телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты

РАСПРОДАЖАСувениры -5% Одежда и обувь -5% Товары для дачи, сада и огорода -5%

все разделыраздел:Химия

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

найти похожие
найти еще

Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Наклейки для поощрения "Смайлики 2".
Набор для поощрения на самоклеящейся бумаге. Формат 95х160 мм.
10 руб
Раздел: Наклейки для оценивания, поощрения
Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа . 30 Заключение . 32 Литература . 33 Введение. Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки. Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла. Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p- переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике. 1.Расчетная часть. 1. 1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель. Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла (рис.1 ), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка. Рисунок1 – Схема зонной плавки. Большинство примесей обладает хорошей растворимостью в жидкой фазе по сравнению с твердой (равновесный коэффициент сегрегации k0(1), поэтому по мере продвижения зона плавления все больше насыщается примесями, которые скапливаются на конце слитка. Обычно процесс зонной плавки повторяют несколько раз, по окончании очистки загрязненный конец слитка отрезают. Для ускорения процесса очистки вдоль контейнера ставят несколько индукторов для образования ряда зон плавления. Для материалов с k0(1 очистка материалов зонной плавкой практически невозможна. Распределение примесей после одного прохода расплавленной зоной при зонной плавке вдоль слитка представляется уравнением (1) где тв – концентрация примеси в закристаллизовавшейся фазе на расстоянии x от начала слитка; о – исходная концентрация примеси в очищаемом материале; x – текущая координата (расстояние от начала слитка); l – длина расплавленной зоны; ko – равновесный коэффициент распределения. Если измерять длину слитка в длинах расплавленной зоны a = x/l, выражение (1) следует записать иначе: (2) Приведенные уравнения (1) и (2) , являющиеся математическим описанием процесса зонной плавки, выведены при определенных допущениях, сформулированных автором метода зонной очистки В.

Его положение (глубина залегания) xj определяется условием (x, )= b , откуда (20) здесь запись erfc-1 обозначает аргумент z функции erfc. При решении практических задач, связанных с анализом диффузионных процессов необходимо знать количество примеси Q, накопленной в твердом теле при диффузии в течение времени . Эта величина определяется по формуле (21) где J(0, ) - поток диффузанта в объем через плоскость x=0 (23) Следует обратить внимание на возрастающее со временем значение накопленной в диффузионном слое примеси при диффузии с данными граничными условиями. Рассмотренная модель диффузионного процесса с постоянным источником описывает процесс диффузионного легирования полупроводникового материала из газовой или паровой фазы. Этот процесс используется при создании сильно легированных диффузионных слоев (например, эмиттерных) с поверхностными концентрациями o близкими к значениям предельной твердой растворимости примеси в данном полупроводниковом материале. Твердое тело можно считать полубесконечным ( или бесконечным) в том случае, если его размеры в направлении движения диффузанта много больше длины диффузии. 1.3.3 Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей. Диффундирующая примесь поступает в полубесконечное тело из источника, который представляет собой примыкающий к границе тела слой толщиной h, примесь в котором распределена равномерно. Такой источник называют ограниченным. Концентрация примеси в источнике - o. Полагается, что в принимающем диффузант твердом теле нет рассматриваемой примеси. При абсолютно непроницаемой для диффузанта (отражающей) границе поток примеси через поверхность x=0 должен обращаться в нуль при всех ?0 для ?0 (24) Начальное распределение концентраций для рассматриваемого случая задаётся в виде (x,0) = o для 0? x ? h (x,0) = 0 для x>h Граничным условием является, определяемое условием (24), постоянство количества примеси в источнике и полупроводнике Для реализации начального распределения такого типа диффундирующая примесь должна быть введена в твердое тело до начала диффузии. Решением уравнения (16) в данной ситуации является выражение (25) Здесь следует отметить, что erfс(-z) erfс(z) ? 2. В отличие от диффузии из постоянного источника при диффузии из слоя конечной толщины количество диффузанта ограничено значением Q= oh. В процессе диффузии происходит только его перераспределение и, следовательно, уменьшение со временем концентрации примеси на поверхности твердого тела. Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или диффузионного слоя и покрытую слоем двуокиси кремния SiO2 или нитрида кремния Si3 4. Границу пластины и пленки можно с большой долей правдоподобия принять отражающей, т.к. коэффициенты диффузии большинства примесей в кремнии на несколько порядков больше, чем в двуокиси кремния и нитриде. Однако, равномерность распределения примеси в источнике, особенно при его создании методом диффузии или имплантации - весьма грубое и вынужденное приближение. 1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей Решение диффузионного уравнения при этих условиях находится из предыдущего при h> 0 и условии, что количество диффузанта в источнике Q= oh. (26) Приведенное выражение представляет собой Гауссово распределение.

Уравнение (7) описывает стационарный (установившийся) процесс - процесс, параметры которого не зависят от времени. В макроскопическом представлении коэффициент диффузии определяет плотность потока вещества при единичном градиенте концентрации и является, таким образом, мерой скорости выравнивания градиента концентрации. Размерность коэффициента диффузии - м2/с. В общем случае диффузия анизотропна и коэффициент диффузии - симметричный тензор второго ранга. Согласно микроскопическому определению, компонента Dx коэффициента диффузии D по координате x связана со среднеквадратичным смещением диффундирующих атомов по координате x и интервалом времени ? , в течение которого это смещение произошло соотношением Когда концентрация вещества изменяется только в одном направлении (одномерная диффузия) и при диффузии в изотропной среде (коэффициент диффузии - скаляр) первое уравнения Фика имеет следующий вид: (8) При простейшем анализе структур и в простейших моделях процессов легирования в технологии изготовления ИМС предполагаются именно такие условия диффузии. Второе уравнение диффузии (второй закон Фика) получается путем сочетания первого закона и принципа сохранения вещества, согласно которому изменение концентрации вещества в данном объеме должно быть равно разности потоков этого вещества на входе в объем и выходе из него. В общем случае второе уравнение диффузии имеет следующий вид (9) Для одномерной диффузии в изотропной среде уравнение (9) можно записать (10) Второй закон Фика характеризует процесс изменения концентрации диффундирующей примеси во времени в различных точках среды и является математической моделью нестационарного (развивающегося) состояния системы (описывает период времени от начала процесса до установления стационарного состояния). При постоянстве коэффициента диффузии D (независимости его от концентрации примеси) уравнение (10) упрощается (11) Допущение о постоянстве коэффициента диффузии справедливо в большом количестве случаев, анализируемых в технологии ИМС. Уравнения диффузии являются чисто феноменологическими, т.е. они не содержат никаких сведений о механизмах диффузии - о диффузионном процессе на атомном, уровне. Кроме того, уравнения (7) - (11) не содержат информации о зарядовом состоянии диффундирующих частиц. Процессы диффузии, используемые для изготовления интегральных структур, обычно анализируются с помощью частных решений уравнения (11) т.к., в отличие от (8), именно оно содержит важный параметр - время установления некоторого анализируемого состояния системы. Основная цель решения уравнения - найти распределение примеси (x, ) в полупроводнике после диффузии в течение определенного времени при различных условиях осуществления процесса. Общее решение уравнения (11) для бесконечного твердого тела при заданном в общем, виде начальном распределении примеси (x,0) = f(x) может быть найдено методом разделения переменных. Оно имеет вид , (12) здесь ? - текущая координата интегрирования. Бесконечным в одномерном представлении называют тело, простирающееся от x=0 до x=- ? и до x= ?. Часто при поиске распределения концентрации примеси в полупроводнике необходимо решение уравнения (11) для полубесконечного твердого тела. Полубесконечным в одномерном представлении называют тело, простирающееся от x=0 до x= ?.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (ЗО)

Зонная очистка основана на том, что при равновесии между жидкой и твёрдой фазами растворимость примесей в жидкой и твёрдой фазах различна. Для получения чистых материалов обычно расплавленную зону перемещают по слитку несколько раз или одновременно на слитке создают несколько перемещающихся расплавленных зон с участками твёрдого материала между ними. Скорость перемещения расплавленных зон обычно 0,1—10 мм/мин, число проходов 10—15 и более. Очистку заканчивают при достижении предельного (конечного) распределения примеси, которое не может быть изменено последующими перемещениями зон.   Эффективность зонной очистки материала от примеси зависит от коэффициента распределения этой примеси — отношения концентрации примеси в твёрдой фазе к концентрации в жидкой фазе, от количества проходов и скорости перемещения зоны, от отношения длины слитка к длине зоны. Зонное выравнивание заключается в том, что в первую зону помещается легирующая добавка, которая при многократном перемещении зоны по слитку равномерно распределяется по его длине

скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Условие 3 справедливо только для сильно разбавленных растворов, т.е. при малых концентрациях примеси в системе. Кроме того, условие малости концентрации должно соблюдаться на протяжении всего процесса зонной плавки. Для того, чтобы допущение 3 оказалось состоятельным, требуется использовать при кристаллизационной очистке исходные материалы прошедшие предварительную очистку. 1.2 Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной) 1.2.1 Расчет распределения Si-Ga. Рассчитаем распределение галия в слитке кремния для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин. 0=0.02% (массовых). Длина зоны l составляет 10% от длины слитка L. Испарением примеси при переплавке пренебречь. Распределение сурьмы вдоль слитка определяется уравнением (5) на длине слитка a = (L - l)/l = A-1, т.е. при 0? a? 9. При a? распределение примеси представляется уравнением (3). Доля закристаллизовавшегося расплава g на этом участке изменяется от нуля до величины, близкой к единице. Для g = 1 уравнение (3) не имеет смысла.

Трусики непромокаемые "Canpol" (размер XL).
Удобные и практичные трусики изготовлены из 100% хлопка, предназначены для поддержки подгузников, имеют качественный клеенчатый слой.
391 руб
Раздел: Многоразовые
Шкатулка для рукоделия "Сундучок", 18x13x8 см, арт. 80861.
Такая шкатулка послужит оригинальным, а главное, практичным подарком, в котором замечательно сочетаются внешний вид и функциональность.
649 руб
Раздел: Шкатулки для рукоделия
Мыло детское "Natura Siberica" для ежедневного ухода, 500 мл.
Детское мыло "Natura Siberica" для ежедневного ухода бережно очищает кожу рук малыша, не высушивая ее. Органический экстракт
321 руб
Раздел: Гели, мыло
 Космическая технология и производство

Конвекционные течения ведут к появлению местных пульсаций температуры в жидкости, а за счет того, что растворимость примеси в расплаве зависит от температуры,P и к неоднородному распределению примеси в растущем кристалле. Это явление, обусловленное конвекцией, называется полосчатостью, или микросегрегацией. Полосчатость является одним из дефектов структуры полупроводниковых монокристаллов. Благодаря возможности уменьшить роль конвекции в космосе ожидают, что монокристаллы, выращиваемые на борту КА, будут обладать более однородной структурой. Для оценки влияния конвекционных течений на явление сегрегации на примере монокристаллов германия, легированного примесями, на станции «Скайлэб» был поставлен такой эксперимент. Установленные в ампулах кристаллы размещались в электронагревательной печи, где они сначала частично расплавлялись, а затем в условиях почти постоянного перепада температур остывали и закристаллизовывались. В качестве легирующих примесей в разных ампулах использовались галлий, сурьма и бор. Сравнение с контрольными образцами, полученными тем же способом на Земле, показало, что сегрегация примесей в кристаллах германия, доставленных из космоса, оказалась в несколько раз меньше

скачать реферат Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Необходимость внедрения гибких систем автоматизированного проектирования очевидна, поскольку проектирование микросхем сложный и длительный процесс. В настоящее время используется сквозное моделирование микросхем, которое включает в себя расчет и анализ характеристик и параметров на следующих уровнях: -технологическом; -физико-топологическом; -электрическом; -функционально-логическом. В ходе данной работы нам необходимо осуществить сквозное проектирование схемы ТТЛ-инвертора на трех первых уровнях. Расчеты предусматривается произвести с использование программы расчета параметров модели биполярного транзистора Bip ra и программы схемотехнического моделирования PSpice.1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 1.1 Распределение примесей в базе Распределение примесей в базе описывается кривой Гаусса и определяется формулой: , (1) где: S- поверхностная концентрация акцепторов; D- коэффициент диффузии примеси; - время диффузии; - глубина залегания коллекторного p- перехода. Поверхностная концентрация определяется по формуле: Тогда имеем следующее выражение для распределения примеси в базе: , (3) Результаты расчета распределения примеси в базе приведены в таблице 1, а сама кривая представлена на рисунке 1. 1.2 Расчет режимов базовой диффузии К основным параметрам диффузионного процесса относят время диффузии и температуру диффузии.

 Материаловедение. Шпаргалка

Возможно использование магнитного анализа и для решения некоторых более сложных задач физического металловедения. Метод внутреннего трения основан на изучении необратимых потерь энергии механических колебаний внутри твердого тела. Используя этот метод, можно рассчитать коэффициенты диффузии с высокой точностью, в том числе и при низких температурах, где никакой другой метод неприменим; определять изменение концентрации твердых растворов; распределение примесей; получить информацию о фазовых и полиморфных превращениях и изменениях дислокационной структуры. Магнитотвердые стали и сплавы применяют для изготовления постоянных магнитов. Для постоянных магнитов применяют высокоуглеродистые стали с 1P% С, легированные хромом (3P%) ЕХ3, а также одновременно хромом и кобальтом, ЕХ5К5, ЕХ9К15М2. Легирующие элементы повышают коэрцитивную и магнитную энергию. В промышленности широкое применение получили сплавы типа алнико. Сплавы тверды, хрупки и не поддаются деформации, поэтому магниты из них изготовляют литьем, затем проводят шлифование

скачать реферат Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Применяя дополнительную селективную обработку резистивного слоя лучом лазера, можно корректировать сопротивление резистора за счет изменения профиля распределе­ния примесей в данной части слоя. Достоинствами резисторов, изготовленных нанесением на по­верхность кристалла ИМС металлических или поликристалличес­ких кремниевых пленок, являются независимость их сопротивления от величины напряжения, поданного на резистор, а также меньшие паразитные емкости и ТКС по сравнению с диффузионными или имплантированными резисторами. Металлические и поликремние­вые резисторы также поддаются корректировке путем пропускания через них электрического тока (плотность тока в импульсе не ме­нее 106 А/см2) или обработки лучом лазера. Изменение сопротив­ления при этом происходит вследствие изменений кристаллической: структуры пленок (размеров зерен, перераспределения примесей и т. п.). Коэффициент паразитной емкости резисторов Таблица 2.2 Тип резисторов Коэффициент КR (пФ/(кОм-мкм2)) при удельном сопротивлении эпитаксиального коллекторного слоя р р=1 Ом-см р=6 Ом-см р=10 Ом-см Базовый слой Сжатые резисторы на основе: базового слоя коллекторного слоя 1 10-32,7 10-5 8 10-5 5 10—41,6 10-3 4 10-5 4,5 10-41,1 10-5 2,8 10-5 Расчет диффузионных и имплантированных резисторов заклю­чается в определении их геометрических размеров с учетом профи­ля распределения примесей в полупроводниковых слоях.

скачать реферат Полупроводниковые пластины. Методы их получения

В этом случае концентрация введенной примеси оказывается рав ной концентрации исходной примеси исх в полупроводнике. Раз меры диффузионной области в плане определяются размерами окна в слое диэлектрика, так как скорость диффузии примеси в SiO2 и Si3 4 на несколько порядков ниже, чем в полупроводнике. Различные способы диффузионного легирования различаются фазовым состоянием легирующей примеси (газообразное, жидкое, твердое), подводом примеси к подложке и конструкцией установок. В большинстве случаев диффузию проводят в окислительной атмосфере. Температура диффузионного легирования кремния 1050- 1200°С. Диффузия в полупроводник в большинстве случаев происходит за счет перемещения диффундирующих частиц, по вакантным узлам кристаллической решетки. Кроме этого, возможны прямой обмен атомов местами в узлах кристаллической решетки и перемещение атомов по междоузлиям. В качестве легирующих примесей выбирают элементы, имеющие достаточно высокую скорость диффузии и хорошую растворимость в полупроводнике при температуре диффузии.

скачать реферат Технология получения монокристаллического Si

При этом помимо кристаллизационной очистки кремния от нелетучих примесей (преимущественно акцепторов) происходит существенная очистка его от летучих доноров за счет испарения их из расплавленной зоны. Так, после 15 проходов расплавленной зоны со скоростью 3 мм/мин, получают монокристаллы кремния р- типа электропроводности с остаточной концентрацией примеси менее 1013 см-3 и удельным сопротивлением (по бору) более 104 Ом см. Производство монокристаллов кремния Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского (до 80—90 % потребляемого электронной промышленностью) и в меньшей степени методом бестигельной зонной плавки. Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела. Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость - твердое тело. Скорость роста V определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями переноса на границе раздела.

скачать реферат Печатные платы

В соответствии с применяемыми исходными продуктами называют и методы: хлоридный и силановый. Хлоридный метод основан на использовании химического взаимодействия паров тетрахлорида кремния с чистым водородом. В результате реакции на подложке осаждается чистый кремний, а пары HCl уносятся потоком водорода. Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокристалличен и имеет ту же структуру и ориентацию, что и подложка. Если к парам тетрахлорида кремния добавить пары галоидных соединений бора (BBr3) или фосфора (PCl3), то эпитаксиальный слой будет иметь уже не собственную, а примесную проводимость, поскольку в ходе химической реакции в кремний будут внедряться акцепторные атомы бора или донорные атомы фосфора. 5.2 Диффузионное легирование Внедрение примесей в исходную пластину (в эпитаксиальный слой) путем диффузии при высокой температуре является одним из основных способов создания диодных и транзисторных структур в интегральной технологии. Диффузия может быть локальной и общей. В первом случае она осуществляется на определенных участках пластины через специальные маски (рис 12 а, б), во втором – по всей поверхности (рис 10 в).

Пломба свинцовая 10 мм, упаковка 1 кг.
Рекомендуется использовать совместно с витой проволокой или шпагатом. Устанавливается с помощью пломбиратора. Применение свинцовых пломб
390 руб
Раздел: Прочее
Плеер "Мультяшка".
Антошка, Мамонтёнок, Крошка Енот и другие герои мультиков сами споют песенки — нужно только нажимать на кнопочки. Слушай и подпевай! 20
336 руб
Раздел: Прочие
Сборная модель "Каравелла".
Сборная модель "Каравелла" - 3D-пазл из картона, который несомненно оценят любители или коллекционеры судов. Модель этого
395 руб
Раздел: Техника
скачать реферат Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6

Дальнейшую очистку синтезированного материала осуществляют методом горизонтальной зонной плавки под давлением паров кадмия. В настоящее время отсутствуют данные о зависимости коэффициентов распределения примесей от отклонений состава расплава от стехиометрии, т. е. oт величины давления паров кадмия над расплавом. По-видимому, целесообразно проводить процесс при давлении паров кадмия, близком к равновесному (0,9 ат). Для получения легированных кристаллов к исходной смеси компонентов добавляются навески легирующих примесей: I , Ga, P, As. Однако, как отмечалось в гл. IV, введение примеси сопровождается возникновением противоположного заряженного дефекта, и концентрация носителей должна зависеть от отклонений от стехиометрии. Слитки, выращиваемые из расплава, обычно состоят из отдельных крупных монокристаллических блоков. Свойства полученных кристаллов проявляют вполне удовлетворительную зависимость от условий очистки исходных компонентов и значения давления паров кадмия, установленного в камере кристаллизации. Из сказанного следует, что известные значения структурно- чувствительных свойств соответствуют образцам с самой различной степенью компенсации.

скачать реферат Механизмы имплантации в металлы и сплавы ионов азота с энергией 1-10 кэВ

Ионы газа вытягиваются и ускоряются под действием приложенного между экстрактором 7 и анодом 6 высокого напряжения (10 – 50 кВ). Ионный поток 10 фокусируется, проходя через фокусирующий электрод 8, и попадает на поверхность образца 9. При прохождении через отверстие в экстракторе ионы обладают энергией, достаточной для внедрения в поверхностные слои образца. 2.2 Механизмы взаимодействия имплантируемых ионов с мишенью Из литературных источников , известно, что механические свойства обрабатываемой поверхности после имплантации ионов зависят, прежде всего, от концентрации внедренных ионов и образующихся в процессе имплантации радиационных дефектов. Для расчета пробегов и концентраций ионов при имплантации применяется теория Линхардта-Шарфа-Шиотта (ЛШШ), изложенная в работах . Существенное влияние на распределение примеси по глубине поверхностного слоя изделия оказывает радиационно-стимулированная диффузия. На диффузионные процессы существенное влияние оказывает температура нагрева поверхностного слоя образца. Однако в случае ионов газов с энергией в диапазоне 1 – 10 кэВ ( Дж) нагрев будет незначительным для расчета окончательного распределения примеси можно пренебречь изменением температуры в зоне воздействия, а значит и её влиянием на диффузионные процессы.

скачать реферат Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава

Методами химико- спектрального и активационного анализов, методом радиоактивных индикаторов (для циркония и гафния) показано, что в начальной части формируется концентрационный профиль со снижением концентрации, затем переходная область, за которой следует область нарастания концентрации вплоть до выпадения второй фазы. Распределение примесей-геттеров, а также уровень их концентрации в твердой фазе свидетельствует о том, что их взаимодействие с кислородом происходит в расплаве с последующим распределением атомов металла, связанного и не связанного с кислородом, с различными коэффициентами сегрегации. Более высокая концентрация примеси в начале слитка по сравнению со средней его частью противоречит диаграммам состояния кремний-титан (цирконий, гафний), имеющим эвтектический переход, соответственно которому элементы IV группы должны иметь коэффициент распределения меньше единицы. Отсутствие зависимости характера распределения от условий -перемешивания расплава подтверждает данные о взаимодействии примесей с кислородом. Следствием такого взаимодействия является различное поведение растворенного металла при кристаллизации кремния.

скачать реферат Технология изготовления микросхем

Требуемый диаметр устанавливается оператором, который наблюдает за процессом через окно в корпусе установки. Точность управления диаметром слитка обычно невысока, поэтому дается допуск на 3.5 мм в большую сторону. 6. Выращивание цилиндрической части ведется в автоматическом режиме со скоростью 1,5.3 мм/мин. Поскольку уровень расплава в тигле при этом непрерывно понижается, меняются тепловые условия в зоне роста. Этот принципиальный недостаток трудно устраним в методе Чохральского, и обеспечение требуемой однородности — по длине слитка — проблема, во многом определяющая технико-экономические показатели. Для этого используются все возможные аппаратурные средства: регулирование температуры, скорости вытягивания, подъем и опускание нагревателя и тигля. 7. Оттяжка на конус и отрыв кристалла от остатков расплава завершают процесс выращивания. Ограничения метода Чохральского состоят в следующем. Растворение в кремнии материала кварцевого тигля происходит с заметной скоростью. Вследствие непрямого и непостоянного по длине слитка фронта кристаллизации и изменения гидродинамических условий наблюдается сложная неоднородность в распределении примеси и удельного сопротивления по площади кристалла. 3. Неравномерное распределение дефектов, а также примесей по длине слитка.

скачать реферат Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

Этот метод позволяет также соразмерять возможности численного моделирования по точности с точностью исходных данных. В условиях резкого увеличения размерности задач, характерного для этапа создания СБИС и УБИС, главной тенденцией развития методов моделирования стало совмстное пpименения моделей различных иерархических уровней. Идея многоуровневого моделирования структур элементов БИС подразумевает комплексное использование при проектировании различных моделей одного и того же объекта -полупроводникового прибора транзисторного типа. На этапе технологического молелирования применяют модели, имитирующие процессы ионного легирования диффузии, эпитаксиального (гомо, гетеpо, молекуляpного) наращивания и оксидиpования. Именно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупроводниковых структурах, глубины и конфигурации р- -переходов. Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных конфигураций (топологии). Такими моделями являются модели литогpафии, исключающие нанесение и тpавление пленок. Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического оборудования (время обработки, температура, наружнос давление, доза и энергия ионной бомбардировки и т. п. ) Общее назначение моделей технологических пpоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигуpации и pазмеpах областей, распределении примесей в полупроводниковой структуре.

Магнитная мозаика "Рыбка", 312 элементов.
Собирая мозаику ребенок развивает творческие навыки, учится усидчивости, тренирует мелкую моторику рук. Набор мягких магнитных деталей
361 руб
Раздел: Магнитная
Качели Globex "Ветерок".
Качели простая и всегда любимая детьми вещь. Перед вами качели, которые вы можете разместить где угодно: во дворе, на улице, в квартире
1606 руб
Раздел: Качели для дома
Гамачок для купания.
Горка для купания (гамачок) для ванны 100 см служит для поддержки младенцев в ванночке. Ванночка с гамачком обеспечит комфортное принятие
315 руб
Раздел: Горки, приспособления для купания
скачать реферат Интегральная микросхема КР1533ТВ6

При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и -слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р- -переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжительности диффузии). Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию.

скачать реферат Сверхбольшие интегральные схемы

Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке - типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать - канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Рассмотрим основные технологические этапы производства -МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами. Принципиальная схема вентиля (инвертора) приведена на рисунке. Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения (нормально закрытых) и одного транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально открытый). Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор третьего транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора. Нормально открытый транзистор служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение (логический нуль) только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т.е. на их затворы подан высокий потенциал - логическая единица. Подложка. В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016см-3.

скачать реферат Физические основы электроники

Соответственно область (p) называется базовой (или базой). Правая область служит для переход 1 -р называют эмиттерным, а 2-p коллекторным. Средняя снижения сопротивления коллектора. Контакты с областями БТ обозначены на рисунках 3.1 и 3.2 буквами: Э - эмиттер; Б - база; К- коллектор. Основные свойства БТ определяются процессами в базовой области, которая обеспечивает взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов. Поэтому ширина базовой области должна быть малой (обычно меньше 1 мкм). Если распределение примеси в базе от эмиттера к коллектору однородное (равномерное), то в ней отсутствует электрическое поле и носители совершают в базе только диффузионное движение. В случае неравномерного распределения примеси (неоднородная база) в базе существует “внутреннее” электрическое поле, вызывающее появление дрейфового движения носителей: результирующее движение определяется как диффузией, так и дрейфом. БТ с однородной базой называют бездрейфовыми, а с неоднородной базой - дрейфовыми. Биполярный транзистор, являющийся трехполюсным прибором, можно использовать в трех схемах включения: с общей базой (ОБ) (рисунок 3.3,а), общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 3.3,б), и общим коллектором (ОК) (рисунок 3.3,в). Стрелки на условных изображениях БТ указывают (как и на рисунке 3.1) направление прямого тока эмиттерного перехода.

скачать реферат Расчет параметров ступенчатого p-n перехода

В резких p- -переходах изменение концентрации примесных атомов от d до a происходит на расстоянии, меньшем ширины обеднённого слоя . Резкость границы играет существенную роль, т.к. в плавном p- -переходе трудно получить те вентильные свойства, которые необходимы для работы диодов и транзисторов . На рис. 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резком изменении типа проводимости. При плавном изменении типа проводимости (рис. 1.1.а) градиент концентрации2 результирующей примеси мал, соответственно малы и диффузионные токи3 электронов и дырок. Эти токи компенсируются дрейфовыми токами4, которые вызваны электрическим полем связанным с нарушением условия электрической нейтральности: a = p d,(1.1.1) где и p – концентрация электронов и дырок в полупроводнике: a, d – концентрация ионов акцепторной и донорной примесей. Рисунок 1.1 Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости: (а) плавное изменение типа проводимости; (б) резкое изменение типа проводимости.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.