телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВсё для хобби -30% Красота и здоровье -30% Видео, аудио и программное обеспечение -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

найти похожие
найти еще

Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Коврик для запекания, силиконовый "Пекарь".
Коврик "Пекарь", сделанный из силикона, поможет Вам готовить вкусную и красивую выпечку. Благодаря материалу коврика, выпечка не
202 руб
Раздел: Коврики силиконовые для выпечки
Карабин, 6x60 мм.
Размеры: 6x60 мм. Материал: металл. Упаковка: блистер.
44 руб
Раздел: Карабины для ошейников и поводков
В данной работе проводилось математическое моделирование процессов, происходящих в многоконтурном автодине на диоде Ганна. Для этого была составлена эквивалентная схема автодина (Рис. 2.1). Теоретическое описание характеристик выходного сигнала СВЧ- генератора на диоде Ганна основывалось на математическом описании процессов в многоконтурной эквивалентной схеме, элементы которой моделируют полупроводниковую структуру диода Ганна в виде параллельно соединённых ёмкости С3 и активного нелинейного сопротивления, определяемого по ВАХ диода I(U), элементы корпуса диода L3 , C4 , СВЧ-резонатор в виде последовательного C2 , L2 и параллельного L1 , Y1 , C1 контуров, низкочастотную часть схемы, состоящую из последовательного L7 , C6 и параллельного C7 , R5 , L6 контуров, дросселя L5 в цепи питания, шунтирующей ёмкости С5 и индуктивности связи L4 диода с НЧ-схемой. Эквивалентная схема описывается системой из четырнадцати дифференциальных уравнений (2.1-2.14), составленных на основе законов Кирхгофа. (2.1-2.4) Эквивалентная схема автодина на диоде Ганна. Эта система нелинейна и решалась численно методом Рунге-Кутта четвёртого порядка с автоматическим выбором шага . При расчёте использовалась типичная ВАХ диода Ганна , которая аппроксимировалась выражением вида: , (2.15)где D=0, при UЈU , D=2, при U>U , m0 =6000 см2/Вс, VS=8.5 106 см/с. Выражение (2.15) было программно модифицировано для случая ВАХ с гистерезисом. График использованной ВАХ диода Ганна приведён на рисунке 2.2. Вольт-амперная характеристика диода Ганна. Рис. 2.2. При решении системы учитывалась частотная зависимость СВЧ- нагрузки. По результатам решения системы (2.1-2.14) вычислялись мощности сигналов Pсвч , Pнч и величины продетектированных сигналов DUfg и DUkg в СВЧ- и НЧ-цепях соответственно: , (2.19) где I70 - постоянный ток через диод Ганна в отсутствии генерации. Нагрузка с волноводной системой была представлена в виде линии, нагруженной на комплексную проводимость отражающей поверхности (Рис.2.3). Рис. 2.3. Представление нагрузки в виде нагруженной линии. Комплексная проводимость нагрузки была выражена через коэффициент отражения волны от объекта (нагрузки). Для этого была решена система уравнений: ПАД - комплексные напряжение и ток падающей волны, ОТР - комплексные напряжение и ток отражённой волны. Коэффициент отражения представляет собой отношение амплитуд отражённой и падающей волн (2.22) В результате решения системы уравнений (2.20-2.21) было получено выражение для комплексной проводимости нагрузки , (2.23) где Z0 - волновое сопротивление пустого волновода, -магнитная проницаемость, -фазовая постоянная, l - расстояние до объекта. Для подстановки в систему (2.1-2.14) комплексная проводимость нагрузки (2.23) была представлена в виде действительной и мнимой компонент. (2.26) С учётом (2.25) и (2.26) параметры эквивалентной схемы СВЧ-нагрузки рассчитывались из соотношений: , если Im(Z)0. При расчёте величины продетектированного сигнала не учитывался вклад гармонических составляющих СВЧ-сигнала, с частотами равными 4f0, 5f0 и т.д., мощность которых составляла менее 1% мощности выходного сигнала СВЧ- генератора.

В данной работе мы рассмотрим использование полупроводниковых диодов в качестве СВЧ-автодинов. Сравнительные характеристики полупроводниковых СВЧ-диодов приведены в таблице 1. Таблица 1. Диод Мощность КПД Смещение Шумы ЛПД десятки ватт до 15% десятки Вольт 25 дБ ИПД десятки сотни милливатт единицы % милливольт около 5 дБ ДГ десятки зависит от милливатт - режима 4.5-11 Вольт 10-12 дБ единицы Ватт работы ТД единицы и сотни десятки единицы % милливольт около 5 дБ микроватт Процессы в полупроводниковых приборах описываются тремя основными уравнениями в частных производных : уравнением плотности тока, характеризующим образование направленных потоков заряда; уравнением непрерывности, отражающим накопление и рассасывание подвижных носителей заряда, и уравнением Пуассона, описывающим электрические поля в полупроводнике. Точное решение этих уравнений с учетом граничных условий в общем виде затруднительно даже на ЭВМ. Чтобы упростить анализ вводят эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. ТД представляют собой приборы, наиболее удобные для анализа, т.к. их эквивалентная схема более проста и точна, чем схемы других полупроводниковых приборов. С практической точки зрения ТД представляет собой интерес при создании маломощных автодинов в коротковолновой части сантиметрового диапазона. ИПД (BARI ) обладает малой генерируемой мощностью , но из-за низкого уровня шумов и малого напряжения питания являются перспективными для допплеровских автодинов. В работе исследована возможность измерения диэлектрической проницаемости материалов по величине продетектированного работающем в режиме генерации ЛПД сигнала. Использовался генератор волноводной конструкции (канал волновода 23 10 мм.) с ЛПД типа АА707, установленным в разрыве стержневого держателя. Измерения продетектированного сигнала проводилось компенсационным методом. Исследуемые диэлектрики, с предварительно определёнными значениями диэлектрической проницаемости на СВЧ, прикладывались к отверстию на выходном фланце генератора. Результаты проведённых исследований показали, что ход зависимости величины продетектированного сигнала от диэлектрической проницаемости зависит от конструкции измерительного генератора, в частности, от расстояния от плоскости расположения ЛПД до открытого конца волновода, к которому прикладывается исследуемых диэлектрик. ЛПД обеспечивает наибольшие КПД и мощность колебаний. Однако, в качестве недостатка можно отметить относительно высокий уровень шумов, обусловленный, в первую очередь, шумами лавинообразования. В ряде работ рассматривается возможность применения СВЧ- генераторов на диоде Ганна для измерения параметров материалов и сред. Отмечается преимущество данного способа измерения: исследуемый образец находится под воздействием СВЧ-мощности, а регистрация измерений производится на низкочастотной аппаратуре, имеющей высокую точность и отличающейся простой в эксплуатации. В настоящее время разработаны и изготовлены устройства для неразрушающего контроля, принцип действия которых основан на эффекте автодинного детектирования: измерители толщины металлодиэлектрических структур и диэлектрической проницаемости .

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

ШОТТ Фридрих Отто (1851-1935) - немецкий химик. Заложил основы современного производства стекла, создал многие виды специальных стекол. В 1884 основал стекольную фирму в Йене. ШОТТЕЛЬ (Schottel) Юстус Георг (1612-76) - немецкий писатель, теоретик литературы, филолог. Трактат "Детальное исследование главного немецкого языка" (1663). ШОТТКИ ДИОД - полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкого физика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как сверхбыстродействующий переключатель. ШОТТКИ ЭФФЕКТ - рост тока электронной эмиссии с поверхности твердого тела под действием электрического поля, ускоряющего электроны (уменьшающего работы выхода). Назван по имени немецкого физика В. Шоттки. ШОУ (Shaw) Джордж Бернард (1856-1950) - английский писатель. Один из учредителей социал-реформистского "Фабианского общества" (1884)

скачать реферат Эффект автодинного детектирования

Целью дипломной работы являлось исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурных СВЧ-генераторах на диоде Ганна для создания измерителей параметров материалов, вибрации и выявления особенностей их работы. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них, что можно понимать как проявление эффекта детектирования . Если прибор с отрицательным сопротивлением является активным элементом СВЧ-генератора, этот эффект называют эффектом автодинного детектирования. Исследование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах позволило создать устройства, совмещающие несколько радиотехнических функций в одном элементе (например, излучение и приём электромагнитных колебаний). Автодины на полупроводниковых генераторах, получившие к настоящему времени достаточно широкое применение, используются в основном для обнаружения движущихся объектов.

Беговел "Funny Wheels Rider Sport" (цвет: голубой).
Беговел - это современный аналог детского велосипеда без педалей для самых маленьких любителей спорта. Удобный и простой в
2900 руб
Раздел: Беговелы
Насадка на кран "Палитра", светодиодная.
Светодиодная насадка «Палитра» включается под напором воды и, в зависимости от ее температуры, подсвечивает проходящий поток в синий,
490 руб
Раздел: Ванная
Чайник эмалированный "Шиповник" EM-40X1/45, с керамической ручкой, 4 л.
Объем: 4 л. Внешнее высокопрочное трехслойное эмалевое покрытие. Внутреннее эмалевое покрытие, устойчивое к воздействию пищевых
1323 руб
Раздел: Чайники эмалированные
 АнтиМулдашев

Если откровенно — я просто не поверил всем фотоснимкам и авторитетным пояснениям. Поэтому с удовольствием принял предложение побывать в лаборатории, где занимаются исследованиями эффекта Кирлиан. Дальше все было как обычно: погас свет, включился генератор высокочастотного поля… Потом на моих глазах отрезали и отбросили часть листка. А он продолжал светиться так, будто был цельным! Дальше — больше. Сфотографировали свежесрезанный лист, полюбовались на прекрасное свечение, затем выключили генератор, осторожно пинцетом сняли лист с предметного столика — и снова включили генератор. Сфотографировали… И что же? На пустом предметном столике отчетливо светился листочек, который в это время целиком и полностью находился в другом конце лаборатории. Пространство «помнило» о листочке герани, и эта память была материализована высокочастотным электрическим полем! Александр Павлович Щедрин знаком с эффектом Кирлиан полтора десятка лет. Сейчас он руководит лабораторией биофизики Запорожского центра научно-технического творчества молодежи (ЦНТТМ)

скачать реферат Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Важной областью применения автодинов является контроль параметров материалов и сред. Применение эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред основано на установлении зависимостей величины продетектированного СВЧ-сигнала от параметров контролируемых величин: диэлектрической проницаемости и проводимости. Измерения с помощью приборов основаны на сравнение с эталонами, а точность измерения в основном определяется точностью эталонирования. Теоретическое обоснование возможности использования эффекта автодинного детектирования в диодных СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред проведено на основе численного анализа. Описание отклика диодного СВЧ-автодина может быть сделано на основе рассмотрения эквивалентной схемы генератора (Рис. 1.1), в которой комплексная проводимость Y определяется параметрами исследуемого материала и характеристиками электродинамической системы, а Yd - средняя проводимость полупроводникового прибора. YdY Рис. 1.1. Эквивалентная схема автодина на полупроводниковом диоде.

 Электронные системы охраны

В жестких строительных конструкциях, особенно не имеющих окон, более пригодны микроволновые устройства. Если риск не слишком велик, то приемлемы и более дешевые инфракрасные приборы пассивного действия, описанные в главе 17. Запатентованные устройства Как и в случае с ультразвуковыми устройствами, микроволновые детекторы производятся многими фирмами. Однако нельзя не отметить, что большинство запатентованных устройств не блещет оригинальностью и не использует полностью всех технических и эксплуатационных возможностей МКВ. Одной из первых фирм, появившихся на рынке с микроволновым детектором на диодах Ганна, была "Shorrock Security Systems". Ныне ассортимент продукции этой компании включает в себя работающие в диапазоне 3 см стационарные переносные камуфлированные модификации (виды) МКВ-детекторов. Фирма "Racal Security" после длительных исследований добилась снижения силы тока питания МКВ-детекторов со 150 миллиампер, потребных для диода Ганна, до 25 миллиампер. Основой прибора является полевой транзистор на базе арсенида галлия (тиристор), генерирующий волны длиной 3 см

скачать реферат Сверхвысокочастотные диоды

Так, смеси-тельные СВЧ диоды характеризуют потерями преобразования (от-ношение мощности СВЧ на входе к мощности промежуточной час-тоты на выходе диода), шумовым отношением (отношение мощно-сти шумов на выходе диода в рабочем режиме к мощности тепловых шумов активного сопротивлению диода), нормированным коэффи-циентом шума, характеризующим обобщенную чувствительность приемного устройства, и дифференциальным выходным сопротив-лением. В ряде случаев электрический параметр определяет не толь-ко свойства самого СВЧ диода, но и свойства конкретного СВЧ уст-ройства, в котором установлен данный диод. Следует иметь в виду, что мощность, при которой происходит "выгорание" диода, сопровождающееся необратимыми ухудшения-ми вольтамперной характеристики или пробоем, весьма мала. По-этому необходимо исключить всякие непредусмотренные воздейст-вия и принять нужные меры защиты как при работе, так и при хра-нении СВЧ диода (например, недопустим разряд через диод стати-ческого электричества, накопленного на теле оператора; хранение диода в металлическом патроне и др.). В устройствах миллиметрового диапазона волн (особенно инте-гральных) для построения мощных СВЧ усилителей широко приме-няют лавинно-пролетные диоды, а для построения СВЧ генераторов диоды Ганна.

скачать реферат Исследование возможности использования эффекта автодинного детектирования в генераторах на диоде Ганна для контроля параметров вибрации

Существование частотных зависимостей объясняется чисто математическими особенностями машинных методов вычисления интегралов ( в частности метода трапеций ), оказывающих свое влияние на вычисления выражений (4.29) и (4.30). Кроме того, на вычисления повлиял тот факт, что в выражении (4.28) L( ) принимает значения L0 dl(1-0.8) в течение большего ~ промежутка времени, чем остальные значения, что приводит к нн суммированию в основном крайних значений Pсвч(L) и Vдет(L). С ростом частоты вибрации эти эффекты становятся менее заметными, чтот приводит к исчезновению частотных зависимостей. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ~~~~~~~~~~~~~ При выполнении дипломной работы были получены следующие результаты: 1. Проведен анализ современного состояния проблемы измерения параметров вибрации. 2. Построена теоретическая модель автодинного генератора на диоде Ганна, описано влияние пространственного положения нагрузки на параметры элементов эквивалентной схемы. 3. На основе построенной модели составлено две программы для расчета параметров автодина на диоде Ганна. 4. Проведено моделирование работы автодина на диоде Ганна при различных напряжениях питания диода Ганна.

скачать реферат Численный расчет диода Ганна

При этом, из-за различия эффективных масс в разных долинах, зависимость скорости электронов от величины приложенного поля такова: Это происходит в силу того, что электроны, набирая начальную скорость, находятся в нижней долине, где их эквивалентная масса мала. При некотором значении энергии электроны начинают попадать во вторую долину, теряя при этом 0,36 Эв энергии. Кроме того, в верхней долине их эквивалентная масса велика, поэтому они ускоряются полем значительно медленнее, чем в нижней. Диод Ганна работает в импульсном режиме, когда активизируется его отрицательное дифференциальное сопротивление. Для этого в теле полупроводника возле катода создается область повышенного легирования, излучающая порции (сгустки) электронной плазмы. При этом электроны концентрируются благодаря эффекту Ганна, и сгусток устремляется к аноду, вызывая во внешней цепи импульс тока. Температурная модель диодов Ганна Исследования данной проблемы методом Монте-Карло показали, что основным недостатком применяемых до сих пор методов (например, локально-полевого) является то, что они не учитывают конечность времени разогрева электронов в нижней долине и конечность времени междолинного перехода, что делает их непригодными в диапазоне миллиметровых волн.

скачать реферат Численный расчет диода Ганна

При этом, из-за различия эффективных масс в разных долинах, зависимость скорости электронов от величины приложенного поля такова: Это происходит в силу того, что электроны, набирая начальную скорость, находятся в нижней долине, где их эквивалентная масса мала. При некотором значении энергии электроны начинают попадать во вторую долину, теряя при этом 0,36 Эв энергии. Кроме того, в верхней долине их эквивалентная масса велика, поэтому они ускоряются полем значительно медленнее, чем в нижней. Диод Ганна работает в импульсном режиме, когда активизируется его отрицательное дифференциальное сопротивление. Для этого в теле полупроводника возле катода создается область повышенного легирования, излучающая порции (сгустки) электронной плазмы. При этом электроны концентрируются благодаря эффекту Ганна, и сгусток устремляется к аноду, вызывая во внешней цепи импульс тока. Температурная модель диодов Ганна Исследования данной проблемы методом Монте-Карло показали, что основным недостатком применяемых до сих пор методов (например, локально-полевого) является то, что они не учитывают конечность времени разогрева электронов в нижней долине и конечность времени междолинного перехода, что делает их непригодными в диапазоне миллиметровых волн.

Папка для труда, А4, на липучке.
Удобная папка для уроков труда на липучках. Полностью раскрывается. Внутри папки находится большое отделение с прозрачным окном, а также
366 руб
Раздел: Папки для труда
Набор "Леди Баг и Супер Кот" Дизайн 1, 3 предмета (в подарочной упаковке).
Набор из трех предметов (кружка, салатник, тарелка) в подарочной упаковке с изображением героини из мультсериала "Леди Баг и Супер
454 руб
Раздел: Наборы для кормления
Качели со столиком, арт. 15-10960.
Летом на даче не обойтись без качелей со столиком. Ведь они предназначены для самых маленьких. Качели можно подвесить с помощью
770 руб
Раздел: Качели
скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

При этом ток достигает максимального значения, равного (рис.4, в) (2) Такой режим работы диода Ганна называют пролетным режимом. В пролетном режиме ток через диод представляет собой импульсы, следующие с периодом . Диод генерирует СВЧ-колебания с пролетной частотой , определяемой в основном длиной образца и слабо зависящей от нагрузки (именно такие колебания наблюдал Ганн при исследовании образцов из GaAs и I Р). Электронные процессы в диоде Ганна должны рассматриваться с учетом уравнений Пуассона, непрерывности и полной плотности тока, имеющих для одномерного случая следующий вид: ;(3) .(4) Рис.4. Эквивалентная схема генератора на диоде Ганна (а) и временные зависимости напряжения (б) и тока через диод Ганна в пролетном режиме (в) и в режимах с задержкой (г) и гашением домена (д). Мгновенное напряжение на диоде . Полный ток не зависит от координаты и является функцией времени. Часто коэффициент диффузии считают не зависящим от электрического поля. В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки диод Ганна, как генератор и усилитель СВЧ-диапазона, может работать в различных режимах: доменных, ограничения накопления объемного заряда (ОНОЗ, в иностранной литературе LSA–Limi ed Space Charge Accumula io ), гибридном, бегущих волн объемного заряда, отрицательной проводимости.

скачать реферат Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

Видно, что значения не превышают 20%. Повысить к.п.д. генераторов на диодах Ганна можно за счет использования более сложных колебательных систем, позволяющих обеспечить временные зависимости тока и напряжения на диоде, показанные на рис.9. Разложение функций дает значения электронного к. п. д. для диодов Ганна из GaAs 25 %. Достаточно хорошее приближение к оптимальной кривой получается при использовании второй гармоники напряжения. Другой путь повышения к.п.д. состоит в применении в диодах Ганна материалов с большим отношением . Так, для фосфида индия оно достигает 3,5, что увеличивает теоретический электронный к. п. д. диодов до 40 %. Следует иметь в виду, что электронный к.п.д. генераторов на диодах Ганна уменьшается на высоких частотах, когда период колебаний становится соизмеримым с временем установления ОДП (это проявляется уже на частотах ~30 ГГц). Инерционность процессов, определяющих зависимость средней дрейфовой скорости электронов от поля, приводит к уменьшению противофазной составляющей тока диода.

скачать реферат Квантовые компьютеры

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РФ АСТРАХАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ кафедра теоретической физики РЕФЕРАТ на тему: «Квантовые компьютеры» Выполнил: студент 154 группы ФМФ Безниско Евгений. Руководитель: к.ф.-м.н., доцент Джалмухамбетов А.У. Астрахань – 2000 г. Предпосылки создания квантовых компьютеров. Уже сейчас существует множество систем, в работе которых квантовые эффекты играют существенную роль. Одним из наиболее известных примеров может служить лазер: поле его излучения порождается квантово-механическими событиями - спонтанным и индуцированным излучением света. Другим важным примером таких систем являются современные микросхемы - непрерывное ужесточение проектных норм приводит к тому, что квантовые эффекты начинают играть в их поведении существенную роль. В диодах Ганна возникают осцилляции электронных токов, в полупроводниках образуются слоистые структуры: электроны или дырки в различных запертых состояниях могут хранить информацию, а один или несколько электронов могут быть заперты в так называемых квантовых ямах.

скачать реферат Физические основы электроники

Например, если полупроводник электронный и к нему прикладывается отрицательное напряжение, то под действием электрического поля у Рисунок 1.22 Образование обогащенного Рисунок 1.23 График изменения типа слоя на поверхности полупроводника электропроводности на поверхности -типа. полупроводника. поверхности увеличиваются концентрация электронов и электропроводность приповерхностного слоя полупроводника (см. рис. 1.22). При изменении полярности напряжения концентрация электронов в приповерхностном слое уменьшается, а дырок - увеличивается. В связи с этим электропроводность приконтактной области уменьшается, стремясь к собственной. Увеличение напряжения приводит к тому, что концентрация дырок становится выше концентрации электронов и происходит изменение (инверсия) типа электропроводности слоя. При этом электропроводность приповерхностного слоя увеличивается. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника -типа от напряжения показана на рис. 1.23. Это явление принято называть эффектом поля. 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 2.1 Классификация Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам: - методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.; - физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды. диоды Ганна и др.; - назначению: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смесительные, СВЧ-диоды и др.

скачать реферат Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией

Вычертить: принципиальную электрическую схему оконечного мощного каскада связного передатчика с частотной модуляцией. Задание на проектирование №14. В данном техническом задании необходимо спроектировать устройство (оконечный каскад связного передатчика с частотной модуляцией), удовлетворяющее следующим требованиям: Диапазон рабочих частот F, МГц.42 - 48 Мощность передатчика Р1, Вт.6 Подавление внеполосных излучений, Дб.40 Девиация частоты, кГц.5 Относительная нестабильность частоты10-5 Питание от сети 220В 50Гц: Сопротивление фидера, Ом.75 2. Выбор, описание и обоснование структурной схемыСуществует несколько способов получения частотной (ЧМ) (фазовой (ФМ)) модуляции . Угловая модуляция может быть получена прямым способом, когда модулируется непосредственно частота автогенератора передатчика, или косвенным, когда в промежуточном каскаде передатчика производится фазовая модуляция. Структурные схемы передатчиков с этими способами модуляции приведены на рис. 2.1 и 2.2. Рис. 2.1 Структурная схема передатчика с прямой ЧМ. Рис. 2.2 Структурная схема передатчика с косвенной ЧМДругими словами, прямую частотную модуляцию осуществляют: в полупроводниковых генраторах путём изменения параметров колебатльного контура с помощью варикапов, варикондов, реактивного транзистора, нелинейной индуктивности, железоитериевого граната (на частотах от нескольких сот мегагерц до десятков гигагерц); в диодных генераторах (на тунельном диоде, ЛПД, диоде Ганна) путём изменения напряжения смещения на диоде; в транзисторных RC–генераторах путём изменения режима работы транзистора (тока коллектра, напряжения смещения на переходе эмиттер-база).

Фотобумага "Lomond" для струйной печати, А4, 230 г/м, 50 листов, односторонняя, матовая.
Формат: А4 (210х297 мм). Плотность - 230 г/м2. Матовая. Односторонняя. Упаковка - 50 листов.
370 руб
Раздел: Фотобумага для цветной печати
Канистра-бочонок со сливом, 20 л.
Изготовлена из пищевого полиэтилена. Пригодна для хранения питьевой воды. Имеет герметичную крышку, позволяющую полностью избежать
443 руб
Раздел: Баки, канистры
Настольная игра "Эволюция".
Разнообразие живых организмов, населяющих нашу планету, поистине поражает. Теория эволюции объясняет это различием способов, которые
1090 руб
Раздел: Карточные игры
скачать реферат Лавинно-пролетный диод

Это касается, в частности, соображений о влиянии объемного заряда подвижных носителей на колебательные свойства генератора на лавинно-пролетном диоде. Попадая в пролетное пространство, основные носители частично нейтрализуют пространственный заряд ионов примеси и снижают поле в слое умножения. Этот эффект облегчает условия самовозбуждения генератора на частотах выше характеристической и препятствует возникновению паразитных колебаний на более низких частотах, где активное сопротивление диода положительно. Вместе с тем, ЛПД имеет специфические особенности, связанные с лавинной природой тока, из которых принципиальной является одна: сдвиг по фазе между полем и током в слое умножения, вследствие конечной ширины последнего, как правило, превышает (/2, и слой умножения сам по себе уже обладает отрицательным сопротивлением. В большинстве практически реализуемых р-п структур этот эффект является второстепенным, однако для одного класса диодов он играет решающую роль, определяя основные особенности их высокочастотных характеристик.

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Эти две структуры необычайно похожи на появившиеся позднее инжекционно-пролетные диоды (ИПД). В той же статье Шокли обсуждает возможность создания двухэлектродного прибора, представляющего собой просто однородный полупроводник, в котором под действием сильного электрического поля могут наблюдаться отклонения от закона Ома, приводящие к возникновению отрицательного дифференциального сопротивления. Отклонение от закона Ома выражается в понижении скорости носителей с увеличением напряженности поля, т.е. в появлении области отрицательной дифференциальной подвижности. Однако практической реализации эта идея не получила из-за ряда теоретических недоработок. И только в 1963г. Ганном были получены первые экспериментальные данные о существовании пролетных колебаний, связанных с этим свойством, в GaAs и I P . А приборы, использующие этот эффект, получили наименование «Диоды Ганна» или «приборы на эффекте объемного отрицательного сопротивления». Интересный двухэлектродный прибор с отрицательным сопротивлением, действующий на новом принципе – туннельный диод, был открыт в 1957г. японским физиком Эсаки . На прямой ветви в.а.х. очень узкого германиевого p- -перехода (т.е. перехода, созданного на сильнолегированном материале) был обнаружен участок отрицательного сопротивления конечной величины.

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Эти две структуры необычайно похожи на появившиеся позднее инжекционно-пролетные диоды (ИПД). В той же статье Шокли обсуждает возможность создания двухэлектродного прибора, представляющего собой просто однородный полупроводник, в котором под действием сильного электрического поля могут наблюдаться отклонения от закона Ома, приводящие к возникновению отрицательного дифференциального сопротивления. Отклонение от закона Ома выражается в понижении скорости носителей с увеличением напряженности поля, т.е. в появлении области отрицательной дифференциальной подвижности. Однако практической реализации эта идея не получила из-за ряда теоретических недоработок. И только в 1963 г. Ганном были получены первые экспериментальные данные о существовании пролетных колебаний, связанных с этим свойством, в GaAs и I P . А приборы, использующие этот эффект, получили наименование «Диоды Ганна» или «приборы на эффекте объемного отрицательного сопротивления». Интересный двухэлектродный прибор с отрицательным сопротивлением, действующий на новом принципе – туннельный диод, был открыт в 1957 г. японским физиком Эсаки . На прямой ветви в.а.х. очень узкого германиевого p- -перехода (т.е. перехода, созданного на сильнолегированном материале) был обнаружен участок отрицательного сопротивления конечной величины.

скачать реферат Диаграмма направленности антенны

Методика снятия характеристики направленности антенны Исследуемая антенна работает на прием. Она имеет возможность вращаться вокруг оси, перпендикулярной к плоскости, в которой снимается характеристика направленности. К выходу антенны подключен кристаллический детектор с усилителем У3-29 и ВК7-27. Так как при слабых сигналах детектор имеет квадратичную вольтамперную характеристику, показания индикатора ВК7- 27 соответствуют квадрату напряженности поля, наводимого в исследуемой антенне. В качестве источника электромагнитных волн используется антенна, работающая на передачу. Передающая антенна в данном случае неподвижна и удалена от исследуемой антенны на расстояние определяется по одной из формул: (2), (3) или (4) ). Для снятия характеристики направленности исследуемую антенну поворачивают на некоторый угол и фиксируют показания связанного с ней прибора. Операцию повторяют до тех пор, пока исследуемая антенна не будет повернута на 360. По полученным данным строят ДН исследуемой антенны. Экспериментальное снятие характеристики направленности директорной и рупорной антенн осуществляется с помощью установки, структурная схема которой приведена на рис.8. При исследовании директорной антенны в качестве генератора 1 применяется Г3-21, а рупорной - 51И.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.