телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАПрограммное обеспечение -5% Рыбалка -5% Товары для спорта, туризма и активного отдыха -5%

все разделыраздел:Компьютеры, Программирование

Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова

найти похожие
найти еще

Забавная пачка денег "100 долларов".
Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь внимательней, и Вы увидите
60 руб
Раздел: Прочее
Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки
Ночник-проектор "Звездное небо, планеты", черный.
Оригинальный светильник-ночник-проектор. Корпус поворачивается от руки. Источник света: 1) Лампочка (от карманных фанариков); 2) Три
350 руб
Раздел: Ночники
Однородность удельного сопротивления кремниевых лент обеспечивается в пределах ±10%, поверхность лент не имеет механических нарушений. Фирма “Dow Cor i g Corp.” использует для получения кремниевых лент метод выращивания с пленочной подпиткой при краевом ограничении роста (метод EFG). Если материалом формообразователя служит графит, кремниевые ленты содержат примесь углерода в количестве 10 ат. ч на миллион, примесь кислорода в количестве 6 — 40 ат. ч на миллион и меньшее количество других примесей. В настоящее время доказана возможность получения бездислокационных кремниевых лент указанным способом, но кристаллографические дефекты поверхности остаются еще серьезной проблемой.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Большая Советская Энциклопедия (РЕ)

Топограмма блочного кристалла алюминия по Бергу — Барретту. Разворот блоков в кристалле фиксируется в виде светлых участков (1) и границ между тёмными участками (2). Рис. 5, б. Топограмма монокристаллов кремния, полученная по методу Ланга. Толщина кристалла 0,5 мм. Видны отдельные дислокации (d). Увеличено. Рис. 5, а. Схема топографирования кристаллов в узком параллельном пучке «на просвет» по методу Ланга. Рентгеновские монохроматические лучи от «точечного» источника выделяются узкой (0,1 мм) щелью так, что на кристалл попадает только излучение Кa1. Дифракционное изображение выделяется второй щелью и фиксируется на фотопластинке. Монохроматичность излучения тем выше, чем больше расстояние А и меньше ширина щели S. Для больших кристаллов необходимо синхронное возвратно-поступательное перемещение кристалла и фотопластинки (щели при этом неподвижны). Рис. 2, б. Топограммы по Фудживара «на просвет» кристалла сапфира, полученные при расстоянии D = 100 мм и В — соответственно 50, 70, 100, 150 мм, что позволяет получать различное разрешение деталей блочной структуры кристалла

скачать реферат Технология получения монокристаллического Si

Тигель вращается в направлении противоположном вращению монокристалла для осуществления перемешивания расплава и сведению к минимуму неоднородности распределения температуры. Выращивание при разрежении позволяет частично очистить расплав кремния от летучих примесей за счет их испарения, а также снизить образование на внутренней облицовке печи налета порошка монооксида кремния, попадание которого в расплав приводит к образованию дефектов в кристалле и может нарушить монокристаллический рост. В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава. Для получения монокристаллов кремния методом Чохральского разработано и широко используется высокопроизводительное автоматизированное оборудование, обеспечивающее воспроизводимое получение бездислокационных монокристаллов диаметром до 200— 300 мм. С увеличением загрузки и диаметра кристаллов стоимость их получения уменьшается. Однако в расплавах большой массы {60—120 кг) характер конвективных потоков усложняется, что создает дополнительные трудности для обеспечения требуемых свойств материала.

Керамическая кружка "World of Tanks" с 3D логотипом, 425 мл.
Керамическая кружка "World of Tanks" с 3D логотипом – настоящая находка для геймеров! Эта вместительная чашка станет Вашим
398 руб
Раздел: Кружки
Багетная рама "Empire" (золотой).
Багетные рамы предназначены для оформления картин, вышивок и фотографий. Оформленное изделие всегда становится более выразительным и
360 руб
Раздел: Размер 30x40
Крышка стеклянная, высокая, 28 см.
Крышка стеклянная с ручкой, высокая. Подойдет для сковороды или кастрюли диаметром 28 см.
308 руб
Раздел: Крышки
 Журнал «Компьютерра» 2008 № 09 (725) 04.03.2008

Так что же такое тонер? Во-первых, тонер - не просто какая-нибудь там сажа! Нет! Это многокомпонентная мелкодисперсная смесь с размером частиц от 3 до 10 мкм, которая может быть как на основе угля, так и на основе композитных полимеров (так называемые традиционные и полимерные). Во-вторых, сам порошок получают тремя принципиально разными способами: а) механическим измельчением многокомпонентной смеси (базовый принцип схож со способом измельчения кофейных зерен); б) плавлением, распылением расплавленной массы в виде аэрозоля в специальной камере и последующим застыванием и просеиванием; в) химическим выращиванием. У каждого из методов есть свои достоинства и недостатки. Достоинства механического метода - относительная простота получения. Недостатки же - минимальный размер частиц в 78 мкм (а чем больше размер частиц, тем больше расход тонера) и их неправильная форма (они имеют множество острых краев и при сильном увеличении похожи на щебень). В результате тонер действует, как абразив, на все (особенно на фотобарабан) подвижные элементы принтера

скачать реферат Монокристаллический кремень

Кристалл выходит из высокотемпературной зоны через систему продувки ,где газовый поток-в случае если выращивание про- изводиться в газовой атмосфере-движеться вдоль поверхности слитка,приводя к его охлаждению. Из системы продувки слиток попадает в верхнюю камеру,которая обычно отделена от высокотемпературной зоны изолирующим клапаном.Устройство для управления составом атмосферы.Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме,что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эррозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния. Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и , кроме того, имеет ряд преимуществ,в частности ,способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предо- твращаяет ее осаждение на стенках камеры.При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы :аргон и гелий. Инертные газы могот находиться при атмосферном или пониженном давлении.В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняеться его низкой стоимостью.

 Большая Советская Энциклопедия (ВТ)

Зависимость s, h и r от угла падения j первичных электронов для монокристаллов кремния; Еп = 1000 эв; пунктир — зависимость s (j) для плёнки кремния. Рис. 6. Размножение электронов в высокочастотном электрическом поле (а) и в скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях (б). Поле Н перпендикулярно плоскости чертежа; стрелками показаны траектории электронов. Рис. 1. Распределение вторичных электронов по энергиям: I — упруго отражённые электроны, II — неупруго отражённые электроны, III — coбственно вторичные электроны; Еп — энергия первичных электронов. Рис. 2. Вторичная электронная эмиссия на отражение (а) и на прострел (б). Рис. 4. Зависимость коэффициентов s и h от энергии первичных электронов Еп для некоторых металлов. Рис. 3. Зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии s от энергии первичных электронов Еп. Вторичное сырьё Втори'чное сырьё, материалы и изделия, которые после первоначального полного использования (износа) могут применяться повторно в производстве как исходное сырьё. Важнейшими видами В. с. являются лом; отходы чёрных, цветных и драгоценных металлов; отработанные смазочные масла; брак деталей; вышедшие из употребления изделия из полиэтилена и др.; изношенные автопокрышки; отработанная серная кислота; макулатура и др. К В. с. относятся также выбывшие из строя вследствие износа машины и оборудование и их детали; металлические части, получаемые при разборке зданий и старых судов; чёрные и цветные металлы, содержащиеся в непригодных к использованию предметах широкого потребления и быта, конечные отходы производства, которые для данного предприятия являются безвозвратными потерями (например, зола на электростанциях и др.)

скачать реферат Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Данный параметр необходим для расчета мощности, выделяющейся на резисторах, необходимой для последующих расчетов;для транзисторов – максимальный ток на коллекторном переходе, максимальный ток эмиттера,максимальное напряжение на переходе коллектор-база UКБ.Электрические параметры конденсаторов, необходимые для расчета их топологических параметров, приведены в задании к данной работе и не подлежат определению.Значения параметров, указанных выше, приведены в табл. 2.1.Табл. 2.1. Электрические параметры элементов интегральной схемы.ПараметрIR1-4, мАIR5, мАUКБ, ВIЭ, мАЗначение0,264,941,54,5Примечание. Данные значения токов и напряжений были измеряны при подаче на логические входы схемы минимально допустимого напряжения логической единицы (1,9 В), и/или максимально допустимого напряжения логического нуля (0,7 В).3. Технологические этапы изготовления ИМС.При производстве различных ИМС в текущий момент используется планарная технология, обеспечивающая воспроизводимые параметры интегральных элементов и групповые методы их производства Локальные технологические обработки участков монокристалла кремния обеспечиваются благодаря применению свободных и контактных масок.

скачать реферат Физические свойства плёнок Cu для тонкопленочных фотопреобразователей

Отметим, что этот эффект определяет недостаточную адекватность распространенного способа классификации микродефектов по размеру их следов , т. к. он ответственен за образование больших и малых следов от микродефектов одного сорта, если последние были расположены на различной глубине стравленного слоя. Полученные экспериментальные данные позволили выделить перспективные составы дефектно-контрастных травителей и предложить новые методики качественного и количественного анализа содержания микродефектов в монокристаллах кремния, основанные на комбинированном использовании новых растворов в сочетании с подробным анализом формы следов микродефектов на травленой поверхности. Ширина запрещённой зоны синтезированных плёнок, рассчитанная из спектров оптического пропускания, варьируется в диапазоне 1,27 – 1,41 эВ, что соответствует требованиям высокоэффективного фотопреобразования солнечного излучения Заключение Полученные результаты свидетельствует о перспективности предложенного метода синтеза тонких плёнок CIGSS, используемых для создания высокоэффективных тонкопленочных ФП.

скачать реферат Алмазные пленки

Основные достоинства рассматриваемого метода - высокая точность и возможность измерения весьма малых токов. К недостаткам цилиндра Фарадея относятся большие размеры и невозможность получить информацию о токе пучка, не нарушив его. Принципиальная схема цилиндра Фарадея показана на рис.2. Рис.2 Зонд для измерения плотности тока. Описание установки. Схема используемой установки для напыления пленок показана на рис.3. В рабочий откачиваемый объем помещен источник ионов (1), формирующий поток ионизированного газа. Перед соплом источника крепится подложка (2) - пластина монокристалла кремния, нагреваемая пропусканием постоянного тока. Рис.3 Схема установки. Температура подложки определялась по температурной зависимости сопротивления кремня, измеренной в ходе предварительной работы. Характеристики ионного источника При работе с ионным источником необходимо знать его характеристики. На рис.4,5 представлены зависимости плотности ионного тока в зависимости от расстояния до источника и угла в плоскости оси источника соответственно. Рис.4 Зависимость плотности плотности тока пучка ионов от расстояния до источника.

скачать реферат Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6

При испарении бинарного расплава парциальное давление пара компонента в первом приближении принимается пропорциональным его молярной доле в расплаве (закон Рауля): PA=P0A A; (P0A – PA)/ P0A= (PA/ P0A= B (PB/P0B = A ( A– B=1) Pобщ=PA PB=P0A A P0B B; PA/PB= A/ B(P0A/P0B; Следовательно, состав расплава и состав паровой фазы непрерывно изменяются стечением процесса (дистилляция). В этом случае также целесообразно использовать раздельное испарение чистых компонентов. В настоящее время метод конденсации компонентов полупроводниковых материалов применяют для: 1) изготовления топких эпитаксиальных пленок полупроводниковых элементов и соединений; 2) выращивания крупных монокристаллических слитков соединении, все компоненты которых обладают в технологически приемлемой области температур значительными и сравнимыми давлениями паров; 3) выращивания небольших монокристаллов некоторых полупроводниковых соединений и их твердых растворов. Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений Источником материала для роста кристалла могут служить легколетучие химические соединения компонентов, которые подвергаются термической диссоциации или восстановлению соответствующим газообразным восстановителем на поверхности роста, например: SiCI4 2H2 (Si 4HCl; SiH4 ( Si 2H2 .

Полотенце-уголок для купания Happy Baby "Fluffy" (зеленое).
Полотенце-уголок обеспечит малышу комфорт и сохранит тепло после купания. Натуральный мягкий материал быстро впитает влагу с нежной кожи
699 руб
Раздел: Полотенца
Лото "Предметы".
Настольные игры для детей не обходятся без лото. Детское лото отличается от взрослого понятными и простыми правилами игры, яркими
319 руб
Раздел: Лото детское
Набор мебели "Первоклашка" (стол+мягкий стул).
Комплект складной. Подходит для кормления, игр и обучения. Поверхность столешницы ламинированная с нанесением ярких познавательных
2100 руб
Раздел: Наборы детской мебели
скачать реферат Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа . 30 Заключение . 32 Литература . 33 Введение. Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки. Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

скачать реферат Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава

Образуя комплексы, соответствующие соединениям с высокой температурой плавления и прочными химическими связями, примесь металла IV-B может иметь коэффициент распределения больше единицы. Коэффициенты распределения титана, циркония и гафния, не связанных с кислородом, меньше единицы, и эти металлы оттесняются в конечную часть слитка. Снижение содержания кислорода в монокристаллах, выращенных методом Чохральского с добавкой геттера, по сравнению с обычными монокристаллами подтверждает факт взаимодействия этих примесей в расплаве. Источником обнаруженного оптически активного кислорода, по-видимому, служит тигель (Si0,). Физическая модель процесса внутреннего геттерированияв кремниевой технологии. Как известно, металлические примеси Au, Fe, i, Си и другие приводят к возникновению генерационно-рекомбинационных центров в активных областях приборов на основе кремния, что в свою очередь вызывает деградацию свойств приборов. Совокупность технологических приемов, позволяющих снизить концентрацию таких центров, локализуя их вблизи преципитатов Si0x (xw2), расположенных вдали от активных областей приборов, называется методом внутреннего геттерирования (ВГ).

скачать реферат Атомные станции

Можно, конечно, подождать внедрение солнечных батарей в экономику. В ожидании становятся предприятия, рухнет вся экономика, и нам с вами придется жечь костры, чтобы обогреть жилище и приготовить пищу. Сегодня солнечная энергия - это скорее мечта, нежели практическая реальность. К тому же в освоении солнечной энергетики не последнюю роль играют атомные станции. Именно на этих станциях происходит переработка физического кремния в амфорный. Последний как раз и является основой для производства солнечных батарей. Кроме того, на атомных станциях происходит выращивание монокристаллов кремния с их последующим радиационным легированием. Кристалл опускается в ядерный реактор и под воздействием облучения превращается в стабильный фосфор. Именно такой фосфор идет на изготовление приборов ночного видения, различного рода транзисторов, высоковольтных приборов и оборудования. Атомная энергетика - это целый пласт наукоемкого производства, позволяющий значительно улучшить экономическую ситуацию в регионе. Неверным является представление о том, что на Западе отказываются от строительства атомных станций. В одной только Японии работает 51 ядерный энергоблок и ведется строительство двух новых.

скачать реферат Композиционные триботехнические материалы на основе олигомеров сшивающихся смол

Дипломная работа на тему: Композиционные триботехнические материалы на основе олигомеров сшивающихся смол Выполнил Будько Юрий Анатольевич Руководитель Овчинников Е.В. Зав.кафедрой Струк В.А. Адрес: BudzkoYuri@mail.ru г. Гродно Содержание Введение 5 Глава I. Литературный обзор по теме: ’’Композиционные триботехнические материалы на основе сшивающихся смол ’’ 6 1.1. Типы композиционных материалов 6 1.2. Самосмазывающие материалы на основе сшивающихся связующих 8 1.3. Выбор типа сшивающегося связующего для изготовления материала. 11 1.4. Уникальность кремня 16 1.4.1. Непознанный кремень 16 1.4.2. Взаимодействие кремня с водой и обнаруженные при этом эффекты 17 1.4.3. Физико-химические и иные свойства кремня 18 1.4.4. Исследование термической стабильности кремня методами термогравиметрии и ДТА-анализа 19 1.4.5. Применение активированной кремнем воды в медицинской практике 21 Глава II. Методы исследования 23 2.1. Метод термического анализа 23 2.2.Определение коэффициента трения и удельного износа 26 2.3. Атомно-силовая микроскопия (АСМ) 27 2.4. Определение ударной вязкости 30 2.5. Рентгеноструктурный анализ 31 Глава III.

скачать реферат Технологические основы электроники

1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией: а — исходная пластина; б — избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в — осаждение поликристаллического кремния; г — шлифование и полирование обратной стороны пластины; д — окисление поверхности; е — готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния -типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС.

Дорожная косметичка, 21x15x12 см, арт. 82630.
Стильная косметичка выполненная из современных полимерных материалов, станет отличным современным подарком и займет достойное место среди
337 руб
Раздел: Дорожные наборы
Набор ароматический: аромалампа, 4 свечи, арт. 94613.
Аромалампа - это отличный подарок для друзей и близких людей к каждому празднику. Лампа будет радовать своего обладателя, принося теплые,
401 руб
Раздел: Подарочные наборы
Муфты-варежки "Bambola" для коляски (шерстяной мех + плащевка), черные.
Муфты-варежки на ручку коляски представляют собой 2 варежки, которые подходят для всех типов колясок и очень легко одеваются, защищая Ваши
454 руб
Раздел: Муфты на ручку
скачать реферат Кремний

При вращении монокристаллов пользуются методом Чохральского, заключающимся в следующем: в расплавленный материал опускают стержень, на конце которого имеется кристалл данного материала; он служит зародышем будущего монокристалла. Стержень вытягивают из расплава с небольшой скоростью до 1-2 мм/мин. В результате постепенно выращивают монокристалл нужного размера. Из него вырезают пластинки, используемые в полупроводниковых приборах. Применение.Специально легированный К. широко применяется как материал для изготовления полупроводниковых приборов (транзисторы, термисторы, силовые выпрямители тока, управляемые диоды — тиристоры; солнечные фотоэлементы, используемые в космических кораблях, и т. д.). Поскольку К. прозрачен для лучей с длиной волны от 1 до 9 мкм, его применяют в инфракрасной оптике (см. также Кварц). К. имеет разнообразные и всё расширяющиеся области применения. В металлургии К. используется для удаления растворённого в расплавленных металлах кислорода (раскисления). К. является составной частью большого числа сплавов железа и цветных металлов. Обычно К. придаёт сплавам повышенную устойчивость к коррозии, улучшает их литейные свойства и повышает механическую прочность; однако при большем его содержании К. может вызвать хрупкость.

скачать реферат Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

Это приходится учитывать при моделировании для получения требуемого результата. Каждый вид транзистора, выпускаемый на заводах, имеет набор параметров и характеристик, описанных в паспортных данных. На данный момент времени количество таких параметров достигает сотни. При математическом моделировании не всегда возможно все их учесть, а принимаются по умолчанию некоторые средние значения, которые относительно точно отражают физические характеристики. Эти допущения не всегда точно моделируют реальные биполярные транзисторы. Описание изучаемого алгоритма Биполярный транзистор состоит из двух взаимодействующих p- перехода, созданных в объёме монокристалла кремния или германия. В зависимости от характера примесей в этих областях принято различать транзисторы типа p- -p и -p- . Модель Эберса - Молла применима при моделировании по постоянному току. Э коллектор Рис. 2. Модель Эберса – Молла. 1) расчёт температурного потенциала. Кл - элементарный заряд. - текущая температура в Кельвинах. 2) расчёт тока насыщения, зависящего от температуры и напряжения между эмиттером и коллектором. iso - ток насыщения при OM; VA – напряжение Эрли; EG – ширина запрещённой зоны; OM – номинальная температура в Кельвинах. 3) определения величины IС и UС - ток и напряжение на диоде при переходе на линейный участок. ; RJ – минимальное дифференциальное сопротивление перехода; 4) перевод температурного коэффициента в систему С.

скачать реферат Нанотехнологии, наноматериалы, наноустройства

С помощью различных сканирующих микроскопов в настоящее время наблюдают за атомной структурой поверхностей монокристаллов металлов, полупроводников, высокотемпературных сверхпроводников, органических молекул, биологических объектов. На рис. 1 показана реконструированная поверхность нижней террасы грани (100) монокристалла кремния . Серые кружки являются образами атомов кремния. Темные области являются локальными нанометровыми дефектами. На рис. 2 приведена атомная структура чистой поверхности грани (110) серебра (левая рамка) и той же поверхности, покрытой атомами кислорода (правая рамка) . Оказалось, что кислород адсорбируется не хаотично, а образует достаточно длинные цепочки вдоль определенного кристаллографического направления. Наличие сдвоенных и одинарных цепочек свидетельствует о двух формах кислорода. Эти формы играют важную роль в селективном окислении углеводородов, например этилена. На рис. 3 можно видеть наноструктуру высокотемпературного сверхпроводника Bi2Sr2CaCu2O2 . В левой рамке рис. 4 отчетливо видны кольца молекул бензола (С6Н6) .

скачать реферат Секреты дискуса

В 1968 году вышла небольшая книжка Кэррола Фрисуолда "Каждый может вырастить дискусов", в которой обобщен более чем тридцатилетний опыт автора. Особое внимание уделено выращиванию дискусов без родителей. Метод Фрисуолда заключается в следующем: Субстратом для нереста служит кусок шифера размером 10х30 сантиметров. После того как пара отложит икру, ей дают несколько часов поухаживать за кладкой. Затем шифер, покрытый икринками, вынимают и помещают в стеклянную четырехлитровую банку с водой из нерестовика, в которую добавлены три ложки раствора акрифлавина (две таблетки на 1 литр воды). Лекарство препятствует возникновению гибельной для икры плесени. Из распылителя подается сильная струя воздуха, благодаря чему вода обогащается кислородом, обеспечивается выравнивание ее температуры (28°С) по всему объему, на икринки не оседают посторонние частицы, уносятся мертвые и массируются живые. Распылитель ставят так, чтобы пузырьки воздуха не касались икринок. После выклева (на третьи сутки) личинки падают на дно и собираются в живой клубок.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.