телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАРазное -30% Всё для дома -30% Образование, учебная литература -30%

все разделыраздел:Физика

Поверхневі напівпровідникові хвилі в напівпровідникових структурах

найти похожие
найти еще

Забавная пачка "5000 дублей".
Юмор – настоящее богатство! Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь
60 руб
Раздел: Прочее
Гуашь "Классика", 12 цветов.
Гуашевые краски изготавливаются на основе натуральных компонентов и высококачестсвенных пигментов с добавлением консервантов, не
170 руб
Раздел: 7 и более цветов
Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Дійсно, прилади на основі карбіду кремнію, завдяки його унікальним фізико-хімічним властивостям, можуть використовувати в таких галузях науки і техніки, де потрібна підвищена надійність, радіаційна стійкість, робота при високих температурах. Електрофізичні властивості карбіду кремнію відчутно залежать від конкретного політипу. Зараз відомо понад 200 модифікацій карбіду кремнію. Позначення політипів в символах Рамсделла складається із цифри, що позначає число шарів вздовж осі С, та букви Н або R в залежності від типу кристалу - гексагонального чи ромбоедричного. Найбільш часто зустрічаються політипи SiC 6H, SiC 15R та SiC. Вони являються хорошими модельними кристалами для дослідження ПП, а також впливу різних поверхневих обробок на властивості ПП. Окрім цього, ідеальні кристали карбіду кремнію та епітаксіальні шари SiC на діелектричних підкладинках є перспективними для використання їх в мікроелектроніці та в інтегральній оптиці. 1. Теорія оптичних констант. Розповсюдження пучка променів в напівпровідниковому кристалі може бути описане розв`язком рівнянь Максвелла : , (1.1) В другому рівнянні системи , на відміну від діелектриків, врахована густина струму провідності , оскільки більшість напівпровідників по електричним властивостям ближчі до металів, ніж до діелектриків. В загальному випадку питома електропровідність проникності (відносні величини, що є функціями частоти) напівпровідника є анізотропними та представляються тензорами другого (або вище) рангів. Оскільки ), тому (1.2) Аналогічне рівняння можна отримати і для вектора напруженості магнітного поля . Одним із можливих розв`язків рівняння (1.2) для вектора напруженості електричного поля є (1.3) Це рівняння являє собою хвилю, що розповсюджується в напрямі z зі швидкістю v, - кутова частота. Розв`язок (1.3) задовольняє (1.2) при умові (1.4) а це задовольняє комплексному показнику заломлення (1.5) Враховуючи те, що квадрат швидкості поширення світла у вакуумі , а також ту обставину, що в оптичному діапазоні більшість напівпровідників володіють слабкими магнітними властивостями, тобто співввідношення між головним показником заломлення , головним показником поглинання k, з однієї сторони та діелектричної проникності - з іншої , приймає вигляд (1.6) або після розділення дійсної та уявної частини - комплексна діелектрична проникність, в котрій по аналогії з i k, - коефіцієнт при уявній частині. Спираючись на умову причинності можна записати формули, що пов`язують i k одне з одним : З першої формули можна підрахувати для будь-якої частоти в інтервалі від нуля до нескінченності, а значить на основі спектру поглинання може бути підрахований спектр показника заломлення і навпаки. Подібним чином можуть бути записані співвідношення, які пов`язують . (1.9) Це співвідношення Крамерса-Кроніга. Тепер, підставивши (1.4) та (1.5) в (1.3), знайдемо , тут видно, що головний показник поглинання k характеризує затухання електромагнітної хвилі в напівпровіднику. Оскільки енергія хвилі пропорційна квадрату амплітуди , то для характеристики поглинання речовини часто застосовують замість , (1.10) це коефіцієнт поглинання , чисельно рівний оберненій товщині шару напівпровідника, в якому інтенсивність електромагнітної хвилі зменшується в e раз.

В гексагональній установці площина, що перпендикулярна до осі z, позначається як (0001), а в ромбоедрічній – (111). З можливої різноманітності орієнтацій сапфіра для эпитаксиального нарощування перевагу віддають орієнтаціям з щільно упакованими площинами (0001), на яких отримуються шари з високою рухливістю носіїв зарядів. Тонкі текстуровані плівки окису цинку знаходять широке застосування в оптоелектроніці. Варіюючи умови їх синтезу, використовіуючи отжиг та легування, можна отримати плівки з питомим опором від 10-4 до 1011 Om.cm. Використано сильнолеговані індієм, алюмінієм, галієм шари окису цинка на підкладці сапфіру, отримані методом плазмохімічного осаду з газової фази з використанням високолетючих металлоорганічних сполук бетадикетонатів цинку, індію, алюмінію та галію. Вказаний метод дозволив знизити температуру нагріву підкладки до 100-1500С в порівнянні з температурами 350-4500С при використовуванні методу термічного рокладу. Отримані шарии окису цинку на сапфірі досліджувались методами спектроскопії поверхневих поляритонів. Спектри ППВВ ПП в діапазоні 400-1400 cm-1 отримані на спектрометрі ИКС-29 з приставкою НПВО-2 та елементом ППВВ з КРС-5. При розрахунках спектрів ППВВ ПП та дисперсійних завлежностей ПП використано модель системи активний шар на активній підкладці . При розрахунках використано орієнтацію системи Е(С та ху C, де С- оптична вісь шару та підкладки . Система Z O/Al2O3 дозволяє отримати богатий спектр дисперсійних залежностей поверхневих поляритонів. Шар окису цинку товщиною d =10 (m проявляє в спектрі ППВВ один мінімум на частоті 528 cm-1 при куті падіння світла в елементі ППВВ 330, що практично співпадає з частотою ПП напівнескінченного монокристала окису цинку. При d=0.5 (m спектр ПП шару розщіплюється на два с мінімуми на частотах 480 и 573 cm-1. При товщині шару 0.1 (m проявляється п`ять мінімумів на частотах 386, 422, 479, 586, 629 cm-1. При частоті плазмонів =319 cm-1 і коефіцієнті затухання плазмонів =480 cm-1 зміни в спектрах ПП проявляються тільки в області частот 386 та 629 cm-1 , при цьому спектр біля частоти 629 cm-1 дещо розширюється. Проведено дослідження поверхневих поляритонів (ПП) системи шар Z O на сапфірі. Вивчено поверхневі фононні та плазмон-фононні поляритони (ПФП и ППФП) тонких шарів окису цинку в залежності від товщины шару та концентрації носіїв зарядів в шарі. При товщинах шару порядку 0.01-6 (m дисперсійна залежність поверхневих поляритонів має високочастотну та низькочастотну гілки. Високочастотна гілка фононних ПП системи проявляється в спектрах ППВВ ПП в діапазоні частот 571-600 сm-1, а низькочастотна - в діапазоні 443-483 сm-1. При зменшенні товщини шару окису цинку від 1 (m до 0.01 (m граничні частоти низькочастотної гілки зміщуються в область менших частот на 7 сm-1, а граничні частоти високочастотної моди збільшуються на 0.2 сm-1. Досліджено також вплив шарівв окису цинку різної товщини на дисперсійну залежність сапфіра. Збільшення товщини шару окису цинку призводить до зменьшення граничної частоти поверхнневих фононих поляритонів сапфіру. Спектри ППВВ та дисперсійні залежності ПФП та ППФП системи істотно залежать від орієнтації шарів та підкладки.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Людина дивиться в завтра

Досить вод (або ншй, придатншй для роботи в такй турбн рдин) попасти в тнь, як вона охолоне. У свтовому простор можна одержати будь-яку температуру «там нема повтря  гртимуть лише прям сонячн промен. У пзнших проектах позаземних станцй для постачання х енергю передбачено установки ншого типу. Вже зявилися перш маленьк космчн гелостанц. Вони працюють на супутниках  на автоматичних мжпланетних станцях. Поки що вони занадто дорог  малопотужн, хоч у космос дуже зручн  цлком виправдали себе. Це «сонячн батаре, напвпровдников фотоелементи, що перетворюють променисту енергю в електричний струм. Труднощ, як виникають при побудов потужних напвпровдникових кремнвих батарей, вдасться подолати, коли буде знайдено спосб запобгати хньому перегрву, що дуже зменшу коефцнт корисно д. Кожний зайвий градус тепла забира бльш як пвпроцента енерг. Можливо, свтлочутливу поверхню будуть захищати фльтром, який не пропускатиме теплов нфрачервон промен. «Вяла» таких батарей розмстяться на великих штучних супутниках

скачать реферат Діоди

Ці речовини володіють як властивостями провідника, так і властивостями діелектрика. Разом з тим вони володіють рядом специфічних властивостей, що різко відрізняють їх від провідників і діелектриків, основним з яких є сильна залежність питомої провідності від впливу зовнішніх факторів (температури, світла, електричного поля і т. п.). До напівпровідників відносяться елементи четвертої групи періодичної таблиці Д. І. Менделєєва, а також хімічні сполуки елементів третьої й п'ятої груп типу AIII BV (GaAs, I Sb) і другої й шостої груп типу AII B VI (Cd, B, CdFe). Провідне місце серед напівпровідникових матеріалів, які використовуються у напівпровідниковій електроніці, займають кремній, германій й арсенід галію GaAs. Хоча у наш час у наукових установах ведеться пошук нових напівпровідникових матеріалів, розробляються органічні напівпровідники. 1.1 Власні й домішкові напівпровідники Власними напівпровідниками або напівпровідниками типу i (від англійського i ri sic - власний) називаються чисті напівпровідники, що не містять домішок.

Доска пробковая "Premium", деревянная рамка, 120x90.
Изготовлена c использованием наполнителя Softboard, что придает дополнительную прочность в процессе перевозки и хранения, а также
1559 руб
Раздел: Прочее
Мешок для обуви "Animal Planet. Бабочки", 41x33 см, розовый.
Мешок для обуви, с дополнительным карманом на молнии. Размер: 41х33 см. Цвет: розовый.
325 руб
Раздел: Сумки для обуви
Копилка, 12,5 см.
Копилка поможет Вам наконец-то собрать требуемую сумму для покупки долгожданной вещицы.
586 руб
Раздел: Копилки
 Блакитна планета

Потм вони ходили по кмнатах, а за ними, мов тнь, Гапа, котрий, видимо, мав гостя з космосу за свого нового хазяна. Марцн нде не бачив проводки, його друг викликав чари, натискуючи знан лише йому мсця в стнах, або словами, що звучали неначе наказ. В кухн не було плити, сам заглиблення, а в них яксь колби, коробочки з дивного матералу  отвори, звдки била вода. Смття кидалось в скриньки  там перетворювалося на срий попл. «Ми теж,P мркував подумки хлопець,P вже виплутумося з дротв,  наш прилади стають щоразу менш, хоча б завдяки напвпровдникам. ¶ ми дйдемо до бездротово цивлзац». PЗа два дн збудувати такий дм це справд надзвичайно,P мовив уголос. PПросто, коли вмш. PЧи вс у вас умють? PЦ знання передаються тльки в надйн, гдн руки. Чи ми так кажете: «Надйн, гдн руки»? PА як можна довести, що ти гдний? PТреба пройти випробування. ¶спит? PН. Випробування. Все життя це випробування,  завтра можна здобути те, чого не здобув сьогодн. Сдай-но, Марцне. Хлопець оглянувся  не побачив жодного стльця

скачать реферат Изучение поверхности полупроводника с помощью сканирующего электронного микроскопа

Проведено дослідження поверхні зразків. Зразок (1) було досліджено за допомогою двох схем (мал.7,8), зразки (2) і (3) тільки за допомогою схеми, що реєструє електрони (мал. 7). Отримані результати зображені на мал. 9, 10, 11, 12. Мал.9. металева сітка з розміром клітини а = 0.25 мм. Досліджувана за допомогою циліндра Фарадея. Мал.10. металева сітка з розміром клітини а = 0.25 мм. Досліджувана за допомогою фотодіода. мал. 11. кремнієва пластина з невеликими інородними включеннями ~0.5 мм. Досліджувана за допомогою циліндра Фарадея. Мал. 12. кремнієва пластина з олов’яними електродами розташованими один від одного на відстані 3 мм. Досліджувана за допомогою циліндра Фарадея.Висновки. 1. Проведений літературний пошук показав, що скануюча мікроскопія має переваги перед просвітлюючою: а) методи створення дифракційних картин у РЕМ досить прості і дають велику інформацію про кристалічну будову і досконалість зразків. б) можливість дослідження масивних зразків. в) можливість дослідження внутрішньої будови зразків. г) можливість виводу на екран комп’ютера. д) велика кількість способів досліджень зразків. е) простий в експлуатації. 2. Принципіально показано: а) можливість діагностики поверхні металевих та напівпровідникових зразків за допомогою реєстрації вторинних електронів циліндром Фарадея. б) можливість діагностики поверхні матеріалів, що добре люмінісцюють. 3. Можливість використання даної установки для дослідження поверхні напівпровідників.РОЗДІЛ ІV. ОХОРОНА ПРАЦІ1. ЗАХОДИ ЕЛЕКТРОБЕЗПЕКИ ТА ПОЖЕЖОБЕЗПЕКИ ПРИ РОБОТІ З ЕЛЕКТРОННИМ МІКРОСКОПОМ 1.1 Забезпечення безпеки при роботі на електроустановках.

 Великие аферы XX века. Том 2

С полным списком обворовывания публичной компании «Адельфия» семейством Ригасов на общую сумму в один миллиард 200 миллионов долларов читатель может ознакомиться: Пока «Адельфия» сияла в лучах славы как-никак шестой самый крупный оператор кабельного телевидения Америки!P Джон Ригас повсеместно слыл пионером индустрии и гением свободного предпринимательства. Когда же клан повязали и прокуратура залезла в секретные закрома семейной лавки, на поверхность всплыла причудливая мотивировка, сразившая наповал своей мелочной местечковостью: Джон Ригас верховодил публичной компанией с многомиллиардным оборотом и при этом думал лишь о том, как бы реабилитироваться в глазах коренных обитателей маленькой деревушки Каудерспорт! Когда-то в молодости его не приняли за своего, и теперь Джон отрабатывал по полной программе в роли верховного благодетеля. «Адельфия» давно уже превратилась в транснациональную корпорацию с филиалами по всему миру, однако штаб-квартира компании по-прежнему оставалась в Каудерспорте. Ригасы нанимали на работу и платили невероятные зарплаты преимущественно местным жителям, чьей квалификации заведомо не хватало для управления международным Левиафаном

скачать реферат Традиційні та прогресивні технологічні процеси

Радіаційно-хімічні процеси є перспективними, прогресивними процесами. їх можна здійснювати при низьких температурах, без каталізаторів, одержуються чисті продукти, є можливість хімічного приєднання до поверхні різних речовин органічних полімерів, ними можна керувати, регулювати їх швидкість. їх недоліки такі: необхідність дотримання особливих правил техніки безпеки та потрібне захоронення радіоактивних. 7. Ультразвукові процеси Ультразвук – це пружні механічні коливання та хвилі з частотою вище 20 кГц, які не сприймає людське вухо. Вони можуть відбиватися від перепон, їх можна фокусувати. Для генерування ультразвукових коливань використовують різні пристрої. Вони є двох типів: механічні й електромеханічні. Найбільш поширені електромеханічні. Ультразвуковими називають методи обробки, при яких оброблювана зона перебуває під впливом пружних механічних коливань великої частоти. Застосування ультразвуку дуже різноманітне. Ультразвукові методи застосовують у фізиці твердого тіла, напівпровідників, при вивченні речовин, у гідроакустиці, для контролю, вимірювань, обробки матеріалів, зварювання, в металургії (можна регулювати, наприклад, процес кристалізації).

скачать реферат Эффект Ганна

Цей ефект спостерігається в арсеніді галія, фосфиту індію та інших напівпровідниках, де існує два мінімума в енергетичній структурі кристалу. Виникнення негативної частини графіку ВАХ відбувається у результаті різних значень рухливості електронів у двох мнімумах цих матеріалів. На основі цього явища можна конструювати генератори, які можуть працювати на високих частотах від 1 до 50 ГГц, при цьому частота визначається довжиною кристалу. У зв’язку з підвищенною увагою до спектру надвисоких частот електромагнітних хвиль в останні роки, можна сказати, що вивчення цих явищ є досить актуальним. 3. Ефект Ганна Виникнення негативної диференційної провідності в однорідних напівпровідниках під дією сильного електричного поля. У сильних електричних полях рухливість носіїв заряду починає залежати від напруженості прикладеного поля: µ = µ(?). Внаслідок цього статична провідність напівпровідника ?0 = e µ, що входить у дифиринційний закон Ома (i = e µ? = ?0?), зберігаючись позитивною, може істотно змінити своє значення із зміною напруженості поля.

скачать реферат Ефект Ганна

Частота цих коливань: f = vдом / L, де vдом – швидкість домену, яка складає для арсеніду галію приблизно 107 см/с, L – довжина напівпровідника (звичайно одиниці мікрометрів для діодів Ганна). Звідси видно, що, наприклад, при L = 10 мкм частота коливань f = 107/10-3 = 1010 Гц = 10 ГГц. Важлива особливість діодів Ганна у тім, що на відміну від інших «працює» весь напівпровідник, а не тільки мала частина його – -р перехід. Тому в діодах Ганна можна допустити більші потужності. У цей час ці діоди вже генерують у безперервному режимі коливання потужністю, що досягає десятків ват, а в імпульсному режимі - одиниць кіловат, при ККД від одиниць до десятків відсотків. За теоретичними розрахунками передбачається, що можна створити діоди Ганна на потужності до сотень кіловатів в імпульсному режимі при частотах у десятки гігагерць. Як і будь-який генератор НВЧ-діапазону, генератор Ганна характеризується генеруючою потужністю, довжиною хвилі або частотою генеруючих коливань, коефіцієнтом корисної дії, рівнем шумів та іншими параметрами.

скачать реферат Методи і засоби захисту інформації

Нелінійні радіолокатори – прилади, випромінюючі електромагнітну хвилю з частотою f, а приймаючі перевипромінені сигнали на частотах f. Якщо такі сигнали будуть знайдені, то в зоні дії локатора є напівпровідникові елементи, і їх необхідно перевірити на можливу приналежність до ЗУ. Нелінійний радіолокатор знаходить тільки радіоелектронну апаратуру і, на відміну від класичного лінійного радіолокатора, не «бачить» віддзеркалень від навколишніх предметів, тобто володіє високою вибірковістю. Джерелами перешкод для його роботи можуть служити контакти із слабим притиском, для яких характерний наявність проміжного окисного шару. Активні технічні засоби захисту акустичного і віброаккустичного каналу Для активного захисту мовної інформації від незнайдених заставних пристроїв і знімання по інших каналах використовується апаратура активного захисту: Технічні засоби просторового зашумлення; Пристрої віброакустичного захисту; Технічні засоби ультразвукового захисту. Технічні засоби просторового і лінійного зашумлення За принципом дії всі технічні засоби просторового і лінійного зашумлення можна розділити на три великі групи: засоби створення акустичних маскуючих перешкод: генератори шуму в акустичному діапазоні; пристрої віброакустичного захисту; технічні засоби ультразвукового захисту приміщень; засоби створення електромагнітних маскуючих перешкод: технічні засоби просторового зашумлення; технічні засоби лінійного зашумлення, які у свою чергу діляться на засоби створення маскуючих перешкод в комунікаційних сітях і засоби створення маскуючих перешкод в сітях електроживлення; багатофункціональні засоби захисту.

Дополнительный набор "Магнитные истории. В гостях у сказки".
Игра разработана художником и дизайнером Ольга Тихопой. В комплект входят четыре сказки и четыре комплекта сказочных героев. Настоящий
323 руб
Раздел: Магнитный театр
Мебель для кукол "Столовая Конфетти".
Столовая "Конфетти" - это игровой набор, состоящий из стола, четырех стульев, а также посуды: бокалов, тарелок, столовых
463 руб
Раздел: Кухни, столовые
Кольцедержатель "Дерево с оленем", большой, белый.
Стильный аксессуар в виде фигурки оленя с ветвящимися рогами – держатель для украшений, - выполнен из прочного пластика двух классических
494 руб
Раздел: Подставки для украшений
скачать реферат Адсорбцiйнi чутливi елементи

За своїми функціональними можливостями, надійністю і вартістю датчики виявляються найслабкішою ланкою систем управління і вимірювання. В зв янкова Є.П., Алякшев І.П., Кормош В.В., Міца В.М. Особливості дослідження характеристик адсорбційних чутливих елементів // 2-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-2). – Чернівці: Рута, 2004. – Т. 1. – С. 226-227. 8. Кормош В.В., Алякшев І.П., Козубовський В.Р Атестація багатокомпонентних напівпровідникових газових сенсорів та приладів на їх основі // 3-а Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електро­ніка та мікросистемі технології» (СЕМСТ-3). – Одеса, 2-6 червня 2008 р.

скачать реферат Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням

ЛАВИННІ ФОТОДІОДИ Широкий розвиток лазерної техніки викликав необхідність створення швидкодіючих фотодетекторів, що мають високу чутливість до світла з визначеною довжиною хвилі і мають властивості вутрішнього підсилення. Лавинні фотодіоди (ЛФД) широко використовуються для реєстрації і вимірювання в різноманітних системах опрацювання оптичної інформації, виявлення слабких випромінювань, зоряної орієнтації і навігації та ін. Найбільш широко розвинуте застосування ЛФД у волоконно-оптичних лініях зв'язку (ВОЛЗ). ЛФД на основі кремнію мають внутрішнє підсилення до 103, високу чутливість (до 100 А/Вт) на довжині хвилі =0,9 мкм, малу інерційність (~0,5 нс), низький поріг (до 10-15 Вт?Гц-1/2). Ефекти лавинного множення у напівпровідниках. У звичайному фотодіоді при поглинанні світла виникають електронно- діркові пари, причому при поглинанні одного фотона утвориться одна електронно-діркова пара. Неосновні носії цих пар або рекомбінують, або протікають через p- -перехід, породжуючи фотострум. У ЛФД носії, що проходять через p- -перехід, одержують в сильному полі переходу енергію, достатню для ударної іонізації атомів решітки, і створюють на своєму шляху повторні пари.

скачать реферат Розміщення продуктивних сил і регіональна економіка

Наприклад, для Донецького регіону перспективними визнано: • структурну перебудову народногосподарського комплексу через збалансування розвитку основних галузей спеціалізації (вугільна, металургійна та хімічна промисловість) з потребами України, запровадження сучасних технологій та техніки, нових безвідходних виробництв, випереджального розвитку галузей, пов'язаних із задоволенням потреб населення; • удосконалення структури металургійного комплексу, скорочення виробництва чавуну, нерафінованої сталі, вогнетривів і збільшення виробництва електросталі, тонколистової продукції, розвиток вторинної та переробної кольорової металургії, випуск нових видів напівпровідників; • удосконалення структури машинобудівного комплексу, зокрема перепрофілювання частини підприємств ВПК на виготовлення технічно-складної цивільної продукції та товарів народного споживання; • поліпшення екологічної ситуації перепрофілюванням окремих виробництв, технічним переоснащенням підприємств, здійсненням комплексу природоохоронних заходів; • інтенсивний розвиток сільськогосподарського виробництва, зокрема тваринництва м'ясо-молочного напрямку; • забезпечення ефективної зайнятості населення шляхом диверсифікації виробництва та створення нових робочих місць.

скачать реферат Інформатика і сучасна школа

Технічні засоби обчислювальної техніки Перші електронно-обчислювальні машини були гро­міздкими й дорогими, а працювати з ними могли лише фахівці. Коли з'явилися кремнієві напівпровідникові мік­росхеми, обчислювальні машини настільки зменшилися в розмірах, що тепер габарити обладнання для опрацю­вання даних часто залежать тільки від того, який метод використовується для введення і пошуку інформації. Де­які моделі ЕОМ відзначаються такою низькою вартістю й універсальністю, що навіть недосвідчений користу­вач, маючи якісну програму, може швидко навчитися працювати на такій ЕОМ. Школи вже не орієнтуються на віддалену ЕОМ як на засіб доступу до нових методів опрацювання інформації при всій її привабливості. Пояс­нюється це тим, що, незважаючи на велику кількість про­грам, затримки в часі, які часто бувають при обслугову­ванні на відстані, або породжують практично неперебор­ні труднощі для вчителя, або накладають таку велику кількість додаткових обмежень, що процес викладання стає практично неможливий. У галузі комерційного застосування ЕОМ відбувається поступовий перехід від перфокарт до більш удоскона­лених засобів уведення інформації—терміналів, до­помогою яких користувачі можуть взаємодіяти з одним із кількох пакетів прикладних програм, що реалізовані на даній ЕОМ.

скачать реферат Приймачі випромінювання

Чутливість інверсійних фотодиодів досягає , поріг чутливості рівний по випромінювачу з К (германієві фотодіоди) і  Вт при видаленні плями від центра на 9,5 мм (кремнієві фотодіоди); постійна часу не перевищує декількох мікросекунд. Багатоелементні координатні приймачі мають чутливий шар, що складається з декількох окремих елементів. За допомогою багатоелементного приймача можна здійснювати перегляд кутового поля оптичної системи без механічного сканування, що спрощує конструкцію деяких оптико-електронних приладів. Прикладом найпростішого двохкоординатного приймача є фотодіод, чутливий майданчик якого розділений на чотири неповних елементи 0,001 0,5 мм. Багатоелементні приймачі мають ті ж характеристики, що і інверсійні фотодіоди. ПЗС, що є двомірними матрицями на основі структур метал - діелектрик - напівпровідник, використовуються для зберігання і передачі інформації, перетворення інформації, укладеної в потоку випромінювання, в електричні сигнали, їх зберігання і прочитання. ПЗС-структури застосовуються в пристроях введення і виведення (відображаючі пристрої, пристрої пам'яті). На основі ПЗС розробляються передаючі телевізійні камери, ширококутні тепловізори без механічного сканування.

Подставка для колец "Лебедь", 10 см, арт. 62240.
Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Материал: металл (сплав цинка, с покрытием из серебра 0,7 микрон). Размер: 10 см. Товар не
494 руб
Раздел: Подставки для украшений
8 толстых карандашей для малышей.
Диаметр карандаша: 1 см. Длина карандаша: 13 см.
501 руб
Раздел: 7-12 цветов
Игра-головоломка "Дядюшкина ферма".
В головоломке Дядюшкина ферма (Funny Farm) игроки попробуют управиться с целым фермерским хозяйством, разместив гостей и обитателей фермы
1241 руб
Раздел: Головоломки
скачать реферат Вивчення властивостей твердого тіла

зміст Вступ 1. Основи статистики фононів 1.1 Фонони 1.2 Наближення Ейнштейна и Дебая 2. Нормальні процеси і процеси перебросу 3. Вплив -процесів 4. Облік нормальних процесів 4.1 Релаксаційний метод 4.2 Варіаційний метод 4.3 Метод Гюйє і Крумхансла Висновки Список використаної літератури вступ Однією з характерних особливостей розвитку сучасного суспільства є широке використання у всіх його сферах досягнень науки і техніки. Важливий вклад у науково-технічний прогрес вносить фізика, зокрема фізика твердого тіла. Фізика твердого тіла — це великий і важливий розділ сучасної фізики, який вивчає структуру і фізичні властивості речовин у твердому стані. Основне завдання фізики твердого тіла зводиться до встановлення зв'язку між властивостями індивідуальних атомів чи молекул і тими властивостями, які проявляються при об'єднанні цих атомів або молекул в кристали. Важко собі уявити розвиток таких напрямків науки і техніки, як фізика напівпровідників, металів, надпровідників, металургія, матеріалознавство, електроніка, мікро- та оптоелектроніка тощо без фізики твердого тіла.

скачать реферат Водень в шаруватих кристалах GaSe

Міністерство освіти та науки України Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича КАФЕДРА ЕЛЕКТРОНІКИ І ЕНЕРГЕТИКИ Реферат Водень в шаруватих кристалах GaSe Чернівці 2008 1.1 Вплив водню на оптичні властивості GaSe Здатність шаруватих напівпровідників типу А3В6 до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію нас як науковий інтерес, так і практичне значення: акумулятори водню, водневі фільтри, каталізатори, електроди для паливних елементів та батарей. Подані результати досліджень спектрів пропускання GaSe (є -модифікація), інтеркальованого воднем у ділянці екситонного поглинання. Зразки, які використовували для інтеркаляції, вирощували методом Бріджмена. Інтеркаляцію проведено електрохімічним методом з 0.1-нормального розчину соляної кислоти. Вплив концентрації введених атомів водню на властивості моноселеніду ґалію вивчали на одній і тій же групі зразків шляхом доінтеркаляції. Інтеркаляція монокристалічних зразків GaSe проводилась методом 2) були зареєстровані ефекти додаткового розсіювання у вигляді розмитих максимумів, що свідчить про локальне перекручування структури.

скачать реферат Практичне застосування фоторефрактивного ефекту

Виявилось, що під дією лазерного світла, освітлюючого окрему ділянку зразка, відбувалася локальна зміна показника заломлення кристала. Це приводило до спотворення хвильового фронту променя. Таким чином, промінь світла псував до цього високу оптичну якість кристала — з'являлася неоднорідність показника заломлення в освітленій ділянці, що послужило приводом для первинної назви ефекту op ical damege (оптичне пошкодження). Проте незабаром звернули увагу і на важливі позитивні сторони ефекту. З'явилися пропозиції про його практичне використання, і почалося його інтенсивне дослідження. Надалі саме явище все частіше почало називатися ефектом фоторефракції. Оскільки при фоторефракції зміна показника заломлення є оборотною, то фоторефрактивні кристали почали розглядатися як реверсивні світлочутливі середовища. Це виявилося цінною знахідкою для вчених-оптиків, які займалися голографією і оптичною обробкою інформації. З іншого боку, вивчення природи явища фоторефракції виявилося цікавим для фізиків — фахівців в області фізики твердого тіла, напівпровідників, когерентної оптики.

скачать реферат Джерела живлення. Дослідження основних параметрів

Параметром якості фільтра є коефіцієнт згладження, який дорівнює відношенню коефіцієнта пульсацій на вході до коефіцієнта пульсацій на виході. Стабілізатори напруги є конструктивною частиною блоків живлення і використовуються для автоматичної підтримки рівня постійної напруги. Основними параметрами стабілізаторів є: коефіцієнт нестабільності по напрузі, коефіцієнт нестабільності по струму, коефіцієнт стабілізації напруги, вихідний опір, ККД, коефіцієнт згладження пульсацій (має те ж значення, що і для фільтрів). У залежності від необхідного коефіцієнта стабілізації струмів і напруги в навантаженні використовують різні види стабілізаторів: напівпровідникові параметричні, компенсаційні, імпульсні. Перетворювачі постійної напруги дозволяють набути різних значень напруги. Конструктивно вони складаються з інвертора, що перетворює напругу в напругу прямокутної форми, і випрямляча. У залежності від необхідної потужності в навантаженні використовують перетворювачі: однотактні з транзисторним ключем, однотактні з широтно-імпульсною стабілізацією, двотактні, безтрансформаторні. Імпульсні мережні блоки живлення конструктивно об'єднують безтрансформаторні випрямлячі, фільтри, імпульсні стабілізатори напруги, інвертори.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.