телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАИгры. Игрушки -5% Канцтовары -5% Электроника, оргтехника -5%

все разделыраздел:Физика

Электронно-дырочный переход

найти похожие
найти еще

Ручка "Помада".
Шариковая ручка в виде тюбика помады. Красный цвет колпачка.
73 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10
Из-за нестабильности физико-химической структуры этой поверхности, подверженной влиянию окружающей среды, ток утечки по поверхности Iу нестабилен, что приводит к «ползучести» характеристик диода. В современных диода поверхность перехода специально обрабатывают и защищают от внешних воздействий, поэтому ток утечки всегда существенно меньше термотока. Таким образом, полный и обратный ток диода: . Пробой диода Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода начинает резко возрастать. Это явление называют пробоем диода. Заметим, что пробой сопровождается выходом диода из строя лишь в том случае, когда возникает чрезмерный разогрев перехода, и происходят необратимые изменения его структуры. Если же мощность, выделяющаяся в диоде, поддерживается на допустимом уровне, он сохраняет работоспособность и после пробоя. Более того, для некоторых типов диодов пробой является основным рабочим режимом. Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависти от типа диода и может иметь величину от единиц до сотен вольт. Различают два основных вида пробоя электронно-дырочного перехода: электрический и тепловой. В обоих случаях резкий рост тока связан с увеличением числа носителей заряда в переходе. При электрическом пробое число носителей заряда в переходе возрастает под действием сильного электрического поля и ударной ионизации атомов решетки, при тепловом пробое – за счет термической ионизации атомов. Электрический пробой. Обычно длина свободного пробег электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время свободного пробега электроны успевают набрать достаточную энергию, то возникает ударная ионизация атомов электронами. В результате ударной ионизации наступает лавинное размножение носителей заряда. Величина напряжения пробоя зависит от рода материала. Когда приложенное напряжение приближается к напряжению пробоя, коэффициент размножения носителей резко возрастает, растет число носителей заряда в переходе, сильно увеличивается ток через переход, наступает лавинный пробой. При значительных напряженностях электрического поля (порядка 200 кВ/см), возможен туннельный пробой, обусловленный прямым переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости смежной области, происходящим без изменения энергии электрона. Практически при электрическом пробое могут иметь место в той или иной степени одновременно оба вида пробоя – туннельный и лавинный. Величина напряжения пробоя существенно зависит от состояния поверхности перехода, где могут образовываться заряды того или иного знака, которые уменьшают или увеличивают результирующую напряженность поля у поверхности по сравнению ее значением в объеме. В неблагоприятном напряжении пробоя по поверхности может быть в несколько раз ниже, чем по объему. Это еще раз подчеркивает важность стабилизации свойств поверхности полупроводника, защиты ее от воздействий окружающей среды. Тепловой пробой. Тепловой пробой диода возникает вследствие перегрева перехода проходящим через него током при недостаточном теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода.

Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно- дырочном переходе. Примем, что в рассматриваемой p- -структуре концентрация дырок в дырочной области выше, чем в электронной(pp>p ), а концентрация электронов в электронной области выше, чем в дырочной( > p), на границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации носителей заряда, вызывающий диффузионный ток: дырок из p-области в -область и электронов из -области в p-область. Диффузионный перенос заряженных частиц сопровождается нарушением электрической нейтральности полупроводника в непосредственной близости от границы областей: в p-области вследствие ухода дырок возникает не скомпенсированный отрицательный заряд, а в -области вследствие ухода электронов – положительный заряд. В результате дырочная область приобретает отрицательный потенциал относительно электронной области и в переходном слое создается электрическое поле, вызывающее дрейфовый ток. Но при отсутствии внешнего поля результирующий ток в полупроводнике должен быть равен нулю, это условие динамического равновесия процессов в переходе. Следовательно, диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим током, обусловленным напряженностью собственного электрического поля E в переходе: Таким образом, в электронно-дырочном переходе всегда существуют градиент концентрации заряда, вызывающий диффузию дырок и электронов, и обусловленный им градиент потенциала собственного электрического поля du/dx=-E, вызывающий встречные дрейфующие токи, уравновешивающие диффузионные токи: Наличие этих градиентов в p- -переходе обуславливает существенное отличие его электрофизических свойств от свойств, прилегающих к нему p- и - областей. Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. Энергетические диаграммы уединенных p- и - областей полупроводника показаны на рисунке. В p- области уровень Ферми WFp смещен в сторону валентной зоны, а в -области уровень Ферми WF – в сторону зоны проводимости. В p- -структуре энергия уровня Ферми WF должна быть всюду одинакова: WF = WFp = WF , так как в любой точке тела он имеет одну и ту же вероятность заполнения его электроном, равную, по определению, Ѕ, а одной и той же вероятности заполнения уровней должна соответствовать одна и та же их энергия. Поскольку расположение энергетических зон относительно уровня Ферми в каждой из областей (дырочной и электронной) фиксировано, из постоянства энергии уровня Ферми по всей p- -структуре вытекает, что валентные зоны, а также зоны проводимости p- и -областей должны быть смещены относительно друг друга на величину WF - WFp . Из условий динамического равновесия процессов диффузии и дрейфа носителей заряда в p- -переходе следует, что разность минимальных энергий электронов проводимости в p- и -областях p- -структуры Wc – Wcp должна быть равна , так же как и разность энергий дырок, поэтому можно записать: Концентрация электронов в зоне проводимости -области выше, чем в p- области, так как минимальная их энергия здесь ниже (на величину ), чем в зоне проводимости p-области.

В результате совместного влияния этих емкостей и активного сопротивления rб свойства диода на высоких частотах оказываются совершенно иными, чем на низких частотах, выпрямительный эффект с ростом частоты почти полностью исчезает. Импульсные диоды. Полупроводниковые диоды широко используют в качестве ключа, т. е. устройства, имеющего два состояния: «открыто», когда сопротивление прибора очень мало, и «закрыто», когда его сопротивление очень велико. Время перехода диода из одного состояния в другое должно быть по возможности небольшим, так как этим определяется быстродействие аппаратуры. Предназначенные для этой цели диоды называют импульсными или ключевыми. Полупроводниковые стабилитроны. Режим электрического пробоя p- -перехода находит практическое применение для стабилизации напряжения. Такие диоды носят название полупроводниковых стабилитронов. В современных стабилитронах максимальный ток колеблется в пределах от нескольких десятков миллиампер до нескольких ампер. Превышение максимального тока приводит к выходу диода из строя. Рабочее напряжение стабилитрона, являющееся напряжением пробоя р- - перехода, зависит от концентрации примесей в р- -структуре и лежит в пределах 4—200 В. Напряжение стабилитрона в рабочем режиме мало зависит от тока, что является основой применения этих приборов. Варикапы. Варикап — это полупроводниковый диод, применяемый в качестве электрического конденсатора, управляемого напряжением. В варикапе используется зависимость емкости перехода от обратного напряжения. Благодаря возможности изменения емкости с помощью напряжения варикапы находят применение для настройки высокочастотных колебательных контуров и управления частотой генераторов гармонических колебаний. Промышленностью выпускается для этой цели большой ассортимент варикапов. Существует также разновидность варикапов, специально предназначенных для параметрического усиления колебаний и преобразования несущей частоты. Эти приборы называют варакторами или параметрическими диодами.Заключение. Наиболее важные для техники полупроводниковые приборы - диоды, транзисторы, тиристоры основаны на использовании замечательных материалов с электронной или дырочной проводимостью. Широкое применение полупроводников началось сравнительно недавно, а сейчас они получили очень широкое применение. Они преобразуют световую и тепловую энергию в электрическую и, наоборот, с помощью электричества создают тепло и холод. Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах. Инженеры не могут обходиться без полупроводниковых выпрямителей, переключателей и усилителей. Замена ламповой аппаратуры полупроводниковой позволила в десятки раз уменьшить габариты и массу электронных устройств, снизить потребляемую ими мощность и резко увеличить надежность.Библиографический список 1. В.А. Батушев «Электронные приборы», М.: Высшая школа, 1990. 2. И.В. Савельев «Курс общей физики», М.: Наука, 1993 3. О.Ф. Кабардин «Физика. Справочные материалы», М.: Просвещение, 1991 Область, имеющая большую концентрацию основных носителей заряда, отмечают знаком « » у обозначений типа электропроводности (например, р ).-----------------------

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Альтамира, Ласко и др.), резьбой, рельефом (Бохусленские наскальные изображения) и пр. НАСЛЕДОВ Дмитрий Николаевич (1903-75) - российский физик. Труды по физике и технике полупроводников, дозиметрии. Разработал технологию получения монокристаллов арсенидов галлия и индия и электронно-дырочных переходов (р - n-переходов) на их основе, что явилось важным вкладом в создание полупроводникового лазера. Создал фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии. Ленинская премия (1964). НАСЛЕДОВАНИЕ - переход имущества умершего (наследодателя) к его наследникам. Различают наследование по закону (когда в законе указаны лица, которые являются наследниками, и очередность призвания их к наследованию) и по завещанию. Наследование по закону обычно имеет место при отсутствии завещания. См. также Обязательная доля. НАСЛЕДСТВЕННОЕ ПРАВО - совокупность правовых норм, регулирующих отношения, возникающие в связи с переходом имущества умершего к другим лицам (см. Наследование). НАСЛЕДСТВЕННОСТЬ - свойство организмов повторять в ряду поколений сходные типы обмена веществ и индивидуального развития в целом

скачать реферат Материаловедение

Без создания электрического поля за счёт поданных на электроды потенциалов на границе между половинками с разными типами проводимости в так называемом электронно-дырочном переходе (или p – -переходе) образуется тонкий запорный слой, порядка 10-5 см, через который не проходят ни электроны, ни «дырки». Механизм образования этого запорного слоя сводится к следующему физическому процессу. В половинке с p-проводимостью концентрация «дырок» больше, чем в зоне с - проводимостью; в последней же имеется повышенная концентрация электронов. Благодаря этому происходит диффузия «дырок» и электронов из одной половины в другую, приводящая к появлению отрицательного заряда у p – -перехода в области с p-проводимостью и положительного заряда в области с - проводимостью. Эти заряды создают внутреннее диффузное поле, прекращающее диффузию «дырок» и электронов через зону действия этого поля – через запорный слой. При приложении к электродам разности потенциалов, когда на электрод, присоединённый к половинке с p-проводимостью подсоединён отрицательный, а к электроду половинки с -проводимостью – положительный полюс, создаваемое ими поле совпадает с диффузным полем, p – -переход остаётся запертым – ток проходить не будет.

Магнитные истории "Что мне надеть".
Игра научит ребенка: ориентироваться по ситуации, внимательности, развития мелкой моторики, фантазии, аккуратности, усидчивости. В
499 руб
Раздел: Игры на магнитах
Набор детской посуды "Лиса".
Набор посуды детский "Лиса". В комплекте 3 предмета: - тарелка суповая диаметром 15 см, - тарелка обеденная диаметром 17,5 см, -
397 руб
Раздел: Наборы для кормления
Колесо амортизирующее "Sulov", 200 мм.
Колесо рассчитано на длительную и интенсивную эксплуатацию. Отлично поглощает ударные нагрузки. Колесо мягкое, тем самым обеспечивает
546 руб
Раздел: Колеса, камеры, покрышки
 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Тонлесап (у впадения ее в р. Меконг). Ок. 800 тыс. жителей (1989). Порт, доступный для морских судов. Главный транспортный узел. Международный аэропорт. Деревообрабатывающая, текстильная, пищевая, металлообрабатывающая промышленность, автосборка и судоремонт. 3 университета. Высший технический институт, Экономический институт. Национальный музей. Возник в 14 в.; с 15 в. неоднократно столица страны (в 1866-1953; административный центр французского протектората Камбоджа). Монастырь Пном со ступой (1434); сооружения 19-20 вв.: комплекс Королевского дворца, "Серебряная пагода", памятник Независимости. p-n-ПЕРЕХОД (n-p-переход - электронно-дырочный переход), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n-типа), а другая - дырочную (p-типа). В области p-n-перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в р-область, а дырок обратно, что обеспечивает выпрямляющие свойства p-n-перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов

скачать реферат Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин

Весь комплекс технологического оборудования, предназначенный для производства полупроводниковых приборов, можно разделить на десять основных групп: оборудование для входного контроля исходных материалов, обработки полупроводников, создания электронно- дырочных переходов и получения невыпрямляющих контактов, изготовление корпусов, сборки приборов, измерения из параметров, испытания и выполнения заключительных операций, а также вспомогательное оборудование для получения чистых газов, воды, химических реактивов и изготовления фотошаблонов. Итак, высокая точность, малые размеры и массовость производства полупроводниковых приборов привели к механизации и автоматизации наиболее трудоёмких процессов и созданию высокопроизводительных полуавтоматических и автоматических установок и агрегатов. Используемые материалы при работе на оборудовании для ориентации полупроводниковых пластин. Область использования и общая характеристика оборудования для ориентации полупроводниковых пластин. Основными полупроводниковыми материалами, применяемыми для изготовления полупроводниковых приборов, являются германий и кремний. Эти материалы имеют кристаллическую структуру, но для изготовления полупроводниковых приборов используют монокристаллы германия и кремния, т.е. полупроводники с правильной кристаллической структурой, превращенные в единый кристалл.

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

В основе романтических романов и повестей ("Живописец", "Блаженство безумия"; обе - 1833) - конфликт "мечты" и "существенности". Исторический роман "Клятва при гробе Господнем" (1832). "История русского народа" (т. 1-6, 1829-33) полемически направлена против Н. М. Карамзина. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор) - транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению. ПОЛЕВОЙ УСТАВ - официальный документ, определявший в Вооруженных Силах СССР основные положения по подготовке и ведению соединениями и частями общевойскового боя, управлению войсками, их передвижению и др. ПОЛЕВОЙ ШТАБ РВСР (Реввоенсовета Республики) - высший оперативный орган Главного командования Красной Армии в годы Гражданской войны. Образован в сентябре 1918 на базе штаба Высшего военного совета

скачать реферат Полупроводниковые приборы

Эти электроны под действием разности потенциалов могут получить дополнительное движение в определенном направлении, которое и является электрическим током. Полупроводники обладают также дырочной электропроводимостью, которая не наблюдается в металлах. Отсутствие электрона в атоме полупроводника, т.е. наличие в атоме положительного заряда, назвали дыркой. Этим подчеркивают, что в атоме не хватает одного электрона, т.е. образовывалось свободное место. Дырки ведут как элементарные положительные заряды. Электронно-дырочный переход Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным или р- переходом. Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т.е. представляет собой нелинейное сопротивление. Работа почти всех полупроводниковых приборов, применимых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких p- переходов. Пусть внешнее напряжение отсутствует (рис.1). Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т.е. имеют некоторые тепловые скорости, то и происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой.

скачать реферат МОП-транзисторы

В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению. Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток.

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Диффузант поступает в полубесконечное тело через плоскость x=0 из источника, обеспечивающего постоянную концентрацию примеси o на поверхности раздела твердое тело - источник в течение любого времени. Такой источник называют бесконечным или источником бесконечной мощности. Полагается, что в принимающем диффузант теле нет рассматриваемой примеси. Начальное распределение концентраций и граничные условия для этого случая задаются в виде (x, ) = o для x=0 (x,0) = 0 для x>0 Решением уравнения (16) для данных условий является выражение (18) Если в объеме полупроводникового материала до диффузии имелась примесь противоположного типа по отношению к диффундирующей, эта примесь распределена по объему равномерно и её концентрация равна b, то в этом случае в полупроводнике образуется электронно-дырочный переход. Его положение (глубина залегания) xj определяется условием (x, )= b, откуда (19) и (20) здесь запись erfc-1 обозначает аргумент z функции erfc. При решении практических задач, связанных с анализом диффузионных процессов необходимо знать количество примеси Q, накопленной в твердом теле при диффузии в течение времени .

скачать реферат Шпаргалка с билетами по физике, 11 класс

Все состояния, кроме одного, являются стационарными условно, и только в одном – основном, в котором электрон обладает минимальным запасом энергии – атом может находиться сколь угодно долго, а остальные состояния называются возбужденными. 2) Электронно-дырочный переход и его свойства. Полупроводниковый диод и его применение. Полупроводниковый диод состоит из p- перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости. При соединении происходит диффузия электронов в р-полупроводник. Это приводит к появлению в электронном полупроводнике нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в дырочном – отрицательных ионов акцепторной примеси, захвативших продиффундировавшие электроны. Между двумя слоями возникает электрическое поле. Если на область с электронной проводимостью подать положительный заряд, а на область с дырочной – отрицательный, то запирающее поле усилится, сила тока резко понизится и почти не зависит от напряжения. Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде – обратным. Если на область с дырочной проводимостью подать положительный заряд, а на область с электронной – отрицательный, то запирающее поле ослабится, сила тока через диод в этом случае зависит только от сопротивления внешней цепи.

Автомобиль-каталка "Премиум-2".
Большой автомобиль-каталка может не только катать малыша, но и перевозить "грузы". Особенно пригодится он в песочнице, где так
1461 руб
Раздел: Каталки
Набор для творчества. "Творчество" стикеры "Домик для игр".
В наборе Melissa & Doug более 170 стикеров (наклеек) на тему интерьера дома. Набор помогает вашему малышу развивать творческие
479 руб
Раздел: Прочие
Набор игрушек на присосках "Каскадер".
Что подарить творческому ребенку, из которого ключом бьет энергия? Чем занять неугомонного малыша в дороге или в ожидании? Набор игрушек
301 руб
Раздел: Из резины
скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Краткий исторический очерк развития электронной и микроэлектронной техники. Значение курса, как одного из базовых, для радиоэлектронных и коммуникационных специальностей. Раздел 1. Полупроводниковые приборы 1 Электропроводность полупроводников. Основные понятия зонной теории. Уровень Ферми для собственного и примесного полупроводников. Концентрация подвижных носителей зарядов. Генерация, рекомбинация, время жизни носителей. Диффузионное и дрейфовое движения носителей, диффузионный и дрейфовый токи, уравнения диффузии и непрерывности. 2 Физические процессы в электронно-дырочных переходах и контактах. Электронно-дырочный (p- ) переход в состоянии равновесия. Способы получения переходов. Энергетическая и потенциальная диаграммы, высота потенциального барьера, движение носителей, распределение зарядов и напряженности электрического поля в обедненном слое, ширина перехода. Прямое и обратное включение p- перехода. Инжекция и экстракция неосновных носителей, прямой и обратный токи. Вольтамперная характеристика идеализированного электронно-дырочного перехода, влияние на нее температуры, концентрации примесей, генерации и рекомбинации носителей в области перехода.

скачать реферат Основные требования к полупроводниковым материалам

Однако для повышения КПД фотоэлементов, предназначенных для преобразования энергии солнечного света, с учетом спектрального распределения энергии в солнечном спектре необходим полупроводниковый материал с несколько большей шириной запрещенной зоны, чем у кремния (например, арсенид галлия). Естественно, что к исходному полупроводниковому материалу каждого прибора предъявляются требования, связанные с принципом действия и условиями работы этого прибора. Так, солнечные батареи должны длительное время работать в условиях космической радиации. По этой причине необходимым свойством исходного полупроводникового материала таких приборов является его радиационная стойкость. Радиационная стойкость фото преобразователей на основе арсенида галлия более высокая, чем кремниевых преобразователей. Экспериментально выявлена в несколько раз большая радиационная стойкость к облучению электронами и протонами фотоэлементов на основе кремния с p-типом электропроводимости, чем на основе кремния с -типом электропроводимости. Коэффициент полезного действия фотоэлемента, в частности, зависит от места возникновения новых носителей заряда: они могут возникать на относительно большой глубине от электронно-дырочного перехода в базе, или непосредственно в переходе, или в близи поверхности кристалла полупроводника.

скачать реферат Теория

В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств p- -переходов. В зависимости от функционального назначения прибораразличают: Электрический переход в полупроводнике ( это граничный слой между двумя областями, выполненными из полупроводникового материала, имеющего различные физические характеристики. Электронно-дырочный переход ( это граничный слой, обедненный носителями и расположенный между двумя областями полупроводника с различными типами проводимости. Гетеропереходы ( это переходы между двумя полупроводниковыми материалами, имеющими различную ширину запрещенной зоны. Переход металл(полупроводник ( одна из областей является металлом, а другая ( полупроводником. Контакты металл(полупроводник, в зависимости от назначения, изготовляются выпрямляющими и невыпрямляющими. 2. Электронно-дырочный p- -переход Такие переходы могут быть cимметричными и несимметричными. В практике больше распространены несимметричные p- -переходы, поэтому в дальнейшем теория будет ориентирована на них. При симметричных переходах области полупроводника имеют одинаковую концентрацию примеси, а в несимметричных ( разную (концентрации примесей различаются на несколько порядков ( в тысячи и десятки тысяч раз).

скачать реферат Электролучевая трубка с магнитной отклоняющей системой

Кроме того, потребление магнитными отклоняющими катушками значительного тока требует применения мощных источников питания. Достоинством магнитной отклоняющей системы является ее внешнее относительно электронно-лучевой трубки расположение, что позволяет применять вращающиеся вокруг оси трубки отклоняющие системы.Статические и физические параметры транзистора. Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности, имеющий три или более выводов. Физические параметры транзистора. Токи в транзисторе определяются рядом физических процессов в электронно-дырочных переходах и в объеме базы, характеризуемых соответствующими параметрами. Физические параметры играют важную роль при анализе работы транзистора на переменном токе с сигналами малых амплитуд. Большинство этих параметров являются дифференциальными величинами и используются в качестве так называемых малосигнальных параметров транзистора. Рассмотрим основные процессы и физические параметры транзистора. Токи в транзисторе. В активном режиме работы транзистора дырки, инжектируемые из эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются полем коллекторного перехода, образуя коллекторный ток IK.

скачать реферат Курс физики

Закон Ома для полной цепи. 3(19) Л/р №3 “Измерение ЭДС и 2 ч. внутреннего сопротивления источника тока”. 4(20) Самостоятельная работа 2 ч. “Электрический ток”. 3. Магнитное поле 8 ч. 1(21) Взаимодействие токов. 2 ч. Магнитная индукция. Магнитный поток. 2(22) Принцип действия 2 ч. электроизмерительных приборов. Громкоговоритель. 3(23) Сила Лоренца. Ферромагнетики. 2 ч. 4(24) Контрольная работа №4 2 ч. “Магнитное поле”. Название темы Тема урока Количество часов По плану Фактически 4. Электрический 8 ч. ток в различных средах. 1(25) Основные положения 2 ч. электронной теории проводимости металлов. Скорость упорядоченного движения электронов. Зависимость сопротивления от температуры. Сверхпроводимость. 2(26) Электрический ток в 2 ч. полупроводниках. Электропроводимость полупроводников и ее зависимость от температуры. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Терморезистор. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Применение полупроводниковых приборов. 3(27) Электрический ток в растворах и расплавах электролитов. Закон электролиза. 2 ч. 4(28) Контрольная работа №4 “Законы постоянного тока.

Детское удерживающее устройство "Фэст", 15-25 кг (серо-голубой).
Детское удерживающее устройство "Фэст" — уникальная отечественная разработка. Компактное, надежное, очень простое в эксплуатации
482 руб
Раздел: Удерживающие устройства
Бумага крафт, 100 см х 10 метров, цвет золотой.
Бумага упаковочная в рулоне. Ширина: 100 см. Длина: 10 метров. Цвет: золотой.
566 руб
Раздел: Однотонная, голография
Шампунь детский "Natura Siberica" Легкое расчесывание, 250 мл.
Детский шампунь "Natura Siberica" бережно очищает и не спутывает мягкие детские волосы. Органический экстракт фиалки увлажняет
332 руб
Раздел: Шампуни
скачать реферат Полупроводниковые диоды

СодержаниеПолупроводниковые диоды Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела Электронно-дырочный переход Вольтамперная характеристика п-р перехода Диоды. Основные свойства Полупроводниковые диоды Некоторые положения и определения электронной теории твердого телаРабота полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем основана на использовании процессов и явлений, происходящих в твердом теле. Поэтому знание физических основ теории твердого тела необходимо для понимания принципов работы и параметров разнообразных электронных элементов. Вокруг ядра атома любого вещества движутся по определенным замкнутым траекториям (орбитам) отрицательно заряженные электроны. В нормальном состоянии ядро атома содержит число положительно заряженных протонов, количество которых равно числу внешних электронов и поэтому атом электрически нейтрален. Число электронов, вращающихся вокруг ядра, всегда равно порядковому номеру элемента в периодической системе элементов Д.И. Менделеева. В твердом веществе атомы занимают устойчивые положения, определяемые межатомными связями.

скачать реферат Расчет и проектирование диода на основе кремния

В качестве выпрямляющего электрического перехода в полупроводниковых диодах может быть электронно-дырочный переход, гетеропереход или выпрямляющий переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником (переход Шотки). В диоде с p- переходом или с гетеропереходом кроме выпрямляющего перехода должно быть два омических перехода, через которые p- и -области диода соединены выводами (рис. 1.1,а). В диоде с выпрямляющим электрическим переходом в виде контакта между металлом и полупроводником всего один омический переход (рис. 1.1,б). Рисунок 1.1 - Структура полупроводниковых диодов: а) с выпрямляющим электрическим переходом в виде p- перехода; б) с выпрямляющим электрическим переходом на контакте между металлом и полупроводником; В - выпрямляющие электрические переходы; Н – невыпрямляющие (омические) переходы.Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные p- переходы. Поэтому при полярности внешнего напряжения, при которой происходит понижение потенциального барьера в p- переходе, то есть при прямом направлении для p- перехода, количество носителей заряда, инжектированных из сильнолегированной в слаболегированной область, значительно больше, чем количество носителей, проходящих в противоположном направлении.

скачать реферат Расчет и проектирование светодиода

Кроме вышеперечисленных сфер СИД задействованы в освещении. Применение СИД для освещения обусловлено, как указывалось выше, высоким КПД преобразования энергии, надёжностью конструкции, хорошо развитой на сегодняшней день технологией изготовления СИД с различными параметрами свечения. Как и практически любой источник излучения, СИД функционирует совместно с оптической системой, формирующей требуемую кривую силы света (КСС). Огромный интерес, проявляемый к светоизлучающим диодам специалистами в области радиоэлектроники, отображения информации, оптоэлектроники, обусловлен их замечательными характеристиками: высокой эффективностью преобразования электрической энергии в световую, высоким быстродействием, малым потреблением энергии, надежностью, большим сроком службы, высокой устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям. 1ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ 1.1Светоизлучающиие диоды 1.1.1Области применения и требования к приборам Светоизлучающий диод состоит из кристалла полупроводника с электронно-дырочным переходом и омическими контактами и элементов конструкции, предназначенных для сбора излучения, увеличения внешней оптической эффективности, улучшения восприятия свечения и формирования необходимой диаграммы направленности излучения, а также обеспечения электрического контактирования с внешней цепью и удобного монтажа прибора в аппаратуре.

скачать реферат Расчет параметров ступенчатого p-n перехода (zip 860 kb)

Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода, которые будут рассмотрены в данной курсовой работе. Кроме того, целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p- -перехода для ответа на основной вопрос данной работы: «Какова ширина p- -перехода?» при заданных исходных параметрах. В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, введено понятие тонкой структуры. ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. 1.1 Понятие о p- переходе. Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p- слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавными. В плавных p- -переходах изменение концентрации донорных ( d), и акцепторных ( a) примесных атомов происходит на расстоянии, сравнимом с шириной обеднённого слоя или превышающем её.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.