телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы
путь к просветлению

РАСПРОДАЖАБытовая техника -30% Товары для дачи, сада и огорода -30% Сувениры -30%

все разделыраздел:Промышленность и Производствоподраздел:Техника

Оптоэлектроника. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

найти похожие
найти еще

Горшок торфяной для цветов.
Рекомендуются для выращивания крупной рассады различных овощных и цветочных, а также для укоренения саженцев декоративных, плодовых и
7 руб
Раздел: Горшки, ящики для рассады
Брелок LED "Лампочка" классическая.
Брелок работает в двух автоматических режимах и горит в разных цветовых гаммах. Материал: металл, акрил. Для работы нужны 3 батарейки
131 руб
Раздел: Металлические брелоки
Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
В то же время значительные габариты, низкий к.п.д., прочие недостатки газоразрядных приборов не позволяют рассматривать этот вид ОКГ как универсальный оптоэлектронный элемент. Значительные мощности излучения твердотельных лазеров обуславливают перспективность применения этих генераторов в дальнодействующих волоконнооптических линиях связи. Наибольший интерес для разнообразных оптоэлектронных применений представляют полупроводниковые лазеры благодаря высокому к.п.д., малым габаритам, высокому быстродействию, простоте управления. Особенно выделяются гетеролазеры на основе тройного полупроводникового соединения Ga Al As. В их структуре тонкий слой -типа проводимости "зажат" между областями - и p-типов того же материала, но с большими значениями концентраций алюминия и соответственно этому большими ширинами запрещённой зоны. В роли резонатора может также выступать поверхностная дифракционная решётка, выполняющая функцию распределённой оптической обратной связи. Для оптоэлектроники особый интерес представляют полупроводниковые излучатели - инжекционные (светодиоды) и электролюминесцентные (электролюминофоры). В первых излучение появляется в результате рекомбинации дырок с инжектированными через p -переход электронами. Чем больше ток через светодиод, тем ярче его высвечивание. В зависимости от материала диода и примесей в нём меняется цвет генерируемого излучения: красный, жёлтый, зелёный, синий (соединения галия с фосфором и азотом, кремния с углеродом и пр., см. табл.1). Светодиоды на основе соединения галия с мышьяком генерируют невидимое излучение с длиной волны 0,9.0,92 мкм. На этой длине волны кремниевые фотоприёмники имеют максимальную чувствительность. Для светодиодов характерны малые размеры (0,3 7 инжекционная э электролюминесценция означает, что люминесценция стимулирована электрическим током). Электролюминесценция может быть вызвана также сильным электрическим полем, как в случае электролюминесцентных конденсаторов с диэлектриком из порошка сернистого цинка (предпробойная электролюминесценция Дестрио). Светодиоды для видимого и ближнего инфракрасного излучения изготавливаются главным образом из монокристаллов материалов типа A 5III 0B 5V 0: фосфида галия, арсенида галия и более сложных соединений: GaAs 41-x 0P 4x 0 , Ga 41-x 0Al 4x 0As , где x - доля содержания того или другого элемента в соединении. Для получения требуемого цвета свечения материалы сильно легируются соответствующими примесями или их состав сильно варьируется. Так, для получения красного излучения фосфид галия легируется цинком и кислородом, для получения зелёного - азотом. Если в GaAs 41-x 0P 4x 0 x=0,39 , то светодиод излучает красный свет с  7l 0=660 нм, если x=0,5.0,75, то янтарный с 7 l 0=610 нм. Из простого соотношения, связывающего длину волны излучения с шириной запрещённой зоны полупроводника, 7 l 0 следует, что видимое излучение с 7 l, 0720 нм можно получить лишь от широкозонных полупроводников с шириной запрещённой зоны 7 e. 01,72 эВ. У арсенида галия при комнатной температуре 7 e 0=1,38 эВ. Поэтому светодиоды из арсенида галия излучают невидимое, инфракрасное излучение с  7l 0=900 нм. У фосфида галия  7e 0=2,19 эВ. Он может уже излучать видимый свет с длиной волны 7 l. 0565 нм, что соответствует желто-зелёному свечению.

. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1.1. Предмет оптоэлектроники. Оптоэлектроника представляет собой раздел науки и техники, занимающийся вопросами генерации, переноса (передачи и приёма), переработки (преобразования), запоминания и хранения информации на основе использования двойных (электрических и оптических) методов и средств. Оптоэлектронный прибор - это (по рекомендации МЭК) прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях; или прибор, излучающий и преобразующий некогерентное или когерентное излучение в этих же спектральных областях; или прибор, использующий такое электромагнитное излучение для своей работы. Обычно подразумевается также "твердотельность" оптоэлектронных приборов и устройств или такая их структура (в случае использования газов и жидкостей), которая допускала бы реализацию с применением методов современной интегральной техники в микроминиатюрном исполнении. Таким образом, оптоэлектроника базируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники, среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая электроника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и технология, а также нелинейная оптика, электрооптика, голография, волоконная оптика. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связаны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны. Этим обуславливаются их основные достоинства: Высокая информационная ёмкость оптического канала. Острая направленность излучения. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной. Бесконтактность, "элетропассивность" фотонных связей. Возможность простого оперирования со зрительно воспринимемыми образами. Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными приборами очень широкие возможности применения в качестве элементов связи, индикаторных приборов, различных датчиков. Тем самым оптоэлектроника вносит свою, очень значительную, долю в комплексную микроминиатюризацию радиоэлектронной аппаратуры. Дальнейшее развитие и совершенствование средств оптоэлектроники служит техническим фундаментом разработки сверхвыскопроизводительных вычислительных комплексов, запоминающих устройств гигантской ёмкости, высокоскоростной связи, твердотельного телевидения и инфравидения. Основу практически любой оптоэлектронной системы составляет источник излучения: именно его свойства и определяют, в первую очередь, лицо этой системы. А все источники можно подразделить на две большие группы: с когерентным (лазеры) и с некогерентным (светоизлучающие диоды и др.) излучением. Устройства с использованием когерентного или некогерентного света обычно резко отличаются друг от друга по важнейшим характеристикам. Всё это оправдывает использование таких терминов как "когерентная оптоэлектроника" и "некогерентная оптоэлектроника". Естественно, что чёткую грань провести невозможно, но различия между ними очень существенны. История оптоэлектроники ведёт своё начало с открытия оптического квантового генератора - лазера (1960 г.). Примерно в то же время (50-60-е гг.) получили достаточно широкое распространение светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, устройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектроники. 1.2. Генерация света. Оптический диапазон составляют электромагнитные волны, длины которых простираются от 1 мм до 1 нм.

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

 Авиация и космонавтика 2003 10

Применение очков предусматривает адаптацию внутреннего и внешнего светотехнического оборудования Ми-24. Комплект модернизированного светотехнического оборудования представляет собой комбинированный вариант из светофильтров и полупроводниковых источников света. Светофильтры изготовлены из высококачественных цветных стекол с многослойным интерференционным покрытием. Полупроводниковые источники света – узкополосные светоизлучающие структуры, используемые в светодиодах. Излучающие кристаллы располагаются необходимым образом в светоформирующих элементах вместе с крепежом и обеспечивают желаемый цвет, диаграмму направленности и интенсивность. Комплекс БРЭО-24 вертолета создан на Раменском ПКБ. В настоящее время завершаются государственные испытания Ми- 24ПН. ОАО «Роствертол» приступил к серийному переоборудованию вертолетов в новую модификацию. Использование отработанных технических решений на отечественной элементной базе, сокращение объема летных испытаний и сроков внедрения с учетом остаточной стоимости и остаточного ресурса вертолетов Ми-24 максимально снижают стоимость работ по «красногорской» программе модернизации

скачать реферат Медицинские датчики

Схема включения Z-термистораZ-термисторы представляют собой полупроводниковую p- структуру, включаемую в прямом направлении ( к p-области структуры) в цепь источника постоянного напряжения. Структура обладает функцией перехода из одного устойчивого состояния (с малым током) в другое устойчивое состояние (в 50 - 100 раз большим током) при ее нагреве до заданного значения температуры. Установка требуемого значения температуры срабатывания осуществляется простым изменением напряжения питания. Длительность перехода структуры (Z- термистора) из одного устойчивого состояния в другое 1 - 2 мкс. Схема включения Z-термистора состоит из источника питания U и нагрузочного резистора R, который одновременно служит ограничителем тока Z-термистора при его переходе в состояние с большим током (рис.). Выходной сигнал (бросок напряжения) может быть снят как с нагрузочного резистора R, так и с самого Z-термистора, но с обратным знаком. Как уже было сказано, Z- термистор может быть настроен на любое значение температуры в диапазоне –40 - 100°С путем изменения питающего напряжения U.

Набор из 2 мягких ракеток с мячом, арт. Т59921.
Набор для игр с мячом и круглыми, мягкими, ярко оформленными ракетками "батут" оценят, как взрослые, так и дети. Игра с такими
353 руб
Раздел: Ловушки мячей, кэтчбол, огоспорт
Бумага для струйных принтеров "Lomond", 220 г/м, 50 листов, матовая, двухсторонняя, А4.
Изображение отпечатанное на матовой бумаге, не бликует, линии высококонтрастные, чистые тона имеют характерную бархатистую глубину.
355 руб
Раздел: Фотобумага для цветной печати
Пресс для формирования котлет с начинкой "От шефа" 3 в 1.
Мечтаете примерить на себя роль настоящего шеф-повара? Хотите, чтобы Ваши блюда искренне хвалили? С прессом для формирования котлет
328 руб
Раздел: Прочее
 XX век. Исповеди

Как только мы об этом говорим, то первое имя, которое приходит в голову, Жюль Верн. И подобное вполне объяснимо, так как специалисты связаны неким грузом знаний, и очень трудно свободно фантазировать. Есть такая шутка. Однажды Эйнштейна спросили: "Как делаются великие открытия?" Он ответил: "Очень просто! Все знают, что Нечто сделать невозможно, но обязательно находится один человек, который этого не знает… Вот он и делает это открытие!" Поэтому, чтобы говорить о том, что будет в XXI столетии, нужно посмотреть, что произошло в XX. - И это возможно? - Объективным быть трудно. Однако необходимо оценивать происходящее, чтобы выверять свой путь… Одно из самых больших моих достижений последнего времени (и я его оцениваю подчас даже выше, чем те исследования, которые я веду в своей области - в физике полупроводниковых гетеро-структур) - я считаю завершение строительства научно-образовательного центра физико-технического института. Физтех является уникальным научным центром - это первый физический исследовательский институт в нашей стране, появившийся в Советской России сразу после революции в 1918 году

скачать реферат Оптроны и их применение

Там же был предложен и термин “оптрон”, образованный как сокращение от английского “op ical-elec ro ic device”. Описанные в этой работе оптроны, отлично иллюстрируя принципы, оказались непригодными для промышленной реализации, так как основывались на несовершенной элементарной базе - неэффективных и инерционных порошковых злектролюминесцентных конденсаторах (излучатель) и фоторезисторах (приемник). Несовершенны были и важнейшие эксплуатационные характеристики приборов: низкотемпературная и временная стабильность параметров, недостаточная устойчивость к механическим воздействиям. Поэтому. на первых порах оптрон оставался лишь интересным научным достижением не находящим применения в технике. Лишь в середине 60-х годов развития полупроводниковых светоизлучающих диодов и технологически совершенных высокоэффективных быстродействующих кремниевых фотоприемников с р - -переходами (фотодиоды и фототранзисторы) начала создаваться элементарная база современной оптронной техники. К началу 70-х годов производство оптронов в ведущих странах мира превратилось в важную и быстро развивающуюся отрасль электронной техники, успешно дополняющую традиционную микроэлектронику. 2. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТРОННОЙ ТЕХНИКИ 2.1. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И УСТРОЙСТВО ОПТРОНОВ Элементную основу оптронов составляют фотоприемники и излучатели, а также оптическая среда между ними.

 Большой энциклопедический словарь (Часть 2, ЛЕОНТЬЕВ - ЯЯТИ)

Главные минералы: чилийская селитра NaNO3, калийная селитра KNO3 и др. Образуют солеобразные массы, выцветы, корочки, налеты. Хорошо растворимы в воде. Образуются в основном двумя путями: биогенным путем и в результате окисления азота атмосферы. НИТРАТЫ ЦЕЛЛЮЛОЗЫ (нитроцеллюлоза - нитроклетчатка) НИТРИДЫ - химические соединения азота с более электроположительными элементами. Нитриды алюминия, бора, кремния, вольфрама, титана (AlN, BN, Si3N4, W2N, TiN) и многие другие - тугоплавкие, химические стойкие кристаллические вещества. Компоненты жаропрочных сплавов используются в полупроводниковых приборах (напр., полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах), как абразивы. Действием азота или аммиака на металлы при 500-600 .С получают нитридные покрытия (высокотвердые, износо- и коррозионностойкие). НИТРИЛЫ карбоновых кислот - органические соединения, содержащие одну или несколько цианогрупп - С?N. Получают дегидратацией амидов карбоновых кислот, взаимодействием галогенопроизводных углеводородов с цианидами щелочных металлов и другими способами; применяют в производстве химических волокон, пластмасс и синтетических каучуков, в органическом синтезе, как растворители (см

скачать реферат Проектирование передающего устройства одноволоконной оптической системы передачи для городской телефонной сети

На ГТС ВОСП используются для уплотнения соединительных линий, для которых характерна небольшая длина, что позволяет отказаться от оборудования регенераторов в колодцах телефонной канализации. Волоконно-оптические системы передачи ГТС строятся на базе стандартного каналообразующего оборудования ИКМ, что позволяет легко модернизировать существующие соединительные линии для работы по оптическому кабелю. В качестве линейного кода ВОСП ГТС используется код CMI, который позволяет выделять последовательность тактовых импульсов, контролировать величину ошибки. Число одноименных следующих друг за другом символов не превышает двух – трех, что положительно сказывается на устойчивости работы ВОСП. Практически во всех волоконно-оптических системах передачи, рассчитанных на широкое применение, в качестве источников излучения сейчас используются полупроводниковые светоизлучающие диоды и лазеры. Для них характерны в первую очередь малые габариты, что позволяет выполнять передающие оптические модули в интегральном исполнении. Кроме того, для полупроводниковых источников света характерны невысокая стоимость и простота обеспечения модуляции.

скачать реферат Передающее устройство одноволоконной оптической сети

Для  волоконнооптических систем передачи  потенциально пригодны твердотельные лазеры, в которых активным материалом служит иттрий алюминиевый гранат, активированный ионами ниодима с оптической накачкой, у которого основной лазерный переход сопровождается излучением с длиной волны 1,064 мкм. Узкая диаграмма направленности и способность работать в одномодовом  режиме с низким уровнем шума являются  плюсами данного типа источников. Однако большие габариты, малый КПД, потребность во внешнем устройстве накачки являются основными причинами, по которым этот источник не используется в современных  волоконно- оптических системах передачи. Практически во всех волоконнооптических системах передачи, рассчитанных на широкое применение, в качестве источников излучения сейчас используются полупроводниковые светоизлучающие диоды и лазеры. Для них характерны в первую очередь малые габариты, что позволяет выполнять передающие оптические модули в интегральном исполнении. Кроме того, для полупроводниковых источников излучения характерны невысокая стоимость и простота обеспечения модуляции. 2.3 Детекторы  волоконнооптических систем передачи Функция детектора волоконнооптической системы передачи сводится к преобразованию входного оптического сигнала, который затем подвергается усилению и обработке схемами фотоприемника.

скачать реферат Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Подробно основные направления функциональной микроэлектроники рассмотрены в . Контрольные вопросы к разделу III 1. Поясните понятие надежности компонентов РЭА, дайте определения понятиям "вероятность безотказной работы" и "интенсивность отказов". Что означает термин «Тирания больших количеств». 1. Перечислите и поясните базовые физико-химические процессы создания полупроводниковых микроэлектронных структур. 1. Приведите последовательность технологических операций по изготовлению полупроводниковых биполярных ИМС. 1. Приведите последовательность технологических операций по изготовлению МДП ИМС. 1. Каким образом осуществляется сборка и герметизация полупроводниковых ИМС, какие типы корпусов Вы знаете? 1. Изобразите конструкцию биполярной ИМС с изоляцией между элементами обратно смещенными p- переходами. 1. Изобразите конструкцию биполярной ИМС с диэлектрической изоляцией между элементами.

скачать реферат Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

Значительные мощности излучения твердотельных лазеров обус- лавливают перспективность применения этих генераторов в дально- действующих волоконнооптических линиях связи. Наибольший интерес для разнообразных оптоэлектронных приме- - 6 - нений представляют полупроводниковые лазеры благодаря высокому к.п.д., малым габаритам, высокому быстродействию, простоте уп- равления. Особенно выделяются гетеролазеры на основе тройного полупроводникового соединения Ga Al As. В их структуре тонкий слой -типа проводимости "зажат" между областями - и p-типов того же материала, но с большими значениями концентраций алюми- ния и соответственно этому большими ширинами запрещённой зоны. В роли резонатора может также выступать поверхностная дифракцион- ная решётка, выполняющая функцию распределённой оптической об- ратной связи. Для оптоэлектроники особый интерес представляют полупровод- никовые излучатели - инжекционные (светодиоды) и электролюминес- центные (электролюминофоры). В первых излучение появляется в ре- зультате рекомбинации дырок с инжектированными через p -переход электронами. Чем больше ток через светодиод, тем ярче его высве- чивание.

Подставка для колец "Кошка", 12 см.
Регулярно удалять пыль сухой, мягкой тканью. Материал: металл (сплав цинка с покрытием золотой краской), стекло. Высота: 12 см. Товар не
365 руб
Раздел: Подставки для украшений
Ручка перьевая "Velvet Prestige", синяя, 0,8 мм, корпус хром/золото.
Перьевая ручка "Velvet Prestige". Цвет корпуса: хром/золото. Материал корпуса: металл. Материал пера: иридий. Пишущий узел: 0,8 мм.
404 руб
Раздел: Металлические ручки
Накидка Ritmix RAO-1317.
Материал: ПВХ. Размеры: 82 x 50 см. Варианты исполнения по цвету: прозрачный.
303 руб
Раздел: Прочее
скачать реферат Акустоэлектроника (Доклад)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники Реферат по курсу “Основы микроэлектроники” на тему: “Акустоэлектроника” Выполнил: студент гр. Руководитель: Днепропетровск – 1998 Акустоэлектроника – это направление функциональной микроэлектроники, основанное на использовании пьезоэлектрического эффекта, а также явлений, связанных с взаимодействием электрических полей с волнами акустических напряжений в пьезоэлектрическом полупроводниковом материале. По существу, акустоэлектроника занимается преобазованием акустических сигналов в электрические и электрических в акустические. Обратим внимание на то, что данное определение аналогично определению оптоэлектроники, где речь идет о взаимных преобразованиях оптических и электрических сигналов. На рис. 1, а показана структура элементарной ячейки кварца, состоящей из 3х молекул диоксида кремния. При отсутствии деформации центр тяжести положительных и отрицательных ионов совпадает (плюсом отмечены ионы кремния, минусом – кислорода). Сжатие кристалла в вертикальном направлении (рис. 1, б) приводит к смещению положительных ионов вниз, а отрицательных вверх.

скачать реферат Молекулы-русалки

Такие молекулы, как выяснилось, обладают донорными и акцепторными свойствами, то есть ведут себя фактически как крошечные полупроводники. Далее, полимеризация пленок Ленгмюра – Блоджетт, имеющих исключительно малую и к тому же калиброванную толщину (несколько монослоев), дает возможность вести филигранный литографический процесс с помощью электронного луча. Пространственное разрешение, которое ограничивает в электронной технологии минимальную толщину линий схемы, достигает в этом случае нескольких нанометров. Кроме того, ленгмюровские пленки предлагается использовать в качестве оптических волноводов со специально заданным по толщине профилем показателя преломления. Широкое развитие получают сейчас гибридные системы, где ленгмюровские пленки скомбинированы с традиционными транзисторными элементами. Высокая диэлектрическая прочность позволяет использовать такие пленки в качестве одного из элементов – так называемого подзатворного диэлектрика в полевых транзисторах. Все это расширяет диапазон используемых полупроводниковых кристаллов. Диэлектрические монослои улучшают характеристики солнечных батарей и светоизлучающих (люминесцентных) диодов, «очувствляют» поверхность фотоматериалов и т.д. Примером гибридной структуры может служить «искусственный нос» (рис.13), где ленгмюровская пленка играет роль избирательного фильтра, пропуская к поверхности транзистора только молекулы, скажем, водорода или азота и ничего больше.

скачать реферат Индикаторы

Важной и сложной является задача получения приборов с перестройкой цвета свечения. Простейшее реше-ние — помещение нескольких разных кристаллов в один корпус — для индикаторов не подходит. Могут использоваться (GaP- светодиоды, легированные одновременно азотом, кислородом и цинком, у которых при повышении инжекционного тока последовательно наблюдается красное, желтое, зеленое свечение. Однако цветовая насыщенность таких приборов невысока. Более перспективными представляются структуры с двумя p— - переходами и с общей базовой областью. Усложнение светоизлучающего элемента позволяет расширить его функциональные возможности и в схемо-техническом плане. Так, в GaP- структуре типа р — —і— фоточувствительная і - область образует внутреннюю положительную обратную связь, поэтому такой светодиод имеет динисторную вольт-амперную характеристику, т. е. обладает «памятью». Прогресс физики и технологии светоизлучающих диодов позволяет перейти к созданию монолитных много-элементных матриц: вполне достижимо получение 103 . 104 светящихся точек (т. е. 30 . 300 знаков) на одном кристалле площадью 1,5 . 15 см2. Такие матрицы явятся элементарной ячейкой наборного полупроводникового экрана, для технической реализации которого необходимо решение проблем многоуровневой коммутации, отвода тепла, схем управления.

скачать реферат Научно-технический прогресс - важнейший фактор рационального размещения и развития производительных сил

Это означает: 1) научные знания становятся неотъемлемым компонентом практически каждого занятого в процессе производства; 2) управление производством, технологическими процессами (особенно там, где действуют автоматические системы управления) возможно только на основе науки; 3) научно-исследовательская и конструкторская деятельность включается как непосредственное звено в структуру производственного процесса. Производство, таким образом, все больше становится сферой практически-технологического применения науки. На основе научных достижений нередко возникают и новые отрасли производства. Следовательно, наука, для того, чтобы действительно выполнять роль непосредственной производительной силы, должна опережать развитие производства. Научно-техническая революция охватывает ныне и науку, и технологию, и технику, а также систему организации труда и управления производством. Советский Союз занимал ведущее положение в фундаментальной науке. Результаты фундаментальных исследований в целом ряде случаев успешно применялись для решения оборонных задач и освоения космоса. Присвоенная в 2000 г. российскому физику Ж.Алферову Нобелевская премия за развитие полупроводниковых гетероструктур для оптоэлектроники и электроники высоких скоростей, то есть за исследования, благодаря которым появились современные быстрые структуры и лазерные диоды – основы современных информационных технологий – это успех еще советской науки.

скачать реферат Акустоэлектроника

Акустоэлектроника – это направление функциональной микроэлектроники, основанное на использовании пьезоэлектрического эффекта, а также явлений, связанных с взаимодействием электрических полей с волнами акустических напряжений в пьезоэлектрическом полупроводниковом материале. По существу, акустоэлектроника занимается преобазованием акустических сигналов в электрические и электрических в акустические. Обратим внимание на то, что данное определение аналогично определению оптоэлектроники, где речь идет о взаимных преобразованиях оптических и электрических сигналов. На рис. 1, а показана структура элементарной ячейки кварца, состоящей из 3х молекул диоксида кремния. При отсутствии деформации центр тяжести положительных и отрицательных ионов совпадает (плюсом отмечены ионы кремния, минусом – кислорода). Сжатие кристалла в вертикальном направлении (рис. 1, б) приводит к смещению положительных ионов вниз, а отрицательных вверх. Соответственно, на наружных электродах появляется разность потенциалов. Рассмотренное явление называют прямым пьезоэлектрическим эффектом. Существует и обратный пьезоэффект, когда под действием приложенного напряжения и в зависимости от его полярности пьезокристалл (кварц, сегнетова соль, турмалин и др.) поляризуется и изменяет свои геометрические размеры.

Набор капиллярных ручек "Triplus 334", 36 цветов.
Количество цветов: 36 ярких цветов. Эргономичная форма для удобного и легкого письма. Пишущий узел завальцован в металл. Защита от
1996 руб
Раздел: Капиллярные
Настольная игра №23 "Стану отличником. Азбука + арифметика".
НИ "Стану отличником: Азбука-арифметика" предназначена для игр и занятий с детьми от 3 до 8 лет. Игра включает в себя
479 руб
Раздел: Алфавит, азбука
Набор для автолюбителя зимний "3 в 1".
Замучились удалять снег на автостоянке подручными средствами? Тратите уйму времени на осторожную очистку стёкол и кузова от ледяной корки?
1316 руб
Раздел: Прочее
скачать реферат Волоконно-оптические линии связи

Его мощность тем выше, чем больше прикладываемое напряжение, чем больше ток через p- переход и чем больше число возбужденных атомов. В этом состоянии такой прибор еще не лазер, а светоизлучаючий диод. Однако если повышать далее ток через переход, то при определенном токе при наличии обратной связи будет достигнуто такое усиление, когда будет выполняться условие самовозбуждения, являющееся предпосылкой стабильного излучения. При этом так называемом пороговом токе диод начинает генерировать лазерное излучение, это означает, что выходящий свет синхронизирован по фазе и когерентен. Теперь с возрастанием тока его мощность увеличивается приблизительно пропорционально току. В твердотельном и газовом лазерах необходимо наличие зеркальных поверхностей для образования оптических резонаторов. В полупроводниковом лазере объем резонатора много меньше: p- переход, в области которого образуется индуцированное излучение, имеет толщину менее 1 мкм и ширину несколько десятков микрометров. Крепление зеркал при таких габаритах затруднено, да в этом и нет необходимости, так как очень высокий коэффициент преломления арсенида галлия (GaAs), который сегодня применяется в качестве основного материала для светоизлучающих диодов, позволяет реализовать функцию отражения в самом кристалле.

скачать реферат Анализ и оценка аппаратных средств современных ПЭВМ

Помимо работы с виртуальной памятью допускались операции с памятью, имевшей страничную организацию. Предварительная выборка команд, буфер на 16 инструкций, конвейер команд и аппаратная реализация функций преобразования адреса значительно уменьшили среднее время выполнения команды. Благодаря этим архитектурным особенностям, процессор мог выполнять 3 - 4 млн. команд в секунду, что примерно в 6 - 8 раз превышало аналогичный показатель для МП i8086. Безусловно, новый прибор остался совместимым со своими предшественниками на уровне объектных кодов. Особый интерес представляли три режима работы кристалла заряда на крошечном конденсаторе, выполненном в полупроводниковой структуре кристалла. Понятно, что для того чтобы зарядить конденсатор до определенного значения, необходимо некоторое время. Чтобы конденсатор разрядился, также необходимо определенное время. Таким образом, в результате процессов заряда и разряда конденсатора ячейка памяти устанавливает либо в состояние 1, либо в состояние 0. Поскольку для заряда и разряда конденсатора необходимо вполне определенное (и немалое) время, то в этом и кроется причина   ограниченного   быстродействия   динамической памяти.

скачать реферат Аппаратные средства ПК

При некоторых обращениях к оперативной памяти соответствующие значения заносятся в кэш. В ходе последующих операций чтения по тем ке адресам памяти обращения происходят только к кэш-память, без затраты процессорного времени на ожидание, которое неизбежно при работе с основной динамической памятью. В персональных компьютерах технология использования кэш-памяти находит применение прежде всего при обмене данными между микропроцессором и оперативной памятью, а также между основной памятью и внешней (накопителями на магнитных носителях). На кристалле микросхемы оперативной памяти SRАМ находится огромное количество транзисторов. Как уже говорилось, принщп работы ячейки динамической памяти состоит в сохранении ; заряда на крошечном конденсаторе, выполненном в полупроводниковой структуре кристалла. Понятно, что для того чтобы зарядить конденсатор до определенного значения, необходимо некоторое время. Чтобы конденсатор разрядился, также необходимо определенное время. Таким образом, в результате процессов заряда и разряда конденсатора ячейка памяти устанавливает либо в состояние 1, либо в состояние 0. Поскольку для заряда и разряда конденсатора необходимо вполне определенное (и немалое) время, то в этом и кроется причина ограниченного быстродействия динамической памяти.

скачать реферат Принципы реализации машин БД

Основные направления развития структур МВД: Можно выделить два обобщенных направления, в которых ведутся исследования по структурным методам повышения производительности МВД: многопроцессорные неоднородные (МН) и сетевые МВД. На рис. 1 приведены обобщенные топологические схемы таких МВД. Частным случаем МН МВД можно считать коммерческие МВД IDM-500, RS-310, iDBP 86/440, топологическая схема которых приведена на рис. 2. Рис. 1. Топология двух классов МВД:а - многопроцессорные неоднородные МВД с несколькими уровнями обработки б - сетевые МВД К МН МВД можно отнести большинство современных проектов МВД, таких как DEL A, GRACE, DSDBS, MPDC, SABRE и др. Основными особенностями МН МВД являются следующие. 1. Наличие нескольких уровней обработки данных, в частности, трех основных:селекция и первичная фильтрация данных непосредственно в контрольных устройствах массовой памяти; вторичная обработка, заключающаяся в реализации операций реляционной алгебры над вспомогательными отношениями, полученными на первом этапе; / - универсальный обрабатывающий / / -коммуникационный процессор процессор (серийный микропроцессор) - специализированный - коммутирующее устройство (общая обрабатывающий процессор шина, переключательная матрица,О - локальная полупроводниковая память кольцевая коммутирующая шина, коммутирующая сеть) - буферная общедоступная память - Управляющий процессор (подсистема) - устройство массовой памяти с контроллером (НМД с контроллером) Рис. 2. Топология коммерческих МБД структурная обработка или обработка метаданных, заключающаяся в поддержке вспомогательных структур данных (индексация, мультиатрибутная кластеризация) . 2. Наличие системной буферной памяти (СБП) между первыми двумя уровнями обработки, в которой помещаются отношения или вспомогательные структуры данных, полученные на первом уровне обработки.

телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.