электрического сопротивления фоторезистора в темноте, называемая темновым сопротивлением; Rн – сопротивление нагрузки. При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на перевод электронов в зону проводимости. Количество свободных электронно-дырочных пар возрастает, сопротивление фоторезистора падает и через него течет световой ток Iс = E / (Rс Rн). (5) Разность между световым и темновым током дает значение тока Iф, получившего название первичного фототока проводимости Iф = Iс – Iт. (6) Когда лучистый поток мал, первичный фототок проводимости практически безынерционен и изменяется прямо пропорционально величине лучистого потока, падающего на фоторезистор. По мере возрастания величины лучистого потока увеличивается число электронов проводимости. Двигаясь внутри вещества, электроны сталкиваются с атомами, ионизируют их и создают дополнительный поток электрических зарядов, получивший название вторичного фототока проводимости.

Наиболее важными типами оптических детекторов являются следующие устройства: – фотоумножитель; – полупроводниковый фоторезистор; – фотодиод; – лавинный фотодиод. Полупроводниковый фотодетектор Схема полупроводникового фотодетектора приведена на рис. 9 приложения. Полупроводниковый кристалл последовательно соединен с резистором R и источником постоянного напряжения V. Оптическая волна, которую нужно зарегистрировать, падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа – дырки в валентную зону). Такое возбуждение приводит к уменьшению сопротивления Rd полупроводникового кристалла и, следовательно, к увеличению падения напряжения на сопротивлении R, которое при (Rd / Rd > D, большинство атомов-акцепторов остается незаряженным. Падающий фотон поглощается и переводит электрон из валентной зоны на уровень атома-акцептора, как это показано на рис. 10 приложения (процесс А). Возникающая при этом дырка движется под действием электрического поля, что приводит к появлению электрического тока. Как только электрон с акцепторного уровня возвращается обратно в валентную зону, уничтожая тем самым дырку (процесс B), ток исчезает. Этот процесс называется электронно- дырочной рекомбинацией или захватом дырки атомом акцептора. Выбирая примеси с меньшей энергией ионизации, можно обнаружить фотоны с более низкой энергией. Существующие полупроводниковые фотодетекторы обычно работают на длинах волн вплоть до ( ( 32 мкм. Из сказанного следует, что главным преимуществом полупроводниковых фотодетекторов по сравнению с фотоумножителями является их способность регистрировать длинноволновое излучение, поскольку создание подвижных носителей в них не связано с преодолением значительного поверхностного потенциального барьера. Недостатком же их является небольшое усиление по току. Кроме того, для того чтобы фотовозбуждение носителей не маскировалось тепловым возбуждением, полупроводниковые фотодетекторы приходится охлаждать. Заключение В этой курсовой работе мы рассмотрели устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Список литературы 1( Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища школа. 1989. – 423 с. 2( Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам; под ред. К. В. Шалимовой. – М.: Высшая школа. 1968. – 464 с. 3( Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио. 1970. – 591 с. 4( Yariv A. I roduc io o Op ical Elec ro ics. – М.: Высшая школа. 1983. – 400 с. 5( Ki el C. I roduc io o Solid S a e Physics, 3d Ed. – ew York: Wiley, 1967. – p. 38. 6( Ki el C. Eleme ary Solid S a e Physics. – ew York – Lo do : Wiley, 1962. Приложение

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ - см. Фотоэффект. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ - устройство на основе полупроводниковых фотоэлементов, предназначенное для преобразования световой энергии в электрическую (напр., солнечная батарея). ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ - усилитель постоянного тока (напряжения), работа которого основана на изменении фотопроводимости светочувствительного элемента (напр., фоторезистора, фотодиода), включенного последовательно с нагрузкой, под действием светового потока, модулированного усиливаемым сигналом. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭКСПОНОМЕТР - см. Экспонометр. ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ - то же, что внешний фотоэффект. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ - электровакуумные или полупроводниковые приборы, преобразующие энергию электромагнитного излучения оптического диапазона в электрическую (фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, передающие электронно-лучевые приборы и др.) или преобразующие изображения в невидимых (инфракрасных, ультрафиолетовых, рентгеновских) лучах в видимые изображения (напр., электронно-оптические преобразователи)

скачать реферат Фоторезисторы

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ Радіофізичний факультет Кафедра радіоелектроніки Курсова робота з курсу “Вступ в ФТТ” на тему: “Фоторезистори” Виконавець: студент гр. Керівник: Дніпропетровськ – 1998 Реферат Курсовая работа оформлена на 14 страницах машинописного текста, содержит 10 рисунков, 6 источников использованной литературы и приложение. Содержание Введение 1. Литературный обзор 3 1.1. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках 3 1.2. Фотопроводимость. Фоторезистивный эффект 3 2. Основная часть 5 2.1. Фоторезисторы 5 2.1.1. Конструкция и схема включения фоторезистора. Темновой и световой ток 5 Характеристики фоторезисторов 6 2.1.2. Параметры фоторезисторов 7 Изготовление фоторезисторов 8 2.1.3. Применение фоторезисторов 8 Регистрация оптического излучения 8 2.2. Полупроводниковый фотодетектор 9 2.3. 2.3.1. Заключение Литература 2.3.2. Приложения

Пенал "Гонка", 19х11 см, 3 отделения.
Пенал предназначен для школьников 7-10 лет. Является важным помощником в учебе, ведь он решает задачу хранения ручек, карандашей и прочих
511 руб
Раздел: Без наполнения
Конструктор электронный "Знаток". 320 схем.
Набор электронных блоков и соединений, позволяющий конструировать электрические цепи без пайки. Описано 320 схем. Даже без помощи
2858 руб
Раздел: Инженерные, научно-технические
Ящик с крышкой Darel Box на колесах, 61x40x17.5 см.
Универсальные и герметичные боксы идеально подходят для хранения меха, одежды и домашнего текстиля. Герметичность конструкции обеспечивает
494 руб
Раздел: Более 10 литров
 Физические эффекты и явления

Интересное свойство ИК-лучей обнаружил недавно польские ученые: прямое облучение стальных изделий светом инфракрасных ламп сдерживает процессы коррозии не только в условиях обычного хранения, но и при повышении влажности и содержания сернистых газов. Сильным изобретательским приемом является переход от одного диапазона излучения к другому. А.с. 232 391: Способ определения экспозиции засветки фоторезисторов на основе диасоединений и азидов в процессе фотолитографии, отличающийся тем, что с целью улучшения воспроизводимости и увеличения выхода годных приборов, полупроводниковый эпитаксиальный материал с нанесеным на него фоторезистом облучают ультрафиолетовым или видимым светом, причем экспозицию определяют по времени исчезновения полосы поглощения пленки фоторезиста в области 2000-2500 см. в минус первой степени . Здесь облучают коротковолновым светом, а изменение свойств регистрируют по поглощению в инфракрасной области - 2000 см. в минус первой степени соответствуют длине волны 3,07 мкм. 13.1.1. Световое излучение может передавать свою энергию телу не только нагревая его или возбуждая его атомы, но и ввиде механического давления

скачать реферат Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

Построить с указанием масштабов по осям ВАХ варистора на переменном токе. По данным табл. 3.2 построить характеристики «вход-выход» стабилизатора напряжения Uвых(Uвх), снятые на постоянном и переменном токе. Привести качественные осциллограммы напряжений на выходе мостового стабилизатора. Дать краткие выводы по работе. Контрольные вопросы.1. Что называется варистором? Из каких материалов их изготавливают? 2. Чем обусловлена нелинейность ВАХ варистора? 3. Что такое степень нелинейности и как используя этот параметр можно аппроксимировать ВАХ варистора? 4. Где применяют варисторы и почему? 5. Как устроен и как работает мостовой стабилизатор напряжения на варисторах? 6. Каким параметром оцениваются стабилизирующие свойства стабилизатора напряжения? 7. Как степень нелинейности ВАХ варистора влияет на величину коэффициента стабилизации? 8. Как получить ВАХ варистора на экране осциллографа? Работа 4. Исследование свойств фоторезисторов Цель работы – исследование основных характеристик фоторезисторов: 1) определение зависимости величины сопротивления от освещенности; 2) получение вольтамперных характеристик при различных значениях освещенности; 3) определение зависимости фототока от величины освещенности 4) определение интегральной чувствительности. 1. Краткие сведения из теории Фоторезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием оптического излучения.

 Занимательная анатомия роботов

Сопротивление токоограничительного резистора R1 зависит от параметров выбранной лампы. Фотореле с усилителем на двух транзисторах (рис. 52, б) содержит двухступенный усилитель постоянного тока. Нагрузкой транзистора VT2 является обмотка реле. Это фотореле более чувствительно к малым световым потокам. Чувствительное фоторел e с усилителем на транзисторах (рис. 52. в) собрано на двух транзисторах, которые работают в усилителе постоянного тока. Фотореле чувствительно к малым световым сигналам. Рис. 52. Фотореле с усилителями на транзисторах Автомат включения освещения (рис. 53) позволяет автоматически включать освещение при наступлении темноты. Исполнительное устройство подключают к контактам реле. Автомат ночной сигнализации (рис. 54) представляет собой генератор световых сигнальных импульсов. Он начинает работать только при наступлении темноты или при затемнении фоторезистора. Длительность сигналов можно изменять подборкой конденсатора в пределах 5 100 мкФ. Рис. 53. Автомат включения освещения Рис. 54. Автомат ночной сигнализации Некоторые из рассмотренных устройств можно использовать в роботе, в его светочувствительном блоке

скачать реферат Оптико-электронные системы

Таким образом, такая проблема стимулировала создание нового типа прибора – квантовых генераторов излучения для генерации когерентных электромагнитных колебаний в оптическом диапазоне спектра. Отметим здесь, что термин “ОКГ” не бесспорен, поскольку генератором оптических (некогерентных) квантов является и горящая спичка. Поэтому для обозначения обсуждаемого класса излучателей наибольшее применение нашел термин “Лазер”, сформированное из первых букв английской фразы “световой усилитель с помощью вынужденного излучения” по аналогии со своим предшественником, названным “Мазер”, который относится к первым СВЧ генераторам, разработанным проф. Колумбийского университета Е.Таунсом в 1954 году и использовавшим явление вынужденного излучения. Начало основного технологического прорыва в оптическом приборостроении следует отнести к 1920-1930 гг., когда был создан ряд искусственных источников УФ и ИК излучения. Чуть позднее появились первые многокаскадные фотоумножители, первые фоторезисторы, чувствительные в ИК-области спектра. Успехи и интенсивность разработок в области оптоэлектроники (раздела науки и техники, исследующей процессы взаимодействия оптического излучения с веществом для передачи, приема, хранения и т.д. информации) в этот и последующий периоды в значительной степени были стимулированы расширением военных применений ОЭС.

скачать реферат Матричные фотоприемники

Световое сопротивление Rс – сопротивление фоторезистора, измеренное через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного значения. Кратность изменения сопротивления KR – отношение темнового сопротивления фоторезистора к сопротивлению при определенном уровне освещенности (световому сопротивлению). Допустимая мощность рассеяния – мощность, при которой не наступает необратимых изменений параметров фоторезистора в процессе его эксплуатации. Общий ток фоторезистора – ток, состоящий из темнового тока и фототока. Фототок – ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Удельная чувствительность – отношение фототока к произведению величины падающего на фоторезистор светового потока на приложенное к нему напряжение, мкА / (лм ( В) К0 = Iф / (ФU), (7)где Iф – фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору в темноте и при определенной (200 лк) освещенности, мкА; Ф – падающий световой поток, лм; U – напряжение, приложенное к фоторезистору, В.

скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Светоизлучатели и фотоприемники. Фотоприемники. Фотопроводимость полупроводников. Фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор: устройство. принцип работы, характеристики, параметры, применение. Светоизлучатели: лазеры и светодиоды. Устройство, принцип применения, параметры и характеристики светодиода. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, параметры и характеристики. Достоинства полупроводниковых лазеров. Оптроны: устройство, принцип работы, параметры, характеристики, разновидности и применение. Индикаторы: жидкокристаллические, полупроводниковые и газоразрядные. Применение. Раздел III. Микроэлектроника 1 Технологические основы микроэлектроники Комплексная микроминиатюризация. Основная задача микроэлектроники. Классификация изделий микроэлектроники. Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) (эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография, металлизация). Диоды полупроводниковых ИМС. Диодное включение транзисторов. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы с барьером Шотки. Горизонтальные и вертикальные р- -р транзисторы и супербета-транзисторы.

скачать реферат Программа вступительных экзаменов по физике в 2004г. (МГУ)

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. p- -переход и его свойства. Полупроводниковый диод. Транзистор. Термистор и фоторезистор. Электрический ток в газах. Самостоятельный и несамостоятельный разряды. Понятие о плазме. III.3. Магнетизм Магнитное поле. Действие магнитного поля на рамку с током. Индукция магнитного поля (магнитная индукция). Линии магнитной индукции. Картины линий индукции магнитного поля прямого тока и соленоида. Понятие о магнитном поле Земли. Сила, действующая на проводник с током в магнитном поле. Закон Ампера. Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Магнитные свойства вещества. Гипотеза Ампера. Ферромагнетики. III.4. Электромагнитная индукция Магнитный поток. Опыты Фарадея. Явление электромагнитной индукции. Вихревое электрическое поле. Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца. Самоиндукция. Индуктивность. ЭДС самоиндукции. Энергия магнитного поля. III.5. Электромагнитные колебания и волны Переменный электрический ток. Амплитудное и действующее (эффективное) значение периодически изменяющегося напряжения и тока. Получение переменного тока с помощью индукционных генераторов. Трансформатор. Передача электрической энергии. Колебательный контур.

Рюкзак школьный "Military", цвет черный (арт. V-55/1).
Рюкзак школьный, два отделения, два передних кармана на молнии, объемный карман на молнии на передней стенке, боковые карманы из сетки,
1500 руб
Раздел: Без наполнения
Детская каталка "Вихрь", фиолетовая.
Маленькие гонщики в возрасте от 1 до 3 лет будут в восторге от маневренной машинки "Вихрь". Легкая и невероятно простая в
1350 руб
Раздел: Каталки
Деревянный конструктор "Изба" (39 деталей).
Деревянный конструктор "Изба" понравится всем любителям конструирования и моделирования. Ребенку предлагается самостоятельно
442 руб
Раздел: Деревянные конструкторы
скачать реферат Датчик влажности

Обычно в видимой и ближней ИК-областях источниками излучения служат лампы накаливания, а приемниками — фоторезисторы, например PbS, GaS, I Sb и т.п. В средней и дальней ИК-областях источниками излучений могут быть накапливаемые керамические стержни, а приемниками - термопары, болометры и т.п. Количественный анализ содержания в контролируемом материале того или иного компонента достаточно прост, если имеется полоса поглощения данного компонента, не перекрывающаяся полосами поглощения других компонентов. Тогда глубина полосы хорошо коррелируют с концентрацией исследуемого компонента. Прибор обычно регистрирует прозрачность характеризующую отношение потока, прошедшего через вещество, к потоку, падающему на вещество:5.2.8 Кондуктометрические датчики Капиллярно-пористые влажные материалы с точки зрения физики диэлектриков относятся к макроскопически неоднородным диэлектрикам. Их неоднородность обусловлена в первую очередь наличием вкраплений влаги в основной (сухой) материал. Кроме того, подавляющее большинство естественных и промышленных материалов неоднородно по своему химическому составу, содержит примеси, загрязнения и воздушные включения.

скачать реферат Машинная память

Для преобразования световых сигналов в электрические используют фотодиоды, фоторезисторы, фототранзисторы и другие приборы. Их можно использовать и для изготовления интегральных матриц, которые могут иметь координатную организацию, позволяющую выбирать любой, но только один, фотоприемник в определенный момент времени, могут быть организованы построчно (по словам), в несколько регистров или с самосканированием. Матрицы фотоприемника кроме светочувствительных элементов содержат коммутирующие элементы, а в некоторых случаях и элементы памяти. Простейшая ячейка содержит фотодиод и последовательно включенную емкость. Запоминание информации в матрице фотодиодов реализуется в виде накопления зарядов на емкостях фотодиодов. ПАМЯТЬ НА УСТРОЙСТВАХ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Функциональная электроника - новое направление в микроэлектронике Современная электроника твердого тела в значительной степени является интегральной электроникой; в основе ее лежит принцип элементной (технологической) интеграции—изготовление на одном кристалле большого количества электронных приборов, соединенных между собой в электрическую схему.

скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезистор не проявляется. Таким образом, на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя фоторезистор не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится, диффузия.Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее- 2 мкм. Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.'Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы.

скачать реферат Фоторезисторы

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото. и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор, омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности. В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью, экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

скачать реферат Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

Чем обусловлена нелинейность ВАХ варистора? 3. Что такое степень нелинейности и как используя этот параметр можно аппроксимировать ВАХ варистора? 4. Где применяют варисторы и почему? 5. Как устроен и как работает мостовой стабилизатор напряжения на варисторах? 6. Каким параметром оцениваются стабилизирующие свойства стабилизатора напряжения? 7. Как степень нелинейности ВАХ варистора влияет на величину коэффициента стабилизации? 8. Как получить ВАХ варистора на экране осциллографа? Работа 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРОВ Цель работы – исследование основных характеристик фоторезисторов: 1) определение зависимости величины сопротивления от освещенности; 2) получение вольтамперных характеристик при различных значениях освещенности; 3) определение зависимости фототока от величины освещенности 4) определение интегральной чувствительности. 1. Краткие сведения из теории Фоторезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием оптического излучения. Работа некоторых полупроводниковых элементов основана на использовании фотоэлектрического эффекта – явления взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам вещества.

Швабра "York. Salsa", с рукояткой.
Сменную насадку Вы замените быстро и без особых хлопот. На конце черенка - пластиковый подвес-держатель. Черенок пластиковый, насадка -
452 руб
Раздел: Швабры и наборы
Набор мисок Mayer & Boch "Фиалки".
Набор эмалированных мисок из 10 предметов: миска (5 штук) + крышка (5 штук). Материал: углеродистая сталь. Эмалированное покрытие. Крышка:
487 руб
Раздел: Наборы
Накладка на унитаз "Бегемотик", белая.
Накладка на унитаз подходит ко всем стандартным туалетам. Кроме того, благодаря краям предотвращающим скольжение легко и твердо
302 руб
Раздел: Сиденья
скачать реферат Компенсационный метод измерения

Измеряемое напряжение Ux при указанной полярности включения вольтметра V1 определяется как Ux=UK ?U Дифференциальный метод обеспечивает высокую точность измерения напряжения. Погрешность измерения определяется в основном погрешностью вольтметра, измеряющего L/K. Входное сопротивление цепи RВХ=UX/I=(UK ?U)/(?U/RV1)=RV1(UK/?U 1) (7.7) намного превышает входное сопротивление rvi вольтметра V . Гальванометрические компенсаторы служат для измерения малых постоянных напряжений (порядка 10~8 В). Основными элементами гальванометрического компенсатора (рис. 7.8) являются: измерительный механизм магнитоэлектрического зеркального гальванометра G, образцовый резистор обратной связи Rк, фоторезисторы ФR1 и ФR2, источники постоянного напряжения с Е1 = Е2, магнитоэлектрический микроамперметр. На зеркальце гальванометра G направлен луч света от прожектора Пр. При отсутствии напряжения Vх луч света, отраженный от зеркала, одинаково освещает фотосопротивления, в результате ток Iк = 0. При подаче на вход измерителя напряжения Ux в цепи гальванометра G появляется ток Iг, подвижная часть гальванометра поворачивается на некоторый угол и происходит перераспределение освещенности фоторезисторов и изменение их сопротивлений. Рис. 7.8Согласно схеме включения фоторезисторов и полярности Uх сопротивление фоторезистора ФR1 уменьшится, а ФR2 увеличится.

скачать реферат Лекции по Физической оптике

В предыдущих формулах он сокращался, что означало одинаковое усиление фототока и его флуктуаций, но здесь он способствует снижению МЭШ. 2Надо заметить, что фотоэлектрическое усиление полезно не- зависимо от влияния на МЭШ, т.к. повышение сигнала при наличии помех всегда желательно. я23. Обнаружительная способность. 2Понятие о МЭШ очень хорошо характеризует качество ФЭПП, но более целесооразно выбрать новую меру качества так, чтобы в нее не входили и. Это достигается введением понятия об удельной обнаружительной способности Исключение и равносильно условию, что A=1кв.см и 2= 1Гц. 2Как видно из определения, величина измеряется едини- цами. Используя формулы для МЭШ получим: 2- при ограничении фотодиода флуктуациями фона в пределах телесного угла : 2- при ограничении фоторезистора флуктуациями фона в пределах телесного угла : 2- при ограничении тепловым шумом : где произведение - простая мера качества p- переходов. 2Для идеального ФЭПП вычисляется по формуле где введено, - предельная длина волны (квантовая эф- фективность равна 1 во всем диапазоне длин волн от0 до и равна нулю при более длинных волнах). 2Для теплового приемника излучения имеем я24.Гетеродинный (когерентный) прием излучения оптического я2диапазона. 2ФЭПП,рассмотренные в главе 8, пригодны для приема излуче- 2- 26 - ния независимо от степени когерентности.Но одночастотный свет во всех отношениях аналогичен одночастотному излучению радио- диапазона и для его приема можно применять метод гетеродиниро- вания.В отличие от гетеродинирования обычный метод получил название прямого детектирования.Напомним,что идея гетеродини- рования состоит в смещении двух гармонических сигналов, разли- чающихся по частоте, на квадратичном детекторе.

скачать реферат Вопросы по вычислительной технике

Затем рисунок протравливается, фиксируется, закрепляется и изолируется от новых слоев и т.д. На основе этого создается пространственная твердотельная структура. Например, СБИС типа Pe ium включает около трех с половиной миллионов транзисторов, размещаемых в пятислойной структуре. Степень микроминиатюризации, размер кристалла ИС, производительность и стоимость технологии напрямую определяются типом литографии. До настоящего времени доминирующей оставалась оптическая литография, т.е. послойные рисунки на фоторезисторе микросхем наносились световым лучом. В настоящее время ведущие компании, производящие микросхемы, реализуют кристаллы с размерами примерно 400 мм2 - для процессоров (например, Pe ium) и 200 мм2 - для схем памяти. Минимальный топологический размер (толщина линий) при этом составляет 0,5 - 0,35 мкм. Для сравнения можно привести такой пример. Толщина человеческого волоса составляет примерно 100 мкм. Значит, при таком разрешении на толщине волоса могут вычерчивать более двухсот линий. Дальнейшие достижения в микроэлектронике связываются с электронной (лазерной), ионной и рентгеновской литографией.

скачать реферат Аналоговые перемножители и напряжения

Отметим только недостатки этого типа перемножителей, к которым можно отнести низкое быстродействие, соответственно, низкую рабочую частоту, а также то, что входные напряжения не могут быть разнополярными. Кроме того, обычно при логарифмировании используется логарифмические свойства p- переходов кремниевых биполярных транзисторов, они не сохраняются в диапазоне более двух декад изменения тока, поэтому необходимо либо снижать динамический диапазон по входным сигналам, либо мириться с относительно большой погрешностью преобразования. 1.2 Перемножители на основе управляемых сопротивлений Аналоговые перемножители, построенные на основе управляемых сопротивлений, имеют общий принцип построения: один из сигналов подаётся на вход операционного усилителя, в цепи обратной связи которого находится термистор, фоторезистор или управляемое сопротивление сток-исток полевого транзистора, управление сопротивлением которого происходит вторым сигналом (рис. 1.2). Рис. 1.2. Принцип построения аналоговых перемножителей на основе управляемых сопротивлений Таким образом, происходит изменение коэффициента усиления входного напряжения в зависимости от уровня второго сигнала, управляющего сопротивлением резистора R2, т.е. перемножение входного и управляющего сигналов.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.