телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАТовары для дачи, сада и огорода -30% Одежда и обувь -30% Всё для хобби -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения

найти похожие
найти еще

Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
И их используют в основном для модуляции колебаний высокой частоты и для измерительных приборов. Для любого диода существуют некоторые предельно допустимые пределы прямого и обратного тока, зависящих от прямого и обратного напряжения и определяющи его выпремляющие и прочностные св-ва. Транзисторы , как и диоды, чувствительны к температуре и перегрузке и проникающим излучением. Транзисторы в отличие от радиоламп сгорают от неправильного подключения.----------------------- Рисунок 4 Рисунок 6

В электронной лампе носители заряда электроны возникают за счет нагревания катода. В p- переходе носители заряда образуется при введении в кристалл акцепторной или донорной примеси.Таким образом, здесь отпадает необходимость источника энергии для получения носителей заряда. В сложных схемах экономия энергии, получается за счет этого, оказывается весьма значительной значительной. Кроме того, полупроводниковые выпрямители при тех же значениях выпрямленого тока более миниатюрны, чем ламповые. Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния. селена и других веществ. Рассмотрим как создается p- переход при использовании днорной примеси, этот переход не удастся получить путем механического соеденения двух полупроводников различных типов, т.к. при этом получается слишком большой зазор между полупроводииками.Эта толщина должна быть не больше межатомных растояний. По этому в одну из поврхностей образца вплавляют индий. Вследствие диффузии атомов индии индия в глубь монокристалла германня у поверхности германия преобразуется область с проводимцстью р-типа. Остальная часть образца германии, в которуй атомы индмя нс проникли, по-прежнему имеет проводимосгь -типа. Между областями возникает p- переход. Вполупроводниковом диоде германий служит катодом, а индий - анодом. На рисунке 1 показано прямое (б) и обратное (в) подсоеденение диода. Вольт-Амперная характеристика при прямом и обратном соединении показана на рисунке 2. Заменили лампы, очень широко используются в техники, в основном для выпрямителей, также диоды нашли применение в различных приборах. Транзистор. Рассмотрим один из видов транзистора из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника -типа между двумя слоями полупроводника р-типа рис. 3. Эту тонкую прослойку называют основанием или базой.В кристалле образуются два р- -перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 3. При данном включении левый р— переход является прямым и отделяет базу от области с проводимостью р-типа, называемую эмитером. Если бы не было правого р – -перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напря- жения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого пе- рехода эмиттер — база. Батарея Б2 включена так, что правый р- -переход в схеме (см. рис. 3) является обратным. Он отделяет базу от правой области с проводимостью р-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого p— - перехода, сила тока и цепи коллектора была бы близка к нулю. Так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом р — переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р-типа — дырки проникают в базу, гдр они являютс уже леосновными носителями.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Физические эффекты и явления

Основная область применения электролюминесценсии - индикаторные устройства, подсветка шкал, преобразователи изображения. Применение электролюминофоров считают перспективным для создания телевизионных экранов. 15.3.2. Инжекционная электролюминесценция (эффект Лосева). Свечение возникает под действием зарядов, инжектируемых в полупроводниковые кристаллы. При пропускании тока через полупроводниковый диод в области перехода инжектируются избыточные носители тока (электроны и дырки), рекомендация которых сопровождается оптическим излучением (3). Широкое применение основанных на этом эффекте светодиодов обусловленно следующими их особенностями: высокая надежность (срок службы 10 в шестой степени часов), малое энергопотребление (1,5-30 В, 10 мА), малая инерционность (10 в минус девятой степени сек.), высокая яркость свечения в зеленой, красной и инфракрасной областях спектра. А.с. 245 892: Устройство для регистрации электрических сигналов на фотопленку, содержащее источник электрических сигналов, измерительный механизм и механизм протягивания пленки, отличающийся тем, что с целью повышения надежности и упрощения конструкции, в нем измерительный механизм выполнен ввиде полупроводникового электролюминесцентного преобразователя, состоящего из кристалла полупроводника с широкой запрещенной зоной, содержащего p-n-переход и контакты с выводами, служащими для пропускания тока электролюминесценции и тока управления площадью свечения. 15.4

скачать реферат Шпаргалка с билетами по физике, 11 класс

Все состояния, кроме одного, являются стационарными условно, и только в одном – основном, в котором электрон обладает минимальным запасом энергии – атом может находиться сколь угодно долго, а остальные состояния называются возбужденными. 2) Электронно-дырочный переход и его свойства. Полупроводниковый диод и его применение. Полупроводниковый диод состоит из p- перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости. При соединении происходит диффузия электронов в р-полупроводник. Это приводит к появлению в электронном полупроводнике нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в дырочном – отрицательных ионов акцепторной примеси, захвативших продиффундировавшие электроны. Между двумя слоями возникает электрическое поле. Если на область с электронной проводимостью подать положительный заряд, а на область с дырочной – отрицательный, то запирающее поле усилится, сила тока резко понизится и почти не зависит от напряжения. Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде – обратным. Если на область с дырочной проводимостью подать положительный заряд, а на область с электронной – отрицательный, то запирающее поле ослабится, сила тока через диод в этом случае зависит только от сопротивления внешней цепи.

Кружка "Вязанная", синяя.
Долгими зимними вечерами, в осеннюю слякоть или весеннюю распутицу приятно согреться кружкой чего-нибудь горячего, особенно, если она тоже
378 руб
Раздел: Кружки
Набор детской посуды "Морские животные" (3 предмета).
Набор детской посуды "Морские животные" в подарочной упаковке. В наборе 3 предмета: - кружка 240 мл; - тарелка 19 см; - миска 18
310 руб
Раздел: Наборы для кормления
Пакеты фасовочные "Экстра" в евроупаковке, 24х37 см (1000 штук), 8 мкм.
Пакеты фасовочные из пищевого полиэтилена низкого давления, используется для фасовки, хранения и перевозки пищевых и непищевых
378 руб
Раздел: Пакеты для продуктов
 Большая Советская Энциклопедия (ГИ)

Гибридная интегральная схема Гибри'дная интегра'льная схе'ма, гибридная микросхема, интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.   Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в Г. и. с. изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.). Навесные элементы крепят на одной подложке с. плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. Г. и. с.., как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение Г. и. с. в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.   И. Е. Ефимов

скачать реферат МОП-транзисторы

Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах. Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса ). Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия , сульфид цинка и широко зонные проводники . Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые. Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора МОП- структуры (Металл- Окисел- Полупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры. МОП – ТРАНЗИСТОРЫ 1.

 Большая Советская Энциклопедия (ЛА)

Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f0/fn, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).   Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p+-n-i-n+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р+-n и р-n+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).   Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ, М., 1968.   В. М. Вальд-Перлов. Лавинный транзистор Лави'нный транзи'стор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя

скачать реферат Программа вступительных экзаменов по физике в 2004г. (МГУ)

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. p- -переход и его свойства. Полупроводниковый диод. Транзистор. Термистор и фоторезистор. Электрический ток в газах. Самостоятельный и несамостоятельный разряды. Понятие о плазме. III.3. Магнетизм Магнитное поле. Действие магнитного поля на рамку с током. Индукция магнитного поля (магнитная индукция). Линии магнитной индукции. Картины линий индукции магнитного поля прямого тока и соленоида. Понятие о магнитном поле Земли. Сила, действующая на проводник с током в магнитном поле. Закон Ампера. Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Магнитные свойства вещества. Гипотеза Ампера. Ферромагнетики. III.4. Электромагнитная индукция Магнитный поток. Опыты Фарадея. Явление электромагнитной индукции. Вихревое электрическое поле. Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца. Самоиндукция. Индуктивность. ЭДС самоиндукции. Энергия магнитного поля. III.5. Электромагнитные колебания и волны Переменный электрический ток. Амплитудное и действующее (эффективное) значение периодически изменяющегося напряжения и тока. Получение переменного тока с помощью индукционных генераторов. Трансформатор. Передача электрической энергии. Колебательный контур.

скачать реферат Расчёт усилителя мощности звуковой частоты

Ниже приведена схема спроектированного усилителя. Рис.9 Схема электрическая принципиальная спроектированного УМЗЧ. Список использованных источников В.В. Богданов. Расчет усилительных схем на дискретных элементах: Методические указания. - Пенза, 1991. -18 с. Н.И. Чистяков. Справочник радиолюбителя - конструктора. - Москва, 1983. - 560 с. Горюнов Н.Н., Клейман А.Ю., Комков Н.Н. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. - Москва, 1976. -744 с.

скачать реферат Проектирование приемного устройства

Для преобразователя частоты в качестве исходных данных используют: -частота сигнала; -частота гетеродина; -промежуточная частота; -максимальное напряжение на выходе схемы гетеродина; в данном курсовом проекте используется транзисторный преобразователь частоты по схеме с общим эмиттером. Такие схемы позволяют получить наибольший коэффициент преобразования и наибольшее входное сопротивление. Связь смесительного транзистора с гетеродином в большенстве случаев осуществляется с помощью катушки связи, включаемой в эмиттерную цепь смесителя. Такая схема обеспечивает наименьшую нагрузку гетеродина. Данный приёмник можно широко использовать в войсках, на борта военных и гражданских самолетах, в отрядах МЧС и т.д. Список используемой литературы: 1.Бобров Н.В., Максимов Г.В., Мичурин В.И., Николаев Д.П. «Расчёт радиоприёмников». М.1971г 2.Павлов К.М., Екимов В.Д. «Проектирование радиоприёмных устройств». Из-во «Связь»-1970г. 3.Под общей редакцией Горюнова Н.Н. «Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным микросхемам». М. «Энергия»-1979г. 4.Криницин В.В., Сергеев В.Г. «Методические указания и задания к курсовому проектированию по дисциплине «Приём о обработка сигналов» для студентов IV курса». МГТУ ГА-1994г.

скачать реферат Билеты по физике; развернутый план

Квантовые постулаты Бора. 1. Опытные факты, подтверждающие сложность строения атома 2. Опыт Резерфорда: цель схемы опыта результат опыт из анализа результатов 3. Планетарная модель атома Резерфорда. 4. Трудности этой теории. 5. Формулировка постулатов Бора. 6. Указать трудности теории Бора. 7. Понятие квантовой механики. II. Электронно-дырочный переход и его свойства. Полупроводниковый диод и его применение. 1. Понятие p- перехода. 2. Включение р- перехода в прямом и обратном направле- нии. 3. Вольт-амперная характеристика р- перехода. 4. Устройство полупроводникового диода. 5. Использование полупроводникового диода. III. Задача на расчет силы при движении тела по окружности. 1. Указать силы, действующие на тело. 2. Выбрать систему координат. 3. Записать 2 закон Ньютона. 4. Записать проекцию на ось Х. 5. Записать формулу центростремительного ускорения. 6. Выразить искомую величину в общем виде. 7. Выполнить действия с наименованиями. 8. Произвести вычисления. 9. Провести анализ результата.БИЛЕТ 24 I. Состав ядра атома. Изотопы. Энергия связи. 1. Основные экспериментальные факты, лежащие в основе построения модели ядра (опыты Резерфорда, существование изотопов, открытие нейтрона). 2. Основные положения протонно-нейтронной модели ядра. 3. Обьяснение на ее основе устойчивости ядра элементов таблицы Менделеева. 4. Определение энергии связи. 5. Формула для расчета энергии связи ядра атома. II. Электрический ток в полупроводниках.

Умные кубики. Контуры. 50 игр для развития интеллекта.
IQ-кубики "Контуры" - универсальный набор интеллектуальных игр для дошкольников. IQ-кубики помогают развивать моторную и
306 руб
Раздел: Развивающие игры с кубиками
Тетрадь на резинке "Elements", В5, 120 листов, клетка, синяя.
Тетрадь общая на резинке. Формат: В5. Количество листов: 120 в клетку. Бумага: офсет. Цвет обложки: синий.
401 руб
Раздел: Прочие
Горка детская большая (2 м).
Горка предназначена для игры на свежем воздухе или в игровой комнате. Есть возможность подключить воду. Игрушка выполнена из качественного
8450 руб
Раздел: Горки
скачать реферат Электронно-дырочный переход

Для режима коротких импульсов, когда Для диода с тонкой базой при - время диффузии носителей заряда сквозь базу. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в технике. В основе применения полупроводниковых диодов лежит ряд их свойств, таких, как асимметрия вольт-амперной характеристики, обратный пробой дырочного перехода, зависимость барьерной емкости от напряжения и т. д. В зависимости от вида используемого свойства, т. е. от назначения, различают шесть основных функциональных типов электропреобразовательных полупроводниковых диодов: выпрямительные (силовые) высокочастотные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, варикапы варакторы). Выпрямительные диоды Резкую асимметрию вольт-амперной характеристики р- -перехода широко используют для выпрямления переменного тока низкой частоты. Приборы, предназначенные для этой цели, называются выпрямительными диодами, они являются одним из наиболее распространенных типов полупроводниковых диодов. В выпрямительных диодах электронно-дырочный переход имеет большую площадь, обеспечивающую получение выпрямленных токов требуемой величины. Для изготовления выпрямительных диодов широко используют кремний, имеющий более высокую допустимую температуру и более низкую цену по сравнению с германием.

скачать реферат Полупроводниковые датчики температуры

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО СХЕМОТЕХНИКЕ ТЕМА: «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ» ВЫПОЛНИЛИ СТУДЕНТЫ ФПК 3-2 Мазилина Е.А. Мазилин С.В. Москва 2001г. ПЛАН КУРСОВОЙ РАБОТЫ. 1. ВВЕДЕНИЕ. 2. ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ. 3. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ. 4. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ. 1. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. 2. Датчики температуры на основе терморезисторов. 3. Пленочные полупроводниковые датчики температуры. 5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ 6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. ВВЕДЕНИЕ Стремительное развитие электроники и вычислительной техники оказалось предпосылкой для широкой автоматизации самых разнообразных процессов в промышленности, в научных исследованиях, в быту. Реализация этой предпосылки в значительной мере определялась возможностями устройств для получения информации о регулируемом параметре или процессе, т.е. возможностями датчиков. Датчики, преобразуя измерительный параметр в выходной сигнал, который можно измерить и оценить количественно, являются как бы органами чувств современной техники. 2. ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ Среди широкого разнообразия измерительных параметров одним из основных является температура.

скачать реферат Полупроводники

Сплавы же e - Se, богатые Se ведут себя иначе, их электропроводность имеет чисто полупроводниковый характер. В Жидких полупроводниках роль запрещенной зоны играет область энергии вблизи минимума плотности состояний в энергетическом спектре электронов. При достаточно глубоком минимуме в его окрестности появляеся зона почти локализованных состояний носителей зарядов с малой подвижностью (псевдощель). Если при повышении температуры происходит «схлопывание» псевдощелей, жидкий полупроводник превращается в металл. Использование полупроводников.Наиболее важные для техники полупроводниковые приборы - диоды, транзисторы, тиристоры основаны на использовании замечательных материалов с электронной или дырочной проводимостью. Широкое применение полупроводников началось сравнительно недавно, а сейчас они получили очень широкое применение. Они преобразуют свтовую и тепловую энергию в электрическую и, наоборот, с помощью электричества создают тепло и холод. Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах.

скачать реферат Кремний

При вращении монокристаллов пользуются методом Чохральского, заключающимся в следующем: в расплавленный материал опускают стержень, на конце которого имеется кристалл данного материала; он служит зародышем будущего монокристалла. Стержень вытягивают из расплава с небольшой скоростью до 1-2 мм/мин. В результате постепенно выращивают монокристалл нужного размера. Из него вырезают пластинки, используемые в полупроводниковых приборах. Применение.Специально легированный К. широко применяется как материал для изготовления полупроводниковых приборов (транзисторы, термисторы, силовые выпрямители тока, управляемые диоды — тиристоры; солнечные фотоэлементы, используемые в космических кораблях, и т. д.). Поскольку К. прозрачен для лучей с длиной волны от 1 до 9 мкм, его применяют в инфракрасной оптике (см. также Кварц). К. имеет разнообразные и всё расширяющиеся области применения. В металлургии К. используется для удаления растворённого в расплавленных металлах кислорода (раскисления). К. является составной частью большого числа сплавов железа и цветных металлов. Обычно К. придаёт сплавам повышенную устойчивость к коррозии, улучшает их литейные свойства и повышает механическую прочность; однако при большем его содержании К. может вызвать хрупкость.

скачать реферат Негатроника. Исторический обзор

Приведенный выше исторический экскурс далеко не всеобъемлемо охватывает пути развития негатроники и роль ученых разных стран в ее развитии. В заключении нельзя не обратить внимание читателя на ряд фундаментальных обобщающих работ в области негатроники. Прежде всего это монография С.А. Гаряинова и И.Д. Абергауза «Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением» (М.: Энергия, 1974) в которой сформулирован ряд основополагающих положений, касающийся статических R-негатронов. Основы теории вакуумных негатронов обобщены И.В. Лебедевым в книге «Техника и приборы СВЧ» (т.2., М.: Высшая школа, 1972). Теория и применение лавинных транзисторов детально рассмотрены в монографии В.П. Дьяконова «Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах» (М.: Советское радио, 1975). В работе «Отрицательные сопротивления в электронных схемах» (М.: Сов. радио, 1973) Ф. Бенингом анализируются обобщенные свойства не только R-, но и L-, C-негатронов и их схемотехническая реализация. Физика работы и вопросы применения полупроводниковых статических и динамических R-негатронов рассматриваются в монографии «Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ», (М.: Мир, 1979) под редакцией М. Хауэса и Д. Моргана. В монографии А.С. Тагера и В.М. Вальд-Перлова «Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ» (М.: Советское радио, 1968), дается детальный анализ физики работы ЛПД и СВЧ устройств на их основе.

Машинка детская с полиуретановыми колесами "Бибикар-лягушонок", синий.
Вашему крохе едва исполнилось 3 годика, а он уже требует дорогой квадроцикл на аккумуляторе, как у взрослых соседских мальчишек? Никакие
2350 руб
Раздел: Каталки
Брелок "FIFA 2018. Забивака Фристайл! 3D".
Брелок с символикой чемпионата мира FIFA 2018. Материал: ПВХ.
590 руб
Раздел: Брелоки, магниты, сувениры
Тележка багажная ТБР-20, зелено-черная.
Грузоподъемность: - для сумки 25 кг, - для каркаса 50 кг. Максимальная вместимость: 30 л. Размеры: 95х28х34 см. Диаметр колес: 17
651 руб
Раздел: Хозяйственные тележки
скачать реферат Материаловедение

Вопросы к контрольной работе.1. Опишите свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. 2. Объясните механизм пробоя жидких диэлектриков. 3. Что происходит при контакте двух полупроводников с разным типом проводимости. Начертите вольт - амперную характеристику полупроводникового диода с кратким объяснением этой характеристики. 4. Перечислите основные параметры магнитных материалов и начертите «петлю гистерезиса». 5. Опишите требования, предъявляемые к контактам и материалам, которые применяются для создания качественного контакта.1. Опишите свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. К важнейшим тепловым свойствам диэлектриков относятся нагревостойкость, холодостойкость, теплопроводность, и тепловое расширение. Способность электроизоляционных материалов и изделий без вреда для них как кратковременно, так и длительно выдерживать воздействие высоких температур, называют нагревостойкостью. Нагревостойкость неорганических диэлектриков определяется, как правило, по началу существенного изменения электрических свойств, например по заметному росту угла диэлектрических потерь ( g ) или снижению удельного электрического сопротивления.

скачать реферат Схемы управления электродвигателями

Этот главный недостаток уменьшает область применения электрических двигателей постоянного тока. Сложная технология изготовления, необходимость особенного ухода за машиной также весомые недостатки. Производство и широкое применение мощных силовых транзисторов и тиристоров для изготовления специальных источников электрической энергии с переменной частотой и напряжением, предназначенных для питания и частотного управления скоростью вращения асинхронного двигателя, приводит к вытеснению ними двигателей постоянного тока из областей их традиционного применения. В последнее время созданы и успешно применяются двигатели постоянного тока, в которых механический коллектор заменен бесконтактным коммутатором на полупроводниковых элементах. . Строение машин постоянного тока Конструктивно машина постоянного тока состоит из неподвижного статора и подвижного ротора, разделенных между собой воздушным зазором. (Рис.4) Статор состоит из станины, к которой прикреплены сердечники основных и дополнительных полюсов. На этих сердечниках размещены катушки обмотки возбуждения и обмотки дополнительных полюсов. Станина, а также сердечники основных и дополнительных полюсов являются частью магнитопровода.

скачать реферат Двухосный индикаторный стабилизатор телекамер на ВОГ

В качестве ключей применена комплементарная пара полевых и р-канальных СИТ - транзисторов типа КП954А, КП964А, которые имеют следующие характеристики: Iс.мах.20 А; Uс.и.мах.150 В; Uс.и.обр.80 В; Uс.и.нас.(Iс.=20А)0.7 В; сп. = вкл.50 нс; расс.0.5 мкс; Рс.max.40 Вт. Применение полевых транзисторов вместо биполярных позволяет: 1) иметь малые расс., т.е. уменьшить нелинейность выходной характеристики в области малых сигналов (вблизи нуля); 2) иметь малые сп. и вкл., т.е. уменьшить динамические потери при переключении, следовательно, уменьшить температуру транзисторов и, следовательно, вероятность их отказа; 3) повысить надежность УМ, т.к. у полевых транзисторов отсутствует вторичный пробой, что особенно важно при индуктивной нагрузке. Диоды VD6.VD9 служат для замыкания цепи тока нагрузки при закрытых ключах. Они выбираются по максимальному току и по времени восстановления обратного сопротивления. В схеме использованы импульсные диоды типа КД212А имеющие следующие электрические параметры: Uобр.200 В; Iпр.пост.1 А; восст.0.3 мкс. Диоды VD1.VD4 служат для защиты от пробоя перехода затвор - исток транзисторов V 4.V 4. Здесь могут быть использованы любые маломощные импульсные диоды, в схеме применен КД522.

скачать реферат Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Важной областью применения автодинов является контроль параметров материалов и сред. Применение эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред основано на установлении зависимостей величины продетектированного СВЧ-сигнала от параметров контролируемых величин: диэлектрической проницаемости и проводимости. Измерения с помощью приборов основаны на сравнение с эталонами, а точность измерения в основном определяется точностью эталонирования. Теоретическое обоснование возможности использования эффекта автодинного детектирования в диодных СВЧ-генераторах для контроля параметров материалов и сред проведено на основе численного анализа. Описание отклика диодного СВЧ-автодина может быть сделано на основе рассмотрения эквивалентной схемы генератора (Рис. 1.1), в которой комплексная проводимость Y определяется параметрами исследуемого материала и характеристиками электродинамической системы, а Yd - средняя проводимость полупроводникового прибора. YdY Рис. 1.1. Эквивалентная схема автодина на полупроводниковом диоде.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.