телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАКанцтовары -5% Товары для животных -5% Все для ремонта, строительства. Инструменты -5%

все разделыраздел:Физика

Туннельные и барьерные эффекты.

найти похожие
найти еще

Чашка "Неваляшка".
Ваши дети во время приёма пищи вечно проливают что-то на ковёр и пол, пачкают руки, а Вы потом тратите уйму времени на выведение пятен с
263 руб
Раздел: Тарелки
Ночник-проектор "Звездное небо и планеты", фиолетовый.
Оригинальный светильник - ночник - проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фонариков) 2) Три
330 руб
Раздел: Ночники
Фонарь желаний бумажный, оранжевый.
В комплекте: фонарик, горелка. Оформление упаковки - 100% полностью на русском языке. Форма купола "перевёрнутая груша" как у
59 руб
Раздел: Небесные фонарики
В такого рода задачах линейную дислокацию можно представить как упругую струну, лежащую первоначально вдоль оси у в одном из локальных минимумов потенциала V(x, у). Этот потенциал не зависит от у, а его рельеф вдоль оси х представляет со последовательность локальных минимумов, каждый из которых находится ниже другого на величину, зависящую от приложенного к кристаллу механического напряжения. Движение дислокации под действием этого напряжения свода к туннелироваиию в соседний минимум определенного отрезка дислокации с последующим подтягиванием туда оставшейся её части. Такого же рода туннельный механизм может отвечать за движение волн зарядовой плотности в диэлектрике Пайерлса. Для расчётов эффектов туннелирования таких многорамерных квантовых систем удобно использовать квазикласическое представление волновой функции в виде ?~exp(iS), S—классическое действие системы. Для туннельного эффекта. существенна мнимая часть S, определяющая затухание волновой функции в классически недоступной области. Для её вычисления используется метод комплексных траекторий. Квантовая частица, преодолевающая потенциальный барьер может быть связана с термостатом. В классической механике это соответствует движению с трением. Тем самым, ; описания туннелирования необходимо привлечение теории, получившей название диссипативной квантовой механики. Такого рода соображения необходимо использовать для объяснения конечного времени жизни токовых состояний контактов Джозефсона. В этом случае происходит туннелирование эффекта. квантовой частицы через барьер, а роль термостата играют нормальны электроны. § 1. Прохождение микрочастиц через потенциальные барьеры. Постановка проблемы и простейшие случаи. Если мы имеем две области пространства, в которых потенциальная энергия частицы меньше, нежели на поверхности, разделяющей эти области, то мы говорим, что области разделены потенциальным барьером. Простейшим примером потенциального барьера может служить барьер в одном измерении, изображенный на рис.1. По оси ординат отложена потенциальная энергия U (х) в функции координаты частицы х. В точке х0 потенциальная энергия имеет максимум Um. Все пространство - ? < Х < ? делится в этой точке на две области; х >< х0 и х > х0, в которых U (1) где р —импульс частицы, а ? – её масса. Решая (1) относительно импульса, получим (2) Знаки ± следует выбрать в зависимости от направления движения частицы. Если энергия частицы Е больше «высоты» барьера Um, то частица беспрепятственно пройдет барьер слева направо, если начальный импульс р>0, или в противоположном направлении, если начальный импульс р < 0.> Допустим, что частица движется слева, имея полную энергию Е, меньшую U т. Тогда в некоторой точке x потенциальная энергия U (х1)=Е, p(x1)=0, частица остановится. Вся ее энергия обратится в потенциальную, и движение начнется в обратном порядке: х1 есть точка поворота. Поэтому при E х0 Подобным же образом, если частица движется справа налево, имея Е < Um, то она не проникнет в область за второй точкой поворота х2, > Рис. 1.1. Потенциальный барьер в одном измерении.Рис. 1.2. Самый простой потенциальный барьер в которой U(x2)=E (рис.1). Таким образом, потенциальный барьер является «непрозрачной» перегородкой для всех частиц, энергия которых меньше Um (напротив, он «прозрачен» для частиц, обладающих энергией Е >Um).

Тогда к потенциальной энергии электрона U (х) (рис. 1) добавится потенциальная энергия электрона в постоянном поле ?, равная - е ?х (заряд электрона равен — е). Полная потенциальная энергия электрона будет тецерь равна (3.1) Кривая потенциальной энергии примет теперь иной вид. Она изображена на рис. 1 пунктиром. Заметим, что внутри металла нельзя создать большого поля, поэтому изменение U (х) произойдет лишь вне металла. Мы видим, что образуется потенциальный барьер. По классической механике электрон мог бы пройти через барьер лишь в том случае, если его энергия Е > С. Таких электронов у нас очень мало (они обусловливают малую термоионную эмиссию). Поэтому никакого электронного тока по классической механике при наложении поля получиться не, должно. Однако, если поле ? достаточно велико, то барьер будет узок, мы будем иметь дело с резким изменением потенциальной энергии и классическая механика будет неприменима: электроны будут проходить через потенциальный барьер. Вычислим коэффициент прозрачности этого барьера для электронов, имеющих энергию движения по оси ОХ, равную Ех. Согласно (1.24) дело сводится к вычислению интеграла где хх и х2 — координаты точек поворота. Первая точка поворота есть (рис. 1), очевидно, х1 = 0, так как для всякой энергии Ех < С горизонтальная прямая Ех, изображающая значение энергии движения по ОХ, пересекает кривую потенциальной энергии в точке х = 0. Вторая точка поворота х2 получится, как видно из чертежа, при> отсюда следовательно, (3.2) Введем переменную интегрирования. Тогда мы получим (3.3) Таким образом, коэффициент прозрачности D для электронов, обладающих энергией движения по оси ОХ, равной Ех, равен (3.4) Коэффициент этот несколько различен для разных Ех, но так как С > ЕХ, то средний (по энергиям электронов) коэффициент прозрачности будет иметь вид (3.5) где и ?0 — константы, зависящие от рода металлов. Ток холодной эмиссии будет равен Эта зависимость тока от поля вполне подтверждается экспериментами. §4. Трехмерный потенциальный барьер. Квазнстационарные состояния. Рассмотрение задачи о прохождении через потенциальный барьер, отличалось той особенностью, что речь шла о потоке частиц, приходящих из бесконечности и встречающих на своем пути потенциальный барьер. В дальнейшем (теория радиоактивного распада, автоионизация атомов) нам встретятся такие случаи, когда речь будет идти о потоке частиц, выходящих из некоторой ограниченной области пространства (ядро атома, атом), окруженной, потенциальным барьером. Пусть сфера с центром в 0 и радиусом r0 (рис. 1,а) Рис.4.1. Потенциальный барьер, ограничивающий замкнутую область (r < r0)> Есть та поверхность, на которой потенциальная энергия U (r) принимает максимальное значение, так что для r < r0, U >< Um и для r > r0, U < Um. Соответствующий пример графика U(г) дан на рис. 1, б. Допустим, что нас интересует прохождение через барьер частиц, первоначально находившихся внутри него. Соответственно предположению, что частицы, падающие извне, отсутствуют (нет «бомбардировки»), мы должны взять вне барьера лишь уходящие волны.> (4.1) Это условие мы будем называть условием излучения.

Вероятность перехода электрона в нижнее состояние в 1 сек будет 1/?. Вероятность туннельного эффекта (ионизации) будет равна (так же, как и. при расчете радиоактивного распада) числу ударов электрона о внутреннюю стенку потенциального барьера в 1 сек, умноженному на коэффициент прозрачности D. Число ударов о барьер по порядку величины равно v/2r0, где v — скорость электрона, а r0 — радиус барьера, примерно равный радиусу орбиты а. Скорость равна, опять-таки по порядку величины , где Е —энергия электрона, a ?—его масса. Следовательно,сек -1(6.2) (так как . Следовательно, вероятность автоионизации равна 1016 D сек-1. Чтобы преобладала автоионизация (условие исчезновения спектральной линии), нужно, чтобы 1/? < D · 1016, т.е. D >10-8. Количественная теория автоионизации находится в хорошем согласии с опытом. Заключение. Список литературы 1.Физический Энциклопедический словарь Издательство «Советская энциклопедия», Т. 5, М. 1966 год. 2.Физическая Энциклопедия Издательство «большая российская энциклопедия», Т. 5, М. 1998 год. 3.Д. И. Блохинцев, основы квантовой механики, Издательство «Наука», М. 1976 год. 17

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Тайное учение Пятого Евангелия (от св. апостола Фомы).

Причем это явно были куда более грубоматериальные слои ауры, нежели те, что бывают у чистых преданных Господа. Что бы произошло с апостолами, если, согласно апокрифу, они действительно бросили бы камни в Фому: из камней изошел бы не огонь в буквальном смысле, не физический огонь, но невидимый тонкоматериальный огонь духовных энергий, и не из камней, но из ауры самого Фомы в большом аурическом радиусе, в пределах подобной досягаемости, духовные энергии своим барьерным эффектом замкнули бы кармические кольца, или силовые линии бросающих камни на их самих себя. И тогда апостолы бы умерли, как человек может постепенно зачахнуть от самонаведенного сглаза или порчи. Напомню здесь, что вселенная есть закрытый колебательный контур, а человеческая аура открытый колебательный контур. Поэтому все, излучаемое человеком всегда возвращается к нему обратно в умноженном виде: излучаемая Любовь с огромной силой Любви, ненависть в трехкратном обратном ударе. Принцип «все, взявшие меч, мечом погибнут» (Мф 26:52)P как раз и связан с вселенским законом Воздаяния (Законом Кармы). 15

скачать реферат Тунельные и барьерные эффекты

Московский Педагогический Государственный Университет Курсовая работа по квантовой механике на тему: Туннельные и барьерные эффекты. Приняла: Выполнила: студентка 4-го курса 1-ой группы физического факультета Москва 2004 год. Введение ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ (туннелирование) — квантовый переход системы через область движения, запрещённую классической механикой. Типичный пример такого процесса— прохождение частицы через потенциальный барьер, когда её энергия Е меньше высоты барьера. Импульс частицы р в этом случае, определяемый из соотношения , где U(x)— потенциальная. энергия частицы (т — масса), был бы в области внутри барьера, Е х0 , в которых U0, или в противоположном направлении, если начальный импульс р < 0. Допустим, что частица движется слева, имея полную энергию Е, меньшую U т. Тогда в некоторой точке x потенциальная энергия U (х1)=Е, p(x1)=0, частица остановится. Вся ее энергия обратится в потенциальную, и движение начнется в обратном порядке: х1 есть точка поворота. Поэтому при E х0 Подобным же образом, если частица движется справа налево, имея Е < Um , то она не проникнет в область за второй точкой поворота х2, Рис. 1.1. Потенциальный барьер в Рис. 1.2. Самый простой потенциальный одном измерении. барьер в которой U(x2)=E (рис.1). Таким образом, потенциальный барьер является «непрозрачной» перегородкой для всех частиц, энергия которых меньше Um (напротив, он «прозрачен» для частиц, обладающих энергией Е >Um).

Вакуумные пакеты с вешалкой 3 штуки: 70х105 см (2 штуки), 70х145 см (1 штука).
Характеристики: - уменьшают объём мягких предметов в 3-4 раза; - надежно защищают вещи от моли, грязи и сырости; - очень износоустойчивы и
383 руб
Раздел: Вакуумные пакеты
Турка, 400 грамм, медная.
Турка изготовлена из меди. Медь обладает равномерной теплопроводностью, что позволяет приготовить кофе, отличающийся изысканным ароматом.
720 руб
Раздел: Турки
Светильник с датчиком света и движения "Майти лайт".
К сожалению, не всегда при ремонте и проектировании можно предугадать, где Вам понадобится установка светильника. Светильник с датчиком
388 руб
Раздел: Ночники
 Диалоги (июнь 2003 г.)

И дальше было показано, что идёт так называемый туннельный перенос электрона при низких температурах. Экспериментально оказалось, что этот перенос электрона идёт здесь при температурах минус сто градусов Цельсия. При температурах жидкого азота, даже жидкого гелия. Что принципиально? Что идёт он, в общем, с эффективностями принципиально сравнимыми с таковыми, которые наблюдаются при комнатных температурах. И, причём, ещё раз говорю, это не какая-то экзотика, которая идёт только при азотных температурах. Этот барьерный туннельный перенос происходит при всех температурах. При комнатных температурах в организованных системах он идёт даже с большей эффективностью, чем надбарьерный перенос в конденсированных системах. А.Г. Это же квантовый эффект? А.Р. Да. Совершенно верно. Это туннельный эффект физики, физика очень хорошо знает туннельный эффект. И здесь он происходит. Причём, идея в чём. Вот происходит туннелирование электронов из начального состояния в другое, а дальше он же может назад вернуться. А эффективность фотосинтеза начальных этапов сто процентов

скачать реферат Психокоррекция

Подсознательные барьеры отражают противостояние человека самому себе. Неосознанность их влияния на поведение и их глубинные связи с физиологией затрудняют управление ими. Но если существующее положение вещей не осознавать и признавать, то его невозможно будет изменить, и оно неизбежно будет возникать снова и снова. Осознание является необходимым, но недостаточным условием для управляемости психологических барьеров. Осознание ситуации ничего не стоит, если оно не притворено во внутренний опыт, если ответ "застревает в голове и не проникает в сердце". Нужно не познать , а постичь истину -не интеллектуально, а через бессознательные составляющие опыта. Поэтому для ослабления влияния подсознательных факторов необходимо не только осознание их свойств и механизмов действия, но и эффективное отреагирование. Ведь если бы знакомство с содержимым бессознательного было достаточно для радикального улучшения самочувствия, то лекции и книги могли бы облегчить страдания. Однако только новое переживание позволяет переоценить ранее вытесненное и запомнить его по-новому. В этом смысле снижение барьерных эффектов зависит не только от содействия в решении проблем и уяснения всех возможных подходов к их преодолению, но и от канализирования их энергетического потенциала, т е создания условий отреагирования старых очагов.

 Тайная битва сверхдержав

Здесь особенно замечательны его дендритная теория выпрямления и пробоя электрически проводящих диэлектриков, исследование туннельного эффекта в карборунде, закона Фарадея и явлений поляризации. Во всех этих направлениях работы Курчатова занимают выдающееся место в научной литературе, а работы по сегнетоэлектричеству являются классическими» {7}. Тогда в члены-корреспонденты Академии наук СССР И. В. Курчатова не избрали. К концу 30-х годов советская ядерная физика пришла с выдающимися результатами. Выросло первое поколение физиков-ядерщиков. «Первым среди равных», по выражению Иоффе, был Курчатов. Закономерно, что летом 1938 года научный совет ЛФТИ во второй раз выдвигает Курчатова для избрания, но уже в действительные члены Академии. В поддержку института выступает Педагогический институт имени М. Н. Покровского. В его характеристике отмечается: «…Курчатов является крупным советским ученым, научно-исследовательские работы которого не только получили широкое применение в технике, но и свидетельствуют о новых исканиях его в наиболее трудных областях современной физики, о путях, прокладываемых им в исследовательской работе молодой советской научной мысли»

скачать реферат Лазер и его действие на живые ткани

Фотопроводимость бывает концентрационной, возникающей при изменении концентрации носителей заряда, и подвижной. Последняя возникает при поглощении фотонов с относительно низкой энергии и связана с переходами электронов в пределах зоны проводимости. При таких переходах число носителей не изменяется, но это изменяет их подвижность. Внутренний фотоэффект, проявляющийся в возникновении фото-ЭДС, бывает несколько видов, основные из которых: 1. Возникновение вентильной (барьерной) фото-ЭДС в зоне перехода. 2. Возникновение диффузной фото-ЭДС (эффект Дембера). 3. Возникновение фото-ЭДС при освещение полупроводника, помещенного в магнитное поле ( фотомагнитоэлектрический эффект) - эффект Кикоина- Носкова. Последний заслуживает наибольшего внимания, поскольку при нем возникает наибольшая ЭДС - в несколько десятков вольт, что в свою очередь является основой повышения терапевтической эффективности при магнитолазерной терапии. Кроме указанных явлений, низкоэнергетическое лазерное воздействие нарушает слабые взаимодействия атомов и молекул облученного вещества (ионные, ион дипольные, водородные и гидрофобные связи, а также ван-дер- ваальсовые взаимодействия), при этом появляются свободные ионы, т.е. происходит электролитическое диссоциация.

скачать реферат Туннелирование в микроэлектронике

Таким образом, туннельный ток через подложку должен быть значительным. Проводимость через подложку осуществляется либо прямым туннелированием, либо туннелированием через стабильные энергетические примесные состояния и ловушки. 2.4 ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОБОЙ В p- -ПЕРЕХОДЕ Пробоем называют резкое увеличение тока через переход в области обратных напряжений, превышающих напряжение, называемое напряжением пробоя. Туннельный пробой связан с туннельным эффектом – переходом электронов сквозь потенциальный барьер без изменения энергии. Туннельный пробой наблюдается только при очень малой толщине барьера – порядка 10 нм, то есть в переходах между сильнолегированными p- и - областями (порядка 1018 см-3). На рис.2.4.1 показана энергетическая диаграмма p- -перехода при обратном напряжении, стрелкой обозначено направление туннельного перехода электрона из валентной зоны p-области в зону проводимости -области. p Еп Еф 3 Ев ?Ез (?0 U ) ?Eтун 1 2 Еп Еф Ев Рис. 2.4.1 Энергетическая диаграмма p- -перехода при обратном напряжении. Еп – дно зоны проводимости; Еф – уровень Ферми; Ев – потолок валентной зоны. Электрон туннелирует из точки 1 в точку 2, он проходит под энергетическим барьером треугольной формы (заштрихованный треугольник с вершинами 1-3), энергия электрона при этом не изменяется.

скачать реферат Катод Спиндта

Туннельный эффект является чисто квантовым феноменом и для него отсутствует аналог в классической механике. Согласно Ньютновской механике частица с массой m не может находиться внутри потенциального барьера, поскольку из уравнения для полной энергии следует, выполняется только для мнимых значений импульса р. Объяснение туннельного эффекта, в конечном счёте, связано с соотношением неопределённости Гейзенберга, согласно которому квантовая частица находиться в состоянии с одновременно точно определёнными координатой и импульсом. Неопределённости , (2) где с – постоянная Планка. Согласно этому принципу, слагаемые в правой части уравнения (1) не имеют одновременно определённых значений и могут отличаться от своих средних значений. Поэтому имеется конечная вероятность обнаружить квантовую частицу в запрещённой зоне с точки зрения классической механики области. Туннельный эффект был одним из первых квантовых явлений, предсказанных после создания в 1926 году Э. Шредингером волновой механики. По всей видимости, первое свидетельство его существования можно найти в статье Л. И. Мандельштама и М. А. Леонтовича, которые рассматривали решение уравнения Шредингера для модельного потенциала ангармонического осциллятора вида .

скачать реферат Шпаргалка с билетами по физике, 11 класс

Виды радиоактивных излучений и их свойства. Биологическое действие ионизирующих излучений. Защита от радиации. Ядра обладают способностью самопроизвольно распадаться. При этом устойчивыми являются только те ядра, которые обладают минимальной энергией по сравнению с теми, в которые ядро может самопроизвольно превратиться. Ядра, в которых протонов больше, чем нейтронов, нестабильны, т.к. увеличивается кулоновская сила отталкивания . Ядра, в которых больше нейтронов, тоже нестабильны, т.к. масса нейтрона больше массы протона , а увеличение массы приводит к увеличению энергии. Ядра могут освобождаться от избыточной энергии либо делением на более устойчивые части (альфа-распад и деление), либо изменением заряда (бета-распад). Альфа-распадом называется самопроизвольное деление атомного ядра на альфа частицу и ядро- продукт. Альфа-распаду подвержены все элементы тяжелее урана. Способность альфа-частицы преодолеть притяжение ядра определяется туннельным эффектом (уравнением Шредингера). При альфа-распаде не вся энергия ядра превращается в кинетическую энергию движения ядра-продукта и альфа-частицы.

Подставка для колец "Кошка", 8 см.
Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Материал: металл (сплав цинка с покрытием золотой краской), стекло. Высота: 8 см. Товар не
385 руб
Раздел: Подставки для украшений
Подставка для колец "Кошка", 8 см.
Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Материал: металл (сплав цинка, с покрытием из серебра 0,7 микрон), стекло. Высота: 8
349 руб
Раздел: Подставки для украшений
Портфолио школьника "Герб", А4, 8 листов.
Материал папки: ламинированный картон. Формат: А4. Количество листов: 8. Ширина корешка: 25 мм Вмещает до 100 листов.
396 руб
Раздел: Портфолио
скачать реферат Магнитометры

Диаграмма фазового равновесия системы b-S приведена на рисунке: oC 2500 ( ж 2000 2000 ( Ж 1500 b3S 3 ( b3S 910-920 1000 b3S 840-860 500 805-820 bS 7 232-234 b 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 S Соединение b3S хрупко и изделие из него не могут бать получены обычным металлургическим путем, т.е. выплавкой с последующей деформацией. Массивные изделия из этого соединения: цилиндры, пластины и т.д. получают, как правило, металлокерамическим методом, т.е. смешивая в соответствующих пропорциях порошки ниобия и олова, прессуя изделия нужной формы и нагревая их до температуры образования химического соединения b3S , обычно в интервале 960-1200O.Получение джозефсоновских переходов.Джозефсоновские туннельные переходы представляют собой две тонкие сверхпроводящие пленки разделенные барьерным слоем диэлектрика или полупроводника. Рассмотрим некоторые из методов получения переходов с диэлектрическим барьером. На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая пленка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.

скачать реферат Принципы квантовой механики

К ним относится молекула аммиака, с классической точки зрения имеющая две конфигурации  или , способные превращаться друг в друга из-за туннельного эффекта (рис. 20 4). Стационарные энергетические уровня молекулы разделены зазором, энергетически соответствующем высокочастотному радиоизлучению. Настроенное в резонанс внешнее электромагнитное поле способно вызывать переходы между этими состояниями, которых сопровождаются поглощением или излучением энергии в виде электромагнитных волн (на другом языке - фотонов). Ансамбль из молекул, находящихся в верхнем энергетическом состоянии способен только излучать энергию, т.е. взаимодействовать с электромагнитным полем, усиливая его. На описанном принципе основана работа первого мазера - лазера, работающего в радио диапазоне излучения. Природа химической связи. Системой с двумя состояниями является простейшее химическое соединение - молекулярный ион водорода  (рис. 20 5). Как и в рассмотренных выше случаях причиной не сохранения во времени выбранных базисных состояний является туннельный эффект.

скачать реферат Кластерная теория интеграции

Описание работы различных психотерапевтических техник языком КТИ может дать очень интересную, иногда неожиданную информацию, но это, увы, выходит за рамки данной статьи. Замечание. Как уже отмечалось, кластерная модель сознания использует аппарат физики твердого тела. Одним из важных механизмов, описывающих процессы в структуре сознания, являются квантовые туннельные эффекты. Это, а также ряд других физических особенностей, приводит к тому, что трансформация кластеров может производиться не постепенно, а скачкообразно (дискретно). В ряде случаев локальную интеграцию кластеров даже проще провести быстро — через локальный разогрев области, в которой они находятся, чем постепенно разрушать кластер и наращивать следующий. Именно на таком эффекте основаны «психологические марафоны», интенсивные тренинги личностного развития и некоторые модели индивидуальной психотерапии. Резюме Целью психотерапии и методик развития личности с позиции КТИ является создание мощного стабильного канального кластера максимальной глубины.

скачать реферат Узлы функциональной электроники

V сульфидные пленки – у них большая толщина и плотность. Наличие пленок затрудняет прохождение электрического тока. В зоне контакта ток протекает благодаря эклектической проводимости металлов и ещё благодаря фрикинг-эффекту. Фрикинг-эффект Между несоприкасающимися пленками возникает большая напряженность электрического поля, из-за такой электрической напряженности возникает пробой, металл расплавляется и возникает электрический контакт. Ток может протекать через пленку и благодаря туннельному эффекту. 3. Эффект стягивания Удлиняется путь электронов из-за изменения траектории движения, вызванного разрезом проводника. Эквивалентная схема контактного устройства – количество шероховатостей ( величина случайная, при каждом соприкосновении изменяется ). RV1 – сопротивление шероховатостей; Rст1 – сопротивление стягивания; Rпл1 – сопротивление пленки. В среднем можно считать переходное сопротивление по упрошенной формуле: , где ( - удельное сопротивление материала контакта; . - коэффициент Пуассона ( механическая характеристика ); E – модуль упругости материала; Q – усилие контактного нажатия; hв – средняя высота выступа.

скачать реферат Физические основы электроники

Например, если полупроводник электронный и к нему прикладывается отрицательное напряжение, то под действием электрического поля у Рисунок 1.22 Образование обогащенного Рисунок 1.23 График изменения типа слоя на поверхности полупроводника электропроводности на поверхности -типа. полупроводника. поверхности увеличиваются концентрация электронов и электропроводность приповерхностного слоя полупроводника (см. рис. 1.22). При изменении полярности напряжения концентрация электронов в приповерхностном слое уменьшается, а дырок - увеличивается. В связи с этим электропроводность приконтактной области уменьшается, стремясь к собственной. Увеличение напряжения приводит к тому, что концентрация дырок становится выше концентрации электронов и происходит изменение (инверсия) типа электропроводности слоя. При этом электропроводность приповерхностного слоя увеличивается. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника -типа от напряжения показана на рис. 1.23. Это явление принято называть эффектом поля. 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 2.1 Классификация Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам: - методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шоттки и др.; - материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.; - физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды. диоды Ганна и др.; - назначению: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смесительные, СВЧ-диоды и др.

Фигурка декоративная "Белые слоны" (5 штук).
Набор фигурок декоративных, настольных, с декоративными стразами. Размер: 6x2,5x5 см; 7x3x5,5 см; 8,5x3,5x7 см; 10x4x8,5 см; 11x5x10
855 руб
Раздел: Животные
Рюкзак для начальной школы "Бабочки", 38x28x14 см.
Рюкзак для начальной школы, 1 основное отделение, 3 дополнительных кармана. Формоустойчивая спинка. Широкие регулируемые лямки.
790 руб
Раздел: Без наполнения
Ящик для игрушек, на колесах, большой, красный, 57 л.
Ящик с крышкой идеально подойдет для хранения детских игрушек. Он имеет четыре колеса. Материал: пластик. Возрастная категория: от 0 до 10
868 руб
Раздел: Корзины, контейнеры для игрушек
скачать реферат Туннелирование в микроэлектронике

Таким образом, туннельный ток через подложку должен быть значительным. Проводимость через подложку осуществляется либо прямым туннелированием, либо туннелированием через стабильные энергетические примесные состояния и ловушки. 2.4 ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОБОЙ В p- -ПЕРЕХОДЕ Пробоем называют резкое увеличение тока через переход в области обратных напряжений, превышающих напряжение, называемое напряжением пробоя. Туннельный пробой связан с туннельным эффектом – переходом электронов сквозь потенциальный барьер без изменения энергии. Туннельный пробой наблюдается только при очень малой толщине барьера – порядка 10 нм, то есть в переходах между сильнолегированными p- и - областями (порядка 1018 см-3). На рис.2.4.1 показана энергетическая диаграмма p- -перехода при обратном напряжении, стрелкой обозначено направление туннельного перехода электрона из валентной зоны p-области в зону проводимости -области. p Еп Еф 3 Ев ?Ез (?0 U ) ?Eтун 1 2 Еп Еф Ев Рис. 2.4.1 Энергетическая диаграмма p- -перехода при обратном напряжении. Еп – дно зоны проводимости; Еф – уровень Ферми; Ев – потолок валентной зоны. Электрон туннелирует из точки 1 в точку 2, он проходит под энергетическим барьером треугольной формы (заштрихованный треугольник с вершинами 1-3), энергия электрона при этом не изменяется.

скачать реферат Сверхпроводимость : история развития, современное состояние, перспективы

Наиболее крупномасштабными применениями сверхпроводников явились электромагниты ускорителей заряженных частиц, термоядерных установок, МГД- генераторов. Были созданы опытные образцы сверхпроводниковых электрогенераторов, линий электропередачи, накопителей энергии, магнитных сепараторов и др. В последние годы в различных капиталистических странах началось массовое производство диагностических медицинских ЯМР-томографов со сверхпроводниковыми магнитами, потенциальный рынок которых оценивается в несколько млрд. долларов. Открытие высокотемпературных сверхпроводников, критическая температура которых с запасом превышает температуру кипения жидкого азота, принципиально меняет экономические показатели сверхпроводниковых устройств, поскольку стоимость хладоагента и затраты на поддержание необходимой температуры снижаются в 50-100 раз. Кроме того, открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) сняло теоретический запрет на дальнейшее повышение критической температуры с 30 - вплоть до комнатной. Так, со времени открытия этого явления критическая температура повышена с 30 - 130 К. Эффект Джозефсона. Если два сверхпроводника соединить друг с другом «слабым» контактом, например тончайшей полоской из диэлектрика, через него пойдет туннельный сверхпроводящий ток, т.е. произойдет туннелирование сверхпроводящих куперовских пар.

скачать реферат Сканирующая зондовая микроскопия

Реальная ситуация не столь проста, и амплитуда колебаний туннельного тока зависит еще от геометрии поверхности, от состава адсорбатов которые искажают форму потенциального барьера и кроме того, при измерениях на воздухе из-за наличия адсорбатов между иглой и поверхностью всегда существует заметная сила отталкивания, т.к. игла должна "продавить" слой адсорбата, прежде чем возникает заметный туннельный ток. Это приводит к зависимости результатов измерений от локальной жесткости образца Так, в местах, где жесткость образца ниже, вибрация приводит в большей степени к деформации самого образца, а не к деформации адсорбата и изменению туннельного зазора. Амплитуда модуляции туннельного тока уменьшается, создавая впечатление относительно пониженной работы выхода.Этот эффект следует учитывать при интерпретации результатов.Режим спектроскопии В режиме спектроскопии модулируется туннельное напряжение и между образцом и иглой, и регистрируется амплитуда отклика туннельного тока на эту модуляцию. При этом постоянная составляющая туннельного напряжения остается неизменной, и обратная связь поддерживает постоянное среднее значение туннельного тока.

скачать реферат Элементы электроники на углеродных нанотрубках

При этом концентрация дырок в валентной зоне (и соответственно электропроводность) возрастает по экспоненциальному закону со смещением края зоны относительно уровня Ферми. При потенциале затвора около –6 В концентрация дырок достигает максимального значения, сопротивление - минимального, а нанотрубка становится металлической. При создании полевого транзистора на металлической нанотрубке используются эффекты туннельного переноса электронов через нанотрубку по отдельным молекулярным орбиталям. Из-за конечной длины нанотрубки ее электронный спектр, строго говоря, не непрерывен, а дискретен, с расстоянием между отдельными уровнями ~1 мэВ при длине нанотрубки ~1 мкм (рис. 6). Такой характер расщепления уровней, конечно, не сказывается на электропроводности нанотрубки, например, при комнатной температуре (0.025 эВ), но полностью определяет ее электрические свойства при температуре ниже 1 К. Проводимость металлической нанотрубки в таких условиях обусловлена тем, что электроны перескакивают (туннелируют) с верхнего заполненного уровня катода на проводящий дискретный уровень нанотрубки, а затем с нанотрубки на нижний незаполненный уровень анода.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.