телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАВсе для ремонта, строительства. Инструменты -30% Одежда и обувь -30% Видео, аудио и программное обеспечение -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Технология

Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6

найти похожие
найти еще

Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
222 руб
Раздел: Тарелки
Ручка "Помада".
Шариковая ручка в виде тюбика помады. Расцветка корпуса в ассортименте, без возможности выбора!
25 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Совок №5.
Длина совка: 22 см. Цвет в ассортименте, без возможности выбора.
18 руб
Раздел: Совки
смотреть на рефераты похожие на "Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6"СОДЕРЖАНИЕ Введение. 2 Основная часть. 4 1.1. Методы получения полупроводниковых соединений. 4 1.1.1. Выращивание монокристаллов из растворов. 4 1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы. 9 Метод конденсации паров компонентов. 10 Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений 13 Метод реакций переноса 16 Методы переноса в протоке. 19 1.2. Соединения A11 BVI . Общие свойства. 21 1.3.Получение полупроводниковых монокристаллов соединений типа АIIBVI. 26 Технология синтеза и выращивания монокристаллов с определенными свойствами. 29 Заключение. 33 Список используемой литературы. 34 Приложение. Введение. При разработке технологии выращивания монокристаллов любого полупроводникового материала определяют: 1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой; 2) влияние условий выращивания монокристаллов на возникновение в них линейных и точечных дефектов, 3) условия введения в растущий кристалл легирующих примесей и зависимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания; 4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах различных структурных несовершенств, а также влияние структурных дефектов на характер распределения примесей. Для выращивания монокристаллов можно использовать процессы кристаллизации из расплавов, из паровой фазы или из растворов кристаллизующегося вещества в соответствующем растворителе. Во всех этих случаях механизм роста кристалла, т. е. механизм присоединения атомов питающей фазы к растущему кристаллу, подчиняется законам повторимого роста. Между кристаллом и окружающей его средой всегда существует переходный слой, который образует физическую границу раздела фаз. Все атомы или молекулы, переходящие из одной фазы в другую, некоторое время находятся в том слое, в котором происходят процессы, обусловливающие рост кристалла. Так, например, при выращивании монокристаллов многих полупроводниковых материалов атомы кристаллизующегося вещества выделяются в результате гетерогенной химической реакции, происходящей на поверхности растущего кристалла. При этом в переходном слое устанавливаются сложные химические равновесия, малейшие отклонения от которых вызывают резкие локальные изменения в кинетике роста. Таким образом, состав и природа питающей фазы в значительной мере определяют кинетику роста, а изменения состава и внешних условий — возникновение различных несовершенств. Выбор метода выращивания монокристаллов каждого данного вещества основывается в первую очередь на изучении его физических и химических свойств. Так, если вещество характеризуется очень высокой температурой плавления, большой упругостью пара и большой химической активностью, то практически процесс выращивания монокристаллов из расплава может оказаться настолько трудно осуществимым, что целесообразнее применить более медленные и менее производительные процессы выращивания из паровой фазы или из раствора.

Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений Источником материала для роста кристалла могут служить легколетучие химические соединения компонентов, которые подвергаются термической диссоциации или восстановлению соответствующим газообразным восстановителем на поверхности роста, например: SiCI4 2H2 (Si 4HCl; SiH4 ( Si 2H2 . Процессы кристаллизации осуществляются в этом случае в две последовательные стадии' 1) выделение вещества в результате химической реакции разложения соединения и 2) встраивание атомов в решетку кристалла. Для выделения вещества используются гетерогенные обратимые реакции, константы равновесия которых зависят, как обычно, от температуры и концентраций всех газообразных компонентов. Это означает, что даже при небольших изменениях условий возможен обратный химический процесс, т. е. вместо кристаллизации вещества его растворение. Поскольку при реакции разложения выделяются газообразные продукты, для достижения стационарного, равномерного процесса, их необходимо непрерывно удалять, для чего всегда целесообразно использовать проточные системы. Количество кристаллизующегося вещества, выделяемое в единицу времени, определяется выходом реакции разложения соединения при данных температуре, концентрациях компонентов реакции и скорости протекания газовой смеси. Известно, что при реакции, протекающей на поверхности раздела де}, фаз, всегда наблюдается резкое снижение энергии активации по сравнению с тем же процессом, протекающим целиком в паровой фазе. Поверхность раздела фаз играет в этом случае роль катализатора реакции. Каталитическая активность поверхности зависит от природы вещества и его агрегатного состояния. Так, например, было установлено, что каталитическая активность расплавленною кремния выше его активности в твердом состоянии (при температурах, близких к температуре плавления). Следовательно, можно ожидать, что при идентичных условиях проведения процесса количество вещества, выделяющееся в начальный момент на различных поверхностях (например, германия на германии и на флюорите), может быть различно. Каталитическая активность кристаллической поверхности данного вещества зависит от состояния этой поверхности, присутствия на ней активных мест. Такими активными местами могут быть, например, места роста (ступеньки и изломы на них), места выхода краевых дислокаций, области скопления примесей, т. е. активными местами, катализирующими химический процесс, являются области поверхности с повышенным значением химического потенциала. Это позволяет считать, что наличие на поверхности роста активных мест может обеспечивать локальный сдвиг равновесия в ту или иную сторону. Такой же локальный сдвиг равновесия реакции может происходить при изменениях концентрации реагентов в слое газовой фазы, примыкающем к поверхности роста. Взаимосвязь между химическими процессами и процессами кристаллизации в большинстве случаев настолько тесная, что рассматривать химическую реакцию просто как удобное средство доставки кристаллизующегося вещества к растущему кристаллу, по-видимому, нельзя. Химические процессы, вернее их локальные сдвиги вблизи активных мест, оказывают непосредственное воздействие на совершенство растущего кристалла.

Если скорость перемещения ампулы несколько меньше или равна линейной скорости роста кристалла (которая определяется скоростью поставки молекул, содержащих кристаллизуемый материал), то реакция будет происходить на поверхности растущею кристалла При росте в результате реакций переноса линейная скорость роста обычно не превышает одного — нескольких микрон в минуту, а потому длительность процесса выращивания достаточно большою кристалла составляет несколько недель. Нередко метод реакции переноса применяют не только для выращивания монокристаллов или пленок, но и для очистки материала от примесей. Методы переноса в протоке. Во многих случаях, например, для выращивания эпитаксиальных пленок элементарных полупроводников или соединений с незначительными отклонениями от стехиометрии процессы переноса намного удобнее проводить в проточных системах. В проточных системах реакция у источника контролируется независимо, т. е. значения Т и Р в зоне источника не связаны со значениями Т и Р в зоне кристаллизации Скорость переноса молекул летучего соединения может регулировался скоростью потока газа- носителя, что позволяет увеличить скорость переноса Наконец, в проточном методе легко вводить легирующие примеси или избыток одного из компонентов соединения Расчет скорости переноса в проточных системах значительно проще, а потому легче установить условия проведения процессов. Перенос осуществляется простои гетерогенной обратимой реакцией IA(тв) kB(г) ( jС(г) которая происходит в аппарате, изображенном на рис. 636. Газ — реагент В проходит под исходным веществом А и образует соединение С, которое в интервале температур Т2(Т1 находится в газообразном состоянии. Молекулы соединения С, увлекаемые избытком газа В или инертным газом (например, гелием или аргоном), переносятся в зон) кристаллизации, находящуюся при температуре Т1, где происходит обратная реакция разложения молекул С на твердое вещество А и газ В. Эта реакция происходит как па стенках аппарата, так и на монокристаллических подложках-затравках, предварительно введенных в аппарат. Поскольку поверхность подложки значительно меньше поверхности стенок аппарата, то выход материала, нарастающего на подложку, невелик. Обозначим через в число молей газа реагента В, вводимого в аппарат, через п'В —число молей газа В, находящихся в свободном состоянии в зоне Т1 , через п"В —число молей газа В в зоне Т2, через п’с и п"с число молен соединения С соответственно в зонах Т1 и Т2. Баланс компонента В B= ’B k/j ’C= ’’B k/j ’’C 6.57 Количество вещества А, вступающее в реакцию с В при температуре Т2, в пересчете на моль вводимого в систему реагента В, составляет i/j ’C/ B. Количество вещества А, выводимого из системы током газа 1 ,i/j( ’C/ B. Количество вещества А ( A), выделяющегося при температуре 1, A/ B = i/j( ’C/ B.– i/j( ’’C/ B.= i/j( ( ’C/ B. (6,58) Поскольку имеем дело с газом, целесообразно вводить в расчеты значения парциальных давлений всех компонентов РВ и РС- Тогда можно написать: C/ B=PC/PB (1/(1-PC/PB(j-k/j)) Если j = k, то выражение в скобках равно единице. Если же j=/=k, но PC((PB , то и тогда выражение в скобках можно принять равным единице. Объединяя уравнения (6.57) и (6.58), находим количество перенесенного вещества А: A = i/j((PC B/PB 6.60 Зная величину констант равновесия для прямой и обратной реакций при температурах Т1 и Т2 и принимая, что общее давление в системе равно РB(РB>РC), можно рассчитать (Рс, а следовательно, и выход реакции.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Сингапурская история: из «третьего мира» - в «первый»

К счастью, тайваньские рабочие все еще относятся к своей работе лучше, чем их западные коллеги. Цзян Цзинго и его министры больше всего гордились успехами в развитии образования. Каждый ученик на Тайване заканчивал, по крайней мере, девятилетнюю общеобразовательную школу, а к 90-ым годам примерно 30P% учащихся заканчивали университет. Министр финансов Тайваня К.Т.Ли (K. T. Li) жаловался на «утечку мозгов». Начиная с 60-ых годов, из 4,500 выпускников университетов, ежегодно уезжавших в Америку для продолжения образования и обучения в аспирантуре (Ph.D.), возвращались примерно 500. По мере того как Тайвань становился все более развитой в экономическом отношении страной, К.Т. Ли задался целью привлечь лучших из них вернуться на Тайвань. Особенно это касалось тех, кто работал в ведущих исследовательских лабораториях и крупных МНК производителях электроники. Он построил недалеко от Тайбэя научный парк и предоставил им льготные кредиты для создания собственных предприятий по производству полупроводниковых материалов

скачать реферат Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин

При ориентировании слитков германия и кремния без приклейки наносят риски на торец слитка. Процесс ориентирования не отличается от описанного, но только нет необходимости пользоваться сменными зажимными устройствами. Окончательной операцией процесса ориентирования является нанесение карандашом через паз базировочной детали на торце слитка стрелки, указывающей, в каком направлении надо повернуть слиток при ориентированной резке, чтобы получить искомое положение кристаллографической плоскости. Угол отклонения кристаллографической плоскости отсчитывают по шкале во время ориентирования. Рентгеновский метод. В технологии производства полупроводниковых приборов рентгеновские методы применяются в первую очередь для ориентировки монокристаллов — германия, кремния, арсенида галлия, сапфира и др., а также для анализа дефектов указанных материалов и полупроводниковых структур. В меньшей степени используется фазовый анализ металлов и сплавов, флуоресцентная спектрометрия, просвечивание материалов и полупроводниковых структур или приборов, а также методы рентгеновского микроанализа.

12 цветных фломастеров для малышей.
Для маленьких любителей рисования представлен набор для развития творческих навыков. Фломастеры, которые подымут настроение и сделают
568 руб
Раздел: 7-12 цветов
Набор "Кухня Laura" с варочной панелью, со звуковыми эффектами (в пакете).
Набор состоит из одного модуля. Этот игровой комплекс идеально подходит для сюжетно-ролевых игр девочек старше 3-х лет. В наборе есть все
1854 руб
Раздел: Кухни
Подушка "Нордтекс. Лондон", 40х40 см.
Декоративные подушки являются непременным элементом современного интерьера. Они могут послужить прекрасным украшением не только спальни,
454 руб
Раздел: Подушки
 Большая Советская Энциклопедия (РА)

При фракционной перекристаллизации используется различие в растворимости примесей металла в твёрдой и жидкой фазах с учётом медленной диффузии примесей в твёрдой фазе. Способ применяется в производстве полупроводниковых материалов и для получения металлов высокой чистоты (например, зонная плавка, плазменная металлургия, вытягивание монокристаллов из расплава, направленная кристаллизация). В основе ректификации, или дистилляции, лежит различие в температурах кипения основного металла и примеси. Р. осуществляется в форме непрерывного противоточного процесса, в котором операции возгонки и конденсации удаляемых фракций многократно повторяются. Использование вакуума позволяет заметно ускорить Р. Способ применяется при очистке Zn от Cd, Pb от Zn, при разделении Al и Mg, в металлургии Ti и др. процессах. Вакуумная фильтрация жидкого металла через керамические фильтры (например, в металлургии Sn) позволяет удалить взвешенные в нём твёрдые примеси. При Р. стали в ковше жидкими синтетическими шлаками поверхность контакта между металлом и шлаком в результате их перемешивания значительно больше, чем при проведении рафинировочных процессов в плавильном агрегате; благодаря этому резко повышается интенсивность протекания десульфурации, дефосфорации, раскисления металлов, очищения его от неметаллических включений. Р. стали продувкой расплава инертными газами используется для удаления из металла взвешенных частиц шлака или твёрдых окислов, прилипающих к пузырькам газа и флотируемых на поверхность расплава.   Электролитическое рафинирование, представляющее собой электролиз водных растворов или солевых расплавов, позволяет получать металлы высокой чистоты

скачать реферат Электроизоляционная керамика

Министерство образования Российской Федерации Уфимский Государственный Нефтяной Технический Университет Кафедра автоматизации производственных процессов Реферат на тему: «Электроизоляционная керамика»Выполнил: ст. гр. АЭ-01-01 Швыткин К.Е. Проверил: Прахова Т.Ю. Уфа 2004 СОДЕРЖАНИЕ: стр. 1. Классификация и основные свойства электроизоляционной керамики 2 2. Основные сырьевые материалы для производства электро-изоляционной керамики 6 3. Технология производства электрокерамических материалов и изделий 9 4. Механическая обработка и металлизация керамических из- делий 18 Приложения 22 Список литературы 31 1. КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ЭЛЕКТРО-ИЗОЛЯЦИОННОЙ КЕРАМИКИ Электроизоляционная керамика представляет собой материал, получаемый из формовочной массы заданного химического состава из минералов и оксидов металлов. Любая керамика, в том числе и электроизоляционная,— материал многофазный, состоящий из кристаллической, аморфной и газовой фаз. Ее свойства зависят от химического и фазового составов, макро- и микроструктуры и от технологических приемов изготовления./1/ В электрической и радиоэлектронной промышленности керамическая технология широко применяется для изготовления диэлектрических, полупроводниковых, пьезоэлектрических, магнитных, металлокерамических и других изделий.

 Операция «Турнир». Записки чернорабочего разведки

Наш контакт с «Турком» начался с его интереса к Родине. Человек пытливого ума, он быстро понял мой интерес к его личности, как носителя информации. Он подсказал кое-что по технологии производства сверхчистых материалов, в том числе с использованием ионообменных смол для очистки воды. Для работы с ним я получил из Центра вопросы, которые он осветил, правда, устно. Поведал «Турок» и о новых тестерах для проверки интегральных схем. В шестьдесят восьмом году, когда я восстановил с ним контакт в Оттаве, «Турок» откровенно признался, что считает работу со мной опасной. Нет, он не сказал, что его персоной заинтересовалось КККП, но я почувствовал в его словах предупреждение: пока было время «Экспо», он мог не докладывать о контактах с советскими людьми, но теперь Я спросил его: PЕсть трудности на работе? PПока нет, но могут быть PКакого характера? PТы же знаешь: я давал подписку-обязательство, в котором одним из пунктов было требование докладывать о всех контактах с советскими людьми. Моя фирма работает по заказам канадского министерства обороны и для США

скачать реферат Дания

В результате Дания сегодня имеет наименьшие показатели концентрации двуокиси серы в воздушной среде в сравнении с другими странами ЕС. В стране осуществляется программа снижения выброса углекислого газа в атмосферу (в перспективе планируется к 2030 году снизить их на 20-25% от существующего уровня): постепенное замещение угля на тепловых электростанциях более экологическими видами топлива - разработка технологий и производство оборудования по очистке загрязняющих воздушную среду выбросов. Осуществляется программа строительства очистных установок для тепловых электростанций с перспективой до 2000 года.В сельском хозяйстве проводится поэтапное внедрение так называемого "аэрозольного" налога, направленного на снижение использования пестицидов и других химических средств борьбы с сорняками и ухода за растениями, которые являются в настоящее время главным источником загрязнения грунтовой и питьевой воды. Сам налог является дифференцированным и зависит от вида используемых химических средств и способа их применения. При этом поощряется либо отказ от использования химических средств вообще, либо применение избирательных экологически безопасных препаратов и внедрение современных методов точечного, прикорневого внесения химикалий.В отношении проблемы твердых отходов приоритеты распределяются в следующей последовательности: развитие "чистых" безотходных технологий производства; регенерация материалов путем переработки отходов, сжигание отходов.

скачать реферат Методы контроля в производстве интегральных микросхем

Микросхемы выдерживают в камерах тепла и влаги в течение нескольких суток в условиях повышенной влажности (95.98%) при температуре (40±5) °С. Критерием забраковки является ухудшение электрических параметров вследствие проникновения влаги в корпуса. Однако в камерах тепла и влаги отбраковываются ИМ только с грубыми течами. Кроме того, камера не позволяет оперативно обнаруживать негерметичность ИМ с хорошо защищенными структурами. Проникновение влаги в корпус таких ИМ обнаруживается значительно позже, когда произойдет отказ, например, из-за корозии интерметаллических соединений.Список использованной литературы:Малышева И.А. «Технология производства интегральных микросхем» , М., Радио и связь 1991. Курносов А.И. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» М., 1979.

скачать реферат Магнитомягкие материалы. Ферриты

Магнитомягкие материалы применяются для получения больших значений магнитного потока. Величина магнитного потока ограничена магнитным насыщением материала, а потому основным требованием к магнитным материалам сильноточной электротехники и электроники является высокая индукция насыщения. Свойства магнитных материалов зависят от их химического состава, от чистоты используемого исходного сырья и технологии производства. В зависимости от исходного сырья и технологии производства магнитомягкие материалы делятся на три группы: монолитные металлические материалы, порошковые металлические материалы (магнитодиэлектрические) и оксидные магнитные материалы, кратко называемые ферритами. 1.Монолитные металлические материалы. Основными компонентами монолитных металлических магнитомягких материалов является железо с низким содержанием углерода, никель или кобальт. Для цепей техники связи важнейшими из этой группы материалов являются: а) сплавы и стали с гарантированной малой коэрцитивной силой; б) листовая сталь с гарантированными потерями при высоких значениях магнитной индукции; в) сплавы с гарантированной индукцией насыщения; г) сплавы и стали с гарантированной высокой проницаемостью; д) материалы со специальнымы свойствами.

скачать реферат Двигатели Стирлинга. Области применения

А в 1845 году на литейном заводе в Дании была пущена машина Стирлинга мощностью 50 индикаторных лошадиных сил, проработавшая в течение трех лет. Долгое время после этого Двигатели Стирлинга не строились. И только в 1890 году было выпущено несколько образцов таких машин малой мощности. С конца XIX века, в связи с успехами в развитии двигателей внутреннего сгорания и отсутствия подходящих конструкционных материалов в значительной степени затруднило его дальнейшее совершенствование, интерес к двигателю Стирлинга утратился окончательно, и только с 1938 года началось ее возрождение. В 50-е годы ХХ века быстрое развитие технологии производства различных материалов вновь открыло перед двигателем Стирлинга некоторые перспективы, однако настоящий интерес к нему возродился только во времена так называемого "«энергетического кризиса». Именно тогда особенно привлекательными показались потенциальные возможности этого двигателя в отношении экономического потребления обычного жидкого топлива, что представлялось особенно важным в период роста цен на топливо в геометрической прогрессии. 1. Что представляет собой двигатель Стирлинга? Двигатель Стирлинга - это машина, работающая по замкнутому термодинамическому циклу, в которой циклические процессы сжатия и расширения происходят при различных уровнях температур, а управление потоком рабочего тела осуществляется путем изменения его объема.

Настольная игра "Викторина первоклассника".
В игре вы найдёте 600 вопросов из разных областей знаний: математики, языкознания, культуры и искусства, биологии, естествознания и
342 руб
Раздел: Викторины
Подставка под горячее с пробкой "FIFA 2018".
Подставка под горячее с пробкой + окантовка. Диаметр: 16 см. Материал: керамика.
346 руб
Раздел: Кружки, посуда
Набор детской посуды "Принцесса", 3 предмета.
Набор посуды для детей включает в себя три предмета: суповую тарелку, обеденную тарелку и кружку. Набор упакован в красочную, подарочную
397 руб
Раздел: Наборы для кормления
скачать реферат Производство комовой негашеной извести

Кр – коэффициент разрыхления измельчённого материала (Кр=0,25 – 0,6) ? – плотность дробимого материала;П=117 (м3/ч) Определение мощности двигателя дробилки. Мощность двигателя (кВт) конусных дробилок с крутыми конусами определяется по формуле: , где ? – предел прочности материала при сжатии, Н/м2 Е – модуль упругости материала, Н/м2 Дн – нижний диаметр подвижного конуса, м d – диаметр выгружаемых кусков материала, м Д – диаметр загружаемых кусков материала, м ? – КПД привода (?= 0,8-0,85) =11.62 (кВт). Список используемой литературы:1. А.В. Волженский «Минеральные вяжущие вещества» Строиздат, 1986 – 464 с. 2. А.Г. Комар, Ю.М. Баженов, Л.М. Сулименко «Технология производства строительных материалов» «Высшая школа» 1990. 3. Н.К. Морозов «Механическое оборудование заводов сборного железобетона». Киев «Высшая школа» 2977. 4. Ткаченко Г.А. «Методические указания». Ростов-на-Дону государственная академия строительства. Оглавление 1. Исходные данные 2. Вводная часть 3. Теоретические основы процессы 4. Выбор и описание технологической схемы производства 5. Системный анализ технологического процесса 1. Описание разрабатываемого технологического передела 2. Расчет разрабатываемого технологического передела 3.

скачать реферат Моделирование процессов ионной имплантации

Заключение: В данном программном проекте представлены задачи, которые удовлетворяют всем правилам и параметрам расчетов процесса ионной- имплантации, а также представлены в наглядном виде все процессы расчета данных структур, указанных в дипломном проекте. 8. Литература: 1. Архангельский «Программирование в среде Delphi 4.0». 2. А. И. Курносов, В. В. Юдин «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем». 3. Программирование в среде urbo Pascal v. 7.0.

скачать реферат Использование лесных ресурсов

Марка лесовоза – МАЗ–509. Число рабочих дней в году – 240. 116. Опишите опыт работы Вашего лесхоза по комплексному использованию лесных ресурсов - организации всех видов побочного пользования. 2. Комплексное использование древесины – основа эффективного развития лесной, деревообрабатывающей промышленности и лесного хозяйства Система комплексного использования древесины на основе нового хозяйственного механизма, обеспечивающего заинтересованность коллективов в результатах труда в ближайшие 10 15 лет, предусматривает превращение лесного дохода в источник самоокупаемости отрасли, повышение производительности труда в лесной отрасли в 2,5 3 раза, заложение 3,9 млн. га защитных насаждений, расширения площади лесного фонда до 1,157 млн.га. Одним из основных перспективных направлений комплексного использования пиловочного сырья является переработка кусковых отходов на технологическую щепу для целлюлозно-бумажной промышленности, производства плитных материалов. Кусковые отходы должны быть окорены, а кору можно использовать: - в качестве топлива для паросиловых установок с предварительными измельчением и понижением влажности; - для производства плит и комбинированных (средний слой коры, наружные – стружка, опилки) измельченных материалов; - в качестве наполнителя в производстве строительных материалов типа арболит (королит); - в качестве сырья для получения дубильных экстрактов (еловая кора от древесины сухопутной доставки).

скачать реферат Развитие производства строительных материалов в России, и роль российских учёных в развитии строительного материаловедения

Поэтому современная технология производства строительных материалов в основном направлена на превращение даже таких, казалось бы, готовых материалов, как природные камни, древесина и другие в бес форменную массу, из которой различными путями можно изготовлять на автоматизированных линиях законченные крупноразмерные элементы любого структурного вида—плотные, ячеистые, волокнистые с последующей комплектацией из них крупногабаритных изделий. Наряду с производством давно известных материалов (из вести, гипса, портландцемента, обыкновенного кирпича и др.) значительно увеличивается производство высокопрочных 11 быстротвердеющих цементов, вяжущих для специальных строи тельных работ, для декоративной отделки зданий, пустотелого кирпича, легких заполнителей, различных теплоизоляционных материалов. Широкое развитие находит производство различных пленочных защитных и декоративных материалов из древесины (микрошпон), стекла (пленочное стекло, стеклошпон), синтетических смол (смоляные пленки), металла (фольга), бумаги, дуб- лированной пленкой, и изготовление на их основе индустриальных материалов различного назначения (бакелизированная фанера, стеклопластики, слоистые пластики, гофрированный кар тон и др.). Особое внимание уделяется развитию производства материалов из минеральных расплавов, автоклавных бетонов, а также материалов специального назначения — антикоррозионных и герметизирующих, антисептиков, антипиренов и других химических средств.

скачать реферат Технологический процесс изготовления микромодуля этажерочного типа применительно к серийному производству

По выходе из установки полимеризации формы охлаждаются проточной водой, разбираются, а с извлеченных из них изделий удаляются литники. Список литературы. 1.”Технология производства микромодулей”. Локтаев В.С. 2. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. Пособие для студентов вузов. 2-е издание переработанное и доп. – М.: Высшая школа, 1979. 3. Парфенов О.Д. Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. “Конструирование и производство ЭВА” - М.: Высшая школа, 1986. 4.”Пленочная электроника и полупроводниковые интегральные схемы”. Богдан Г.И., 1979 год. 5.”Технология производства микроэлектронных устройств”. Малышева И.А., 1980 год.

Настольная игра "Найди пару", арт. ВВ2411.
Игра помогает тренировать память, концентрировать внимание и развивать зрительно-моторную координацию движений. Игра способствует
411 руб
Раздел: Прочие
Дневник школьный "Пробка", цвет обложки синий.
Формат: А5+ (210х170 мм). Количество листов: 48. Внутренний блок: тонированный офсет 70 г/м2. Способ крепления блока:
362 руб
Раздел: Для младших классов
Карандаши восковые, 24 цветов, выкручивающийся стержень.
Восковые карандаши отличаются необыкновенной яркостью и стойкостью цвета, легко смешиваются, создавая огромное количество оттенков. Очень
367 руб
Раздел: Восковые
скачать реферат Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия

Вид кривой возбуждения в области 8 — 22 эВ коррелирует с кривой отражения (рис 3.4.3., кривая с): максимум кривой фотовозбуждения соответствует минимуму отражения. Это подтверждает предположение, что квантовая эффективность определяется потерями на отражение и поверхностную безызлучательную рекомбинацию. При энергиях значительно больших чем ширина запрещенной зоны, в районе от 28 до 30 эВ, сильное возрастание интенсивности люминесценции объясняется началом фононного умножения. Спектр люминесценции порошкообразного Al имеет такой же характер. Существование на кривой отражения пиков в областях эВ, группы пиков в области от 10 до 16 эВ с максимумом при 13.8 эВ, и в области 17.5 эВ обусловлено межзонными переходами. Существующие на данный момент результаты расчетов электронной структуры не дают пока ясных и недвусмысленных данных. Общий вид кривой отражения имеет характер, сходный с кривыми отражения других полупроводниковых материалов типа A3B5 в области переходов из валентной зоны в зону проводимости. В более поздних исследованиях пленки Al были исследованы более подробно. В работе приводятся сравнительные данные оптических свойств пленок, кристаллов и порошкообразных фаз нитрида алюминия.

скачать реферат Фосфор и его соединения

Все разновидности красного фосфора нерастворимы в органических растворителях, и по сравнению с белым фосфором они менее реакционноспособны и имеют полимерное строение: это тетраэдры Р4, связанные друг с другом в бесконечные цепи (рис.2). Красный фосфор находит применение в металлургии, производстве полупроводниковых материалов и ламп накаливания, используется в спичечном производстве. Наиболее стабильной модификацией фосфора является черный фосфор. Его получают аллотропным превращением белого фосфора при =2200C и повышенным давлением. По внешнему виду он напоминает графит. Кристаллическая структура черного фосфора слоистая, состоящая из гофрированных слоев (рис.3). Черный фосфор – это наименее активная модификация фосфора. При нагревании без доступа воздуха он, как и красный, переходит в пар, из которого конденсируется в белый фосфор. Оксид фосфора (V) Фосфор образует несколько оксидов. Важнейшим из них является оксид фосфора (V) P4O10 (Рис.4). Часто его формулу пишут в упрощенном виде – P2O5. В структуре этого оксида сохраняется тетраэдрическое расположение атомов фосфора.

скачать реферат Отчет по практике

Таким образом, при конструировании систем необходимо стремиться к более простым системам, состоящим из высоконадежных элементов при заданных ограничениях на технические характеристики и стоимость системы. 3.2 Физическая надежность элементов ЭА Надежность резисторов. Статистические данные показывают, что обрыв токопроводящего слоя и нарушение контакта резистора – наиболее типичный вид отказа (свыше 50%). Значительный процент отказов (35-40%) относят за счет перегорания токопроводящего слоя. Около 5% отказов вызываются резким изменением величины сопротивления (в 10-100 раз и более). Количество отказов резисторов меняется с течением времени и зависит от условий применения, технологии производства, качества материалов. Нагрев резистивного слоя за счет мощности, рассеиваемой на резисторе в рабочем режиме, и резкие изменения температуры окружающей среды вызывают необратимые накапливающиеся изменения в резисторе, приводящие к внезапному отказу. Снижение электрической нагрузки резистора, создание условий работы, исключающих резкие изменения температуры, повышают его надежность. На надежность резисторов отрицательно влияет влага.

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Заключение В ходе данной работы было произведено сквозное проектирование ТТЛШ – инвертора. В результате были рассчитаны параметры биполярного транзистора. Профили распределения примесей в биполярной структуре представлены на графиках в Приложениях 1,2,3, а модели транзисторов в Приложении 6. Кроме того мы рассчитали такие параметры ТТЛШ – инвертора, как напряжение логических уровней, пороговые напряжения, помехоустойчивость схемы, время задержки, среднюю потребляемую мощность. Результаты расчётов представлены в пункте 3 и приложениях 7,8,9,10. Полученные результаты удовлетворяют требованиям ТТЛШ – микросхем. Расчёты представленные в этой работе являются приближёнными, так как для более точных расчётов необходимы более мощные средства автоматического проектирования. В ходе работы мы пренебрегли процессами сегрегации примеси при окислении, а также зависимостью коэффициента диффузии от концентрации. В результате работы мы получим математическую модель технологического процесса ТТЛШ –инвертора. Список используемой литературы 1 Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов.- Москва.: Высшая школа, 1974. – 400с.: ил. 2 Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1982. 224 с.: ил. 3 Матсон Э.А. Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. –Мн.: Высшая школа, 1983. –271 с.: ил. 4 Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1984. –231с.: ил.----------------------- ?/?/?

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.