телефон 978-63-62
978 63 62
zadachi.org.ru рефераты курсовые дипломы контрольные сочинения доклады
zadachi.org.ru
Сочинения Доклады Контрольные
Рефераты Курсовые Дипломы

РАСПРОДАЖАЭлектроника, оргтехника -30% Канцтовары -30% Игры. Игрушки -30%

Что такое полупроводник

Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты
Молочный гриб необходим в каждом доме как источник здоровья и красоты + книга в подарок

поискв заголовках в тексте в маркете

Физические основы электроники

Из курса физики известно, что (1.1) где Wф - уровень Ферми, соответствующий уровню энергии, формальная вероятность заполнения которого равна 0,5 (формальная потому, что уровень Ферми находится в запрещенной зоне и фактически не может быть занят электронами; кривая распределения Ферми-Дирака, характеризующая вероятность нахождения электрона на том или ином энергетическом уровне, всегда симметрична относительно уровня Ферми); WДН - энергия, соответствующая "дну" зоны проводимости; WВ - энергия, соответствующая "потолку" валентной зоны; А , Ар - коэффициенты пропорциональности; k - постоянная Больцмана, равная 1,37(10-23 Дж/град; Т- абсолютная температура, К. В химически чистых полупроводниках уровень Ферми совпадает с серединой запрещенной зоны Wi, а также А = Ар = А. Поэтому можно записать: . (1.2) Из выражения (1.2) следует, что в чистом полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной зоны и при увеличении температуры возрастают приблизи -тельно по экспоненциальному закону (температурные изменения А играют незначительную роль). (Рисунок 1.3) Равенство концентраций i и pi показывает, что такой полупроводник обладает одинаковыми электронной и дырочной электропроводностями и называется полупроводником с Рисунок 1.3 Зависимость концентрации собственной электропроводностью. носителей от температуры. 1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностьюПри введении в 4-валентный полупроводник примесных 5-валентных атомов (фосфора Р, сурьмы Sb) атомы примесей замещают основные атомы в узлах кристаллической решетки (рис. 1.4, а). Четыре электрона атома примеси вступают в связь с четырьмя валентными электронами соседних атомов основного полупроводника.

Лазеры на гетеропереходах /полупроводниковые лазеры/

1. Введение. Полупроводниковые лазеры отличаются от газовых и твердотельных тем, что излучающие переходы происходят в полупроводниковом материале не между дискретными энергетическими состояниями электрона, а между парой широких энергетических зон. Поэтому переход электрона из зоны проводимости в валентную зону с последующей рекомбинацией приводит к излучению, лежащему в относительно широком спектральном интервале и составляющему несколько десятков нанометров, что намного шире полосы излучения газовых или твердотельных лазеров. 2. Создание инверсной населенности в полупроводниках.Рассмотрим собственный полупроводник. В условиях термодинамического равновесия валентная зона полупроводника полностью заполнена электронами, а зона проводимости пуста. Предположим, что на полупроводник падает поток квантов электромагнитного излучения, энергия которых превышает ширину запрещенной зоны hv>Eg. Падающее излучение поглощается в веществе, так как образуются электронно-дырочные пары. Одновременно с процессом образования электронно-дырочных пар протекает процесс их рекомбинации, сопровождающийся образованием кванта электромагнитного излучения.

Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа

Это усиление невелико, поскольку излучение проходит тонкую область рекомбинации в поперечном направлении. Для получения лазерного эффекта нужно это излучение направить вдоль активного слоя и обеспечить отражение от концевых плоскостей. Однако усиление спонтанного излучения в такой конфигурации наблюдается и ниже порога возбуждения и при неотражающих концевых плоскостях. Усиленное и направленное таким образом испускание называется суперлюминесценцией. На этом эффекте и основаны супсрлюминесцентиые диоды (СЛД). При этом активную среду формируют в виде оптического волновода, который замыкается на одном конце хорошо отражающим зеркалом, а на другом конце излучает свет без отражения в пространство либо в световод. Для сильной суперлюминесценции необходимо высокое усиление в активной среде, что в полупроводниках обеспечивается высокой плотностью мощности. Суперлюминесцентные диоды конструируются на основе двойной гетероструктуры с полосковой геометрией. Контактные полоски с одной стороны доходят до торцевой фронтальной поверхности, в то время как с другой стороны они не доходят до края полупроводника.

Современные средства связи

Многопроцессорные ЭВМ, технологической основой которых являлись так называемые большие интегральные микросхемы относили к компьютерам четвертого поколения. Под большими интегральными микросхемами понимали степень “насыщения” блока микросхем. Однако не существовало четкой границы между “малыми”, “средними” или “большими” микросхемами, так что такая терминология не может быть названа полностью научной. Значительно больший фактор в развитии электронных вычислительных машин, а значит и компьютерных сетей, – это изменение основных элементов оперативной памяти. Если первые ЭВМ имели в своем составе запоминающие устройства на так называемых ферролитовых сердечниках, то настоящей революцией в развитии вычислительной техники было введение в качестве элементов памяти полупроводниковых приборов, которые изготавливались по технологии, аналогичной технологии изготовления интегральных схем. Образцы такой памяти небольшого объема создавались и использовались начиная с 70-х годов как “сверхбыстродействующая память”; в то же время наметилась тенденция создания оперативной памяти на полупроводниках и использования ферритовых запоминающих устройств в качестве дополнительной “медленной” памяти.

Микроскопия вчера, сегодня, завтра

В электростатическом силовом микроскопе вибрирующий зонд несет электрический заряд, а амплитуда его вибраций зависит от электростатических сил, возникающих в результате взаимодействия с зарядами на поверхности образца. С помощью такого микроскопа можно выявлять картину распределения электрофизических свойств различных материалов, например, концентрации легирующей примеси в кремнии. (Напомним, что легирование полупроводников применяется для изменения соотношения между концентрациями подвижных отрицательных и положительных носителей заряда – электронов и дырок соответственно.) Для этого к зазору между зондом электростатического силового микроскопа и исследуемой поверхностью прикладывается напряжение, которое смещает электроны или дырки под зондом, оставляя там заряженную область, электростатически взаимодействующую с острием. Последовательные перемещения острия зонда позволяют точно и с высоким разрешением измерить величину заряда, а следовательно, и количество смещенных электронов или дырок, соответствующее концентрации легирующих атомов.

страницы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Что такое хорошо. Барто Агния Львовна
Серия "Для самых маленьких" Для чтения взрослыми детям.
50 руб
Раздел: Тексты, хрестоматии, КДЧ, художественная литература
Чудеса.
В книгах из серии Для самых маленьких Вы встретитесь с героями сказок и стихов, знакомых всем с раннего детства. Красочные иллюстрации
49 руб
Раздел: ВСЕ РАЗДЕЛЫ

без
фото
Чудесные сказки - 320 с. {В гостях у сказки} ISBN 5-85550-129-9 ~92.02.02 658.

64 руб
Раздел: ВСЕ РАЗДЕЛЫ
телефон 978-63-62978 63 62

Сайт zadachi.org.ru это сборник рефератов предназначен для студентов учебных заведений и школьников.