телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для дачи, сада и огорода -30% Образование, учебная литература -30% Товары для животных -30%

все разделыраздел:Радиоэлектроника

Технологические основы электроники

найти похожие
найти еще

Коврик для запекания, силиконовый "Пекарь".
Коврик "Пекарь", сделанный из силикона, поможет Вам готовить вкусную и красивую выпечку. Благодаря материалу коврика, выпечка не
202 руб
Раздел: Коврики силиконовые для выпечки
Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
При облучении монокристаллической мишени ионами в направлениях, отличающихся от основных, профиль распределения внедренных атомов описывается нормальным законом распределения (рис. 5): В монокристаллах можно выделить направления, вдоль которых имеются периодически расположенные атомные цепочки и свободные от атомов каналы. При облучении мишени в таких направлениях наблюдаются аномально большие пробеги ионов, так как большая их часть проникает в глубь решетки по каналам, испытывая относительно слабое торможение. В кремнии эффект каналирования ионов наблюдается в направлениях , и . Наименьшая плотность атомов имеет место в плоскостях {110} (рис. 6), наибольшая — в {111}. Соответственно средняя длина пробега ионов в направлениях вдвое больше, чем в направлениях . Рис. 6 Проекция структуры Si на плоскость (110) При каналировании потери энергии ионов происходят в основном за счет взаимодействия с электронами. Ядерное торможение в канале возможно только при столкновении ионов с атомами полупроводника и примеси, расположенными в междоузлиях. Часть ионов испытывает раннее торможение вблизи поверхности кристалла из-за столкновений с атомами кристаллической решетки. По мере облучения мишени плотность дефектов в приповерхностном слое возрастает (каналы перекрываются атомами, смещенными в область канала) и эффект каналирования исчезает. Характер распределения примесей, отвечающий описанным явлениям, показан на рис. 7. При больших дозах облучения в распределении примеси имеется два максимума. Рис. 7 Распределение примеси при каналировании ионов: 1 — при умеренных дозах легирования; 2 — при больших дозах легирования 7. Какой минимальный размер элементов можно получить при рентгеновской литографии? Чем ограничена разрешающая способность? При помощи рентгеновской литографии можно достичь разрешения до 0,05 мкм. В отличие от фотолитографии, где экспонирование производится широкими коллимированными световыми пучками, рентгенолитография не располагает соответствующей «оптикой» и экспонирование на рентгеновских установках приходится выполнять в пучках с большим углом расходимости. При наличии зазора между шаблоном и подложкой это приводит к искажению размеров и смещению элементов рисунка, передаваемого в слой резиста. Максимальное смещение элемента возникает на периферии пластины и равно , параметры на рис. 8. Рис. 8 Схема экспонирования на рентгеновской установке с вращающейся мишенью Кроме того, конечные размеры пятна на поверхности мишени из-за низкой степени фокусировки снижают контрастность изображения в слое резиста. Размытость изображения, т. е. ширина зоны полутени по контуру элемента, . Удовлетворительные результаты получают при MM, МКМ И см. Расходящиеся пучки рентгеновских трубок имеют в плоскости подложки невысокую плотность потока энергии. Это вынуждает использовать в производстве высокочувствительные негативные рентгенорезисты, обладающие ограниченным (~0,5 мкм) разрешением. 8. Дать характеристику диэлектрических паст, которые используются при изготовлении изоляции толстопленочных ИМС. Диэлектрические пасты подразделяют на два вида: для диэлектриков конденсаторов (типа ПК) и для межслойной изоляции (типа ПД). Конденсаторные пасты должны обеспечивать удельные емкости порядка тысяч пикофарад на 1 см2 при толщинах пленки до 40 мкм.

Кроме того, при высоких напряжениях имеет место автоэлектронная эмиссия с холодного катода. Поэтому пробивная напряженность электрического поля в таком промежутке при давлениях 1—10 Па составляет около 0,5 кВ/см. Для расстояний между анодом и катодом L=38 см напряжение необходимое для электрического пробоя и зажигания разряда (напряжение зажигания) порядка 1,5—4 кВ. Приобретая в электрическом поле энергию, электроны движутся к аноду, ионизируя по пути атомы газа, в результате чего происходит лавинообразное нарастание потока электронов к аноду и (встречного) ионов к катоду. Вследствие этого резко повышается проводимость газового промежутка, возрастает ток и снижается напряжение . Возникающий при этом разряд может стать стационарным лишь при условии, если с катода в разрядный промежуток будут поступать электроны в количестве, достаточном для поддержания концентрации электронов и ионов в разряде. По достижении катода ионы рекомбинируют (нейтрализуются) с электронами, поступающими на катод из внешней цепи. Освобождающаяся энергия достаточна (с определенной вероятностью ), чтобы вызвать эмиссию электрона с поверхности катода (вторичная ионно-электронная эмиссия), а при определенной кинетической энергии ионы могут выбивать также атомы из материала катода (распыление). Вторичные электроны в результате столкновений должны создавать такое количество ионов (в среднем 1/ на один электрон), которое, с одной стороны, компенсирует их убыль в результате нейтрализации, а с другой — обеспечивает постоянный приток вторичных электронов с катода. В этом случае разряд поддерживает сам себя и называется самостоятельным тлеющим разрядом. Для тлеющего разряда характерно определенное распределение потенциала, обусловленное расположением пространственных зарядов. Не рассматривая тонкой структуры разряда, можно выделить в нем две основные области: темное катодное пространство и положительный светящийся столб (см. рис. 12). Толщина dк темного катодного пространства (ТКП) приблизительно равна среднему расстоянию, которое проходит вторичный электрон от катода до первого ионизирующего столкновения. В дальнейшем электрон еще способен многократно ионизировать молекулы газа, поскольку его энергия в момент первого столкновения составляет сотни электрон-вольт и существенно превышает энергию, необходимую для ионизации атома, например, аргона (15,7 эВ). Поэтому непосредственно за ТКП образуется область ионизированного газа, в которой число электронов и положительных ионов примерно одинаково. Эта область (область положительного столба) характеризуется высокой проводимостью и малым падением напряжения. Свечение положительного столба объясняется возбуждением нейтральных молекул при их столкновении с электронами, а также рекомбинацией ионов. Благодаря экранирующему действию электронов положительные ионы перемещаются в направлении к катоду главным образом за счет диффузии, так как их дрейф в таких условиях незначителен. Достигая границы ТКП, ионы ускоряются сильным полем и бомбардируют катод. Из-за различия в скорости ионов и электронов в ТКП образуется положительный пространственный заряд, который и обусловливает значительное падение напряжения и высокую напряженность поля.

1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС. Обратную сторону шлифуют, удаляя монокристаллический слой до вскрытия окиси кремния по границам областей, и производят доводку (для удаления нарушенного слоя). После протравливания и отмывки поверхности ее окисляют. Далее в образовавшихся изолированных областях монокристаллического кремния -типа диффузионным методом формируют элементы (базовые области, резисторы, эмиттеры, области под контакты). Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная пластина содержит эпитаксиальный -слой, то транзисторы получаются со скрытым слоем. 2. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной структуры без скрытого слоя. Чтобы получить простейшую эпитаксиально-планарную структуру, в качестве исходной заготовки используют монокристаллическую пластину кремния, равномерно легированную акцепторной примесью. Для нанесения эпитаксиального слоя на одну из сторон пластины ее освобождают от окисла и тщательно очищают (рис.2), после чего проводят осаждение монокристаллического слоя кремния -типа. Далее поверхность пластины окисляют и методом фотолитографии вскрывают окна в виде узких замкнутых дорожек, соответствующих контуру коллекторных и изолирующих областей ПМС. Проводя через окна диффузию акцепторной примеси до смыкания ее с р-областью, получают таким образом изолированные друг от друга островки равномерно легированного эпитаксиального -кремния. Рассмотренный процесс диффузии называют изолирующей или разделительной диффузией. В полученной на данной стадии заготовке (рис. 2,д) в дальнейшем формируют базовые и эмиттерные области (диффузионным методом), а также контакты и межсоединения. 3. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре На рис. 3, представлена изопланарная структура транзистора, в которой донная часть 2 коллектораизолирована от монокристаллической пластины р- -переходом, а боковая 1— толстым слоем окисла, полученным сквозным локальным окислением эпитаксиального слоя.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Журнал «Компьютерра» 2007 № 34 (702) 18 сентября 2007 года

Но квантовая механика это не мир средневековой демонологии, это вполне объективная научная и технологическая основа современной цивилизации. Да, основа пока лишь электроники и информационных технологий. Но вскоре и всего человечества. Недавний рост цен на хлеб объясняется увеличением спроса на зерно для производства топливного этанола. Запасы углеводородов ограничены. И задача рентабельного использования излучения термоядерного реактора, миллиарды лет устойчиво функционирующего в 150 миллионах километров от нас, наверняка потребует инженерного использования процессов квантовой механики. А для этого необходимо увеличить число людей, имеющих как можно более точное представление о них. Если не максимально близкое к реальности, то хотя бы асимптотически приближающееся к математическим, формализованным описаниям реальности. И к тому же людей, умеющих манипулировать этими представлениями в практических целях, как конструктор-механик манипулирует образами поверхностей и линий, накладывая на них ограничения, обусловленные свойствами материалов, законами кинематики и динамики

скачать реферат Выход в большой сетевой мир

ДЕМОС устанавливали на СМ, ЕС, «Эльбрус», «Электронику-1082». Операционная система ДЕМОС сыграла важную роль в популяризации U ix и в появлении в стране сообщества «юниксоидов», которое и составило в 1990 году основу клиентской базы сети Relcom. В 1989 году работы по поддержке операционной системы ДЕМОС были подкреплены коммерческой деятельностью: кооператив с тем же названием занялся установкой локальных сетей и продажей компьютерной техники. Так появились первые финансовые предпосылки для развертывания сети. А технологической основой стало расширяющееся использование U ix-компьютеров, в которых заложена поддержка сетевого взаимодействия. Так что все условия для создания сети U ix-машин были. Летом 1990 года сеть Relcom связала 15 узлов, в основном академические научные центры в Москве, Новосибирске, Ленинграде. Довольно быстро добрались и до восточных окраин страны, подключив Камчатку. В основном сеть базировалась на обычных телефонных линиях. Пользователи Relcom получили возможность общаться друг с другом по электронной почте и с помощью телеконференций Use e .

Карандаши цветные "Jumbo natur", 24 цвета, 24 штуки.
Утолщенный корпус. Имеют специально обработанную поверхность корпуса, без покраски.
532 руб
Раздел: 13-24 цвета
Карандаши цветные "Noris Club", треугольные, 24 цвета.
Количество цветов: 24. Материал корпуса: дерево. Форма корпуса: трехгранный. Твёрдость грифеля: мягкий. Тип карандаша: классический.
456 руб
Раздел: 13-24 цвета
Комплект постельного белья 1,5-спальный "Hello Kitty" (с наволочкой 50х70 см).
Добро пожаловать в мир популярных персонажей, супергероев и сказочных существ. Постельное белье для мальчиков и девочек украсит интерьер и
2453 руб
Раздел: Детское, подростковое
 Война на море (Актуальные проблемы развития военно-морской науки)

Ее эффективность подтвердили события лета 1982 года, когда в ходе англо-аргентинского конфликта эта система полностью отслеживала обстановку на море и позволила определить момент начала высадки десанта. В этот же период в интересах ВМФ широкое развитие получили: радиоэлектронные космические средства связи и навигации; корабельные, авиационные и автономные гидроакустические комплексы, системы и станции; комплексы и средства радиоэлектронного и гидроакустического противодействия; системы сверхдальней передачи информации на погруженные подводные лодки; наземные и корабельные радиоэлектронные системы загоризонтного освещения надводной обстановки; автоматизированные и наземные комплексы обработки информации, позволившие оптимизировать состав сил и виды оружия при ведении наступательных, оборонительных и самостоятельных операций. Это радиоэлектронное вооружение создавалось на высоком научном и технологическом уровне и по отдельным тактико-техническим характеристикам превосходило зарубежные аналоги того времени. В заключение необходимо отметить, что XX век, названный веком радиоэлектроники, передал следующему столетию новые перспективные научные, инженерные и технологические основы, которые могут фантастически расширить возможности человеческой деятельности в различных областях науки и практики

скачать реферат Физические основы измерительных преобразователей

Если спаи находятся при разных температурах, то в цепи термопары возникает электродвижущая сила (термоэлектродвижущая сила), величина которой однозначно связана с разностью температур т, составляющим 0,15-0,2 (1°С). По своему конструктивному оформлению позисторы аналогичны терморезисторам таблеточного типа, диаметром около 5мм.Сопротивление позистора возрастает с возрастанием его температуры, что используется для ограничения тока в цепи нагрузки. Литература Трофимов А.Н. Автоматика, телемеханика, вычислительная техника в химических производствах. Учебник. Энергоатомиздат. 1985. Фарзане Н.Г., Илясов П.В., Азим-заде А.Ю. Технологические измерения и приборы. Учебник. Москва. Высшая школа.1989. Жарковский Б.И. Приборы автоматического контроля и управления. Учебник. Высшая школа. 1989. Попов И.А., Грунтович Н.В. Сборник заданий для самостоятельной работы по основам теории автоматического управления (регулирования). Учебное пособие. ВМФ. 1982. Трофимов В.В. Справочник АСУТП. Справочник. Киев. Техника. 1988. Измерительно-информационные системы. Учебник. ВМФ. Ч.1. 1990 г. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. Киев.Вища шк.1987.

 Геноцид

Страны, лидировавшие в мировой экономике в предшествующий период, сталкиваются с обесценением капитала и снижением квалификации занятых в отраслях устаревающего технологического уклада, в то время как страны, успевшие создать заделы в формировании производственно-технологических систем нового технологического уклада. оказываются центрами притяжения капитала, высвобождающегося из устаревающих производств. Каждый раз смена доминирующих технологических укладов сопровождалась серьезными сдвигами в международном разделении труда, обновлением состава наиболее преуспевающих стран. Доминирующий сегодня технологический уклад начал складываться в целостную воспроизводственную систему в 50-60-е годы и стал технологической основой экономического роста после структурного кризиса 70-х годов. Ядро этого технологического уклада составляют микроэлектроника, программное обеспечение, вычислительная техника и технологии переработки информации, производство средств автоматизации, космической и оптико-волоконной связи. Развитие данного технологического уклада сопровождается соответствующими сдвигами в энергопотреблении (рост потребления природного газа), в транспортных системах (рост авиаперевозок), в производстве конструкционных материалов (рост производства комбинированных материалов с заранее заданными свойствами)

скачать реферат Прокатное и кузнечнопрессовое производство

В результате можно констатировать, что к настоящему времени в России уже практически исчезла не только собственная технологическая база для легкой промышленности, но и общая технологическая основа национального машиностроительного комплекса и современного приборостроения в целом, поскольку станкостроение производит «материнские машины» и определяет технологический уровень всех прочих машиностроительных производств, выпускающих оборудование для других отраслей промышленности, а без технологической базы для современной электроники, трудно рассчитывать на возможность развития современного приборостроения, которое определяет современный уровень не только машин и оборудования, но и современных товаров. В то же время при относительно неплохих стоимостных показателях роста объемов промышленного производства, продолжает оставаться крайне низкой интенсивность качественных сдвигов в состоянии большинства отраслей обрабатывающей промышленности. Объективно многие из них продолжают страдать от хронического недоинвестировання, следствием чего являются слишком медленные темпы модернизации их технологической базы.

скачать реферат Разработка программатора микросхем ПЗУ

1984. Бокуняев А.А., Борисов Н.М., Варламов Р.Г. Справочная книга конструктора - радиолюбителя. Под ред. Чистякова Н.И. - М.: Радио и связь, 1990. Борисенко А.С., Бавыкин Н.Н. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств. Уч. для техникумов - М.: Машиностроение, 1983. Бочаров Л.Н. Расчет электронных устройств на транзисторах. – М.: Энергия, 1978. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – Киев: Высшая школа, 1989. ГОСТ 2.105-95. Общие требования к текстовым документам. ГОСТ 2.109-73. Основные требования к чертежам. ГОСТ 2.702-75. Правила выполнения электрических схем. ГОСТ 3.1127-93. ЕСКД. Общие правила выполнения текстовых технологических документов. ГОСТ 3.118-82. Оформление текстовой документации. Григорьев О.П., Замятин В.Я. и др. Транзисторы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1989. Дъяков В.И. Типовые расчеты по электрооборудованию. Практическое пособие. – М.: Высшая школа, 1991. Ильин В.А. Технология изготовления печатных плат. – Л.: Машиностроение, 1984.

скачать реферат Разделение труда

Эта форма взаимодействия стала ускорителем структурной перестройки промышленности, ее отраслевых и межведомственных комплексов на новой технологической основе, в том числе на основе широкого применения электронных и информационных технологий. Международная специализация и кооперация производства соответствует высокому уровню развития производительных сил и выступает в качестве одной из объективных важнейших предпосылок дальнейшего развития интернационализации хозяйственной жизни, усиления взаимосвязи национальных хозяйств. Сейчас на внешнем рынке циркулируют сотни тысяч полуфабрикатов, аналоги которых еще полтора-два десятилетия назад обращались только на внутрифирменном уровне. Заключение. Именно разделение труда вызвало отделение друг от друга различных профессий и занятий, что способствовало в первую очередь увеличению производительности и чем выше ступень промышленного развития страны, тем дальше идет такое разделение. То, что в диком состоянии общества составляет работу одного человека, то в более развитом - выполняется несколькими. Труд, необходимый для производства какого-нибудь законченного предмета всегда распределяется между большим количеством людей.

скачать реферат Охрана природы в ОВД

Действующее природоохранное законодательство несовершенно, не учитывает больших изменений в данной сфере; в том числе: - повышения общественной опасности этих преступлений, - увеличения их числа с использованием достижений научно- технического прогресса (например, незаконный ввоз в страну для захоронения радиоактивных и химических отходов); - нарушения правил хранения и утилизации особо опасных веществ, порчи земли и др. Противоречия между целями предпринимательства и природоохраны выражаются в росте масштабов грабительского вывоза из страны природного сырья, особенно энергоносителей. Среди причин экологических преступлений, связанных с негативным воздействием на природную среду, надо назвать нарушения производственно-технологической основы, низкую правовую и экологическую культуру населения, о повышении которой проявляется недостаточная забота. Другая группа причин относится к практике извлечения природных ресурсов. Улучшение деятельности правоохранительных органов должно явиться важнейшим фактором, ведущим к сокращению количества преступлений в экологической сфере.

Матовая двусторонняя бумага для струйных принтеров "Lomond", 130 г/м2, 100 листов, А4.
Матовая бумага идеально подходит для печати изображений (например, иллюстрированных текстов), которые не должны утомлять глаз, но уступают
495 руб
Раздел: Фотобумага для цветной печати
Точилка механическая "KW-Trio", с контейнером, 1 отверстие.
Точилка механическая, с контейнером, 1 отверстие, 12 мм.
1751 руб
Раздел: Точилки
Конструктор электронный "Знаток", 999 схем + школа.
Электронный конструктор "Знаток" - это 21 практическое занятие для школы и множество схем для дополнительных занятий. Основная
3856 руб
Раздел: Инженерные, научно-технические
скачать реферат Дизайн

Технологическая основа его при этом не должна была кардинально переделываться. Ведущий худ. Группы (В. Коновалов) поставил перед собой цель – из одних и тех же унифицированных элементов сделать несколько разных по своему назначению и применяемому материалу типов утюга. Автор не только добился своей цели, но и сумел создать удивительно разнообразную серию, причём каждый из утюгов получил свой пластический характер, свой облик. Внешняя форма предмета Предмет утилитарного назначения характеризуется внешней формой и цветом, так же как произведение скульптуры и живописи. Рассмотрим прежде всего характеристики формы предмета как таковой, исключив всякое практическое и эстетическое его содержание. Самые простые - это известные нам основные геометрические формы: параллелепипед, призма, цилиндр, конус. Возможны и соединения этих геометрических тел, врезка и пересечение их в разных комбинациях. Огромное число предметов имеет еще более сложную форму с очертаниями двоякой кривизны, вхождением внешнего пространства в пределы этого предмета форма предмета может быть симметричной и асимметричной Симметрия известный термин Известно два основных вида симметрии - зеркальная и осевая.

скачать реферат Виды и формы обучения

В плане сказанного выше, разработка развивающих технологий обучения требует прежде всего ответа на два вопроса: Какова та система, которая должна быть «построена» в процессе обучения? Как должно вестись само «строительство»? Ответы на первый вопрос составляют структурные основы развивающего обучения и в конечном итоге сводятся к построению некой, будем называть ее рациональной, модели интеллекта. Они определяют цели, конечный образ того, что должно быть создано. Ответы на второй вопрос - технологические основы развивающего обучения, определяющие то, как должен быть организован учебный процесс для наиболее эффективного получения нужного результата. Рассмотрение этих вопросов носит узкоспециализированный характер и выходит за рамки реферата. Заключение Образование - часть процесса формирования личности. При помощи этого процесса общество передаёт знания, навыки от одного человека другим. В процессе обучения ученику навязываются определённые культурные ценности; процесс обучения направлен на социализацию личности, но иногда обучение конфликтует с истинными интересами ученика.

скачать реферат Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания

Для заданной полосы частот емкость конденсатора С2 должна быть равна десяткам микрофарад, возьмем 20 мкФ. Теперь рассчитаем стабилизатор напряжения с требуемыми параметрами. Входные цепи блока питания состоят из понижающего сетевого трансформатора и мостового выпрямителя. Схема стабилизатора напряжения показана на рис. 2. Так как потребляемая схемой мощность небольшая, в качестве стабилизатора DA1 возьмем специально предназначенную микросхему К142ЕН8А, обеспечивающую выходное напряжение 9 В и ток в нагрузке до 1 А. Данная микросхема обеспечивает коэффициент пульсаций на выходе примерно 0.03, что удовлетворяет заданию. Для нормальной работы напряжение на входе микросхемы должно быть не менее 12 Вольт, поэтому конденсаторы С1 и С2 выбираем на рабочее напряжение 25 В и емкостью 500 мкФ. Литература.1. Жеребцов И. П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. 2. Транзисторы: Справочник . - М.: Радио и связь, 1990. 3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. - М.: Радио и связь, 1990.

скачать реферат Разработка управления тюнером спутникового телевидения

После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения. 5ВVD1 R1 C1 Рисунок 3. 1.2.6. Запоминающие устройства. Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе. Приме-няемые Время Информа-цион Плотность Энергопо- элементы выборки,мс ная ёмкость размещ. требление информац., при бит/см3 хранении информац. БП V 50103 103300 Есть структуры Ферритовые 35020 Нет сердечники Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные. 1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.

скачать реферат Постиндустриальное общество

Даже в самых развитых странах (США, Япония, ФРГ, Швеция) общество еще весьма далеко от того, чтобы в полной мере стать постиндустриальным. До сих пор в них многие миллионы людей заняты простым трудом и подвергаются самой обычной капиталистичекой эксплуатации. И даже в этих странах, в особенности в США, существуют массы неграмотных, которые, естественно, остаются на обочине дороги в будущее. Разумеется, это препятствует постиндустриализации, консервирует старые отношения и старые технологии, а порой и восзодает их на новой технологической основе. Остаются нерешенными и глобальные проблемы - экологическая и проблема отсталости большинства стран Земли. Однако решить эти проблемы можно только на постиндустриальной основе. В свою очередь дальнейшая постиндустриализация немыслима без их решения. Интересным является положение в России. Явные тенденции к постиндустриализму в развитых странах и сравнение их с тем, что происходит в России, свидетельствуют скорее о разнонаправленности процессов, происходящих "там" и "тут", чем о том, что Россия начинает, наконец, развиваться "как все".

Контейнер "Аптечка", 9 литров.
Контейнер "Аптечка" - оптимальное решение для хранения лекарств. Снабжен вкладышем для сортировки небольших предметов:
380 руб
Раздел: 5-10 литров
Глобус "ELITE", двойная карта, диаметр 30 см, новая карта, подсветка.
Диаметр: 30 см. Двойная русифицированная физическая/политическая карта мира. Внутренняя подсветка. Утяжеленная подставка. Прозрачный
2831 руб
Раздел: Глобусы
Комплект универсальных обложек с липким слоем, 470x300 мм, 25 штук.
Обложки универсальные с липким слоем, 25 штук, размер 470x300 мм. Материала обложек: полипропилен. Плотность: 80 мкм.
360 руб
Раздел: Обложки для книг
скачать реферат Методы переоценки основных фондов. Значение переоценки

Учет основных средств по первоначальной стоимости, которая значительно оторвана от восстановительной в каждый конкретный момент, приводит к тому, что начисляемая амортизация не покрывает затраты на их воспроизводство на современной технологической основе. Переоценка основных фондов создает трудности в разработке бизнес - планов предприятий, бюджетов всех уровней. Эти планы и бюджеты составляются до планируемого года, когда еще неизвестны результаты переоценки основных фондов на 1 января этого года. А ведь эти результаты влияют на амортизационные отчисления, на размеры налога на имущество предприятий, на источники финансирования капитальных вложений, прироста оборотных средств предприятий, на цены продукции предприятий. Приведенные выше аргументы определили выбор темы курсовой работы. 1. Основные средства. 1.1. Понятие и классификация основных средств. Основные средства – это часть имущества, используемая в качестве средств труда при производстве продукции, выполнении работ или оказании услуг либо для управления организацией в течение периода, превышающего 12 месяцев.

скачать реферат Управление персоналом

Реформирование организаций Одно из существенных ограничений, которое должен учитывать современный руководитель — невозможность существования организации (длительно и эффективно) без изменений. Реформирование может проводиться двумя способами: медленные эволюционные изменения и динамичные, резкие и за короткое время революционные изменения.Для многих организаций процесс медленных эволюционных изменений невозможен в силу отсутствия ресурсов (финансовых, временных и заинтересованного управления). Поэтому для восстановления работоспособности многих предприятий может быть использован только метод революционных, парадигмальных изменений — реформирование организации в целом (организационной структуры, технологической основы, кадрового состава). Современная ситуация ряда постсоветских предприятий осложняется еще и рядом социально-кадровых аспектов: 1. на многих предприятиях сами работники являются собственниками, и именно от них теперь зависит, будет ли работать предприятие; 2. большая часть крупных предприятий является градообразующими и не может быть ликвидирована в силу социальных причин; 3. для многих регионов весьма низка вероятность привлечения другого персонала (в силу непривлекательности предприятия, региона, финансовых возможностей). 4. достаточно большая часть персонала по своим профессиональным характеристикам не имеет шансов на нахождение другой работы, и поэтому работа на нынешнем предприятии — ее единственная возможность.

скачать реферат Информационные технологии в бизнесе

Информационная технология включает в себя “козырные карты” современного информационного бизнеса: компьютеры, терминалы, компьютерное оборудование, оптическую аппаратуру, микрофильмы, лазерные диски, печатное оборудование и ксерокопирование. Это все базовые элементы инфраструктуры, определяющие основные стратегические цели развития бизнеса, поэтому выбор не является случайным. По мнению американского специалиста в области управления Г. Поппеля, под информационными технологиями (ИТ) следует понимать использование вычислительной техники и систем связи для создания, сбора, передачи, хранения, обработки информации для всех сфер общественной жизни. ИТ рассматривают и как часть (или элемент) информационного бизнеса — его некоторую технологическую основу, и как отдельный сектор инфраструктуры, часто развивающийся автономно. Тенденции развития информационных технологий Признавая как факт поразительные технологические достижения наступившей эры информационных технологий, американские специалисты спрогнозировали дальнейший прогресс в 90-е годы в этой области, движущей силой которого являются пять основных так называемых “информационных тенденций”.

скачать реферат Источники венчурного капитала и стимулирование инновационной активности в процессе антикризисного управления

В основе такого перехода лежат интенсивные формы использования венчурного капитала. Чтобы обеспечить ежегодный ВВП не менее чем на 4-5% в течение 20-25 лет, Россия должна реструктуризировать свою экономику на современной технологической основе. Особенно это относится к локомотиву экономики—промышленности, где износ основных фондов составляет 50%, а Доля производственного оборудования в возрасте свыше 15 лет -46%. Перед Россией стоит дилемма: либо она примет эффективные меры по стимулированию внутренних источников роста экономики и повышению конкурентоспособности предприятий, либо продолжится глобальный экономический спад 90-х годов. Особенно остро стоит вопрос об инвестициях, направляемых в инновационную сферу, в связи с тем, что кризис жестко затронул отрасли, работающие на внутренний рынок и в значительно меньшей степени—ориентированы на экспорт (ресурсодобывающие отрасли). На основе данных Всемирного экономического форума (ВЭФ) по рейтингу конкурентоспособности Россия среди 53 стран мира занимает последнее место.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.