телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАРазное -30% Товары для дачи, сада и огорода -30% Игры. Игрушки -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Интегральная микросхема КР1533ТВ6

найти похожие
найти еще

Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
В частности, для четырехразрядных счетчиков состояние может быть определено по формулегде Yi= 0 или 1 - состояние 1-го триггера (i = 1 - 4, начиная со входа счетчика); Рj= 2^i - 1 - вес i-го разряда счетчика. О таких счетчиках говорят, что они работают в весовом коде 1-2-4-8. Счетчик может быть построен так, что его весовой код будет отличаться от рассмотренного. Так, для четырехразрядных счетчиков получили распространение коды 1-2-4-6, 1-2-2-4 и др. Существуют такие структуры счетчиков, состояние которых не может быть выражено приведенной выше формулой. О таких счетчиках говорят, что они работают в невесовом коде. Их состояния определяют по временным диаграммам или таблицам переходов. Сказанное о четырехразрядных счетчиках распространяется на счетчики любой разрядности.Делители частоты (далее просто делители) отличаются от счетчиков тем, что в них используется только один выход - выход последнего триггера. Таким образом, -разрядный двоичный счетчик всегда можно рассматривать как делитель на 2^ .Часто необходимо осуществить деление частоты на некоторое целое число т, не являющееся степенью двойки, в таких случаях обычно используют -разрядный двоичный счетчик (2^ >m) и вводом дополнительных логических связей обеспечивают пропуск 2^ - m состояний в процессе счета. Этого можно достигнуть, например, принудительной установкой счетчика в 0 при достижении состояния m или принудительной установкой счетчика в состояние 2^ - m при его переполнении.Возможны и другие способы. Например, наиболее часто применяемая декада (счетчик с коэффициентом пересчета 10) нa JK-триггерах К155ТВ1 строится по схеме рис. 18 (а). При подаче импульсов с 1-го по 8-й декада работает как обычный двоичный счетчик импульсов. К моменту подачи восьмого импульса на двух входах J четвертого триггера формируется уровень лог. 1, восьмым импульсом этот триггер переключается в единичное состояние и уровень лог. 0 с его инверсного выхода, подаваемый на вход J второго триггера, запрещает его переключение в единичное состояние под действием десятого импульса. Десятый импульс восстанавливает нулевое состояние четвертого триггера, и цикл работы делителя повторяется.Декада на рис. 18 (а) работает в весовом коде 1-2-4-8. Временная диаграмма ее работы приведена на рис. 18 (б).Декада на D-триггерах, схема которой приведена на рис. 19 (а), работает в невесовом коде. Временная диаграмма ее работы приведена на рис. 19 (б). Построение счетчиков с коэффициентом пересчета 10 (декад) на триггерах ТВ6, ТВ9, ТВ10 отличается от построения на триггерах К155ТВ1, так как у триггеров указанных микросхем по одному входу J и К.На рис. 20 приведена схема декады, работающей в весовом коде 1-2-4-8. Для увеличения числа входов J до необходимого использован один элемент микросхемы К555ЛИ1. На рис. 21 (а) приведена схема декады, выходной код которой не является весовым. Работа декады проиллюстрирована на диаграмме рис. 21 (б). Элемент DD3 не является обязательным, он преобразует код работы декады в весовой код 1-2-4-8 (выходы А, В, С, Е), что может быть необходимым для подключения к декаде дешифратора или преобразователя кода для семисегментного индикатора.

Наиболее простой режим - при лог. 1 на входах J и К. В этом случае JK-триггер работает, как обычный триггер со счетным входом: по спаду каждого положительного импульса на тактовом входе С состояние триггера меняется на противоположное. Если хотя бы на одном входе J и на одном входе К одновременно лог. 0, состояние триггера при подаче импульсов по тактовому входу С не меняется.Если на всех входах J лог. 1, хотя бы на одном входе К - лог. 0, по спаду положительного импульса на входе С триггер устанавливается в единичное состояние независимо от своего предыдущего. Если хотя бы на одном входе J лог. 0, на всех входах К - 1, по спаду импульса на входе С триггер устанавливается в нулевое состояние.Изменение сигналов на J- и К-входах при лог. 0 на входе С не влияет на состояние JK-триггера. Если же на входе С лог. 1, изменение сигналов на J- и К-входах само по себе не влияет на состояние выходов, но запоминается. Если триггер находится в нулевом состоянии и во время действия положительного тактового импульса на всех входах J была кратковременно лог. 1, по спаду импульса положительной полярности триггер перейдет в единичное состояние независимо от состояния входов J и К на момент спада. Аналогично, если триггер находится в единичном состоянии и во время действия тактового импульса на всех входах К была кратковременно лог. 1, по спаду тактового импульса триггер перейдет в нулевое состояние независимо от состояния входов J и К. 13 Ч-777-2001 2202 КППЗЛист 6 Изм.Лист№ Докум.ПодписьДата Предельная частота работы триггера К155ТВ1 10 МГц.Микросхема ТВ6 (рис. 16) - сдвоенный JK-триггер. Каждый триггер имеет вход для подачи тактовых импульсов С, входы для подачи информации J и К, вход сброса R. Приоритетом пользуется вход R -при подаче на него лог. 0 триггер устанавливается в нулевое состояние, при котором на прямом выходе триггера - лог. 0, на инверсном -лог. 1. При лог. 1 на входе R возможна запись информации со входов J и К. Переключение триггера происходит по спаду импульсов положительной полярности на входе С. Если перед спадом сигнала на входе С на входе J лог. 1, на входе К лог. 0, триггер установится в единичное состояние, если на входе J лог. 0, на входе К лог. 1 - в нулевое. Если на входах J и К лог. 0, переключение по спаду импульса на входе С не произойдет; если на обоих входах лог. 1, триггер по спаду на входе С переключится в противоположное состояние. Для переключения триггера важна информация на входах J и К непосредственно перед переходом на входе С уровня лог. 1 в лог. 0, поэтому информация на входах J и К может меняться как при лог. 0, так и при лог. 1 на входе С. Предельная частота работы триггеров микросхем К555ТВ6 и КР1533ТВ6 - 30 МГц. Микросхема ТВ9 (рис. 16) - также два JK-триггера, имеющих дополнительно ко входам триггеров К555ТВ6 еще входы установки в единичное состояние S при подаче лог. 0 на вход S. В остальном логика работы этих триггеров аналогична логике работы триггера ТВ6.Предельная частота работы триггеров микросхем К555ТВ9 и КР1533ТВ9 - 30 МГц.Микросхема ТВ10 (рис. 16) - два JK-триггера, функционирующих аналогично триггерам микросхем ТВ9, но отличающихся наличием лишь одного установочного входа.

Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжительности диффузии).Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля дозировок примесей позволяют изменять параметры элементов в требуемых пределах. Поэтому вместо диффузии все больше применяют ионное легирование, хотя ее внедрение связано с переоснащением производства ИМС дорогостоящим оборудованием.В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых слоев).Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов. По окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины.Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической плоскости, выходящей на ее поверхность.Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации: Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества;Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры, превышающей температуру плавления Ge;Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя производится из электролитов или расплавов.Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Нолан Бушнель - самоуверенный

Но тем не менее именно "Понг" стал первой видеоигрой массового выпуска. Она произвела настоящую революцию и фактически основала новую индустрию. "Понг" также первой среди видеоигр получила признание опытных игроков и компьютерных знатоков. Инновационная технология Вездесущие автоматы типа "пинболл" доминировали в индустрии игровых автоматов в начале 70-х. Это были большие электромеханические машины, технологически негибкие, требовавшие интенсивного обслуживания и оснащенные несовершенной системой передачи изображения. Электромеханические фирмы-производители, будучи заинтересованы в сохранении своих позиций в этом виде промышленности, отказывались применять технологии, рожденные вне их недр. Этот близорукий образ мышления промышленных лидеров дал шанс новым фирмам, которые видели возможности недавно возникших новых технологий, основанных на использовании микросхем. Фирмы Силиконовой долины были сведущи и понимали удобства новой технологии, основанной на интегральных микросхемах. Это позволило им стать первопроходцами в создании электронных видеоигр

скачать реферат Новые технологии и искусство

Постепенно механические генераторы колебаний были заменены сначала мультивибраторами, а затем интегральными микросхемами. Также с дальнейшим развитием микроэлектроники стало возможным получать практически любой тембр. В современной популярной музыке синтезатор сегодня — король и бог. Из-за простоты использования сейчас его используют все, кто хоть чуть-чуть умеет играть на фортепиано. Достаточно трёх классов обычной музыкальной школы, чтобы на нём более-менее сносно играть. В последнее десятилетие у синтезатора появился мощный союзник — компьютер. Современные компьютеры, как известно, позволяют делать всё, что только душе угодно. С изобретением звуковых карт для компьютера появилась возможность вставлять на них микросхемы с банком инструментов от любого современного синтезатора. С помощью специальных программ-секвенсоров в компьютер можно загнать любую мелодию и проигрывать её. Получается как на синтезаторе. А совсем недавно появились так называемые программные сэмплеры. Сэмплер — такое устройство, позволяющее записать образец звука (па английскому sample, откуда и произошло название), указать, какой ноте он соответствует и, подключив к синтезатору, играть этим тембром.

Настольная игра "Скажи, если сможешь!".
Это веселая игра на артикуляцию. Вам нужно объяснить как можно больше слов своей команде, но задача не так проста. Вам нужно вставить в
910 руб
Раздел: Игры на ассоциации, воображение
Глобус детский зоогеографический, с подсветкой, 210 мм.
Глобус детский зоогеографический, на пластиковой подставке, с подсветкой. Диаметр: 210 мм.
985 руб
Раздел: Глобусы
Карандаши цветные "Lyra Groove", 10 цветов.
Карандаши с эргономичным захватом по всей длине, с европодвесом. Идеальные для раннего развития ребенка. Диаметр грифеля 4,25 мм!
879 руб
Раздел: 7-12 цветов
 Игрок

Фирма "Ками" приютила его тогда скорее из соображений благотворительности и престижа, чем из материальных соображений. Денег Касперский со своей программой не приносил никаких. В то время, а также позже не только президенту "Ками" Алексею Ремизову, но и многим другим казалось, что в России софт денег приносить не может в принципе. "Странно, а ведь у них перед глазами всегда был пример человека, делающего на софте огромные деньги!" - говорит Касперский с интонацией, в которой смешаны насмешка, ирония и вызов. Но тогда, в начале, до денег было ещё очень далеко. Дело начиналось с пустяков, с кустарщины. Жена Касперского, Наталья (теперь - Генеральный директор Лаборатории), три года сидевшая с маленькими детьми дома, готова была взяться за любую работу. В магазине фирмы "Ками" она, бывший инженер конструкторского бюро, где разрабатывались советские интегральные микросхемы, стояла за прилавком и продавала мышки. Потом начала продавать дискетки с антивирусной программой (дискетка на очередном витке инфляции стоила 10.000 рублей)

скачать реферат Новейшие достижения в информатике

В результате быстродействие машин возросло в 10 раз при существенном уменьшении веса и размеров. В компьютерах стали применять запоминающие устройства из магнитных сердечников, способные хранить большой объём информации. В 1959 были изобретены интегральные микросхемы (чипы),в которых все электронные компоненты вместе с проводниками помещались внутри кремниевой пластинки. Применение чипов в компьютерах позволяет сократить пути прохождения тока при переключениях, и скорость вычислений повышается в десятки раз. Существенно уменьшаются габариты машин. Появление чипа знаменовало собой рождение третьего поколения компьютеров. К началу 1960-х годов компьютеры нашли широкое применение для обработки большого количества статистических данных, производства научных расчётов, решения оборонных задач, создания автоматизированных систем управления. Высокая цена, сложность и дороговизна обслуживания больших вычислительных машин ограничивали их использование во многих сферах. Однако процесс миниатюризации компьютера позволил в 1965 американской фирме DIGI AL EQUIPME выпустить миникомпьютер PDP-8 ценой в 20 тысяч долларов, что сделало компьютер доступным для средних и мелких коммерческих компаний.

 101 вопрос, который задала бы ваша собака своему ветеринару (если бы умела говорить)

Лишают собаку возможности лаять посредством операции: в ее голосовых связках прорезывают отверстия. Во всем мире, за исключением Японии, делай — это самое большое собачье преступление, очень немногие ветеринары соглашаются произвести такую операцию. Вместо того они предлагают хозяевам найти причину, по которой собака ощущает потребность залаять, и затем соответствующим образом перевоспитать ее. Если переучивание оказалось безуспешным, можно использовать один любопытный прием отучения собак от лая, изобретенный во Франции. Собаке надевают специальный ошейник, содержащий пузырек с цитронеллой. Когда собака начинает лаять, в ошейнике срабатывает кристаллик с интегральной микросхемой и лимонный запах цитронеллы действует как мгновенный раздражитель. Очень скоро многие собаки перестают лаять, когда им надевают такой ошейник. 7. ПОЧЕМУ Я НАЧИНАЮ ВЫТЬ, КОГДА Я СЛУШАЮ МУЗЫКУ БЕТХОВЕНА? Вой — это один из видов общения собак. Собаки воют, когда хотят сообщить друг другу о своем местонахождении. Сомнительно, однако, чтобы они пытались общаться с Бетховеном, когда воют

скачать реферат Микропроцессоры и микроЭВМ

Микропроцессор – функционально законченное устройство обработки информации, управляемое хранимой в памяти программой. Появление микропроцессоров (МП) стало возможным благодаря развитию интегральной электроники. Это позволило перейти от схем малой и средней степени интеграции к большим и сверхбольшим интегральным микросхемам (БИС и СБИС). По логическим функциям и структуре МП напоминает упрощенный вариант процессора обычных ЭВМ. Конструктивно он представляет собой одну или несколько БИС или СБИС. По конструктивному признаку МП можно разделить на однокристальные МП с фиксированной длиной (разрядностью) слова и определенной системой команд; многокристальные (секционные) МП с наращиваемой разрядностью слова и микропрограммным управлением (они состоят из двух БИС и более). В последнее время появились однокристальные МП с микропрограммным управлением. Архитектура многокристального МП с микропрограммным управлением позволяет достичь гибкости в его применении и сравнительно простыми средствами организовать параллельное выполнение отдельных машинных операций, что повышает производительность ЭВМ на таких МП.

скачать реферат Электротехника и основы электроники

Из-за малых межэлектродных расстояний и наличия общего для всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах создаются достаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные элементы, которые, как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как функционального узла радиоэлектронной аппаратуры. абв Рис. 2 а – эквивалентная схема; б – структура полупроводниковой интегральной микросхемы; в – структура гибридной интегральной микросхемы; Гибридная интегральная микросхема – это интегральная микросхема пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики или ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы без корпусов (рис. 2,в). Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать пре- имущества пленочной технологии в сочетании с полупроводниковой тех- нологией. Полупроводниковая интегральная микросхема может быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементы выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – на защищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочном ис-полнении.

скачать реферат Методы контроля в производстве интегральных микросхем

Пленки из термочувствительных красок, в том числе жидких кристаллов, нанесенные на поверхность интегральной микросхемы, поставленной под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, что позволяет, наблюдая ИМС под микроскопом, фиксировать изменение температуры с точностью до 0.5° С. Тестовые интегральные микросхемы. Наличие в интегральных микросхемах большого количества конструктивных элементов– по несколько сотен и тысяч пересечений проводников, переходов со слоя на слой, областей и выводов активных и пассивных компонентов, контактных площадок и др. Практически исключает 100%-ный контроль всех элементов по электрическим параметрам из- за высокой трудоемкости этой операции. В это же время необходимость такого контроля, особенно на этапе отработки и совершенствования технологии, очевидна. Для контроля электрических характеристик структур и качества проведения технологических операций используют специально изготовляемые или размещаемые на рабочей подложке структуры, называемые тестовыми микросхемами. Основной принцип их построения состоит в том, что тестовая микросхема по отношению к реальной должна быть изготовлена по тому же технологическому маршруту, содержать все конструктивные элементы в различных сочетаниях и обеспечивать удобство их контроля во время испытаний и оценку качества технологического процесса.

скачать реферат Полупроводниковые пластины. Методы их получения

Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях народного хозяйства. Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, неукоснительного соблюдения технологической дисциплины и обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов и вакуумной гигиены в производственных помещениях. Фотолитографические процессы - важнейшая составная часть технологии изготовления микроэлектронных приборов. Именно они обеспечивают формирование элементов структур с субмикронными размерами и хорошую их воспроизводимость.

Настольная игра "Скоростные цвета".
Вдохните жизнь в чёрно-белые картинки! Бросьте взгляд на цветную версию, переверните карту и постарайтесь раскрасить её точно так же... и
1085 руб
Раздел: Внимание, память, логика
Карандаши цветные, 24 цвета.
Цветные карандаши в картонной коробке. Прочный грифель. Яркие цвета. Мягкое письмо и ровное закрашивание. Материал корпуса: дерево. Форма
357 руб
Раздел: 13-24 цвета
Деревянная рамка для картин, белая с золотом, 40x50 см.
Деревянная багетная рамка прекрасно дополнит любую картину, придаст ей законченный вид. Утонченная, изящная рамка, выполненная в
1078 руб
Раздел: Размер 40x50
скачать реферат Шумы - электроника

Содержание.-Введение -Шумы усилителей происхождение и виды шумов -Помехи:экранирование и заземление 1.Помехи 2.Сигнальное заземление 3.Межприборное заземление -Методы сужения полосы пропускания -Классификация помех в устройствах ЭВМ 1.Линии связи 2.Виды помех -Помехи в цепях питания и меры по их уменьшению 1.Проявление помех в цепях питания 2.Статические помехи 3.Импульсные помехи -Обеспечение помехозащищенности аппаратурных средств вычислительной техники уменьшение помех в аппаратуре,собранной на интегральных микросхемах -Заключение -Литература. Введение. Почти в любой области измерений значение предельно различимого слабого сигнала определяется шумом-мешающим сигналом,который забивает полезный сигнал.Даже если измеряемая величина и не мала,шум снижает точность измерения.Некоторые виды шума неустранимы принципиально (например,флуктуации измеряемой величины),и с ними надо бороться только методами усреднения сигнала и сужения полосы.Другие виды шума(например,помехи на радиочастоте и “петли заземления”)можно уменьшить или исключить с помощью разных приемов,включая фильтрацию,а также тщательное продумывание расположения проводов и элементов схем.И, наконец,существует шум,возникающий в процессе усиления,и его можно уменьшить применением малошумящих усилителей.

скачать реферат Разработка модернизированного лабораторного стенда по проведению лабораторных работ в лаборатории импульсной техники

Он вырабатывает постоянное напряжение 5 В при токе 1 А. Источник питания собран на микросхеме КР142ЕН5А (стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 5 В). 2.2. Разработка схемы электрической принципиальной Стенд выполнен на интегральных микросхемах серий К155, К514, К555, К551; светодиодной матрице АЛС333Б, светодиодах АЛ307БМ и транзисторах КТ315. Стенд представляет собой усовершенствованное универсальное техническое средство обучения, предназначающееся для получения практических навыков и углубления теоретических знаний студентов в области цифровой техники. Стенд дает возможность исследовать работу логических элементов, их передаточные характеристики, а также изучить работу триггера Шмитта. Он дает возможность изучить работу генератора прямоугольного напряжения (ГПН), а также формирователя импульсов и генератора одиночного импульса, причем формирователь импульса, генератор одиночных импульсов и ГПН, студенты практически могут собрать из элементов, при этом формирователь и ГПН уже встроены в стенд. Стенд позволяет наблюдать работу и снять таблицу состояний "RS", "D", " ", "JK" триггеров, причем "RS" триггер собирается на логических элементах, а "D" и "Т" триггеры собираются практически студентами из "RS" триггеров (как показано на лицевой панели), построенных на базе "JK" триггеров, установленных на плате стенда.

скачать реферат АЦП

БЛОК-СХЕМА ПРОГРАММЫ ПРЕДСТАВЛЕННА НА РИС. 7.1 ПОЛНЫЙ ЛИСТИНГ ПРОГРАММЫ С ПОЯСНЕНИЯМИ ПРИВЕДЕН НИЖЕ MVIA,8A; OU F7; MVIA,20; OU F6; M1:I F6; A IA,80; J M1; LXIH,2200; M3:MVIA,43; OU F6; MVI03; OU F6; I F5; MOVM,A; M2:MVIB,XX; DCRB; OP; OP; OP; J ZM2; MVIA,29; CMPH; I XH; J ZM3; HAL ЗАКЛЮЧЕНИЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ПРОДЕЛАННОЙ РАБОТЫ СПРОЕКТИРОВАНО ВОСЬМИРАЗРЯДНОЕ ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ АЦП ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ ФОРМЫ СЛУЧАЙНОГО СИГНАЛА, СНИМАЕМОГО С ФЭУ. ДАННЫЕ С АЦП ЧЕРЕЗ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ КОНТРОЛЛЕР МОГУТ ПЕРЕДАВАТЬСЯ В МИКРОПРОЦЕССОРНУЮ СИСТЕМУ КОМПЬЮТЕРА ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ И ОБРАБОТКИ. УСТАНОВКА СООТВЕТСТВУЕТ ЗАДАННЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ УСЛОВИЯМ, ПОЗВОЛЯЕТ ОБРАБАТЫВАТЬ ВХОДНЫЕ СИГНАЛЫ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ АМПЛИТУДОЙ ОТ 0 ДО –2 В И ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ БОЛЕЕ 10?S. ВЫХОДНЫЕ ДАННЫЕ ПРЕДСТАВЛЯЮТСЯ ВОСЬМИРАЗРЯДНЫМ КОДОМ С МАКСИМАЛЬНОЙ ПОГРЕШНОСТЬЮ ПО АМПЛИТУДЕ НЕ БОЛЕЕ 5% И ПО ДЛИТЕЛЬНОСТИ НЕ БОЛЕЕ 3%. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. ФЕДЕРКОВ Б.Г., ТЕЛЕЦ В.А., МИКРОСХЕМЫ ЦАП И АЦП: ФУНКЦИОНИРОВАНИЕ, ПАРАМЕТРЫ, ПРИМЕНЕНИЕ. М.: ЭНЕРГОИЗДАТ, 1990. –320С. 2. ВАЛАХ В.В., ГРИГОРЬЕВ В.Ф., БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ АЦП ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ФОРМЫ СЛУЧАЙНЫХ СИГНАЛОВ М.: ПРИБОРЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРЕМЕНТА. 1987. №4 С.86-90 3. БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ЦАП И АЦП И ИЗМЕРЕНИЕ ИХ ПАРАМЕТРОВ.

скачать реферат Логические элементы

Диод VD, включенный на вход А, защищает схему от перегрузки по входу. Существенно повысить быстродействие инвертора и снизить расход энергии питания позволяет применение диодов Шоттки, включаемых параллельно переходу коллектор - база биполярного транзистора (рис. 7, в). Такое соединение называется транзистором Шоттки и обозначается в электронных схемах, как показано на рис. 7, в. Среднее время задержки сигналов в логических элементах ТТЛШ порядка 1,5 нс при средней потребляемой мощности около 20 мВт на один логический элемент. Применение МОП-транзисторов позволяет почти в 10 раз увеличить число активных элементов на кристалле интегральной микросхемы и более чем в 103 раз уменьшить потребление энергии питания по сравнению с биполярными транзисторами. Однако почти в 10—20 раз уменьшается быстродействие (в первую очередь, из-за больших емкостей на входе и выходе транзисторов и очень высоких входных сопротивлений). Инвертор на МОП-транзисторах с -каналами может быть выполнен по схеме, приведенной на рис. 8, а. Транзистор V 1, на затвор которого подается напряжение в отпирающей полярности, выполняет роль резистора (сопротивление которого может быть сделано любым - в пределах от сотен омов до сотен кило-омов - в зависимости от технологии изготовления и напряжения на затворе).

скачать реферат Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

Для заданной полосы частот емкость конденсатора С2 должна быть равна десяткам микрофарад, возьмем 20 мкФ. Теперь рассчитаем стабилизатор напряжения с требуемыми параметрами. Входные цепи блока питания состоят из понижающего сетевого трансформатора и мостового выпрямителя. Схема стабилизатора напряжения показана на рис. 2. Так как потребляемая схемой мощность небольшая, в качестве стабилизатора DA1 возьмем специально предназначенную микросхему К142ЕН8А, обеспечивающую выходное напряжение 9 В и ток в нагрузке до 1 А. Данная микросхема обеспечивает коэффициент пульсаций на выходе примерно 0.03, что удовлетворяет заданию. Для нормальной работы напряжение на входе микросхемы должно быть не менее 12 Вольт, поэтому конденсаторы С1 и С2 выбираем на рабочее напряжение 25 В и емкостью 500 мкФ. Литература.1. Жеребцов И. П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. 2. Транзисторы: Справочник . - М.: Радио и связь, 1990. 3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1990.

Набор детской посуды "Корова", 3 предмета.
Набор посуды для детей включает в себя три предмета: суповую тарелку, обеденную тарелку и кружку. Набор упакован в красочную, подарочную
363 руб
Раздел: Наборы для кормления
Мозаика, 654 элемента.
Магнитная мозаика - это набор простейших геометрических фигур разных цветов, который позволяет детям создавать чудесные образы. Ваш
845 руб
Раздел: Магнитная
Набор STABILO LeftRight для правшей.
В наборе: шариковая ручка, механический карандаш, грифели, ластик, точилка. STABILO LeftRight: • Созданы специально для обучения письму
482 руб
Раздел: Наборы канцелярские
скачать реферат Фотодиод в оптоэлектронике

Толщина p- перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит (i=0.1 нс. RCбар определяется барьерной емкостью p- перехода, зависящей от напряжения и сопротивления базы фотодиода при малом сопротивлении нагрузки во внешней цепи. Величина RСбар порядка нескольких наносекунд. 4.ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Расчет КПД фотодиода. КПД вычисляется по формуле: , где Pосв – мощность освещенности, I – сила тока , U – напряжение на фотодиоде. Максимальная мощность фотодиода соответствует максимальной площади данного прямоугольника. Мощность Сила Напряжен КПД, Освещенности, тока, ие, % МВт мА В 1 0.0464 0.24 1.1 3 0.1449 0.41 2 5 0.248 0.26 1.3 7 0.242 0.45 1.6 Среднее значение: 1.5%. Вывод: коэффициент полезного действия фотодиода согласно полученным данным составил в среднем 1.5%.5.ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОДИОДА В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ Фотодиод является составным элементом во многих сложных оптоэлектронных устройствах. И поэтому он находит широкое применение. а) оптоэлектронные интегральные микросхемы. Фотодиод может обладать большим быстродействием, но его коэффициент усиления фототока не превышает единицы.

скачать реферат Оптроны и их применение

Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик. Практически распространение получили лишь оптроны, у которых имеется прямая оптическая связь от излучателя к фотоприемнику и, как правило, исключены все виды электрической связи между этими элементами. По степени сложности структурной схемы среди изделий оптронной техники выделяют две группы приборов. Оптопара (говорят также “элементарный оптрон”) представляет собой оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. Оптоэлектронная интегральная микросхема представляет собой микросхему, состоящую из одной или нескольких оптопар и электрически соединенных с ними одного или нескольких согласующих или усилительных устройств. Таким образом в электронной цепи такой прибор выполняет функцию элемента связи, в котором в то же время осуществлена электрическая (гальваническая) развязка входа и выхода.1.2 Отличительные особенности оптронов.

скачать реферат Модернизация управляющего блока тюнера

Исходя из этого выбор элементной базы будет следующим. Резисторы, конденсаторы, диоды и другие дискретные компоненты. Для применения в разрабатываемом устройстве были выбраны резисторы марки МЛТ мощностью 0,125 Вт. Выбор был сделан, исходя из соображений достаточной надежности, точности и низкой общей стоимости прибора. Резисторы марки МЛТ в достаточной степени удовлетворяют вышеприведенным требованиям и являются одной из наиболее распространенных марок резисторов, что сыграло решающую роль при их выборе. Другие дискретные компоненты выбраны исходя из аналогичных соображений. Интегральные микросхемы. Ввиду большого разнообразия серий микросхем, пригодных для использования в разрабатываемом устройстве и значительного количества параметров микросхем, их выбор аналогично выбору дискретных компонентов затруднителен. Поэтому выбор микросхем будет произведен по их параметрам. Справочные данные. 512 ВИ1 U =5 В10%. Iпотр, мА. статический режим 0,1 динамический режим при fmax тактовых импульсов 4 fmi 0,1 Выходной ток высокого (низкого) уровня при Uвых Н=4,1 В, (UвыхL=0,4 В), мА – 1,01,6. Входной ток, мкА 1. 1821ВМ85 Допустимые предельные значения: Температура окружающей среды - -10С.

скачать реферат Усилитель промежуточной частоты

Разработка топологии Резисторы. В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы. Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резистора, выбирают подходящий материал. При этом руководствуются следующими соображениями: необходимо, чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь, а развиваемая в нем температура не должна нарушать стабильность параметров, ускорять процессы старения, выводить величину сопротивления за рамки допуска. По возможности стараются применить более толстые пленки, т.к. у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления. Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС-3710, у которого имеются следующие характеристики: диапазон сопротивлений 10 20000 Ом, Удельное сопротивление 100 2000 Ом/(, Удельная мощность 20 мВт/мм2, ТКС M(( = 3.5 10- 4, ((( = 1.5 10-4, коэффициент старения MКСТ = 2 10-6 ч-1, (КСТ = 0.1 10- 6. Так же имеются конструкционные и технологические ограничения: минимальная длинна резистора l0 = 0.1 мм, минимальная ширина резистора b0 = 0.05 мм, минимальная длинна контактного перехода lк = 0.1 мм, минимальное расстояние между краями перекрывающих друг друга пленочных элементов h = 0.05 мм. Для дальнейшего расчета резисторов необходимо знать их рассеиваемую мощность.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.